晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202411874823.7，授权日为2025年3月4日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：提供设置有栅极结构的衬底；在栅极结构之间的衬底中形成第一沟槽；在第一沟槽内刻蚀形成西格玛沟槽，得到由第一沟槽和西格玛沟槽构成的连通沟槽；其中，西格玛沟槽的顶部宽度小于第一沟槽的底部宽度；在连通沟槽内进行锗硅外延生长，形成锗硅外延层，得到半导体结构；锗硅外延层中，第一外延层设置于连通沟槽的侧壁和底部；第二外延层设置于连通沟槽的中间区域，与第一外延层充满连通沟槽；第二外延层中硼原子浓度高于第一外延层中的硼原子浓度。本申请能够缓解由于第二外延层中硼原子向沟道扩散导致的漏电问题，提高器件性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权33个，较去年同期减少了40%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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