晶合集成获得发明专利授权：“半导体栅极结构的制备方法及半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体栅极结构的制备方法及半导体结构”，专利申请号为CN202411555633.9，授权日为2025年3月18日。

专利摘要：本申请公开了一种半导体栅极结构的制备方法及半导体结构。其中，半导体栅极结构的制备方法包括：提供衬底并且在衬底上形成栅极多晶硅，在栅极多晶硅的形成过程中，对栅极多晶硅两侧的阱区进行下沉处理；沿半导体的沟道长度方向，在栅极多晶硅两侧形成侧墙结构，其中侧墙结构包括牺牲层和形成在牺牲层外侧的侧墙层；对栅极多晶硅和牺牲层进行移除处理，以形成第一凹槽，栅极多晶硅在移除过程中，沿半导体的沟道宽度方向，对栅极多晶硅两侧与浅槽隔离区接触部分进行下沉处理，以在浅槽隔离区上形成第二凹槽；以及对第一凹槽和第二凹槽进行栅极填充处理。通过本申请的方案，对半导体器件栅极结构进行改动，以实现器件短沟道效应的有效改善。

今年以来晶合集成新获得专利授权57个，较去年同期减少了6.56%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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