晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制备方法及半导体结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”，专利申请号为CN202311456957.2，授权日为2024年2月9日。

专利摘要：本披露公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构。制备方法包括：提供一衬底，衬底上形成有光刻标记，所述光刻标记为所述衬底上的、具有侧壁、底部和向上的开口的凹陷；在光刻标记的底部形成氧化物层，该氧化物层覆盖所述底部；在光刻标记内进行第一外延生长以形成第一外延层，第一外延层覆盖光刻标记的底部的氧化物层并封闭光刻标记的开口，第一外延层的晶格方向与所述衬底的晶格方向一致；以及在衬底的上表面进行第二外延生长以形成第二外延层，第二外延层覆盖衬底与第一外延层的上表面。通过在光刻标记底部形成氧化物层，可以使得光刻机能够透过外延层识别到下面的光刻标记，从而可以改善外延沉积后的光刻识别及对位。

今年以来晶合集成新获得专利授权22个，较去年同期增加了15.79%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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