晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制作方法及其结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制作方法及其结构”，专利申请号为CN202410052033.4，授权日为2024年4月30日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构的制作方法及其结构，包括：提供衬底，衬底内形成有多个间隔排列的浅沟槽隔离结构，且浅沟槽隔离结构的顶面与衬底的第一表面齐平；于衬底的第二表面上形成保护层；于衬底和保护层内形成多个与浅沟槽隔离结构相对应的隔离结构；隔离结构外凸于保护层，且外凸于保护层的部分隔离结构为复合格栅，位于保护层及衬底内的部分隔离结构为深沟槽隔离结构；去除保护层以及部分衬底，以露出各深沟槽隔离结构；于各深沟槽隔离结构之间的衬底上形成多层功能层，各多层功能层的材料不同；其中，复合格栅外凸于多层功能层。本申请先形成隔离结构再采用回刻衬底并依次沉积功能层以形成感光区的制作方法，提高了图像传感器的感光性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权113个，较去年同期增加了145.65%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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