晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件、制备方法、读写方法及存储器”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件、制备方法、读写方法及存储器”，专利申请号为CN202411759870.7，授权日为2025年3月25日。

专利摘要：本公开提供了一种半导体器件、制备方法、读写方法及存储器，该半导体器件包括：衬底、有源柱、存储单元以及栅极字线结构。其中，有源柱设置于衬底上，且有源柱沿着远离衬底的第一方向延伸。存储单元有多个，多个存储单元沿着第一方向并列设置，且存储单元耦合于有源柱的侧壁。栅极字线结构有多个，多个栅极字线结构沿着第一方向并列且间隔设置并用于控制有源柱中沟道的通断，且相邻的两个栅极字线结构之间均设置有存储单元。该半导体器件能够规避平面器件所受到的尺寸微缩的问题，从而显著提高该器件的存储密度。

今年以来晶合集成新获得专利授权75个，较去年同期增加了17.19%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。