晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体测试结构及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体测试结构及其制作方法”，专利申请号为CN202411958762.2，授权日为2025年3月18日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体测试结构及其制作方法，属于半导体技术领域，所述测试结构至少包括：衬底，包括多个并列设置的有源区；多个栅极，并列设置在多个有源区上，栅极与有源区之间设置有栅极介质层，栅极和有源区垂直；第一金属硅化物，至少设置在部分栅极及栅极一侧的侧壁上，并延伸至有源区上；在相邻栅极之间的单个有源区上设置至少一个测试孔组，测试孔组和第一金属硅化物交错分布；连接孔，设置在多个栅极一侧的有源区上；至少一个第一测试点，设置在测试孔组上，与测试孔组连接；第二测试点，设置在连接孔上，与连接孔连接。通过本发明提供的一种半导体测试结构及其制作方法，能够及时反馈金属硅化物的制作质量，提高监测效率。

今年以来晶合集成新获得专利授权57个，较去年同期减少了6.56%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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