天岳先进： 近年来，天岳先进始终坚持自主创新，持续提升竞争力

天岳先进(688234)10月10日在投资者关系平台上答复了投资者关心的问题。

投资者：董秘先生您好，请问贵公司研发的lpe制备工艺的缺陷等级较目前pvt制备法的衬底是否有提升或者是否能达到目前行业的主流水平？

天岳先进董秘：尊敬的投资者，您好！生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。PVT法是目前规模化碳化硅晶体生长方法。而液相SiC长晶技术具有多个优势，包括晶体质量高、成本低等，近年来受到高度关注。目前液相法尚未实现产业化大规模生产。公司积极探索和布局前瞻性技术，包括长晶工艺方面的液相法（LPE法）工艺。在2023Semicon论坛上，公司首席技术官高超博士报告了公司核心技术及前瞻性研发情况，通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体，属于业内首创，也代表了公司领先的技术实力。公司突破了包括晶体生长溶液设计、晶体生长热场设计、晶体生长界面控制等诸多技术瓶颈问题。公司是国际上少数几个自主掌握碳化硅衬底制备核心关键技术能够实现规模化生产的企业之一，特别是具备突出的产业化经验。公司近年来研发投入较大，研发与规模化生产形成良好的正循环积累，一方面公司工程化试验数据为技术和良率的持续改进提供了关键支持，也是产品质量领先的关键因素；另一方面，碳化硅衬底制备具有较高的技术壁垒，同时技术发展日新月异，这都有助于提高衬底质量、降低衬底成本、推动碳化硅半导体材料和技术的加快渗透应用。未来，公司将持续加大研发力度，不断突破技术瓶颈，加快产品创新，巩固和提升公司在行业中的领先地位。谢谢您的关注！

投资者：华为近期在半导体国产化制造方面为国内半导体公司树立了榜样，公司作为第三代半导体SIC衬底龙头企业，又有华为哈勃战略投资，公司也要多加油，为国立功！公司今年第三季度营收显著大幅增长，明显高于以往任何一个季度，可以分析一下Q3营收暴增背后的具体原因吗？

天岳先进董秘：尊敬的投资者，您好！近年来，天岳先进始终坚持自主创新，持续提升竞争力。一方面掌握碳化硅衬底制备的核心关键技术，并具备领先的产业化能力。天岳先进通过自主创新，掌握碳化硅衬底材料产业化核心关键技术，获得国家科技进步一等奖，是国家工信部单项冠军示范企业、“专精特新”小巨人企业、知识产权示范企业。通过自主扩径，公司实现从2英寸衬底到8英寸衬底的制备，而且是国际上少数在半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底领域同时具有知名度的衬底厂商。另一方面公司产品已经获得国内外知名客户的认可，包括电力电子、汽车电子等领域的知名企业英飞凌、博世等开展与公司的广泛合作，公司订单充裕。此外，公司战略规划上稳步推进导电型产品的产能建设。得益于全球能源电气化和低碳发展驱动，目前下游电动汽车、新能源、储能等领域的快速发展，对碳化硅需求强劲，而随着公司导电型产品产能产量持续提升，公司产品交付能力持续攀升。特别是，公司新建的上海临港工厂仍处于产能产量的快速提升阶段，并将成为公司导电型碳化硅衬底主要生产基地，以推动公司营收的快速增长，预计公司第四季度仍将处于产能快速爬坡阶段。谢谢您的关注！

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