科创板风险提示
本次股票发行后拟在科创板市场上市，该市场具有较高的投资风险。科
创板公司具有研发投入大、经营风险高、业绩不稳定、退市风险高等特点，
投资者面临较大的市场风险。投资者应充分了解科创板市场的投资风险及本
公司所披露的风险因素，审慎作出投资决定。
苏州锴威特半导体股份有限公司
（Suzhou Convert Semiconductor CO., LTD.）
（张家港市杨舍镇华昌路 10 号沙洲湖科创园 B2 幢 01 室）
首次公开发行股票并在科创板上市
招股说明书
保荐人（主承销商）
（深圳市前海深港合作区南山街道桂湾五路128号前海深港基金小镇B7栋401）
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发行人声明
中国证监会、交易所对本次发行所作的任何决定或意见，均不表明其对发
行人注册申请文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证，也不表
明其对发行人的盈利能力、投资价值或者对投资者的收益作出实质性判断或保
证。任何与之相反的声明均属虚假不实陈述。
根据《证券法》规定，股票依法发行后，发行人经营与收益的变化，由发
行人自行负责；投资者自主判断发行人的投资价值，自主作出投资决策，自行
承担股票依法发行后因发行人经营与收益变化或者股票价格变动引致的投资风
险。
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发行概况
发行股票类型 人民币普通股（A 股）
本次公开发行股票数量为 1,842.1053 万股，占发行后总股份的
发行股数 比例为 25.00%。本次发行全部为新股发行，不涉及股东公开发
售股份的情形且不采用超额配售选择权。
每股面值 人民币 1.00 元
每股发行价格 人民币 40.83 元
发行日期 2023 年 8 月 8 日
拟上市的证券交易所和
上海证券交易所科创板
板块
发行后总股本 7,368.4211 万股
保荐人（主承销商） 华泰联合证券有限责任公司
招股说明书签署日期 2023 年 8 月 14 日
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七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况 ........ 54
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十、控股股东、实际控制人报告期内是否存在贪污、贿赂、侵占财产、挪
用财产或者破坏社会主义市场经济秩序的刑事犯罪，是否存在欺诈发行、
重大信息披露违法或者其他涉及国家安全、公共安全、生态安全、生产安
十三、发行人与董事、监事、高级管理人员及核心技术人员签署的重大协
十四、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员最近两年变动情况....... 78
十五、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员及其近亲属直接或间接
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三、影响公司经营业绩的重要因素以及对业绩变动具有较强预示作用的财
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三、落实投资者关系管理相关规定的安排、股利分配决策程序、股东投票
五、发行人及其他责任主体作出的与发行人本次发行上市相关的其他承诺
六、股东大会、董事会、监事会、独立董事、董事会秘书制度的建立健全
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第一节 释义
在本招股说明书中，除非文中另有所指，下列词语或简称具有如下特定含
义：
（一）一般释义
锴威特、发行人、
公司、本公司、股 指 苏州锴威特半导体股份有限公司
份有限公司
锴威特有限 指 苏州锴威特半导体有限公司，系发行人前身
苏州港晨芯企业管理合伙企业（有限合伙），系发行人员工持股
港晨芯 指
平台
西安锴威 指 西安锴威半导体有限公司，系发行人全资子公司
大唐汇金（苏州）产业投资基金合伙企业（有限合伙），系发行
大唐汇金 指
人股东
港鹰实业 指 张家港市港鹰实业有限公司，系发行人股东
北京光荣联盟半导体照明产业投资中心（有限合伙），系发行人
光荣联盟 指
历史股东
张家港市金城创融创业投资有限公司，曾用名“张家港市金城融
金城创融 指
创创业投资有限公司”，系发行人的历史股东
金茂创投 指 张家港市金茂创业投资有限公司，系发行人股东
江门甘蔗化工（集团）股份有限公司（现更名为广东甘化科工股
甘化科工 指 份有限公司，深交所上市公司，股票代码 000576），系发行人
股东
国经众明 指 无锡国经众明投资企业（有限合伙），系发行人股东
张家港市招港股权投资合伙企业（有限合伙），系发行人历史股
招港投资 指
东
张家港市招港共赢企业管理合伙企业（有限合伙），系发行人股
招港共赢 指
东
江苏疌泉新工邦盛创业投资基金合伙企业（有限合伙），系发行
新工邦盛 指
人股东
邦盛聚泓 指 徐州邦盛聚泓股权投资合伙企业（有限合伙），系发行人股东
邦盛聚源 指 南京邦盛聚源投资管理合伙企业（有限合伙），系发行人股东
深圳市禾望投资有限公司，系深圳市禾望电气股份有限公司（上
禾望投资 指
交所上市公司，股票代码 603063）全资子公司，系发行人股东
悦丰金创 指 张家港市悦丰金创投资有限公司，系发行人股东
邦盛投资 指 南京邦盛投资管理有限公司
汉磊科技股份有限公司（中国台湾证券交易所上市公司，股票代
汉磊科技 指
码 3707），系业内知名晶圆代工企业
上海汉磊电子贸易有限公司，系汉磊科技股份有限公司（中国台
上海汉磊 指
湾证券交易所上市公司，股票代码：3707）的三级全资子公司
升华电源 指 四川升华电源科技有限公司，发行人关联方
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甘华电源 指 四川甘华电源科技有限公司，发行人关联方
德芯源 指 四川德芯源电子科技有限公司，发行人关联方
泰州海天 指 泰州海天电子科技股份有限公司
中芯国际集成电路制造有限公司（上交所上市公司，股票代码
中芯国际 指
苏州同冠 指 苏州同冠微电子有限公司
上海晶丰明源半导体股份有限公司（上交所上市公司，股票代码
晶丰明源 指
深圳市必易微电子股份有限公司（上交所上市公司，股票代码
必易微 指 688045），深圳市必易微电子有限公司于 2020 年 7 月更名为深
圳市必易微电子股份有限公司。
吉林华微电子股份有限公司（上交所上市公司，股票代码
华微电子 指
苏州东微半导体股份有限公司（上交所上市公司，股票代码
东微半导 指
西安微晶微 指 西安微晶微电子有限公司
浙江金瑞泓 指 浙江金瑞泓科技股份有限公司
无锡众享 指 无锡众享科技有限公司
紫光国芯微电子股份有限公司（深交所上市公司，股票代码
紫光国微 指
贵州振华风光半导体股份有限公司（上交所上市公司，股票代码
振华风光 指
浙江臻镭科技股份有限公司（上交所上市公司，股票代码
臻镭科技 指
成都华微 指 成都华微电子科技股份有限公司
越加红 指 深圳市越加红电子有限公司
天河星 指 深圳市天河星供应链有限公司南山分公司
文亮电子 指 佛山市顺德区文亮电子科技有限公司
瑞凯鸿辰 指 深圳市瑞凯鸿辰科技有限公司
国王科技 指 深圳市国王科技有限公司
华虹半导体 指 华虹半导体有限公司（香港联交所上市公司，股票代码 01347）
天水华天科技股份有限公司（深交所上市公司，股票代码
华天科技 指
江苏长电科技股份有限公司（上交所上市公司，股票代码
长电科技 指
无锡芯朋微电子股份有限公司（上交所上市公司，股票代码
芯朋微 指
英飞凌 指 Infineon Technologies AG（英飞凌科技股份公司）
安森美 指 ON Semiconductor Corporation（安森美半导体公司）
东芝 指 Toshiba Corporation（东芝公司）
意法半导体 指 STMicroelectronics N.V.（意法半导体公司）
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瑞萨 指 Renesas Electronics Corporation（瑞萨电子有限公司）
Alpha & Omega 指 Alpha and Omega Semiconductor Limited（万代半导体有限公司）
威世半导体 指 Vishay Intertechnology, Inc.（威世半导体有限公司）
安世半导体 指 Nexperia B.V.（安世半导体公司）
Littelfuse, Inc.（美国力特公司），是电路保护、电源控制和传感
Littelfuse、力特 指
器领域技术领先的制造商
