晶合集成获得实用新型专利授权：“半导体测试结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“半导体测试结构”，专利申请号为CN202420611035.8，授权日为2025年3月25日。

专利摘要：本公开实施例提供了一种半导体测试结构，包括测试晶体管。测试晶体管包括：栅极结构，位于有源区上方，并沿第一方向延伸；源极结构和漏极结构，位于有源区内，并分别位于栅极结构在有源区上正投影的两侧；其中，源极结构和漏极结构均包括多个导电区和多个隔离区；源极结构的各导电区和各隔离区沿第一方向交替排布成行；漏极结构的各导电区和各隔离区沿第一方向交替排布成行；源极结构内位于第一方向一侧末端且靠近浅槽隔离结构的导电区构成测试源极，漏极结构内位于第一方向一侧末端且靠近浅槽隔离结构的导电区构成测试漏极，测试源极和测试漏极位于第一方向同一侧的末端。本公开用于准确监测有源区与STI交界处的漏电现象。

今年以来晶合集成新获得专利授权62个，与去年同期持平。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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