晶合集成新获得发明专利授权：“半导体结构的制作方法以及半导体结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制作方法以及半导体结构”，专利申请号为CN202311036931.2，授权日为2023年11月14日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。该方法包括：首先，提供衬底；之后，在衬底的部分表面上形成多个间隔设置的栅极结构，栅极结构包括第一栅极结构和多个第二栅极结构，多个第二栅极结构位于第一栅极结构一侧，且任意两个第二栅极结构之间的距离沿着预定方向逐渐增大；之后，在各第二栅极结构两侧的衬底中形成多个间隔的掺杂区；最后，对掺杂区进行退火操作，使得掺杂区离子扩散，形成连续的阶梯状掺杂区。该方法通过设置多个间隔的第二栅极结构，且相邻第二栅极结构之间的距离依次增大，因而通过离子注入以及退火可以形成阶梯状掺杂区，消除了衬底辅助耗尽效应，进而解决了现有技术中半导体器件的耐压能力较低的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权199个，较去年同期增加了76.11%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。