TI、德州仪器 指 Texas Instruments,Inc.（美国德州仪器有限公司）
深圳深爱半导体股份有限公司（新三板挂牌公司，股票代码
深爱半导体 指
华润微 指 华润微电子有限公司（上交所上市公司，股票代码 688396）
上海灿瑞科技股份有限公司（上交所上市公司，股票代码
灿瑞科技 指
小米 指 小米集团（香港联交所上市公司，股票代码 01810）
美的 指 美的集团股份有限公司（深交所上市公司，股票代码 000333）
雷士国际控股有限公司（香港联交所上市公司，股票代码
雷士照明 指
佛山电器照明股份有限公司（深交所上市公司，股票代码
佛山照明 指
中国振华（集团）科技股份有限公司（深交所上市公司，股票代
振华科技 指
码 000733）
闻泰科技 指 闻泰科技股份有限公司（上交所上市公司，股票代码 600745）
无锡新洁能股份有限公司（上交所上市公司，股票代码
新洁能 指
杭州士兰微电子股份有限公司（上交所上市公司，股票代码
士兰微 指
硅动力 指 无锡硅动力微电子股份有限公司
上海南麟电子股份有限公司（新三板挂牌公司，股票代码
南麟电子 指
麦肯桥 指 北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
对功率半导体可靠性和参数一致性要求较高的领域，该领域配套
产品质量标准高于同类型民用产品，一般需具有全温区、长寿
高可靠领域 指
命、耐腐蚀、抗辐照、抗冲击等特点，对配套供应商的研发能
力、技术水平、工艺水平、供货稳定性等要求更高。
国务院 指 中华人民共和国国务院
中共中央办公厅 指 中国共产党中央委员会办公厅
国家发改委 指 中华人民共和国国家发展和改革委员会
工信部 指 中华人民共和国工业和信息化部
科技部 指 中华人民共和国科学技术部
财政部 指 中华人民共和国财政部
上交所 指 上海证券交易所
深交所 指 深圳证券交易所
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联交所 指 香港联合交易所
中国证监会 指 中国证券监督管理委员会
华泰联合证券、保
荐机构、保荐人、 指 华泰联合证券有限责任公司
主承销商
发行人会计师、大
指 大华会计师事务所（特殊普通合伙）
华会计师
发行人律师、植德 指 北京植德律师事务所
中企华 指 江苏中企华中天资产评估有限公司
报告期 指 2020 年度、2021 年度及 2022 年度
报告期各期末 指 2020 年 12 月 31 日、2021 年 12 月 31 日及 2022 年 12 月 31 日
报告期末 指 2022 年 12 月 31 日
元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元
《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》
《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》
《证券投资基金
指 《中华人民共和国证券投资基金法》
法》
（二）专业释义
常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材
半导体 指 料有硅、锗、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料
中，在商业应用上最具有影响力的一种
一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺，把一个
IC、集成电路、芯 电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一
指
片 起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装
在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构
半导体分立器件。与集成电路相对的，采用特殊的半导体制备工
艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在集成
分立器件、半导体
指 电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立器件
分立器件
主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT
等
又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能变换和电路控
功率器件、半导体
指 制，是进行电能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电运行
功率器件
间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的主要组成部分
全称为半导体二极管，是一种具有正向导通、反向截止功能特性
二极管 指
的半导体分立器件
三极管 指 全称为半导体三极管，包括双极晶体管、场效应晶体管等
MOSFET 、 功 率 MOS 管 ， 是 金 属 （ Metal ） — 氧 化 物 （ Oxid ） — 半 导 体
指
MOSFET 或 MOS （Semiconductor）场效应晶体管，属于电压控制型器件
平面 MOSFET 指 以平面工艺为技术路线的 MOSFET 产品
Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅，该技术是在顶层硅和背衬底
SOI 指 之间引入了一层埋氧化层，SOI 材料具有了体硅所无法比拟的优
点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅
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CMOS 电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路具
有寄生电容小、集成密度高、速度快、漏电小等优势
SBD 指 Schottky Barrier Diode，肖特基势垒二极管
BCD 工艺 指 一种结合了 BJT、CMOS 和 DMOS 的单片 IC 制造工艺
处理模拟电子信号的集成电路。模拟信号在时间和幅度上都是连
模拟芯片 指 续变化的（连续的含义是在某个取值范围内可以取无穷多个数
值），通常与“数字信号”相对
沟 槽 型 功 率
MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导
MOSFET、沟槽型 指
通损耗等特点
MOSFET
超 级 结 功 率
MOSFET、超级结 基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入 p-n 柱
MOSFET 、 超 结 指 相互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有工作频率
MOSFET、超结功 高、导通损耗小、开关损耗低、芯片面积小等特点
率 MOSFET
屏 蔽 栅 沟 槽
MOSFET、屏蔽栅
沟 槽 功 率 Shield Gate Trench MOSFET 的缩写，屏蔽栅沟槽型场效应晶体
指
MOSFET 、 SGT 管
MOSFET 、 SGT
MOS
又 称 为 “ 常 关 ” （ Normally Off ） 器 件 。 当 栅 极 - 源 极 电 压
增强型器件 指 VGS=0V 时，其导电沟道尚未形成，器件处于关断状态；当 VGS
达到开启电压时，漏源极之间才开始形成导电沟道。
又 称 为 “ 常 开 ” （ Normally On ） 器 件 。 当 栅 极 - 源 极 电 压
VGS=0V 时，其导电沟道即已存在，器件处于开通状态。当 VGS
耗尽型器件 指
达到关断电压时，其导电沟道因耗尽而消失，器件处于关断状
态。
绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性晶体管的优
点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高等
IGBT 指
特点，适用于 600V-6500V 高压大电流领域。与功率 MOSFET
相比，更侧重于大电流、低频应用领域
IP 指 Intellectual Property 的缩写，即知识产权
知识产权模块，在芯片设计中指可重复使用的具有成熟设计的功
IP 核 指
能模块
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管，其电流流通路径
VDMOS 指 为芯片的表面至芯片底部的纵向流通，大多数功率 MOSFET 为
VDMOS
FRMOS 、 集 成 快 在平面 MOSFET 中集成快恢复功率二极管的一种功率器件，可
恢 复 高 压 功 率 指 大幅改善器件的反向恢复时间、反向恢复电荷等参数特性，属于
