证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“高介电金属栅及其制作方法”，专利申请号为CN202410983546.7，授权日为2024年11月12日。
专利摘要：本申请公开了高介电金属栅及其制作方法，所述制作方法包括在栅极凹槽内通过执行多次分步式沉积过程来形成采用氮化钛材料的阻挡层，分步式沉积过程包括：向栅极凹槽内通入钛原料气体，使栅极凹槽的槽壁上沉积钛；向栅极凹槽内通入氮原料气体，使槽壁上沉积的钛与氮发生化学吸附而形成构成阻挡层的其中一层氮化钛膜。本申请能够改善后续金属栅填充的工艺窗口，从而提高半导体器件的电学性能。
今年以来晶合集成新获得专利授权235个，较去年同期增加了15.2%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。
数据来源：天眼查APP
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