晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体测试结构及半导体测试方法”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体测试结构及半导体测试方法”，专利申请号为CN202411328560.X，授权日为2024年12月24日。

专利摘要：本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法，半导体测试结包括：衬底，设置有阱区和多个浅沟槽隔离区，多个浅沟槽隔离区位于阱区上，阱区的底部连续；多个测量结构组，测量结构组包括待测栅极和有源区，待测栅极设置于浅沟槽隔离区的表面上，有源区设置于阱区的顶部且位于浅沟槽隔离区的一侧；以及测试电压端，多个待测栅极电性连接于测试电压端上，于有源区上测量电流值，并基于测量电流值确定待测栅极的漏电位置。本发明可确定出发生漏电现象的测量结构组及未发生漏电现象的测量结构组。

今年以来晶合集成新获得专利授权273个，较去年同期增加了13.28%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。