晶合集成获得实用新型专利授权：“一种半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种半导体结构”，专利申请号为CN202420137582.7，授权日为2024年11月22日。

专利摘要：本实用新型公开了一种半导体结构，属于半导体技术领域，所述半导体结构至少包括：衬底；有源区，多个所述有源区并列设置在所述衬底上，且相邻所述有源区之间设置浅沟槽隔离结构；多个栅极结构，多个所述栅极结构并列设置在所述有源区上，单个所述栅极结构横跨多个所述有源区，且相邻所述栅极结构之间设置有预设距离；检测图形，设置在所述衬底的中心，且位于相邻所述栅极结构之间；源漏极，设置在所述栅极结构两侧；第一接触孔，设置在所述有源区和所述栅极结构的两端；以及检测接触孔，间隔设置在相邻所述栅极结构之间的所述有源区上。本实用新型提供的一种半导体结构，能够有效测试半导体漏电缺陷，从而提高产品良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权239个，较去年同期增加了17.16%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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