拓荆科技2023年年度董事会经营评述

（原标题：拓荆科技2023年年度董事会经营评述）

拓荆科技2023年年度董事会经营评述内容如下：

一、经营情况讨论与分析

　　集成电路行业是支撑经济发展、社会进步、国防安全的重要力量，而高端半导体设备是驱动这一产业发展的基石。在数字经济成为经济发展新动力（300152）的趋势下，半导体芯片技术持续迭代发展，并逐步向精密化、微小化发展，对制造工艺技术不断提出挑战，高端半导体设备的重要地位日益凸显。在经济发展与行业发展的双驱动下，产生巨大的半导体设备市场空间，2023年全球半导体设备的销售额达1,063亿美元。

　　中国大陆作为全球最大的消费电子市场，对半导体芯片需求巨大，进而对半导体设备的需求持续增长。根据SEMI统计，2023年中国大陆半导体设备销售额为366亿美元，同比增长29%，连续第四年成为全球最大半导体设备市场。近年来，在终端市场的拉动下，伴随着我国对半导体产业政策扶持，中国大陆半导体产业发展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果，但高端半导体设备自给率仍较低，这也为国内半导体设备厂商的发展提供了巨大的成长机遇。

　　在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同，相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场，2023年晶圆制造设备销售额约占总体半导体设备销售额的90%，达到约960亿美元。而薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%，由此推算，2023年全球薄膜沉积设备市场规模约为211亿美元。

　　公司自设立以来，一直在高端半导体设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备的研发和产业化应用。公司凭借多年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术，形成了以PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）及HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）为主的薄膜设备系列产品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。

　　PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分领域产品，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用工序，主要应用及薄膜材料如图示：

　　在DRAM存储芯片中的主要应用图示

　　随着“后摩尔时代”的来临，以及芯片制程的持续迭代升级，半导体行业不再只依赖缩短工艺极限实现最优的芯片性能和复杂的芯片结构，而是转向通过新的芯片设计架构和芯片堆叠的方式来实现，该方式已成为先进芯片制造的发展趋势，并由此产生了新的设备需求，即混合键合设备。面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进军高端半导体设备的前沿技术领域，推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合（HybridBonding）设备产品系列，同时，该设备还能兼容熔融键合（FusionBonding）。键合设备主要应用原理如图示：

　　晶圆键合设备应用示意图

　　报告期内，公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求，充分发挥公司在产品方面的高性能、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的优势，坚持以技术和产品创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强公司产品的市场竞争力，不断扩大公司产品在先进制程领域的工艺覆盖面。同时，持续强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售、人才团队等诸多方面取得了优异的成果，进一步促进公司综合实力的提升。

　　1、主要经营情况

　　报告期内，公司不断突破核心技术，并在推进产品产业化和各产品系列迭代升级的过程中取得了重要成果，产品市场竞争力持续增强，同时，受益于国内下游晶圆制造厂良好的发展态势，国内半导体行业设备需求增加，公司产品销售订单大幅增加，营业收入维持高增长趋势。2023年度，公司实现营业收入270,497.40万元，同比增长58.60%；实现归属于上市公司股东的净利润66,258.38万元，同比增长79.82%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润31,211.97万元，同比增长75.29%，盈利能力持续增强。

　　截至2023年12月31日，公司总资产996,934.53万元，较期初增长36.31%；归属于上市公司股东的净资产459,386.04万元，较期初增长23.77%。公司资产质量良好，财务状况稳健。

　　2、公司产品研发及产业化进展情况

　　报告期内，公司继续保持较高水平的研发投入，研发投入金额达到57,594.89万元，同比增加52.07%，研发投入占营业收入比例达21.29%。公司通过高强度的研发投入，保持细分领域内产品技术领先，同时，不断丰富设备产品品类，拓宽薄膜工艺应用覆盖面，在新工艺机型研发、验证，以及产品出货、产业化应用等方面均取得了优异成果。

　　报告期内，公司推出了两款新型设备平台（PF-300TPus和PF-300M）和两款新型反应腔（pX和Supra-D），新型设备平台的设计进一步提升了设备产能，机械产能可提高约20%至60%，新型反应腔进一步提升了薄膜沉积的性能指标，包括薄膜均匀性、颗粒度等指标，可以满足客户在技术节点更新迭代的过程中对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求，新型设备平台及反应腔均已出货至不同客户端验证。报告期内，超过130个新型反应腔（pX和Supra-D）获得客户订单，超过40个新型反应腔（pX和Supra-D）出货至客户端验证。

　　随着公司业务规模逐步扩大和先进产品陆续推出，公司设备出货量逐年大幅增加。2023年度，公司出货超过460个反应腔。截至报告期末，公司累计出货超过1,510个反应腔，进入60多条生产线。预计2024年全年出货超过1,000个反应腔，将创历史新高。

　　报告期内，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD为主的薄膜工艺覆盖面。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD等薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料和约100多种工艺应用。

　　报告期内，公司设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至本报告期末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破1.56亿片。

　　（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况

　　PECVD设备是公司核心产品，也是芯片制造的核心设备之一。主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。

　　公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UVCure产品：

　　①PECVD产品

　　报告期内，公司PECVD设备作为主打产品，已实现全系列PECVD薄膜材料的覆盖，并持续保持竞争优势，获得批量订单和批量验收，广泛应用于国内集成电路制造产线，为客户提供高性能的介质薄膜材料。

　　报告期内，公司首台PECVDLokⅡ工艺设备、ADCII工艺设备通过验收，实现了产业化应用。此外，公司不断拓展通用介质薄膜材料工艺及先进介质薄膜材料工艺的应用，持续获得客户订单、出货至客户端验证、扩大量产规模。截至本报告期末，PECVD通用介质薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoKⅠ、LoKⅡ、ADCⅠ、ADCⅡ、HTN、a-Si等）均已实现产业化应用。

　　报告期内，公司研制并推出了新型PECVD反应腔（pX和Supra-D），采用新型反应腔配置的LoKⅡ、ACHM、SiH4、TEOS等薄膜工艺设备均已出货至客户端验证，可以实现更严格的薄膜工艺指标要求，满足芯片技术日益严苛的工艺需求。

