晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制造方法、半导体结构及CMOS电路”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制造方法、半导体结构及CMOS电路”，专利申请号为CN202411648674.2，授权日为2025年3月18日。

专利摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法、半导体结构及CMOS电路，所述半导体结构的制造方法包括：提供半导体基底；其中，半导体基底包括半导体衬底和覆盖半导体衬底的缓冲层和应力层；半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；PMOS区域表面形成有PMOS栅极结构；覆盖PMOS栅极结构侧面的缓冲层与覆盖半导体衬底表面的缓冲层形成有邻接区域；去除半导体基底中覆盖PMOS区域的部分应力层，在缓冲层的邻接区域远离半导体衬底的表面形成应力层残留部；在PMOS区域执行离子注入工艺；其中，执行离子注入工艺的区域包括应力层残留部，以使应力层残留部被刻蚀的刻蚀速率增大；刻蚀去除应力层残留部。通过本申请实施例，提升了CMOS电路整体的电学性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权57个，较去年同期减少了6.56%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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