晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其版图结构”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其版图结构”，专利申请号为CN202411132293.9，授权日为2024年11月29日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体器件及其版图结构，其中在所述半导体器件的版图结构中，在离子补打区在第二方向上的长度大于或者等于预设值时，将离子补打区设置在浅沟槽隔离结构中并贴齐浅沟槽隔离结构与有源区在第二方向上的交界处；在离子补打区在第二方向上的长度小于预设值时，离子补打区从浅沟槽隔离结构中穿过浅沟槽隔离结构与有源区在第二方向上的交界处延伸进有源区中。因此本发明在离子补打区在第二方向上的长度比较短时，可以通过将离子补打区延伸进有源区中来增加有源区与浅沟槽隔离结构的交界处的离子浓度，以解决半导体器件的双峰问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权248个，较去年同期增加了8.77%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。