　　此外，公司拓展了新型功率器件领域，开发并推出了用于SiC器件制造中的SiO2、SiN、TEOS、SiON等薄膜工艺PECVD设备。报告期内，首台TEOS设备通过了客户端的验证，实现了产业化应用，并获得了重复订单。

　　公司推出的PECVD（NF-300H）型号设备已实现产业化应用，可以沉积ThickTEOS等介质材料薄膜。

　　②UVCure产品

　　UVCure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。

　　公司UVCure设备与PECVD设备成套使用，为PECVDHTN、LokⅡ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。报告期内，公司首台UVCure（LokⅡ工艺）设备通过客户端验收，实现产业化应用。截至本报告期末，公司UVCure（HTN、LokⅡ工艺）均已实现产业化应用，并持续获得客户的订单、出货至客户端验证，不断扩大量产应用规模。

　　（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况

　　ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。

　　公司ALD产品系列包括PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）产品和Therma-ALD（热处理原子层沉积）产品。

　　①PE-ALD产品

　　PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。

　　公司PE-ALD设备已实现了产业化应用，可以沉积高温、低温、高质量等多种指标要求的SiO2、SiN等介质薄膜材料，在芯片填孔(Gap-fi)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中有广泛的应用，以实现更小图形化以及特定的隔离功能。

　　报告期内，公司持续拓展PE-ALD薄膜种类及工艺应用，获得了原有客户及新客户订单，并出货至不同客户端进行验证，部分工艺再次获得客户重复订单，持续扩大量产应用；首台PE-ALD（NF-300HAstra）设备（沉积SiO2薄膜）通过客户验证，实现了产业化应用，该设备主要应用于沉积较厚的PE-ALD薄膜，具有高产能和低成本的优势。

　　②Therma-ALD产品

　　Therma-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。

　　报告期内，公司首台Therma-ALD（TS-300Atair）设备通过客户验证，取得了突破性进展。该设备为集成工艺设备，可以在同一台设备中沉积Therma-ALD金属化合物薄膜及PECVDADCⅡ薄膜。此外，公司持续拓展Therma-ALD薄膜工艺，开发并推出了多款新工艺机型，获得了原有客户及新客户订单，持续扩大薄膜材料覆盖面。

　　（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况

　　SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。

　　报告期内，公司SACVD产品持续提升产品竞争力，新推出了等离子体处理优化的SAF薄膜工艺应用设备并出货至客户端验证，进展顺利。截至本报告期末，公司可实现SATEOS、SAILD、BPSG、SAF薄膜工艺沉积的SACVD设备在国内集成电路制造产线的量产规模逐步提升。

　　（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况

　　HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。

　　报告期内，公司首台HDPCVD设备（沉积USG薄膜）通过客户验证，实现了产业化应用,并持续获得客户订单，出货至不同应用领域的不同客户端进行产业化验证，可以沉积SiO2、USG、FSG、PSG等介质材料薄膜。截至报告期末，公司HDPCVD产品已累计出货超过40个反应腔。

　　（5）混合键合系列产品研发及产业化进展情况

　　混合键合设备是晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备之一，可以在常温下通过直接键合工艺技术实现芯片或晶圆的堆叠。通常对晶圆表面进行等离子激活和清洗之后，运用高精密对准技术和键合工艺控制技术，实现晶圆对晶圆或芯片对晶圆的键合，并将键合精度控制在亚微米级，从而有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性能。除此之外，混合键合工艺可以有效缩短芯片开发周期。

　　公司混合键合系列产品包括晶圆对晶圆键合（WafertoWaferBonding）产品和芯片对晶圆键合表面预处理（DietoWaferBondingPreparationandActivation）产品。

　　报告期内，公司首台晶圆对晶圆键合产品Dione300顺利通过客户验证，并获得复购订单，复购的设备再次通过验证，实现了产业化应用，成为国产首台应用于量产的混合键合设备，目前该设备的性能和产能指标均已达到国际领先水平。

　　此外，报告期内，公司推出的芯片对晶圆混合键合前表面预处理产品Propus发货至客户端验证，并在当年即通过客户端验证，实现了产业化应用，成为国产首台应用于量产的同类型产品。

　　3、供应链保障方面

　　公司持续优化供应链管理体系，建立了覆盖生产与库存管理、采购管理、物流管理等多维度的协调机制，合理规划采购体量及进度，通过提前策划、共享需求预测等方式提高供应链协同性及响应能力，以确保部件供给匹配机台生产需求。公司注重供应商关系管理，将与供应商的简单供需关系提升到协同合作、创新共赢的合作伙伴关系，持续完善供应商支持与绩效考核机制，促进供应商产品质量与产品性能的不断提升。积极推动与供应商新产品的开发、新技术的合作，进一步提高公司设备的先进性、可靠性。公司采用全球化、多货源的供应策略，保证关键部件的及时稳定供应。报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产、及时交付。

　　4、市场销售情况

　　报告期内，公司继续聚焦中国大陆高端半导体设备市场，凭借公司在产品技术、客户资源、售后服务等方面的核心竞争优势，同时，不断优化公司产品结构，持续增强产品竞争力，进一步促进客户群体的拓展及客户结构的多元化，公司产品的市场覆盖面和客户认可度持续提升，截至报告期末，公司在手订单（不含Demo订单）金额达到64.23亿元人民币。此外，公司积极拓展海外市场，报告期内出货一台PECVD设备至海外市场。

　　公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜系列产品持续获得客户的批量订单，量产应用规模持续扩大，产品销量同比大幅度增加。此外，公司新推出的键合系列产品均通过客户验证，实现了产业化突破。公司继续保持与下游客户深入稳定的合作，持续提供定制化、高性能的设备产品，以及高质量的售后服务，为公司业务持续增长奠定坚实基础。