MOSFET 平面 MOSFET 的一种细分产品
Pulse Width Modulation，脉宽调制，是一种模拟控制方式，根据
相应载荷的变化来调制晶体管基极或 MOS 管栅极的偏置，来实
PWM 指
现晶体管或 MOS 管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输
出的改变
AC-DC 指 将交流电转换成直流电的一种技术和方法
BJT 指 Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管
IPM 指 Intelligent Power Module 的缩写，即智能功率模块，通常由功率
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器件、优化的门极驱动电路和快速的保护电路以及逻辑控制电路
构成
谐 振 电 路 （ Resonant Converters ） ， 由 开 关 网 络 （ 全 桥 或 半
桥）、电感（以字母 L 表示）、电容（以字母 C 表示）等元器
LLC 指
件构成，LLC 由于实现了软开关，有效降低了开关损耗，提高
了电源效率，适用于高频、高功率密度设计
Power Integrated Module，是将三相变频器电路、二极管桥接电
PIM 指
路、制动电路集成到 1 个模块上的产品，能够紧凑地设计主电路
DC-DC 指 直流变换器，可将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压
指 Graphic Data System 格式的文件，半导体芯片设计中一般指用
GDS 文件 指 于芯片流片的工业标准数据文件，其中记录了芯片的各图层、图
层内的平面几何形状、文本标签等用于制作光掩膜版的文件数据
把直流电能（电池、蓄电瓶）转变成定频定压或调频调压交流电
逆变器 指 （一般为 220V,50Hz 正弦波）的转换器，由逆变桥、控制逻辑
和滤波电路组成
将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一
功率模块 指 起，形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功
率控制能力强，往往应用于大功率或小体积的电力电子产品。
流片 指 像流水线一样通过一系列半导体制备工艺步骤制造芯片
指垂直一体化模式，半导体行业中从芯片设计、加工制造、封装
IDM 指
测试到销售自有品牌都一手包办的垂直整合型公司
无晶圆生产的经营模式，指企业只从事芯片设计研发和销售，而
Fabless 指
将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成
半导体行业中专门负责生产、制造芯片的厂家，其依据设计企业
Foundry 指
提供的方案，提供芯片代工服务
将芯片转配为最终产品的过程，即把晶圆上的半导体集成电路，
封装 指 用导线及各种连接方式，加工成含外壳和管脚的可使用的芯片成
品，起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用
测试 指 集成电路晶圆测试及成品测试
碳化硅，是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度
SiC 指 大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等性质，特别
适用于高压、大功率半导体功率器件领域
氮化镓，是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度
GaN 指 大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等
性质
Chip Probing，也称为晶圆测试或中测，是对晶圆级集成电路的
CP 测试、中测 指
各种性能指标和功能指标的测试
晶圆，wafer 指 在硅片上加工电路结构后形成的产品
裸芯 指 中测后晶圆经切割后尚未封装的独立芯片单元
封装成品 指 芯片经封装测试后形成的器件
整流 指 用二极管将周期变化的交流电变成单向脉动直流电的过程
开关 指 利用半导体分立器件模拟机械开关，起导通和截止的作用
稳压 指 利用二极管反向击穿特性来稳定电子线路电压的过程
一种利用光照、感光剂（光刻胶）、掩膜版（其上有设计好的图
光刻 指
形）配合的复印技术，可以将掩膜版上的图形转移到晶圆上
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WSTS 指 World Semiconductor Trade Statistics，世界半导体贸易统计组织
Yole Développement SA，一家法国市场研究与战略咨询公司，专
Yole 指
注于功率半导体与 MEMS 传感器等领域
CIC 指 China Insights Consultancy，一家行业咨询公司
GfK 指 GfK SE，一家全球性市场调研机构，总部位于德国
GMI 指 Global Market Insights Inc.，一家全球性市场调研机构
Omdia 指 一家以研究科技、媒体和电信业务为核心的全球性调查公司
Strategy Analytics 指 一家全球著名的信息技术，通信行业和消费科技市场研究机构
Frost&Sullivan 指 弗若斯特沙利文咨询公司，一家全球行业咨询公司
QYResearch 指 一家细分行业调查、咨询服务公司
中国电子信息产业发展研究院，是工业和信息化部直属单位，又
CCID 指
称赛迪研究院
特别说明：
本招股说明书部分表格中单项数据加总数与表格合计数可能存在微小差异，
均因计算过程中的四舍五入所形成。
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第二节 概览
本概览仅对招股说明书全文作扼要提示。投资者作出投资决策前，应认真
阅读招股说明书全文。
一、重大风险提示
本公司特别提请投资者注意，在作出投资决策之前，务必仔细阅读本招股
说明书正文内容，并特别关注以下重要事项。
本公司提醒投资者认真阅读本招股说明书的“风险因素”部分，并特别注
意下列事项：
（一）收入增长可持续性的风险
为代表的消费电子市场需求持续疲软，消费电子领域客户自身存在去库存压力。
公司功率器件主要面向消费电子领域，受此影响，2022 年度公司平面 MOSFET
销量和价格下降明显：销量方面，平面 MOSFET 中测后晶圆销售数量相比
量相比 2021 年下降 12.35%；价格方面，以 2022 年度平面 MOSFET 中测后晶圆
五款主要销售型号的平均销售单价为例，2022 年各季度其平均销售单价分别环
比下降 6.45%、11.09%、30.41%和 2.06%，对发行人功率器件收入产生不利影
响。截至 2023 年 3 月 23 日，公司功率器件的在手订单为 2,828.81 万元，其中
消费电子领域占 53.69%。若未来半导体行业景气度持续下滑导致市场需求出现
重大不利变化，下游客户抗周期波动能力不足或出现经营风险，或者市场竞争
加剧导致公司不能保持产品的核心竞争力和市场竞争优势，则会对公司产品售
价、销量造成进一步负面影响，并可能导致客户订单执行延缓或出现违约、主
要客户流失，从而使公司面临收入增长可持续性的风险。
此外，公司功率 IC 业务报告期各期主营业务收入金额分别为 322.32 万元、
靠领域，客户集中度较高，且该领域客户订单在一定程度上会受到年度预算和
终端需求等因素的影响。若未来客户订单延迟或取消、公司未能准确把握行业
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技术发展趋势或下游市场需求发生重大不利变化等，可能导致公司功率 IC 业务
出现新客户拓展不达预期、现有客户流失等情形，从而使公司面临收入增长可
持续性的风险。
（二）存货滞销及减值的风险
报告期各期末，公司存货的账面价值分别为 3,012.06 万元、6,694.00 万元
和 11,673.77 万元，公司存货账面价值随着业务规模的增长及采购模式和产品销
售形态的变化有所增加；存货周转率分别为 3.79、2.57 和 1.33，呈逐年下降的
趋势。公司存货的可变现净值受到下游市场情况变动的影响，2022 年二季度以
来，受全球通货膨胀等因素影响，以智能手机、PC、家电为代表的消费电子市
场需求持续疲软，相关产业链整体呈现去库存压力。受此影响，发行人 2022 年
末存货订单覆盖率及期后结转/销售率较低，存货消化存在一定的压力。同时由
于发行人功率器件主要面向消费电子领域，产品的销售价格呈现一定程度的下
滑，存货减值风险有所上升。若未来消费电子领域需求端持续低迷或市场环境
发生其他不利变化、客户临时改变需求、竞争加剧或技术升级，或者公司不能
有效拓宽销售渠道、优化库存管理，导致产品滞销、周转天数延长、存货积压，
