晶合集成新获得发明专利授权：“半导体器件的制作方法以及半导体器件”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制作方法以及半导体器件”，专利申请号为CN202311051516.4，授权日为2023年11月14日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。该方法包括：首先，提供包括层叠的底部金属层、刻蚀停止层以及预备介质层的基底，其中，预备介质层中具有致孔剂；然后，使用刻蚀工艺，去除部分预备介质层以及部分刻蚀停止层，以形成沟槽，沟槽使得部分底部金属层裸露，剩余的预备介质层形成介质层，剩余的刻蚀停止层形成目标停止层；之后，在沟槽中形成金属层，得到预备结构；最后，对预备结构进行退火处理，以去除介质层中的致孔剂。在刻蚀工艺之后再通过退火工艺去除致孔剂，解决了现有技术中的由于低k介质中的孔隙导致可靠性较差的问题，保证了半导体器件的性能以及可靠性较好。

今年以来晶合集成新获得专利授权199个，较去年同期增加了76.11%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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