　　5、人才队伍建设情况

　　报告期内，公司结合业务发展需要，持续加强人才梯队建设，人员规模不断扩大，截至2023年12月31日，公司员工总数达到1,070人，其中，研发人员484人，占公司员工总数的45.23%。在人才引进方面，积极吸引行业经验丰富的管理及技术人才，并从国内高校选拔优秀的毕业生，2023年招聘应届毕业生120余人。在人才激励方面，公司充分发挥绩效考核激励作用，持续增强员工的荣誉感和凝聚力；在人才培养方面，公司建立了完善的人才储备及培养体系，不断探索校企合作新机制，已经与国内多所知名高校建立校企联合培养机制，推荐优秀工程师进行在职教育，同时，公司作为省级博士后实践基地，与高校共同联合培养博士后，2023年共有2名应届博士进入公司博士后实践基地工作；公司积极推动产学研密切合作，同时着力培养国际化、高层次、复合型的专业人才，夯实公司产业可持续发展的人才基础。

　　报告期内，公司完成了2022年股权激励计划的第一期归属/行权工作，共归属登记第二类限制性股票99.9635万股，行权股票增值权14.80万份。此外，公司实施了2023年度限制性股票激励计划，向激励对象授予375万股第二类限制性股票，并于2024年1月8日完成首次300万股的授予。上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，助力公司长远发展。

　　6、营运管理方面

　　报告期内，公司不断提升产品生产制造水平，优化物料运营管理，有效提升装配制造及时率、合格率；公司持续强化产品质量的管理体系，并保持较高水平的售后技术支持服务，获得客户高度认可；公司EHS（环境、健康、安全）部门持续完善公司在绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理机制，保障公司生产的合规和安全。同时，公司持续完善信息系统技术防护和安全保密管理，加强公司网络安全、数据安全。

　　7、募投项目建设进展情况

　　①公司募投项目一“高端半导体设备扩产项目”

　　公司募投项目一“高端半导体设备扩产项目”是在公司原有半导体薄膜沉积设备研发和生产基地基础上进行二期洁净厂房建设。截至报告期末，二期洁净厂房已完成建设并投入使用，大幅提高了公司薄膜沉积设备系列产品的产能支撑能力。本募投项目已结项，公司已将节余的募集资金用于永久补充流动资金。

　　②公司募投项目三“ALD设备研发与产业化项目”

　　为进一步完善产业布局，公司在上海临港（600848）新片区购置整体厂房，建设新的研发及生产基地（建筑面积为5,181.68平方米），开展ALD薄膜沉积设备的研发与产业化。报告期内，该项目的研发与产业化基地建设厂房改造已经完成并投入使用，开始开展ALD设备的研发和生产相关工作。

　　③超募资金投资建设新项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”

　　公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”是在上海临港新片区建设研发与产业化基地（土地面积为39,990.20平方米），用于先进半导体薄膜沉积设备及工艺的研发，并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。报告期内，公司已完成项目用地规划许可证和土地证的办理，并按照计划施工建设，进展顺利。

　　8、对外投资情况

　　报告期内，公司结合发展战略规划，进一步完善业务发展布局，提升公司的综合竞争力，开展了以下对外投资事项：

　　（1）新设全资子公司及向全资子公司增资

　　①设立全资子公司拓荆创益

　　报告期内，公司设立全资子公司拓荆创益，拓荆创益围绕公司现有主营业务开展相关经营活动，从事高端半导体薄膜沉积设备的研发、生产、销售与技术服务。截至本报告披露日，拓荆创益注册资本为人民币50,000.00万元，公司实缴金额为36,168.02万元，其中33,000.00万元为货币资金，其余为非货币资产。

　　②向拓荆上海增资

　　自报告期初至本报告披露日，公司以非货币资产作价人民币37,253.79万元及超募资金人民币60,000.00万元向拓荆上海实缴出资额，其中，超募资金10,000.00万元增资已办理工商变更登记手续，其余尚未办理工商变更登记。截至本报告披露日，拓荆上海注册资本为人民币48,000.00万元。

　　③设立全资子公司岩泉科技。　　报告期内，公司设立全资子公司岩泉科技，岩泉科技主要围绕公司主营业务开展相关的对外投资活动，面向与公司具有产业协同性、有发展潜力的相关业务实体开展业务，为公司积蓄新的增长点，提升公司的综合实力。截至本报告披露日，岩泉科技注册资本为人民币10,000.00万元，公司向岩泉科技累计实际缴纳出资款人民币39,950.00万元，尚未办理工商变更登记。

　　（2）增资并参股公司

　　①向芯密科技增资

　　报告期内，公司全资子公司岩泉科技以自有资金人民币2,000.00万元向芯密科技增资并获得增资后芯密科技1.5625%的股权。本次公司向芯密科技增资，与公司目前战略布局相符，与公司主营业务具有协同效应，本次增资也有利于增强公司上游供应链的稳定性。

　　②向无锡金源增资

　　报告期内，公司全资子公司岩泉科技以自有资金人民币2,000.00万元向无锡金源增资并获得增资后无锡金源4.7619%的股权。本次增资符合公司战略规划，与公司主营业务具有协同效应，并能增强公司上游供应链的稳定性。

　　③向稷以科技增资

　　报告期内，公司全资子公司岩泉科技以自有资金人民币12,650.00万元向稷以科技增资，同时以自有资金人民币10,330.00万元受让稷以科技原股东所持股份，股权转让及增资完成后，岩泉科技合计持有稷以科技8.4478%的股权。本次投资将有助于公司完善产业协同发展。

　　④向恒运昌增资

　　报告期内，公司全资子公司岩泉科技以自有资金人民币1,100.00万元向恒运昌增资并获得增资后恒运昌0.3447%的股权。本次增资后，公司及岩泉科技共计向恒运昌增资3,100.00万元，公司及岩泉科技合计持有恒运昌3.5280%的股权。公司向恒运昌增资与公司目前战略布局相符，与公司主营业务具有协同效应，有利于增强公司上游供应链的稳定性。

　　⑤受让神州半导体股权

　　报告期内，公司全资子公司岩泉科技以自有资金人民币3,359.64万元受让江苏信基科技有限公司所持有的神州半导体2.0730%的股权。本次投资与公司目前战略布局相符，有利于增强公司上游供应链的稳定性。

