晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件的制作方法以及半导体器件”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制作方法以及半导体器件”，专利申请号为CN202410092631.4，授权日为2024年4月16日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。该方法包括：首先，提供包括衬底以及栅极结构的基底，且栅极结构位于衬底的部分表面上；然后，在衬底的靠近栅极结构的裸露表面上形成层叠的金属硅化物层以及氧化层，得到预备结构；最后，对预备结构循环进行等离子元素处理以及自由基元素处理，以去除氧化层，使得金属硅化物层裸露，得到目标结构，其中，等离子元素处理与自由基元素处理所用的元素不同，等离子元素处理用于表征使用等离子体对预备结构进行处理，自由基元素处理用于表征使用自由基对预备结构进行处理。解决了现有技术中由于氧化层的存在导致器件良率较差的问题，保证了半导体器件的性能较好。

今年以来晶合集成新获得专利授权99个，较去年同期增加了125%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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