晶合集成获得实用新型专利授权：“叠层结构以及半导体结构”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“叠层结构以及半导体结构”，专利申请号为CN202420018733.7，授权日为2024年12月27日。

专利摘要：本公开涉及一种叠层结构以及半导体结构，叠层结构应用于一体化刻蚀工艺，叠层结构包括自下而上依次层叠的导电层、介电层、致密缓冲层以及硬掩模层；其中，致密缓冲层的吸水率小于硅酸乙酯的吸水率。半导体结构包括上述叠层结构，以及设置于叠层结构内的至少一个刻蚀结构；刻蚀结构包括凹槽以及通孔；凹槽贯穿硬掩模层，且至少部分位于致密缓冲层内；通孔位于凹槽的下方，与凹槽连通，并贯穿致密缓冲层与介电层，以暴露出导电层；其中，致密缓冲层的吸水率小于硅酸乙酯的吸水率。本公开能够有效解决叠层结构中因缓冲层吸水导致的一体化刻蚀工艺刻蚀不完全的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权279个，较去年同期增加了15.77%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。