晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202411587416.8，授权日为2025年3月14日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成氧化层与氮化层；依次刻蚀所述氮化层、所述氧化层以及部分厚度的所述衬底，形成沟槽；填充介质材料在所述沟槽内形成浅沟槽隔离结构；对所述氮化层进行图形化处理形成场板。本发明在形成浅沟槽隔离结构之后，无需去除氮化层，直接对氮化层进行图形化处理形成场板，与现有技术中相比，本发明减少了两道洗净制程、三道炉管制程以及一道刻蚀制程，缩减了工艺流程，减低了制作成本，有效提高了生产效率。同时，场板位于衬底上方，电流可直接从漏极流向源极，不会被场板阻挡，可降低导通电阻。

今年以来晶合集成新获得专利授权51个，较去年同期减少了15%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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