晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制作方法”_股票频道

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202410137954.0，授权日为2024年5月7日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体器件包括：衬底，包括并列设置的第一区域和第二区域；浅沟槽，设置在第一区域和第二区域之间；扩散抑制层，设置在浅沟槽的侧壁和底部，且侧壁上的扩散抑制层距离衬底的表面具有预设距离；碳扩散层，设置在扩散抑制层和衬底之间；还原氧化层，设置在扩散抑制层向衬底的表面延伸的一端；隔离氧化层，设置在扩散抑制层和还原氧化层上；隔离介质，设置在浅沟槽内，覆盖隔离氧化层；以及栅极氧化层，设置在第一区域和第二区域上。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，提高半导体器件的电性性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权119个，较去年同期增加了142.86%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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