晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202411204251.1，授权日为2024年11月15日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，其中半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一衬底，其包括高压器件区和中压器件区；形成浅沟槽隔离结构于高压器件区和中压器件区的交界处；形成栅极氧化层于衬底以及浅沟槽隔离结构上；执行第一次刻蚀工艺，以去除中压器件区的栅极氧化层以及浅沟槽隔离结构的部分厚度；执行第二次刻蚀工艺，以去除浅沟槽隔离结构上的靠近中压器件区的栅极氧化层的部分厚度，形成浅沟槽隔离结构上的双台阶结构；形成多晶硅层，并执行第三次刻蚀工艺，以去除中压器件区的多晶硅层。本发明的制备方法制备的半导体器件可以在多晶硅层刻蚀之后避免出现多晶硅残留的同时，还可以避免出现CD工艺窗口的不足问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权235个，较去年同期增加了15.2%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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