公司可能面临存货滞销及减值的风险，进而会对公司的盈利能力产生不利影响。
（三）市场竞争风险
目前，我国的功率半导体行业正经历快速发展阶段，行业内厂商积极进行
市场拓展，市场竞争逐渐加剧。因发行人成立时间较短、规模尚小且部分类型
产品的研发起步时间较晚，存在一定的竞争劣势，具体表现在：第一，公司产
品以平面 MOSFET 为主，占主营业务收入的比例分别为 88.39%、83.07%和
平面 MOSFET 以及超结 MOSFET、沟槽型 MOSFET、FRMOS、SiC 功率器件
目前销售收入较少，新产品研发及产业化程度存在差距；第二，发行人功率 IC
产品主要面向高可靠应用领域，如未来高可靠领域内新进入者持续增加，该领
域市场竞争将可能加剧。前述因素均可能对公司经营业绩带来不利影响；第三，
发行人所处行业的竞争对手较多，既包括英飞凌、安森美等国际一流功率半导
体厂商，也包括华润微、士兰微等国内的知名功率半导体厂商。与前述竞争对
手相比，发行人相关产品的研发及市场推广起步时间较晚，在沟槽型 MOSFET、
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超结 MOSFET、FRMOS、SiC 功率器件等其他类型 MOSFET 的产品丰富度、
技术积累和经营规模方面均与前述竞争对手存在一定差距。发行人需要持续投
入大量资金用于核心技术及新产品的研发，以缩小与竞争对手的差距并保持自
身竞争力。若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势，不能根据客户需求
及时推出新产品、不断优化产品性能与提高服务质量，则可能导致公司竞争能
力下降，公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。
（四）毛利率及盈利能力下降的风险
疲软。公司主要产品平面 MOSFET 来自消费电子领域的收入占比较高，自
未能正确判断市场需求变化、技术水平停滞不前、未能有效控制产品成本或市
场竞争格局发生不利变化，将会导致公司产品售价和成本出现预期外的波动，
公司产品毛利率及盈利能力未来存在下降的风险。
（五）技术迭代的风险
发行人主要经营的产品包括功率器件和功率 IC，两者均属于功率半导体。
功率半导体行业属于技术密集型行业，不追求先进制程，产品生命周期长，较
数字芯片相比迭代速度更慢。从技术发展层面来看，一方面，下游客户的个性
化需求不断丰富，下游应用领域对产品技术参数的要求亦不断提升，如发行人
无法顺应行业技术发展趋势，在产品研发中紧跟下游客户应用需求的变动方向，
则有可能导致公司产品被赶超或替代；另一方面，发行人报告期内销售产品以
平面 MOSFET 为主，在 300V 以下电压段和 400V-1,000V 电压段分别与沟槽型
MOSFET 和超结 MOSFET 存在一定程度竞争，如因新技术的发展使沟槽型
MOSFET 和超结 MOSFET 的电压覆盖 更宽且相 关量产工 艺成熟， 则平面
MOSFET 与两类 MOSFET 的市场竞争可能加剧，存在市场空间被挤压的风险。
前述风险将导致发行人竞争力减弱，给业务开展造成不利影响。
二、发行人基本情况及本次发行的中介机构
（一）发行人基本情况
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
苏州锴威特半导体股份有限
发行人名称 成立日期 2015 年 1 月 22 日
公司
注册资本 人民币 5,526.3158 万元 法定代表人 罗寅
张家港市杨舍镇华昌路 10 号 主要生产经营 张家港市杨舍镇华昌路 10
注册地址
沙洲湖科创园 B2 幢 01 室 地址 号沙洲湖科创园 B2 幢
控股股东 丁国华 实际控制人 丁国华
在其他交易场
计算机、通信和其他电子设
所（申请）挂
行业分类 备 制 造 业 （ 行 业 代 码 无
牌或上市的情
“C39”）
况
（二）本次发行的有关中介机构
保荐人 华泰联合证券有限责任公司 主承销商 华泰联合证券有限责任公司
发行人律师 北京植德律师事务所 其他承销机构 无
大华会计师事务所（特殊普 江苏中企华中天资产评估有
审计机构 评估机构
通合伙） 限公司
根据《上海证券交易所首次公开发行证券发
行与承销业务实施细则》等相关法律、法规
的规定，本次发行中，保荐人安排其相关子
公司华泰创新投资有限公司（以下简称“华
泰创新”）参与本次发行战略配售，华泰创
新获配股数为 921,052 股，获配股数对应金
发行人与本次发行有关的保荐人、承销机
额为 37,606,553.16 元，最终跟投比例为本次
构、证券服务机构及其负责人、高级管理人
公开发行股份数量的 5.00%，华泰创新本次
员、经办人员之间存在的直接或间接的股权
跟投获配股票限售期为自发行人首次公开发
关系或其他利益关系
行并上市之日起 24 个月。
除此之外，截至本招股说明书签署日，公司
与本次发行有关的保荐人、承销机构、证券
服务机构及其负责人、高级管理人员、经办
人员之间均不存在其他直接或间接的股权关
系或其他权益关系的情形。
（三）本次发行其他有关机构
股票登记机 中国证券登记结算有限责任 中国工商银行股份有限公司
收款银行
构 收款银行公司上海分公司 深圳分行振华支行
其他与本次发行有关的机构 无
三、本次发行概况
（一）本次发行概况
（一）本次发行的基本情况
股票种类 人民币普通股（A 股）
每股面值 1.00 元
占发行后总
发行股数 1,842.1053 万股 25%
股本比例
其中：发行新股数量 1,842.1053 万股 占发行后总 25%
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股本比例
占发行后总
股东公开发售股份数量 不适用 不适用
股本比例
发行后总股本 7,368.4211 万股
每股发行价格 40.83 元
发行市盈率 审计的扣除非经常性损益前后孰低的归属于母公司的净利润
除以本次发行后总股本计算）
日经审计的归属 除非经常性损益前后
发行前每股净资产 于 母 公 司 所 有 者 发行前每股收益 孰低的归属于母公司
的净资产除以本 所有者的净利润除以
次发行前的总股 本次发行前总股本计
本计算） 算）
日经审计的归属 2022 年度经审计的扣
于母公司所有者 除非经常性损益前后
发行后每股净资产 发行后每股收益
权益加本次发行 孰低的归属于母公司
募集资金净额之 所有者的净利润除以
和除以本次发行 发行后总股本计算）
后总股本计算）
发行市净率 2.99 倍（按每股发行价格除以发行后每股净资产计算）
本次发行采用向参与战略配售的投资者定向配售、网下向符
合条件的投资者询价配售和网上向持有上海市场非限售 A 股
发行方式
股份和非限售存托凭证市值的社会公众投资者定价发行相结
合的方式进行
符合资格的参与战略配售的投资者、询价对象以及已开立上
海证券交易所股票账户并开通科创板交易的境内自然人、法
发行对象
人等科创板市场投资者，但法律、法规及上海证券交易所业
务规则等禁止参与者除外
承销方式 余额包销
公开发售股份股东名称 本次发行股份均为新股，不进行老股转让
本次发行不涉及股东公开发售股份，不适用发行费用分摊，
发行费用的分摊原则
发行费用全部由发行人承担
募集资金总额 75,213.16 万元
募集资金净额 66,479.89 万元
智能功率半导体研发升级项目
SiC 功率器件研发升级项目
募集资金投资项目
功率半导体研发工程中心升级项目
补充营运资金
本次发行费用总额为 8,733.27 万元，具体构成如下：
发行费用概算
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注：本次发行各项费用及总额均为不含增值税金额。与前次
披露的招股意向书中发行手续费及材料制作费用差异原因系
根据发行情况将印花税纳入了发行手续费及材料制作费用。
除上述调整外，发行费用不存在其他调整情况。合计数与各
部分数直接相加之和在尾数存在的差异系由四舍五入造成。
高级管理人员、员工拟参
无
与战略配售情况
保荐人相关子公司华泰创新参与本次发行战略配售，实际跟
投比例为本次公开发行股票数量的 5.00%，实际跟投股数为
保荐人相关子公司拟参与
战略配售情况
获配股票限售期限为自发行人首次公开发行并上市之日起 24
个月
（二）本次发行上市的重要日期
刊登初步询价公告日期 2023 年 7 月 31 日
初步询价日期 2023 年 8 月 3 日
刊登发行公告日期 2023 年 8 月 7 日
申购日期 2023 年 8 月 8 日
缴款日期 2023 年 8 月 10 日
股票上市日期 本次股票发行结束后将尽快向上海证券交易所申请股票上市
（二）战略配售相关安排
本次发行的战略配售仅为保荐人相关子公司跟投，跟投机构为华泰创新。
本次保荐人相关子公司跟投的初始股份数量为本次公开发行股份的 5.00%，
即 921,052 股；本次发行最终战略配售股数 921,052 股，占本次发行数量的
参与本次战略配售的投资者已与发行人签署《战略配售协议》。参与战略
