晶合集成获得发明专利授权：“对准标记的制备方法及半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“对准标记的制备方法及半导体结构”，专利申请号为CN202411027253.8，授权日为2024年11月12日。

专利摘要：本申请涉及一种对准标记的制备方法及半导体结构，通过提供基底，基底上包括形成有前层对准图案的对准标记区域，其中，前层对准图案包括平行排列的多个初始沟槽，于前层对准图案上形成当层对准图案，当层对准图案填充多个初始沟槽，且暴露出基底未形成初始沟槽的表面，使当层对准图案的顶面高于初始沟槽的顶面，于前层对准图案和当层对准图案上覆盖外延层，其中，对准标记包括前层对准图案、当层对准图案和外延层，从而提高了外延后的对准精度。本申请通过使当层对准图案的顶面高于初始沟槽的顶面，从而使当层对准图案和前层对准图案之间具备高度差，不同高度差的信号强度不同，进一步提高了外延后的对准精度。

今年以来晶合集成新获得专利授权235个，较去年同期增加了15.2%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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