证券之星消息,根据企查查数据显示新洁能(605111)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构及其制作方法”,专利申请号为CN201811332631.8,授权日为2024年3月12日。
专利摘要:本发明属于半导体器件的制造技术领域,涉及一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构,半导体基板包括第一导电类型漂移层,在第一导电类型漂移层内的上部设有第二导电类型体区、沟槽及第一导电类型发射极,第二导电类型体区、第一导电类型发射极均与沟槽一侧邻接,在沟槽内设有被第一氧化层和第二氧化层一侧包裹的多晶硅栅极、位于第一氧化层外侧的半包围多晶硅栅极的半封闭式屏蔽栅,半封闭式屏蔽栅被第二氧化层包裹,第二氧化层紧贴沟槽内壁;本发明器件通过在多晶硅栅极外面设置有半包围的半封闭式屏蔽栅,能够有效消除器件在开启和关断时产生的横向感应电流,避免了栅极电压过冲的现象,减小了寄生电容,同时加快了开关速度,减小了开关损耗。
今年以来新洁能新获得专利授权8个,较去年同期增加了700%。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了4691.76万元,同比增22.4%。
数据来源:企查查
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