芯联集成获得发明专利授权：“一种台面无损伤的屏蔽栅场效应晶体管的制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种台面无损伤的屏蔽栅场效应晶体管的制造方法”，专利申请号为CN202110823549.0，授权日为2023年12月22日。

专利摘要：本发明公开一种台面无损伤的屏蔽栅场效应晶体管的制造方法，该方法包括以下步骤：一，提供衬底，在衬底顶表面上设置掩模层，掩模层从下至上依次包括衬底氧化层、第一掩模层和第二掩模层，在掩模层的开口处向下刻蚀衬底，形成沟槽；二，在沟槽底部和侧壁处形成第一介质层；三，在沟槽内形成屏蔽电极层；四，制作隔离层；五，在隔离层上方的沟槽侧壁处形成第二介质层；六，在沟槽内的隔离层上方形成栅电极层；步骤二完成后，第一掩模层的侧壁超出沟槽侧壁；在步骤四中，将氧化硅沉积在沟槽内；而后通过研磨将沉积的氧化硅层与第一掩模层平齐；最后，刻蚀氧化硅，完成隔离层制作。该制造方法具有制成的台面顶部形貌平坦可控的特点。

今年以来芯联集成新获得专利授权66个，较去年同期减少了15.38%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.5亿元，同比增70.44%。

数据来源：企查查

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