晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制备方法”，专利申请号为CN202510059121.1，授权日为2025年3月25日。

专利摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法，具体涉及半导体技术领域。半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底包括衬底、垫氧化层、第一垫氮化层和多个沟槽隔离结构，垫氧化层覆盖于相邻的两个沟槽隔离结构之间的衬底上，第一垫氮化层覆盖在垫氧化层的表面，多个沟槽隔离结构至少部分外露于衬底；去除第一垫氮化层；对衬底进行离子注入；对垫氧化层进行减薄处理；在沟槽隔离结构和垫氧化层的表面形成第二垫氮化层；以图案化光刻胶为掩膜，对第二垫氮化层、垫氧化层和衬底进行刻蚀，以在衬底上形成开口；对开口内的衬底进行热氧化处理形成氧化层。采用本发明的半导体结构的制备方法能够提高半导体器件的速度，改善半导体器件的电路性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权75个，较去年同期增加了17.19%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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