晶合集成获得发明专利授权：“一种在半导体器件制造过程中防光刻胶毒化的方法”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种在半导体器件制造过程中防光刻胶毒化的方法”，专利申请号为CN202411095709.4，授权日为2024年11月29日。

专利摘要：本发明提供一种在半导体器件制造过程中防光刻胶毒化的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积底部膜层，所述底部膜层表面残留有胺基悬挂键；氧化去除所述胺基悬挂键；在所述底部膜层上形成光刻胶层，所述光刻胶层上涂覆有TARC层，并对涂覆有所述TARC层的所述光刻胶层进行图案化处理，以形成光刻胶图案。本发明通过氧化去除所述胺基悬挂键的方式替代了现有的等离子体处理工艺去除胺基悬挂键，可以避免在底部薄膜的等离子体损伤问题，还有效改善光刻胶毒化的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权248个，较去年同期增加了8.77%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。