　　⑥投资中科共芯

　　报告期内，公司作为有限合伙人与其他方共同成立中科共芯，其中公司出资人民币5,000.00万元占合伙企业份额的27.76%，本次投资将有助于公司完善产业协同发展。

　　9、公司治理情况

　　报告期内，公司共召开5次股东大会、12次董事会会议、1次董事会战略与规划委员会会议、6次董事会审计委员会会议、3次董事会提名委员会会议、4次董事会薪酬与考核委员会会议、及9次监事会会议。

　　公司严格依照《公司法》《证券法》《上市规则》以及《公司章程》等有关法律、法规、规范性文件的要求不断完善公司的治理结构，提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性，提升公司的治理和规范运作水平，为公司业务目标的实现奠定良好的基础。

　　10、公司信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况

　　公司高度重视上市公司规范运作、信息披露管理工作和投资者关系管理工作。公司严格依照股东大会、董事会、监事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作；公司认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整，2022至2023年度公司信息披露工作评价结果为“A”，彰显了公司在信息披露领域的卓越表现和良好的公司治理结构。

　　公司高度重视投资者关系管理相关工作，通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研、电话交流以及反路演等多种形式加强与投资者进行交流与沟通，促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系。此外，公司将继续遵守相关法律法规，完善投资者关系管理制度，提高投资者关系管理水平，为投资者提供优质的服务，实现公司价值和投资者利益的最大化。2023年度，公司召开4次业绩说明会，开展100余次投资者交流活动，并荣获全景网“投资者关系金奖（2022）新秀IR公司”。

　　公司高度重视内幕交易防范，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。

　　

　　二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明

　　(一)主要业务、主要产品或服务情况

　　1、主要业务情况

　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。同时，公司开发了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。

　　2、主要产品情况

　　报告期内，公司不断完善现有量产薄膜设备系列产品性能，保持产品核心竞争力，进一步提升量产产品的市场占有率。同时，持续丰富公司产品品类，拓展工艺应用领域。公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及键合系列产品情况如下：

　　（1）PECVD系列产品

　　（2）ALD系列产品

　　（3）SACVD系列产品

　　（4）HDPCVD系列产品

　　（5）混合键合系列产品

　　报告期内，公司主营业务未发生重大变化。

　　(二)主要经营模式

　　（1）盈利模式

　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售薄膜沉积设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。

　　（2）研发模式

　　公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的半导体薄膜沉积设备研发技术团队。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的基石。公司根据客户需求，并以半导体专用设备技术发展动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品性能。

　　（3）采购模式

　　公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。非标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、技术参数，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制；为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商引入、选择和评价制度。公司对于供应商技术水平、加工设备、良品率、运营能力等多维度进行评估，并邀请供应商定期进行新产品、新材料或加工技术交流，持续提升供应商技术能力水平，以保证公司产品的技术先进性。公司依据研发项目需求、生产需求和物料库存情况，通过订单方式向供应商下发采购需求，并按照需求时间安排供应商排产，经验收合格后入库。

　　（4）生产模式

　　公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。

　　（5）销售和服务模式

　　报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。经过多年的努力，公司已与国内半导体行业企业形成了较为稳定的合作关系。

　　公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。

　　报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。

　　(三)所处行业情况

　　1.行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

　　（1）行业的发展阶段、基本特点

　　①半导体设备行业

　　半导体行业的发展水平与国家科技水平息息相关，其发展情况已成为全球各国经济、社会发展的风向标，是衡量一个国家现代化程度和科技实力的重要标志。半导体设备作为半导体产业链的技术先导者，是半导体产业发展的基础和技术进步的原动力。随着半导体技术的迭代升级，半导体元器件逐步向精密化、微小化发展，对制造工艺技术不断提出挑战，半导体设备的重要地位日益凸显。

　　由于半导体行业技术迭代、下游应用创新驱动、终端应用的供需关系等因素叠加宏观经济波动，半导体行业的发展呈现周期性波动的趋势。2022年以来，受到宏观经济形势和下游需求转换的影响，半导体行业景气度出现了转折，根据SEMI统计，2023年全球半导体制造设备的销售额为1,063亿美元，同比小幅下降1.3%。经过2023年的半导体库存调整及高性能计算、汽车领域对半导体芯片需求增强的推动，预计2024年全球半导体制造设备的销售额将再次恢复增长，2025将达到1,240亿美元的新高。从中国大陆市场来看，由于终端强劲需求及产业发展的持续完善，2023年中国大陆半导体设备销售额实现同比增长29%，达到约366亿美元，连续四年成为全球最大半导体设备市场。

　　尽管半导体行业呈现短期的景气度波动，但随着数字化、自动化、智能化需求的浪潮迭起，以人工智能、物联网、智能驾驶等为代表的新兴产业的创新发展，将成为半导体行业需求增长的驱动力。同时，伴随着我国对半导体产业不断的政策扶持、加大投入力度，加速了国内半导体设备产业的发展，为国内设备厂商迎来了巨大的成长机遇。

　　②薄膜沉积设备行业

　　在半导体设备中，应用于集成电路领域的设备通常可分为前道工艺设备（晶圆制造）和后道工艺设备（封装测试）两大类。根据SEMI统计，2023年晶圆制造设备销售额约占总体半导体设备销售额的90%，达到约960亿美元，而薄膜沉积设备则是集成电路前道生产工艺中的三大核心设备之一，约占晶圆制造设备销售额的22%，由此推算，2023年全球薄膜沉积设备市场规模约为211亿美元。结合中国大陆半导体制造设备销售额占全球半导体制造设备的销售额约为29%的比例推测算，2023年中国大陆薄膜沉积设备市场规模约为61亿美元，具有广阔的市场空间。

　　薄膜沉积设备主要包括CVD设备和PVD设备。公司主要聚焦在CVD设备细分领域内的PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD为主的薄膜设备产品。不同种类的薄膜沉积设备适用于不同工艺制程对薄膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等不同要求。根据SEMI历史统计，PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型，约占整体薄膜沉积设备市场的33%，ALD设备占比约为11%，SACVD和HDPCVD属于其他薄膜沉积设备类目下的产品，占比约为6%。

