证券之星消息,根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种非易失性存储器结构及其制备方法”,专利申请号为CN202010278493.0,授权日为2025年2月7日。
专利摘要:本发明公开了一种非易失性存储器结构及其制备方法,属于集成电路技术领域。本发明的存储器结构包括:衬底;至少两个隔离结构,每个隔离结构的一端伸入衬底中,使衬底暴露侧壁;凹部形成于每个所述隔离结构侧壁与相邻所述衬底侧壁之间,所述凹部的一部分具有倾斜直线剖面形状所述凹部的另一部分具有弧形曲线剖面形状;隧穿氧化层形成于所衬底的一侧,且覆盖衬底表面及衬底侧壁;浮栅层形成于隧穿氧化层背离衬底的一侧,且覆盖隧穿氧化层、凹部及隔离结构;栅极闸门形成于浮栅层与隧穿氧化层之间,栅极闸门包括多个电流隧穿通道控制面。本发明有效的提高了栅极闸门对于电流隧穿通道的控制,减少漏电。
今年以来晶合集成新获得专利授权19个,较去年同期减少了13.64%。结合公司2024年中报财务数据,2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元,同比增22.27%。
数据来源:天眼查APP
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