晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制备方法”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202411204248.X，授权日为2024年12月27日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，其中半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一衬底，衬底包括第一器件区和与第一器件区相邻的第二器件区；形成沟槽结构于第一器件区的衬底中并延伸至第二器件区的衬底中；形成氧化层于沟槽结构中，并刻蚀第一器件区中的氧化层以形成凹陷，凹陷与第二器件区邻接，凹陷的长度大于或者等于沟槽结构的长度的八分之一；形成多晶硅栅极于凹陷中。本发明的制备方法制备的半导体器件可以在第一器件区中形成下沉式多晶硅栅极，使得第一器件区和第二器件区的过渡区域的台阶高度降低，可以在后续的刻蚀工艺之后避免出现多晶硅残留，同时还可以避免出现CD工艺窗口不足的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权287个，较去年同期增加了18.6%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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