晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法、方块电阻的测量方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法、方块电阻的测量方法”，专利申请号为CN202311388569.5，授权日为2024年1月19日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、方块电阻的测量方法，半导体结构包括衬底以及电阻结构，衬底内包括沿第一方向间隔排布的隔离结构，及由隔离结构定义的有源区；电阻结构位于衬底的顶面，电阻结构包括蛇形电阻块及与蛇形电阻块的首尾分别连接的两个条形电阻块；其中，蛇形电阻结构在衬底的顶面的正投影与有源区无重叠且半包围邻接的有源区，且沿第一方向相邻的有源区中，一有源区的裸露面与另一有源区的裸露面位于有源区沿第二方向的相对两侧；条形电阻块位于蛇形电阻块的沿第二方向的相对两侧，第一方向与第二方向相交。至少能够增大方块电阻个数，平均化方块电阻，减少接触电阻的影响。

今年以来晶合集成新获得专利授权2个，与去年同期持平。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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