证券之星消息，根据企查查数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“沟槽型场效应晶体管及其制备方法”，专利申请号为CN202311265134.1，授权日为2024年1月23日。
专利摘要：本发明提供了一种沟槽型场效应晶体管及其制备方法。该沟槽型场效应晶体管中，将阱区设置为具有多个沿着栅极结构的延伸方向依次排布的第一阱掺杂区，并在第一阱掺杂区内形成有第一源掺杂区，从而在晶体管器件正向导通时，使得每一个第一阱掺杂区内均可反型形成横向导电沟道和纵向导电沟道，大大增加了晶体管器件的沟道密度，有效提高晶体管器件的电流导通能力。
今年以来芯联集成新获得专利授权5个，较去年同期减少了28.57%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了6.5亿元，同比增70.44%。
数据来源：企查查
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