　　③三维集成领域设备行业

　　随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，不能再只依赖缩短工艺极限实现最优的芯片性能和复杂的芯片结构，而是转向通过新的芯片设计架构和芯片堆叠的方式来实现。因此，产生了新的设备需求，即应用于三维集成领域的半导体设备。

　　应用于三维集成领域的设备是三维集成芯片、Chipet等芯片堆叠的技术基础，同时也是先进逻辑和先进存储从2D向3D芯片设计架构发展的技术基础，以混合键合设备为代表的三维集成领域专用设备尚处于产品导入期，业界目前已经在存储器、图像传感器和三维集成领域初步实现产业化。随着芯片技术的持续迭代和创新发展，三维集成领域将进入成长期，应用于三维集成领域的半导体设备将迎来广阔的市场空间。

　　④混合键合设备行业

　　混合键合设备可以提供键合面小于1μm互联间距以实现芯片或晶圆的堆叠，相比于先进封装领域目前成熟的微凸点技术（MircoBump）可实现40至50μm互联间距，混合键合设备可以使芯片间的通信速度提升至业界更高水平，有效打破“通信墙”，从而提高系统性能。随着三维集成领域的快速发展，混合键合设备作为晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备之一，其细分市场届时也将迎来快速增长。

　　（2）主要技术门槛

　　半导体设备行业属于技术密集型行业，涉及化学、等离子体物理、流体力学、射频及微波学、电气控制及自动化、软件工程、机械工程等多种科学技术及工程领域学科知识的综合应用，具有技术壁垒高、产品验证周期长的特点。

　　①薄膜沉积技术

　　半导体行业通常是“一代产品、一代工艺、一代设备”，晶圆制造要超前下游应用开发新一代工艺，而半导体设备要超前晶圆制造开发新一代设备。薄膜沉积设备作为集成电路晶圆制造的核心设备，其技术的发展支撑了集成电路制造工艺的发展，跟随摩尔定律的节奏，每隔18-24个月便要推出更先进的制造工艺，不断追求技术革新。

　　在薄膜沉积设备研制过程中，其反应腔设计、腔体内关键件设计、气路设计、温度控制及射频控制需要在基础理论知识深刻理解外，结合整机设计思路和产线工艺理解，技术壁垒较高。此外，集成电路制造不同技术路线及不同工序所需要的薄膜材料种类不同，薄膜沉积设备需要针对不同材料本身的物理、化学性质，进行工艺开发，以实现不同材料的沉积功能。

　　由于薄膜是芯片结构的功能材料层，在芯片完成制造、封测等工序后一般会留存在芯片中，薄膜的技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后，对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此，薄膜沉积设备所需要的验证时间较长。

　　随着集成电路制造产线向更小线宽发展，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求，因此，技术门槛也在日益提升。

　　②混合键合技术

　　混合键合设备的关键指标包括键合精度、键合强度以及界面空隙缺陷。混合键合设备的研制，对于高精密光学对准系统、微纳精密运动控制、图像处理和分析、套刻量测等技术需要极其深刻的理解和产业化实践经验，技术壁垒较高。同时，随着键合工艺的发展，对混合键合设备的键合精度等性能指标不断提出更高的要求。

　　2.公司所处的行业地位分析及其变化情况

　　从全球市场份额来看，薄膜沉积设备行业呈现垄断竞争的局面，行业基本由海外国际巨头垄断。根据Gartner历史统计数据，在CVD市场中，应用材料（AMAT）、泛林半导体（Lam）和东京电子（TEL）三大厂商占据了全球约70%的市场份额。在晶圆级三维集成领域，键合设备市场主要由EVGroup公司、苏斯（SUSS）、东京电子（TEL）等公司高度垄断，这三大厂商占据全球绝大部分的市场份额。

　　公司凭借十多年的技术积累，自主研制了包括PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备系列产品及混合键合设备系列产品，在国内集成电路逻辑芯片、存储芯片、三维集成芯片等制造产线有广泛应用，已实现量产的设备性能指标均达到国际同类设备先进水平。公司设备产品的量产应用及销售规模稳步提升，是国内专用量产型PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及键合设备的领军企业。

　　3.报告期内新技术、新产业（300832）、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

　　①半导体设备市场需求稳步增长

　　纵观半导体行业的发展历史，虽然行业呈现明显的周期性波动，但整体增长趋势并未发生变化，而每一次技术变革是驱动行业持续增长的主要动力。在人工智能、高性能计算、新能源汽车等新兴领域的终端需求带动下，晶圆厂将持续进行资本开支，扩充产能，进而带动半导体设备的市场需求量。

　　根据SEMI预测，全球300mm晶圆厂设备投资预计将在2025年增长20%至1,165亿美元，2026年将增长12%至1,305亿美元，在未来几年内将呈现大幅增长趋势。中国大陆未来4年将保持每年300亿美元以上的投资规模，继续引领全球晶圆厂设备支出。全球半导体每月晶圆（WPM）产能在2023年增长5.5%至2,960万片后，预计2024年将增长6.4%，首次突破每月3,000万片大关（以200mm当量计算）。预计中国大陆芯片制造厂将在2024年开始运营18个项目，2023年产能同比增长12%，达到每月760万片晶圆，预计2024年产能同比增加13%，达到每月860万片晶圆，将持续提升其在全球半导体产能中的份额。

　　晶圆厂设备投资及产能扩建将引领半导体设备需求的持续增长，薄膜沉积设备作为集成电路晶圆制造的核心设备，具有巨大的市场需求和增长空间。

　　②芯片制造工艺进步及结构复杂化提高薄膜设备需求

　　在90nmCMOS芯片工艺中，大约需要40道薄膜沉积工序。在FinFET工艺产线，大约需要超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级，进而拉动晶圆厂对薄膜沉积设备需求量的增加。

