晶合集成新获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202311055742.X，授权日为2023年11月28日。

专利摘要：本发明提供一种半导体结构，包括：衬底；栅极结构，形成于所述衬底上；侧墙结构，形成于所述衬底上，所述侧墙结构包括多个侧墙层，所述侧墙层位于所述栅极结构的外围；以及源极结构与漏极结构，形成于所述衬底上，所述源极结构与所述漏极结构位于所述侧墙结构的两侧；其中，相邻两个所述侧墙结构之间的间距大于所述源极结构和/或所述漏极结构的长度。通过本发明公开的一种半导体结构及其制备方法，能够提高半导体结构的可靠性。

今年以来晶合集成新获得专利授权205个，较去年同期增加了81.42%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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