晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器”，专利申请号为CN202411411784.7，授权日为2024年12月20日。

专利摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器，该半导体结构包括：基底和光电功能层；光电功能层包括多个N型掺杂区和P型掺杂区；P型掺杂区位于形成于相邻N型掺杂区间的隔离槽内；N型掺杂区包括第一N型掺杂层、第二N型掺杂层和第三N型掺杂层；第二N型掺杂层位于第一N型掺杂层和第三N型掺杂层之间，第二N型掺杂层中掺入的杂质元素的相对原子质量最大；P型掺杂区具有分别与三个N型掺杂层对应的第一P型掺杂层、第二P型掺杂层和第三P型掺杂层；隔离槽具有开槽延伸方向和与开槽延伸方向垂直的宽度方向，第二P型掺杂层沿宽度方向的宽度最小。通过本申请实施例，提升了图像传感器的成像质量。

今年以来晶合集成新获得专利授权265个，较去年同期增加了12.29%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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