晶合集成获得发明专利授权：“深沟槽隔离结构的制备方法及深沟槽隔离结构”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“深沟槽隔离结构的制备方法及深沟槽隔离结构”，专利申请号为CN202411328600.0，授权日为2024年12月10日。

专利摘要：本发明提供一种深沟槽隔离结构的制备方法及深沟槽隔离结构，具体涉及半导体技术领域。所述制备方法包括：提供衬底，该衬底上形成有深沟槽；在深沟槽的侧壁及深沟槽两侧的衬底上形成绝缘介质层，并向深沟槽底部的衬底内注入离子；在深沟槽内形成第一多晶硅层，并向第一多晶硅层注入离子，形成第一掺杂多晶硅层；在第一掺杂多晶硅层内填充绝缘物质层；在深沟槽的顶部形成第二掺杂多晶硅层，以使第二掺杂多晶硅层与第一掺杂多晶硅层共同包覆绝缘物质层形成闭合的导电层。该方法制得的DTI结构降低了多晶硅层的电阻，提升了导通能力，并且避免空洞/裂缝缺陷对多晶硅阻值的影响。

今年以来晶合集成新获得专利授权253个，较去年同期增加了9.52%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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