　　不同工艺节点薄膜沉积工序对比

　　在FLASH存储芯片领域，随着主流制造工艺已由2DNAND发展为3DNAND结构，结构的复杂化导致对于薄膜沉积设备的需求量逐步增加。而随着3DNANDFLASH芯片的堆叠层数不断增高，逐步向更多层及更先进工艺发展，对于薄膜沉积设备的需求提升的趋势亦将延续。

　　在芯片工艺技术持续进步的趋势下，当难以通过光刻直接形成先进工艺的情况下，可以结合薄膜沉积设备（主要为ALD设备）与刻蚀设备相配合，采用自对准多重成像技术，实现更小尺寸的工艺，这将进一步促进ALD设备及相关设备的重要性及需求量的提升。

　　③先进制程对薄膜沉积设备提出更高要求

　　在晶圆制造过程中，薄膜起到产生导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、临时阻挡刻蚀等重要作用。随着芯片制造工艺不断走向精密化，对薄膜工艺性能提出了更高的技术要求，包括薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加，这也将拉动半导体高端薄膜设备的需求。

　　④“后摩尔时代”产生新的设备需求

　　随着半导体工艺技术的发展，芯片设计架构由平面逐步向三维发展，芯片集成与封装方式由微凸点技术（MircoBump）向铜-铜直接互联技术（即混合键合HybridBonding）发展，芯片材料由硅基半导体向新型半导体与硅基的异质集成方向发展，上述发展趋势将直接拉动混合键合设备的市场需求，在先进存储芯片、图像传感器、人工智能（AI）芯片等领域均具有巨大的应用市场空间。

　　随着芯片技术和键合工艺的发展，对芯片通信速度和芯片集成度将提出更高的要求，持续缩小键合面的互联间距是未来的技术趋势，这对混合键合设备的键合精度等性能指标不断提出更高的要求。因此，具有高精度的混合键合设备未来需求将呈快速增长的趋势。

　　(四)核心技术与研发进展

　　1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

　　公司自成立以来，始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，公司

　　面向三维集成应用领域，形成了晶圆高速高精度对准技术、混合键合实时对准技术，实现较高的晶圆键合精度，并提高了设备产能。

　　2.报告期内获得的研发成果

　　公司始终在高端半导体专用设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备的研发与产业化。报告期内，公司获批承担2项国家重大专项。截至报告期末，公司已先后累计承担9项国家重大专项/课题。

　　2023年度，根据国家发展和改革委员会等多部门发布的《关于印发2023年（第30批）新认定及全部国家企业技术中心名单的通知》，公司被认定为2023年（第30批）国家企业技术中心，国家企业技术中心是我国企业技术中心评定级别的最高等级，其评价指标体系从创新人才、技术积累、创新效益等多维度对企业技术中心进行综合评定。公司被认定为国家企业技术中心，是对公司技术创新能力和自主研发能力的充分肯定，也是公司科研能力和综合能力的体现。

　　公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请专利1205项（含PCT）、获得专利360项；报告期内，公司新增申请专利330项（含PCT）、新增获得专利155项。

　　3.研发投入情况表

　　研发投入总额较上年发生重大变化的原因

　　公司不断丰富产品种类，拓展工艺应用领域，持续保持高强度的研发投入，报告期研发投入57,594.89万元，同比增长52.07%，主要系股份支付费用及研发人员薪酬总额增加。报告期研发投入总额占营业收入比例为21.29%，较上年度减少0.92个百分点，主要为报告期营业收入的大幅增加。

　　4.在研项目情况

　　5.研发人员情况

　　6.其他说明

　　

　　三、报告期内核心竞争力分析

　　(一)核心竞争力分析

　　公司致力于研发和生产世界领先的高端半导体专用设备，始终坚持自主创新，持续为半导体行业和客户提供具有竞争力的产品。公司建立了创新管理体制，形成了多项国际先进的核心技术，并在研发团队、技术积累和研发平台、市场拓展和售后服务等方面形成竞争优势，具体体现为：

　　1、具有丰富的技术储备及国际先进的核心技术优势

　　公司通过自主研发，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系并取得了多项自主知识产权。截至报告期末，公司累计申请专利1205项，获得授权专利360项，其中发明专利190项。

　　公司先后承担了多项国家重大专项/课题，研发并推出的支持不同工艺型号的PECVD、ALD、SACVD和HDPCVD薄膜系列设备均已在客户端实现量产，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台，性能达到了国际同类设备水平。

　　公司面向国内半导体制造产业的实际需求和产线演进节奏，研制并推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备。公司未来将坚持高强度的研发投入，持续迭代升级、优化现有设备和工艺，不断推出面向未来发展需求的新工艺、新设备。

　　2、优秀的技术研发及管理团队优势

　　公司已经建成了一支国际化、专业化的高端半导体专用设备技术研发及管理团队。公司立足核心技术研发，积极引进资深专业人才、自主培养科研团队。

　　公司国际化专业化的高级管理团队、员工的股权激励机制及具有竞争力的薪酬福利，吸引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业人才加入公司，在整机设计、工艺开发、软件设计等方面做出突出贡献。公司自设立以来，自主培养本土科研团队，随着多项产品的研发成功，公司本土科研团队已成长为公司技术研发的中坚力量。截至报告期末，公司研发人员共有484名，占公司员工总数的45.23%，研发人员中博士研究生28人，占比约5.79%，硕士研究生263人，占比约54.34%。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，保障了公司产品的市场竞争力。报告期内，公司核心技术团队稳定，不存在重大不利变化。

　　3、领先的行业地位及丰富的客户资源优势

　　公司以“建立世界领先的薄膜设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备这一半导体核心设备细分领域的技术积累和快速发展，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。

　　公司已与国内半导体行业企业形成了较为稳定的合作关系。公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等设备已批量发往国内集成电路晶圆厂产线。此外，公司积极拓展海外市场，已出货1台PECVD设备至海外，未来将持续推进开拓海外市场。

　　4、稳定的供应链及较低的运营成本优势

　　公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球范围内的供应链资源，与关键供应商建立战略合作关系，搭建了稳定的供应链结构。通过对供应商进行阶段性的评估与考核，鼓励供应商在产品质量、交货期和成本控制等方面进行改善，从而提高企业竞争力。公司与供应商实时互动，协同产品创新，保持良好稳定的合作关系。