配售的投资者不参加本次发行初步询价，并承诺按照发行人和主承销商确定的
发行价格认购其承诺认购的股票数量。
（1）跟投主体
本次发行的保荐人（主承销商）华泰联合证券按照《管理办法》和《实施
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细则》的相关规定参与本次发行的战略配售，跟投主体为华泰创新。
（2）跟投数量
本次保荐人相关子公司跟投的最终股份数量为本次公开发行股份数量的 5%，
即 921,052 股，最终获配金额为 37,606,553.16 元。
华泰创新承诺获得本次配售的股票限售期限为自发行人首次公开发行并上
市之日起 24 个月。
限售期自本次公开发行的股票在上交所上市之日起开始计算。限售期届满
后，参与战略配售的投资者对获配股份的减持适用中国证监会和上交所关于股
份减持的有关规定。
四、发行人的主营业务经营情况
（一）公司主营业务情况
公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。
公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，主要产品包含功率
器件及功率 IC 两大类。在功率器件方面，公司产品以高压平面 MOSFET 为主，
并在平面 MOSFET 工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率 MOSFET
（FRMOS）系列产品；在功率 IC 方面，公司产品主要包括 PWM 控制 IC 和栅
极驱动 IC。此外，在第三代半导体方面，公司的 SiC 功率器件已顺利实现产品
布局并进入产业化阶段。
报告期内，公司主营业务收入构成情况具体如下：
单位：万元
产品类别
金额 比例 金额 比例 金额 比例
功率器件 14,379.26 63.33% 17,780.54 87.51% 12,131.61 90.65%
功率 IC 5,692.38 25.07% 1,169.49 5.76% 322.32 2.41%
技术服务 2,207.46 9.72% 1,316.82 6.48% 906.42 6.77%
其他 426.54 1.88% 51.29 0.25% 23.14 0.17%
合计 22,705.64 100.00% 20,318.15 100.00% 13,383.49 100.00%
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（二）公司主要经营模式
公司为采用 Fabless 经营模式的芯片设计企业，将晶圆制造和封测环节委外，
该经营模式为半导体行业的常见模式。公司具有完善的外协供应商管理体系，
对主要晶圆制造厂商及封测厂商均进行有效管理，以保证供应产品的质量符合
要求。
（三）主要原材料及重要供应商
公司采购的主要原材料及服务包括晶圆（及晶圆代工服务）、外延片、掩
膜版等。报告期内，公司的晶圆代工厂主要为西安微晶微、上海汉磊、公司 D
等，公司的外延片供应商主要为南京国盛电子有限公司、浙江金瑞泓等，公司
掩膜版供应商主要为无锡迪思微电子有限公司等。
（四）销售模式及主要客户
发行人采取直销为主、经销为辅的销售模式，公司针对中测后晶圆主要采
用直销模式销售，针对封装成品采用经销和直销相结合的模式销售。报告期内，
公司直销收入占主营业务收入的比例分别为 97.84%、90.19%和 91.41%。公司
主要直销客户包括必易微、晶丰明源、公司 A-1、公司 B 等，主要经销客户包
括深圳市越加红电子有限公司、深圳市天河星供应链有限公司等。
（五）行业竞争情况及发行人在行业中的竞争地位
发行人功率器件产品以 MOSFET 为主，长期以来，以英飞凌、安森美、意
法半导体、东芝、瑞萨为代表的国外品牌凭借先进制造优势、人才集聚优势、
大规模研发投入和技术积累，目前占据全球 MOSFET 市场的主要份额。根据
Omdia 数据，以销售额计，2020 年 MOSFET 市场前七大品牌的市场占有率合计
达到 68.09%。市场竞争格局相对稳定。我国知名功率半导体企业华润微、士兰
微分别位列第八位和第十位，安世半导体（已被闻泰科技收购）位列第九位，
三家合计市场份额占比 10.26%，国产品牌经过多年发展已在国际竞争中崭露头
角。各类 MOSFET 国内竞争格局详见招股说明书第五节之“二、发行人所处行
业的基本情况和竞争状况”相关内容。
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结合 Omdia 数据，以发行人 2020 年 MOSFET 产品销售额测算，发行人全
球 MOSFET 市场的市场份额约为 0.23%；结合芯谋研究和 Omdia 数据测算，发
行人 2021 年平面 MOSFET 国内市场占有率约为 1.26%。根据江苏省半导体行
业协会统计，以销售额计算，2021 年公司 FRMOS 市场份额位列本土企业第四
位（前三位分别为华润微、士兰微、华微电子）；SiC 功率器件方面，公司是
国内为数不多的具备 650V-1700V SiCMOSFET 设计能力的企业之一，产品已覆
盖业内主流电压段。
功率 IC 方面，发行人产品主要包括 PWM 控制 IC 和栅极驱动 IC。PWM 控
制 IC 方面，根据 QYResearch 相关数据，国际巨头如 TI（德州仪器）、ADI
（亚德诺半导体）、英飞凌、安森美、意法半导体等欧美公司在 PWM 控制 IC
领域总体处于领先地位，2021 年度 PWM 控制 IC 中国市场收入前 10 大公司均
为国外公司。栅极驱动 IC 方面，根据芯谋研究相关数据，栅极驱动 IC 市场集
中度相对较高，2021 年度栅极驱动 IC 中国市场收入前 10 大公司市场占有率合
计达到 74.4%，其中欧日美公司总体处于领先地位，3 家中国大陆企业峰岹科技
（688279.SH）、士兰微（600460.SH）和晶丰明源（688368.SH）市场占有率合
计为 20.1%。
功率 IC 方面，报告期内，发行人功率 IC 产品已向包括公司 A-1、公司 E、
单位 H、公司 G 等在内的多家高可靠领域客户形成销售，部分客户向发行人采
购的功率 IC 产品目前没有其他国内供应商可以替代，发行人在高可靠领域已取
得一定的市场地位。
五、发行人符合科创板定位的说明
（一）发行人技术先进性
公司通过自主创新和技术沉淀，已同时具备功率器件和功率 IC 的设计、研
发能力。公司掌握了功率半导体芯片的前端设计技术，自主搭建了多个功率半
导体细分产品的技术平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的
标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。截至 2023 年 7 月 13 日，
公司已获授权专利 71 项（其中发明专利 28 项、实用新型专利 43 项，另有 2 项
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发明专利已获授予专利通知书，待取得专利证书），集成电路布图设计专有权
在功率器件方面，公司已同时具备硅基及 SiC 基功率器件的设计、研发能
力，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术，其中 3 项达到国际先进水平，
靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”等。其中，公司利用
“高压 MOSFET 的少子寿命控制及工艺实现技术”研发并量产的 FRMOS 产品
具有反向恢复时间短、漏电流小、高温特性好、反向恢复特性较软、低电磁干
扰的优势特性；在第三代半导体器件方面，公司利用掌握的“短沟道碳化硅
MOSFET 器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了 SiC MOSFET 稳定的性
能和优良的良率控制。上述核心技术有效提升了公司产品性能指标，增强了产
品市场竞争力。
在功率 IC 方面，公司基于晶圆代工厂 0.5μm 600V SOI BCD 工艺和 0.18μm
圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成
研发了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”
“一种输入失调电压自动修正电路”等核心技术，有效提升了产品参数一致性，
增强了产品可靠性。
公司是国家级高新技术企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企
业、国家级专精特新“小巨人”企业，并荣获由中国电子信息发展研究院（赛
迪研究院）评选的第十六届（2021 年度）和第十五届（2020 年度）“中国芯”
优秀技术创新产品奖；由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会等机构
