晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件的接触孔的形成方法及半导体器件结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的接触孔的形成方法及半导体器件结构”，专利申请号为CN202411606209.2，授权日为2025年3月18日。

专利摘要：本申请公开了一种半导体器件的接触孔的形成方法及半导体器件结构。其中，所述方法包括：提供形成有第一接触孔刻蚀停止层的衬底，衬底上还形成有多个栅极结构；在第一接触孔刻蚀停止层上形成原始牺牲层，且对原始牺牲层进行部分改性处理，以使位于每个栅极结构顶部上方的原始牺牲层改性为改性牺牲层；对改性牺牲层和第一接触孔刻蚀停止层进行刻蚀，以使得位于改性牺牲层和每个栅极结构顶部之间的第一接触孔刻蚀停止层被保留、且形成补偿刻蚀停止层；在衬底上形成包含有第二接触孔刻蚀停止层和层间介电层的目标结构；在目标结构上形成接触孔。通过本申请的方案，改善接触孔制程过程中易出现栅极损伤以及层间介电层缝隙和孔洞等问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权57个，较去年同期减少了6.56%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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