晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件的制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件的制作方法”，专利申请号为CN202411312318.3，授权日为2025年2月7日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，包括第一区域和第二区域；在第一区域和第二区域之间形成浅沟槽隔离结构；在衬底上形成开口长边方向平行于半导体器件沟道宽度方向第一图案化光阻层，并暴露第一区域及两侧的部分浅沟槽隔离结构；对第一区域进行两次倾斜离子注入，形成第一沟道掺杂区；重新形成开口长边方向平行于半导体器件沟道宽度方向第二图案化光阻层，并暴露第二区域及部分浅沟槽隔离结构；对第二区域进行两次倾斜离子注入，形成第二沟道掺杂区；在沟道掺杂区上形成栅极；在栅极两侧形成轻掺杂区。通过本发明提供的半导体器件的制作方法，能够提高半导体器件的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权19个，较去年同期减少了13.64%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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