联合评选的第十四届（2019 年度）和第十二届（2017 年度）中国半导体创新产
品和技术奖。公司还获得了汉磊科技“最佳合作伙伴”“最佳业绩成长”的合
作商奖项，芯片设计和工艺调试能力得到业内知名晶圆代工厂的认可。
基于产品参数、封装形式和产品形态的不同进行产品型号划分
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（二）发行人技术的产业化水平
截至本招股说明书签署日，公司拥有包括平面 MOSFET、功率 IC 等 700 余
款产品。凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，公司迅速在细分领域打开
市场，产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域，客户包括以晶丰明
源、必易微、芯朋微、灿瑞科技为代表的芯片设计公司及多家高可靠领域客户，
并且产品已被小米、美的、雷士照明、佛山照明等终端客户所采用。
公司坚持在高可靠领域芯片国产化替代的战略方向，洞察市场需求导向，
进行自主研发和创新，将科技成果与产业深度融合。公司凭借其研发的高性能
产品，已与多家高可靠领域客户建立合作关系；该特定应用领域对产品的性能
有严格要求，公司产品得以进入该领域，表明了公司部分产品指标已达到国外
竞品同等水平，并在其细分产品领域逐步实现国产化替代。
（三）发行人符合科创板行业要求、满足科创属性指标的情况
推荐暂行规定（2022 年 12 月修订）》规定的新兴领域
公司主营业务属于国家重点发展的战略性新兴产业之一。根据《战略性新
信息技术产业”之“1.3 电子核心产业”之“1.3.3 新型元器件”中的“垂直双
扩散金属-氧化物场效应晶体管（VDMOS）”“金属氧化物半导体场效应管
（MOSFET）”“中小功率智能模块”及“1.3.1 集成电路”中的“功率控制电
路及半导体电力电子器件”。
根据《战略性新兴产业分类（2018）》，公司主营业务产品属于“1 新一
代信息技术产业”之“1.2 电子核心产业”之“1.2.1 新型电子元器件及设备制
造”中的“半导体分立器件制造”。
发行人主营产品平面 MOSFET 属于“垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体
管（VDMOS）”“金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）”，目前市场中多
数平面 MOSFET 均属于 VDMOS；发行人主营产品 IPM 模块属于“中小功率智
能模块”。
因此，公司的功率半导体产品属于战略性新兴产业，属于“新一代信息技
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
术领域”中“半导体和集成电路”等产业领域，符合《上海证券交易所科创板
企业发行上市申报及推荐暂行规定（2022 年 12 月修订）》相关规定。
?新一代信息技术
□高端装备
公司所属行业领域： □新材料 公司的功率半导体芯片属于战略
“计算机、通信和其 性新兴产业，属于“新一代信息
□新能源
他电子设备制造业” 技术领域”中“半导体和集成电
（C39） □节能环保 路”等产业领域。
□生物医药
□符合科创板定位的其他领域
（1）关于研发投入的情况
入为 58,209.12 万元。据此测算累计研发投入占报告期累计营业收入的比例为
（2022 年 12 月修订）》第五条规定的“最近 3 年累计研发投入占最近 3 年累计
营业收入比例 5%以上”。
（2）关于研发人员占比的情况
截至 2022 年 12 月 31 日，公司拥有研发人员 40 名，占员工总人数的
（2022 年 12 月修订）》第五条规定的“研发人员占当年员工总数的比例不低
于 10%”。
（3）关于发明专利的情况
截至 2023 年 7 月 13 日，发行人应用于公司主营业务的授权发明专利 28 项，
符合《上海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行规定（2022 年 12
月修订）》第五条规定的“应用于公司主营业务的发明专利 5 项以上”。
（4）关于营业收入的情况
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海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行规定（2022 年 12 月修订）》
第五条规定的“最近 3 年营业收入复合增长率达到 20%，或者最近一年营业收
入金额达到 3 亿元”。
综上，发行人符合《上海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行
规定（2022 年 12 月修订）》定位的行业领域和科创属性指标，符合科创板定
位。
六、发行人主要财务数据及财务指标
根据大华会计师出具的标准无保留意见《审计报告》（大华审字
[2023]001877 号），报告期内发行人主要财务数据及财务指标如下：
项目
/2022 年度 /2021 年度 /2020 年度
资产总额（万元） 44,403.93 39,676.07 19,910.67
归属于母公司股东权益（万元） 33,972.59 27,861.24 12,648.46
资产负债率（母公司） 23.59% 29.76% 36.28%
营业收入（万元） 23,538.19 20,972.89 13,698.04
净利润（万元） 6,111.35 4,847.72 -1,966.86
归属于母公司股东的净利润（万元） 6,111.35 4,847.72 -1,966.86
扣除非经常性损益后归属于母公司股东
的净利润（万元）
基本每股收益（元） 1.11 0.94 -0.47
稀释每股收益（元） 1.11 0.94 -0.47
加权平均净资产收益率 19.77% 27.59% -30.49%
经营活动产生的现金流量净额（万元） -1,115.78 5,065.19 -995.31
现金分红（万元） - - 200.00
研发投入占营业收入的比例 9.65% 8.99% 10.14%
七、财务报告审计截止日后主要财务信息及经营状况
本招股说明书已披露财务报告的审计截止日为 2022 年 12 月 31 日。自财务
报告审计截止日至本招股说明书签署日之间，公司经营状况良好，主营业务、
经营模式未发生重大变化，主要客户、供应商、公司高级管理人员和核心技术
人员均保持稳定，未出现对公司产生重大不利影响的事项，也未出现其他可能
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影响投资者判断的重大事项。
（一）2023 年一季度主要财务信息及经营情况
大华会计师事务所（特殊普通合伙）对公司 2023 年 3 月 31 日的合并及母
公司资产负债表，2023 年 1 至 3 月的合并及母公司利润表、合并及母公司现金
流量表、合并及母公司股东权益变动表以及相关财务报表附注进行了审阅，并
出具了《审阅报告》（大华核字[2023]0012112 号）。
公司已披露财务报告审计截止日后的主要财务信息及经营情况，具体内容
详见本招股说明书“第六节 财务会计信息与管理层分析”之“十六、财务报告
审计截止日后主要财务信息及经营状况”，请投资者参阅。
经审阅，公司 2023 年一季度主要财务数据情况及变化具体情况如下：
单位：万元
项目 2023 年 3 月 31 日 2022 年 12 月 31 日 变动幅度
资产总计 45,002.83 44,403.93 1.35%
归属于母公司股东权益合计 35,206.82 33,972.59 3.63%
股东权益合计 35,206.82 33,972.59 3.63%
截至 2023 年 3 月 31 日，公司资产总额为 45,002.83 万元，较上年末增长
单位：万元
项目 2023 年 1-3 月 2022 年 1-3 月 变动幅度
营业收入 6,119.03 5,927.52 3.23%
营业利润 1,338.71 1,968.34 -31.99%
利润总额 1,338.71 1,968.22 -31.98%
净利润 1,234.41 1,792.74 -31.14%
归属于母公司所有者的净利润 1,234.41 1,792.74 -31.14%
扣除非经常性损益后归属于母
公司所有者的净利润
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扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润为 1,219.50 万元，较上年同期
下降 30.76%。
水平较 2022 年同期有所下降，一方面是受消费电子需求疲软的影响，公司
导致其毛利额有所减少；另一方面是 2023 年一季度房产及扩产设备的折旧、工
资薪酬等费用相比 2022 年同期有所增加。
