晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制造方法”_股票频道

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202410078290.5，授权日为2024年4月9日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区，其中PMOS器件区包括预留区域，预留区域为PMOS器件区的源漏区域；栅极结构，设置在NMOS器件区上和PMOS器件区上；氮化层，覆盖NMOS器件区、PMOS器件区中栅极结构的侧部，以及PMOS器件区的部分衬底；氮氧化层，覆盖在氮化层上；预备沟槽，设置在衬底上，预备沟槽位于预留区域。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够提升半导体结构的成型质量和制程良率，并且更有利于提升PMOS器件的驱动电流。

今年以来晶合集成新获得专利授权87个，较去年同期增加了112.2%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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