　　公司的主要竞争对手均位于国外，服务中国大陆客户的成本较高。公司的研发和生产主要位于中国大陆，拥有区位优势。在产品设计方面，公司通过与供应商密切合作，使产品具有模块化、易维护的特点，从而降低公司原材料采购成本。随着上游供应商的快速发展，给予了公司更多的采购选择。因此，公司相比其主要竞争对手在运营成本方面具有一定优势，随着产能的不断提升，降本优势将更加明显。

　　5、提供定制化产品及高效的售后服务优势

　　公司针对客户提出的特定工艺材料、特定制造工序薄膜性能的快速响应能力可以及时满足客户产线的客制化设备需求，这对下游晶圆制造厂能够快速扩充产能极其重要，由此建立和巩固与客户稳定的合作关系。公司主要客户的生产基地位于中国大陆，相较于国际竞争对手，公司管理和技术团队更贴近主要客户，能够提供高效的技术支持和售后服务，及时保障和满足客户需求。

　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施

　　

　　四、风险因素

　　(一)尚未盈利的风险

　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险

　　(三)核心竞争力风险

　　随着半导体行业技术的发展和迭代，下游客户对半导体设备及性能的需求也随之变化。因此，公司需要持续保持较高的研发投入，保持产品的核心竞争力和先进水平。如果公司未来未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，可能对公司的经营业绩造成不利影响。

　　(四)经营风险

　　1、产品验收周期较长风险

　　薄膜沉积设备所沉积的薄膜技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后，对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此，晶圆厂对薄膜沉积设备所需要的验证时间较长。同时，由于公司开发并推出更多新产品、新工艺，这些新产品和新工艺的验收周期相较成熟产品略长，导致公司的收入确认和回款将有所延迟，增加公司的资金压力，影响公司的财务状况。

　　随着公司产品在集成电路制造产线的应用规模逐步扩大，公司新平台、新工艺产品技术日益成熟，以及公司与客户高效稳定的合作下，产品的验证周期将呈缩短趋势。公司将持续关注公司的产品验证和回款情况，保证公司经营持续健康发展。

　　2、市场竞争风险

　　目前公司的竞争对手主要为国际知名半导体设备制造商，与中国大陆半导体专用设备企业相比，国际巨头企业拥有客户端先发优势，公司的综合竞争力处于弱势地位，市场占有率较低。另外，国内半导体设备厂商也进入公司业务领域开发部分同类产品。公司面临国际巨头以及潜在国内新进入者的双重竞争。如果公司无法有效应对市场竞争环境，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等均会受到不利影响。

　　公司将持续关注国外竞争对手的发展，通过持续有效的研发投入不断缩短与国外厂商的技术代差，同时公司也密切关注国内竞争格局，不断扩大公司产品覆盖面，提升产品核心竞争力；公司亦将时刻关注行业竞争态势，科学合理的设定研发方向，加快研发进度，构筑较高的行业进入壁垒；同时，公司也将与客户保持更加紧密的合作，实现与下游客户的共同成长。

　　3.技术创新风险

　　随着半导体行业技术的发展和迭代，下游客户对薄膜沉积设备及性能的需求也随之变化。因此，公司需要持续保持较高的研发投入，保持产品的核心竞争力和先进水平。如果公司未来未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，可能导致公司设备无法满足下游产线生产制造需要，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。

　　公司建立了科学的研发体系，技术创新紧跟市场需求，研发立项以客户需求为导向，始终与客户保持持续有效沟通，以避免可能的技术研发失败给公司带来损失。

　　4、晶圆厂扩产不及预期的风险

　　下游晶圆厂产能规模决定了半导体专用设备的市场空间。晶圆厂的扩产投资具有一定的周期性。如果下游晶圆厂的投资强度持续降低，公司将面临市场需求下降的风险，对于公司的经营业绩会造成不利影响。

　　公司将随时关注半导体行业周期的发展阶段，根据市场情况统筹公司购、产、销各个环节，保持公司的经营活动与行业周期的协调；同时，公司将积极拓展客户群体，实现客户结构的多元化，避免因个别客户扩产不及预期造成重大不利影响。

　　5、供应链安全风险

　　近年来，复杂的国际形势加剧了全球供应链的不稳定性。目前，公司的部分零部件暂时仍然需要向国外供应商采购。如果国际贸易摩擦进一步加剧，可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司零部件的供应，可能会影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，降低公司的市场竞争力。

　　公司与供应商积极开展更深入、更广泛的合作，采取全球化、多货源的供应策略，构建稳定的合作渠道，以加强自身供应链安全，降低国际产业链不稳定所带来的风险。

　　(五)财务风险

　　1、政府补助政策变动风险

　　公司在报告期内收到的政府补助主要是对公司研发投入的支持。如果公司未来不能持续获得政府补助，或政府补助显著降低，公司将需要投入更多自筹资金用于研发，进而影响公司现金流。此外，政府补助的减少，也会对公司的经营业绩产生一定的不利影响。

　　公司将持续扩大经营业务规模，提高盈利能力，以逐渐降低政府补助对公司经营业绩的影响。

　　2、税收优惠风险

　　报告期内公司享受高新技术企业所得税及国家关于集成电路领域的相关税收优惠政策，如果国家上述税收优惠政策发生变化，则可能面临因税收优惠减少或取消而降低盈利的风险。

　　随着公司盈利能力不断增强，持续提高产品的竞争力，扩大市场占有率，降低税收优惠政策波动给公司经营业绩带来的影响。

　　(六)行业风险

　　半导体行业受半导体技术迭代、终端消费市场需求影响，呈现周期性波动。如果下游终端市场需求或发展不及预期、终端消费供需结构变化较大时，下游晶圆厂会调整其资本性支出规模和设备采购量，从而对公司经营情况产生影响。

