晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202411346387.6，授权日为2025年2月7日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括：衬底；多个浅槽隔离结构，设置在衬底中，其中多个浅槽隔离结构在衬底中划分出多个有源区；凸部结构，设置在衬底中，且凸部结构位于相邻的浅槽隔离结构之间，其中凸部结构的高度小于浅槽隔离结构的高度；掺杂区，设置在衬底中，掺杂区和凸部结构分布在相邻的有源区中；栅氧化层，设置在浅槽隔离结构上和凸部结构上，以及衬底上；以及多晶硅层，设置在栅氧化层上，多晶硅层覆盖凸部结构和部分掺杂区。本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，能够在不提升半导体器件占用面积的基础上，提升半导体产品的耐压能力。

今年以来晶合集成新获得专利授权19个，较去年同期减少了13.64%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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