新洁能获得发明专利授权：“一种深沟槽的功率半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种深沟槽的功率半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN201810089845.0，授权日为2024年8月2日。

专利摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种深沟槽的功率半导体器件，其中，包括：半导体基板被划分为有源区和终端保护区，有源区包括与漏极相连的漏极金属，在漏极金属上设有第一导电类型硅衬底，终端保护区包括与漏极相连的漏极金属，在漏极金属上设有第一导电类型硅衬底，第一导电类型硅衬底上设有第一导电类型外延层，终端保护区内的第一导电类型外延层的上表面设有第二导电类型第一阱区，第二导电类型第一阱区内设有多个窄沟槽，在窄沟槽下端设有第二导电类型第二阱区。本发明还公开了一种深沟槽的功率半导体器件的制作方法。本发明提供的深沟槽的功率半导体器件能够降低有源区内最外围的沟槽底部的电场强度。

今年以来新洁能新获得专利授权18个，较去年同期增加了100%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了8731.42万元，同比减13.3%。

数据来源：企查查

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