晶合集成获得发明专利授权：“图像传感器及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“图像传感器及其制备方法”，专利申请号为CN202411179398.X，授权日为2024年12月27日。

专利摘要：本公开涉及集成电路领域，具体涉及一种图像传感器及其制备方法。图像传感器包括基底，基底具有多个浅沟槽隔离结构；第一半导体层，位于基底的一侧，第一半导体层具有第一导电类型；第二半导体层，位于第一半导体层远离基底的一侧，第二半导体层具有第二导电类型；半导体填充结构，沿图像传感器的厚度方向依次贯穿第二半导体层以及第一半导体层，半导体填充结构具有第二导电类型；深沟槽隔离结构，沿图像传感器的厚度方向依次贯穿第二半导体层以及第一半导体层，并延伸至浅沟槽隔离结构。由于图像传感器不使用离子植入的方式形成光电二极管，因而图像传感器可以降低形成发光二极管时对其他膜层造成损伤的可能性，也避免出现暗电流。

今年以来晶合集成新获得专利授权287个，较去年同期增加了18.6%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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