协昌科技获得发明专利授权：“一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示协昌科技（301418）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制备方法”，专利申请号为CN201910376360.4，授权日为2023年12月19日。

专利摘要：本发明提出一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制造方法。其在半导体基板的第一导电类型外延层上表面开设沟槽，沟槽的下部内壁设置场氧化层，场氧化层内的两侧设置多晶硅场板，多晶硅场板之间通过介质层相隔离；沟槽的上部内壁设置栅氧化层，栅氧化层内的两侧设置栅极多晶硅场板，栅极多晶硅场板之间通过介质层相隔离；沟槽的上部外侧由上至下依次设置有第一导电类型注入层和第二导电类型层，沟槽的底部设置有第二导电类型层。本发明提出一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件，避免了栅氧层在多晶硅上的生长步骤，提高了栅极氧化层的可靠性，减少制造时间，减少制造工艺步骤，降低制造成本，且引入沟槽底部的浮置阱结构，提高了器件的耐压能力。

今年以来协昌科技新获得专利授权37个，较去年同期减少了21.28%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了903.7万元，同比增36.71%。

数据来源：企查查

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