在公司构建的功率器件和功率 IC 双轮驱动的业务模式下，公司较早布局了
工业控制及高可靠应用领域，2023 年一季度，公司来自上述领域的收入及利润
相比 2022 年同期增长明显。
总体而言，2023 年一季度，公司经营状况良好，不存在重大异常变动情况。
单位：万元
项目 2023 年 1-3 月 2022 年 1-3 月 变动金额
经营活动产生的现金流量净额 -2,547.92 -3,041.64 493.72
投资活动产生的现金流量净额 -419.52 558.80 -978.32
筹资活动产生的现金流量净额 1,267.68 -562.51 1,830.19
现金及现金等价物净增加额 -1,699.76 -3,045.35 1,345.59
要因公司晶圆、外延片等采购支出较高，而公司高可靠领域的收入提升且该领
域客户的回款期一般较长，并且部分消费电子领域的客户回款也有所延长，从
而导致公司经营活动产生的现金流量净额为负。
备等相关支出；2022 年 1-3 月，公司投资活动现金流量净额为正，主要是公司
当期收回理财产品的金额大于购买理财产品的金额。
取得了银行借款，而未偿还银行借款；2022 年 1-3 月，公司筹资活动产生的现
金流量为负，主要是公司当期偿还了银行借款，而未新增银行借款。
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（二）2023 上半年业绩预计情况
公司结合目前的经营状况，预计 2023 年上半年的业绩及与 2022 年同期的
比较情况如下：
单位：万元
项目 2023 年 1-6 月 2022 年 1-6 月 变动幅度
营业收入 12,800~13,800 11,932.42 7.27%至 15.65%
净利润 2,500~3,100 3,205.01 -22.00%至-3.28%
扣除非经常性损益后归属
于母公司所有者的净利润
注：上述 2023 年上半年的数据未经审计或审阅
公司预计 2023 年上半年的营业收入为 12,800 万元至 13,800 万元，与上年
同期相比变动幅度为 7.27%至 15.65%；预计 2023 年上半年净利润为 2,500 万元
至 3,100 万元，与上年同期相比变动幅度为-22.00%至-3.28%；预计 2023 年上半
年扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润为 2,100 万元至 2,700 万元，
与上年同期相比变动幅度为-32.15%至-12.76%。2023 年上半年公司的营业收入
与 2022 年同期相比有一定幅度上涨，但利润水平较 2022 年同期有所下降。一
方面是受消费电子需求疲软的影响，公司 2023 年上半年功率器件产品的销售单
价及毛利率相比 2022 年同期有所下降，导致其毛利额有所减少；另一方面是
增加。
基于公司前期较早地布局了高可靠和工业控制应用领域，并且随着公司近
年在上述领域的不断开拓，2022 年以来，公司功率 IC 和功率器件产品来自高
可靠和工业控制（含汽车前装和后装、新能源）应用领域的销售起量明显，上
述领域的客户数量明显增多。在高可靠领域，公司客户群已覆盖国内高可靠领
域电源龙头企业及国家重点科研院所，并获得众多高可靠领域客户的高度认可；
在工业控制领域，公司持续深挖工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、
工 业 电 源 等 细 分 应 用 领 域 的 产 品 需 求 ， 超 高 压 平 面 MOSFET 、 高 压 超 结
MOSFET、SiC MOSFET 等细分产品的产品研发及市场开拓取得良好成效。因
此，公司预计 2023 年度高可靠和工业控制领域的销售收入将持续提升。截至
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来自高可靠及工业控制应用领域的在手订单占比为 83.83%，明显高于消费电子
领域的占比 16.17%。高可靠及工业控制相关产品的销售价格及毛利率相对较高，
随着订单的相关产品实现收入以及新订单的持续增加，公司 2023 年的盈利水平
将得到提升。
半导体作为现代科技的支柱型产业，伴随着全球经济的波动呈现出兼具成
长性和周期性；近 20 年来，全球半导体行业每隔 4-5 年经历一轮小周期，从历
史数据来看，半导体市场存在周期性波动，但中长期而言，行业发展整体仍呈
现上升趋势。因此，公司消费电子领域的经营短期受到了行业周期的影响，但
是预计未来该领域的经营情况将得到改善。
综上，公司预计 2023 年的营业收入和利润将保持增长态势，公司的盈利能
力将得到进一步提升。
上述 2023 年上半年业绩预计系公司初步测算的结果，未经申报会计师审计
或审阅，不构成公司的盈利预测或业绩承诺。
八、发行人选择的具体上市标准
发行人符合并选择适用《上海证券交易所科创板股票上市规则》第 2.1.2 条
第一项的上市标准：预计市值不低于人民币 10 亿元，最近两年净利润均为正且
累计净利润不低于人民币 5,000 万元，或者预计市值不低于人民币 10 亿元，最
近一年净利润为正且营业收入不低于人民币 1 亿元。发行人 2022 年度的营业收
入为 23,538.19 万元，净利润为 6,111.35 万元，扣除非经常性损益后归属于母公
司股东的净利润为 4,956.95 万元。结合市场估值情况，发行人预计市值不低于
润为正且营业收入不低于人民币 1 亿元”的上市标准。
九、发行人公司治理特殊安排等重要事项
截至本招股说明书签署日，公司不存在红筹架构或表决权差异等特殊安排。
十、募集资金用途与未来发展规划
（一）募集资金用途
经公司 2022 年第一次临时股东大会审议通过，公司本次拟公开发行人民币
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普通股不超过 1,842.1053 万股（不含采用超额配售选择权发行的股票数量），
实际募集资金扣除发行等费用后拟投入以下项目：
单位：万元
序号 项目名称 投资总额 拟使用募集资金 建设周期
合计 53,008.28 53,008.28
上述项目实施后，公司不会新增同业竞争，对公司的独立性不会产生不利
影响。
在募集资金到位前，公司可以根据各募投项目的实际进度以自筹资金先期
投入，募集资金到位后，将用于支付剩余款项及置换先期已经投入的自筹资金。
若实际募集资金金额小于上述募投项目所需金额，缺口部分由公司以自有资金、
银行贷款等方式解决。若实际募集资金金额超过上述募投项目所需金额，超出
部分将用于补充流动资金等其他用途。
本次募集资金运用具体情况详见本招股说明书“第七节 募集资金运用与未
来发展规划”。
（二）未来发展规划
公司将继续专注于功率半导体的设计、研发与销售，坚持“自主创芯，助力
核心芯片国产化”的发展定位，聚焦消费电子、工业控制和高可靠领域，在新能
源汽车、光伏能源、轨道交通、智能电网等领域展开布局；在目前掌握的核心
技术基础上，展开产品系列化及下游市场的进一步拓展、延伸，具体如下：
在功率 MOSFET 方面，公司将开发适用于智能电网的超高压产品系列，进
一步提升器件功率密度，降低开关损耗，不断拓展产品在工业控制和高可靠领
域的应用；在 SiC 功率器件方面，公司将在现有设计及工艺平台基础上，围绕
新能源汽车、光伏发电应用领域等，展开产品系列化研发及可靠性改善提升的
研究，不断丰富产品系列；在功率 IC 方面，公司将加强研发投入，基于积累的
IP 核，在高可靠、安防等应用领域等实现产品系列化开发及规模化量产。同时，
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公司还将加强对产品可靠性考核及测试筛选平台的建设投入，不断提升公司产
品在高可靠领域国产化替代的竞争优势及服务能力。
十一、其他对发行人有重大影响的事项
截至本招股说明书签署日，发行人不存在其他有重大影响的事项。
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第三节 风险因素
投资者在评价判断本公司股票价值时，除仔细阅读本招股说明书提供的其
他资料外，应该特别关注下述各项风险因素。下述各项风险按照不同类型进行
归类，同类风险根据重要性原则或可能影响投资决策的程度大小排序，但该排
序并不表示风险因素依次发生。以下风险因素可能直接或间接对发行人生产经
营状况、财务状况和持续盈利能力产生不利影响。
一、与发行人相关的风险
（一）技术风险
半导体行业的研发存在周期较长、工艺复杂等特点，产品技术优化升级需
要持续的资源投入。由于新品研发至实现规模销售需要一定的时间周期，公司
功率器件、功率 IC 新产品的研发进度及研发成果实现产业化都存在不确定性。
报告期内，公司沟槽型 MOSFET、超结 MOSFET、SiC 功率器件的收入占比相
对较小，与行业竞争对手在产品产业化程度、收入规模上均存在一定差距，短
期内难以成为主要的业绩增长点。公司目前已进行沟槽型 MOSFET 和超结
