晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202411415963.8，授权日为2025年1月24日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：包括衬底和介电层；衬底包括器件区和外围区；器件区包括间隔排布的至少两个晶体管；外围区包括电阻结构；介电层位于衬底顶面，至少两个晶体管的栅极结构贯穿介电层；电阻结构贯穿介电层；电阻结构包括导电结构，以及位于导电结构的底面与衬底之间且具有预设阻值的电阻器；预设阻值与导电结构的阻抗值之和大于预设阈值；导电结构与栅极结构的栅导电层的至少部分在相同的工艺步骤中同步制备而成。本申请有利于在形成阻值可调节的电阻结构的前提下，提高接触孔的填孔能力、缩短电流的流通路径，从而提高半导体结构的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权6个，较去年同期增加了50%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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