新洁能获得发明专利授权：“一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构及其制作方法”，专利申请号为CN201811332631.8，授权日为2024年3月12日。

专利摘要：本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构，半导体基板包括第一导电类型漂移层，在第一导电类型漂移层内的上部设有第二导电类型体区、沟槽及第一导电类型发射极，第二导电类型体区、第一导电类型发射极均与沟槽一侧邻接，在沟槽内设有被第一氧化层和第二氧化层一侧包裹的多晶硅栅极、位于第一氧化层外侧的半包围多晶硅栅极的半封闭式屏蔽栅，半封闭式屏蔽栅被第二氧化层包裹，第二氧化层紧贴沟槽内壁；本发明器件通过在多晶硅栅极外面设置有半包围的半封闭式屏蔽栅，能够有效消除器件在开启和关断时产生的横向感应电流，避免了栅极电压过冲的现象，减小了寄生电容，同时加快了开关速度，减小了开关损耗。

今年以来新洁能新获得专利授权8个，较去年同期增加了700%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了4691.76万元，同比增22.4%。

数据来源：企查查

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