晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202311446518.3，授权日为2024年1月30日。

专利摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制备方法，方法包括：于衬底上形成第一光刻胶材料层；干法刻蚀第一光刻胶材料层的顶面，以于第一光刻胶材料层内形成沿第一方向交替排布的突出部及凹槽，以形成图形化第一光刻胶层；形成填充满凹槽且顶面高于突出部的顶面的第二光刻胶材料层；图形化处理第二光刻胶材料层、图形化第一光刻胶层，以得到暴露出部分衬底的目标图形化光刻胶层。上述制备方法能够改善光刻胶层层间分层、倾斜、倒塌等问题，还能够提供胶层间的机械咬合力，以进一步提高多层光刻胶结构的稳定性，进而改善产品的整体性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权11个，较去年同期增加了37.5%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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