晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件的制备方法、电学性能调整方法及半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制备方法、电学性能调整方法及半导体器件”，专利申请号为CN202411705557.5，授权日为2025年2月14日。

专利摘要：本申请公开了一种半导体器件的制备方法、电学性能调整方法及半导体器件，半导体器件的制备方法包括将半导体晶圆划分成多个区域；选择性地向半导体晶圆注入第一类型的掺杂剂，在半导体晶圆中形成第一掺杂类型的第一掺杂区；在半导体晶圆上形成图案化的掩模层，其中，掩模层覆盖第一掺杂区；分区域对掩模层进行改性处理，以分区域调整掩模层的抗离子注入能力；以及经由改性之后的掩模层向半导体晶圆注入与第一类型相反的第二类型的掺杂剂，其中，第二类型的掺杂剂注入至掩模层暴露的半导体晶圆中形成第二掺杂类型的第二掺杂区，部分第二类型的掺杂剂注入至掩模层覆盖的第一掺杂区，对第一掺杂区的掺杂浓度进行调整。

今年以来晶合集成新获得专利授权21个，较去年同期减少了4.55%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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