　　公司将随时关注行业动态及景气度波动情况，提前预判并统筹公司的经营活动，合理控制现金流，避免行业波动造成重大不利影响。

　　(七)宏观环境风险

　　半导体设备行业易受全球经济形势波动影响，如果未来宏观经济发展乏力，将影响半导体设备的市场需求量，从而对半导体设备行业的发展带来波动风险。

　　全球半导体产业已形成高度垄断格局，近年来，存在部分国家在强项领域设置贸易壁垒。如果国际形势进一步恶化，贸易摩擦进一步加剧，可能会对我国半导体产业的发展带来不利影响。公司始终严格遵守各国法律，并持续关注国际贸易形势和行业发展趋势变化，提前制定防范措施。

　　(八)存托凭证相关风险

　　(九)其他重大风险

　　

　　五、报告期内主要经营情况

　　

　　六、公司关于公司未来发展的讨论与分析

　　(一)行业格局和趋势

　　1、下游应用高速发展，市场需求持续旺盛

　　随着人工智能、大数据、云计算、智能驾驶等下游新兴领域的快速发展，半导体产品需求将持续旺盛。半导体设备是晶圆厂建设中的重要投资方向，新建晶圆厂约90%的投资用于购买晶圆制造相关设备，而薄膜沉积设备约占晶圆制造设备总投资的22%，是集成电路晶圆制造的核心设备。在下游应用高速发展的拉动下，薄膜沉积设备市场需求将持续旺盛。同时，随着芯片技术的迭代升级，对于混合键合设备的市场需求也将增加。

　　2、国内半导体产品需求量大，推动国内设备市场规模增长

　　我国作为全球最大的半导体消费市场，对半导体芯片需求巨大。在终端产品市场的需求拉动及国内半导体产业链日趋完善的发展趋势下，推动了半导体设备整体产业规模和技术水平的提高，进而促进了国内设备市场需求量的增长。根据SEMI统计，2023年中国大陆半导体设备销售额为366亿美元，连续第四年成为全球最大半导体设备市场。

　　3、国际厂商占据主导地位，国内设备厂商机遇与挑战共存

　　从全球市场份额来看，薄膜沉积设备行业和键合设备行业呈现出垄断竞争的局面。但近年来，国内半导体设备实现了从无到有、从弱到强的质的飞跃，使我国半导体产业生态和制造体系得以不断完善，国内高端设备的自给率逐步提升。但我国半导体设备整体技术水平相较海外设备巨头仍有差距，因此，国内半导体设备厂商的成长空间和市场空间较大。

　　(二)公司发展战略

　　公司始终专注于半导体设备的研发，坚持自主研发、自主创新的战略，面向集成电路芯片制造产线的需求，持续深耕薄膜设备产品及工艺的研发，同时积极进军高端半导体设备的前沿技术领域，开发应用于晶圆级三维集成工艺的键合设备产品系列。目前，公司已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，以及混合键合设备产品系列，为集成电路芯片制造产线、三维集成应用提供专用的、高端的半导体设备。

　　未来，公司将继续紧抓国内半导体产业高速发展的市场机遇，面向国内半导体制造产业的实际需求和产线演进节奏，坚持以技术和产品创新驱动业务发展，通过持续加大研发投入，保持现有产品的核心竞争力，凭借已有的技术、人才、经验及售后服务等优势，不断扩大现有设备市场占有率。同时，面向市场技术的迭代需求，不断提高公司设备的技术先进性，丰富公司设备种类，拓展技术应用领域。

　　(三)经营计划

　　公司将围绕未来发展战略规划，面向市场需求和技术迭代的发展趋势，通过持续加强产品研发、人才培养、市场开拓等多方面工作，提升公司的核心竞争力，扩大公司产品的市场规模，使公司长期稳定、快速的高质量发展。

　　1、持续研发投入，保持产品核心竞争力

　　公司将持续关注半导体行业发展趋势和下游晶圆厂对设备的实际需求，加大研发投入，加速完善产品布局，稳步推进产品的迭代升级和工艺性能提升。

　　面向集成电路芯片前道薄膜设备领域，公司将持续优化现有成熟量产产品，进一步提升产品性能及技术水平，满足下游晶圆厂产线不同的应用需求；围绕CVD细分领域，不断拓宽产品品类，持续提升薄膜工艺应用覆盖面，并积极推进新产品、新工艺的研发和产业化，整体提升公司产品竞争力。

　　面向晶圆级三维集成应用领域，公司持续研发投入，强化混合键合设备关键核心技术，提升设备性能，包括对准精度、键合强度以及界面空隙等关键性能，不断拓宽公司产品布局，提升公司整体竞争优势。

　　2、搭建持续稳定的供应链体系

　　公司将持续优化供应链管理体系，不断优化供应链结构，通过合作开发等方式，持续加强与供应商的深度合作，巩固供应链的稳定性，并不断提升供应部件的质量，保证关键部件的及时稳定供应，同时优化产品成本，提升产品综合竞争力。

　　3、拓展新客户和现有客户的新需求

　　在新客户方面，公司将积极拓展下游客户，拓宽公司产品对下游客户的销售覆盖。在现有客户方面，公司将积极关注客户新建产线或新工艺引入带来的新需求。基于公司与现有客户已建成的合作基础，通过提供性能参数优异、性价比突出的产品，实现对现有客户新需求的供应，进一步提高公司市场份额。

　　4、加强人才梯队建设和培养

　　公司结合发展战略规划和实际业务需求，不断加强人才队伍建设，推动公司在国际前沿技术和先进管理理念等方面保持竞争力。通过制定行业内具有竞争力的薪酬政策和股权激励制度，持续引进高层次人才和吸纳国内专业技术人才。以产业引才，以事业留才、构建多维度人才政策，营造良好的人才配套环境。此外，公司为内部研发人员搭建技术交流平台，帮助研发人员有效拓展专业技术积累，提高研发设计能力和实际操作技能。通过研发、管理实践和务实高效的培训，积极培养内部技术、管理人才，构建坚实的人才梯队。

　　5、持续完善内控建设

　　公司将继续深化内部控制体系建设，优化内部控制环境，完善内部控制各项制度，规范内部控制制度执行，强化内部控制监督检查，提升内控管理水平，有效防范各类风险，促进公司持续、健康、高质量发展。