晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件的制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件的制作方法”，专利申请号为CN202411328567.1，授权日为2024年12月24日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法包括：提供一衬底，在衬底上形成至少两层氧化层和氮化层的叠层；刻蚀叠层以及部分衬底，形成浅沟槽和有源区；回刻叠层，扩大浅沟槽的开口；在浅沟槽内沉积隔离介质，隔离介质的表面与叠层的表面齐平；依次刻蚀去除氮化层和氧化层，去除氧化层时，同步去除浅沟槽和有源区界面处的部分隔离介质；对衬底进行离子注入，形成阱区和沟道掺杂区，沟道掺杂区位于阱区上，且有源区边缘和中心的离子注入量相等；在沟道掺杂区上形成栅极结构。通过本发明提供的半导体器件的制作方法，能够避免窄沟道器件因无法进行正常沟道掺杂而使阈值电压非正常降低，提高半导体器件的电学性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权273个，较去年同期增加了13.28%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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