晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202410058583.7，授权日为2024年4月30日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底，包括依次相邻的第一区域、第二区域及第三区域；于衬底表面同步形成第一台阶及第二台阶；于衬底表面同步形成第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽，其中第一沟槽距离衬底表面的深度大于第二沟槽距离衬底表面的深度，且第二沟槽距离衬底表面的深度大于第三沟槽距离衬底表面的深度；形成第一隔离结构、第二隔离结构及第三隔离结构，第一隔离结构至少填充第一沟槽，第二隔离结构至少填充第二沟槽，第三隔离结构至少填充第三沟槽。该半导体结构的制备方法可以满足不同区域的隔离需求，同时减少工艺流程，节约成本。

今年以来晶合集成新获得专利授权113个，较去年同期增加了145.65%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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