芯联集成获得发明专利授权：“一种碳化硅平面MOS器件及其制备方法”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种碳化硅平面MOS器件及其制备方法”，专利申请号为CN202311686672.8，授权日为2024年8月9日。

专利摘要：本发明提供一种碳化硅平面MOS器件及其制备方法，碳化硅平面MOS器件在间隙处通过金属覆盖层填充钝化层内侧的间隙，而非PI层填充钝化层内侧的间隙，该结构增加了cell区有效面积，还避免了PI层在间隙处对钝化层施加大的应力，即减少了钝化层在间隙侧壁的应力，起到了对钝化层的保护，改善了钝化层在间隙侧壁开裂的现象，从而优化了碳化硅平面MOS器件的可靠性。

今年以来芯联集成新获得专利授权54个，较去年同期增加了38.46%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了15.29亿元，同比增82.25%。

数据来源：天眼查APP

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成（网信算备310104345710301240019号），与本站立场无关，如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。

证券之星微信

扫描二维码

关注

证券之星微信