晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202411650381.8，授权日为2025年2月21日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，衬底上形成有栅极结构与侧墙，栅极结构包括栅介质层、伪栅极、第一硬掩膜层、第二硬掩膜层与无定形碳层；形成覆盖NMOS区域的第一图形化的光刻胶层；在PMOS区域内的栅极结构两侧的衬底内形成凹槽，且第二硬掩膜层上还保留有部分厚度的无定形碳层；去除第一图形化的光刻胶层；采用灰化工艺去除无定形碳层。本发明在PMOS区域内形成凹槽的过程中，通过无定形碳层保护其下方的第二硬掩膜层不被减薄，去除无定形碳层之后，能够保证两个区域内的第二硬掩膜层的厚度一致，从而保证伪栅极的高度一致，由此提高器件的电学性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权26个，较去年同期减少了13.33%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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