晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制备方法”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202010187392.2，授权日为2025年2月7日。

专利摘要：本发明公开一种半导体器件及其制备方法，属于集成电路技术领域。本发明的半导体器件包括：衬底；源极，形成于所述衬底中的一侧；漏极，形成于所述衬底中相对于所述源极的另一侧；栅极，其形成于所述衬底表面；第一隔离结构，其位于所述栅极邻近所述漏极的一侧，且由所述栅极中向下延伸至所述衬底中；第二隔离结构，其位于所述第一隔离结构邻近所述漏极的一侧，且由所述栅极中向下延伸至所述衬底中；所述第一隔离结构的深度与所述第一隔离结构的深度不相同。本发明在保证半导体器件的耐压性的同时，降低该区域的阻值，从而提高其饱和电流。

今年以来晶合集成新获得专利授权19个，较去年同期减少了13.64%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。