晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制作方法”，专利申请号为CN202411110514.2，授权日为2024年11月5日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体结构包括：衬底，包括密集区和稀疏区；第一介质层，设置在衬底上；第一金属层，设置在第一介质层内，第一介质层和第一金属层在所述稀疏区上的表面低于在所述密集区上的表面；第二介质层，设置在第一介质层和第一金属层上，所述第二介质层在所述稀疏区上的表面低于在所述密集区上的表面；牺牲氮化层，设置在稀疏区的第二介质层上，牺牲氮化层的表面与密集区上的第二介质层的表面齐平；第二金属层，设置在第二介质层和牺牲氮化层内，所述第二金属层在所述稀疏区和所述密集区上的表面齐平。通过本发明提供的一种半导体结构及其制作方法，能够提高集成电路的良率和性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权235个，较去年同期增加了15.2%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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