MOSFET 的研发工作，SiC 功率器件已小批量供货，尚需持续研发投入。如果
新产品研发及产业化进度未达预期或无法在市场竞争中占据优势，公司将面临
新产品研发及产业化失败的风险，前期的研发投入也将无法收回，给公司未来
业务拓展带来不利影响。
集成电路设计行业为技术密集型行业，核心技术是行业内企业保持领先优
势的重要保障，对企业发展具有重要作用。基于多年的技术积累和研发投入，
公司在功率半导体领域已形成 10 项核心技术，并广泛应用于自有产品中，同时
公司正致力于新技术和新产品的研发。如果公司核心技术人员流失或个别人员
核心资料保管不善，则可能导致公司核心技术失密的风险。若公司核心技术泄
密，并被竞争对手所获知和模仿，则可能会削弱公司的竞争优势，并对公司生
产经营带来不利影响。
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（二）经营风险
目前，公司采用 Fabless 经营模式，专注于芯片的设计、研发和销售环节，
而将晶圆制造、封装测试等生产环节委托供应商进行。若晶圆代工、封装测试
等委外加工价格大幅上涨，或因晶圆代工厂、封装测试厂产能紧缺或工艺波动
等原因影响公司产品供给，将对公司供应稳定性、盈利能力造成不利影响。
报告期内，在 2021 年度下游需求旺盛的情况下，发行人功率器件产能供应
存在一定程度的受限，其中沟槽型 MOSFET、超结 MOSFET 部分新开拓晶圆供
应商尚在流片验证中；功率 IC 的晶圆供应商相对单一。此外，报告期内公司晶
圆供应商出现较大变动，一方面，2021 年度公司第一大晶圆供应商由上海汉磊
变更为西安微晶微，且报告期各期公司前五大供应商亦有所变动；另一方面，
公司晶圆采购数量由 2020 年的 22.18 万片下降至 2021 年的 18.14 万片和 2022
年的 18.52 万片，其中向上海汉磊采购晶圆数量由 2020 年的 10.73 万片下降至
作关系发生不利变化，或主要供应商由于产能受限等原因而降低对公司的产能
供给，而公司在短期内无法及时寻找新的晶圆供应商并快速获取产能形成稳定
供应，将影响公司晶圆供应的稳定性，可能导致公司出现不能及时满足下游客
户的需求、错失市场商机、丢失已有客户等情况，从而对公司生产经营造成不
利影响。
目前，公司采用 Fabless 经营模式，专注于芯片的设计、研发和销售环节，
而将晶圆制造、封装测试等生产环节委托供应商进行。由于资金、技术等壁垒，
半导体行业内符合公司技术和工艺要求的晶圆代工厂数量较少。报告期内，公
司向前五大供应商采购额占当期总采购额的占比分别为 91.41%、76.55%和
自身生产经营或与公司合作情况发生不利变化等情况，公司在短时间内替换供
应商存在较大困难，可能导致公司不能足量、及时出货，从而对公司生产经营
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造成不利影响。
进一步扩大晶圆产能供给。根据协议约定，扩产完成后，西安微晶微将保证向
公司提供不低于 18,000 片/月的晶圆代工产能供给。如未来市场发生波动导致公
司下游需求减小，导致公司向西安微晶微采购晶圆数量下降，产能无法完全消
化，则该批设备的折旧费用将导致晶圆成本较目前有所上涨。扩产设备验收后
将对公司总体的毛利额和净利润造成一定影响，据测算，2022 年公司的毛利额
与净利润分别下降 88.36 万元和 79.52 万元，如公司无法向下游转嫁成本上涨的
压力，则可能导致公司功率器件的盈利水平下降。
（三）管理及内控风险
目前国内半导体企业众多，对功率半导体关键技术人员需求缺口较大，运
用高薪或者股权激励等方式吸引技术人员已逐渐成为行业内的常规手段，导致
行业内人员流动愈发频繁。未来，如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧
失竞争优势或人才发展及内部晋升受限，公司对关键技术人才的吸引力将减弱，
甚至可能出现现有关键技术人员流失的情形，对公司生产经营产生不利影响。
本次发行前，实际控制人丁国华直接持有公司 20.26%的股份，并通过员工
持股平台港晨芯控制公司 8.23%的表决权，根据已签署的《一致行动协议》，
罗寅、港鹰实业、陈锴系丁国华的一致行动人。罗寅直接持有公司 17.09%股份，
港鹰实业直接持有公司 10.11%股份，陈锴直接持有公司 7.24%股份。因此，丁
国华直接和间接控制公司合计 62.93%的表决权。本次发行后，丁国华控制的股
份表决权比例将被稀释，不排除未来因不可控的因素可能影响公司控制权的稳
定性，进而可能对公司未来经营造成不利影响。如未来实际控制人或其一致行
动人通过二级市场减持等方式降低持股比例，或其他股东之间达成一致行动协
议，或潜在的投资者收购公司股份导致公司其他股东持股比例增加从而超过丁
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国华控制的股权表决权比例，公司可能发生控制权转移的情形，进而可能导致
公司在经营管理团队、核心技术人员、发展战略等方面发生较大变化，从而导
致公司未来经营发展的不确定性。
发行人作为采用 Fabless 经营模式的企业，将晶圆制造、封装测试等生产环
节委托给供应商，因此人员规模相对较小。报告期各期末，公司员工总人数分
别为 71 人、85 人和 95 人，研发人员数量分别为 28 人、32 人和 40 人，相较 A
股已上市的同行业可比公司人数较少。若未来发生大规模人员流失的情况，将
对发行人开展日常经营活动以及持续拓展业务规模带来不利影响。发行人研发
人员数量较少，随着业务的发展，可能存在研发人才不足、研发进度不达预期
的风险，进一步影响发行人新产品的推出、技术储备等方面，进而对公司未来
业务发展造成不利影响。
公司产品的主要生产环节需委托供应商进行，产品质量受到加工流程中诸
多因素的影响，而客户对产品一致性、可靠性要求较高。公司产品向新能源汽
车、光伏能源、轨道交通、智能电网等高端应用领域拓展时也需满足更高的质
量要求。随着发行人经营规模的持续扩大及客户对产品质量要求的不断提高，
如果公司不能持续有效地完善、提升相关质量控制制度并严格执行质量控制措
施，导致产品质量出现问题、产品质量不能达到客户需求，则产品不能满足下
游客户的质量要求，影响公司的市场地位和品牌声誉，进而对公司经营业绩产
生不利影响。
（四）财务风险
为代表的消费电子市场需求持续疲软，消费电子领域客户自身存在去库存压力。
公司功率器件主要面向消费电子领域，受此影响，2022 年度公司平面 MOSFET
销量和价格下降明显：销量方面，平面 MOSFET 中测后晶圆销售数量相比
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量相比 2021 年下降 12.35%；价格方面，以 2022 年度平面 MOSFET 中测后晶圆
五款主要销售型号的平均销售单价为例，2022 年各季度其平均销售单价分别环
比下降 6.45%、11.09%、30.41%和 2.06%，对发行人功率器件收入产生不利影
响。截至 2023 年 3 月 23 日，公司功率器件的在手订单为 2,828.81 万元，其中
消费电子领域占 53.69%。若未来半导体行业景气度持续下滑导致市场需求出现
重大不利变化，下游客户抗周期波动能力不足或出现经营风险，或者市场竞争
加剧导致公司不能保持产品的核心竞争力和市场竞争优势，则会对公司产品售
价、销量造成进一步负面影响，并可能导致客户订单执行延缓或出现违约、主
要客户流失，从而使公司面临收入增长可持续性的风险。
此外，公司功率 IC 业务报告期各期主营业务收入金额分别为 322.32 万元、
靠领域，客户集中度较高，且该领域客户订单在一定程度上会受到年度预算和
终端需求等因素的影响。若未来客户订单延迟或取消、公司未能准确把握行业
技术发展趋势或下游市场需求发生重大不利变化等，可能导致公司功率 IC 业务
出现新客户拓展不达预期、现有客户流失等情形，从而使公司面临收入增长可
持续性的风险。
报告期各期末，公司存货的账面价值分别为 3,012.06 万元、6,694.00 万元
和 11,673.77 万元，公司存货账面价值随着业务规模的增长及采购模式和产品销
售形态的变化有所增加；存货周转率分别为 3.79、2.57 和 1.33，呈逐年下降的
趋势。公司存货的可变现净值受到下游市场情况变动的影响，2022 年二季度以
来，受全球通货膨胀等因素影响，以智能手机、PC、家电为代表的消费电子市
场需求持续疲软，相关产业链整体呈现去库存压力。受此影响，发行人 2022 年
末存货订单覆盖率及期后结转/销售率较低，存货消化存在一定的压力。同时由
于发行人功率器件主要面向消费电子领域，产品的销售价格呈现一定程度的下
滑，存货减值风险有所上升。若未来消费电子领域需求端持续低迷或市场环境
发生其他不利变化、客户临时改变需求、竞争加剧或技术升级，或者公司不能
有效拓宽销售渠道、优化库存管理，导致产品滞销、周转天数延长、存货积压，
公司可能面临存货滞销及减值的风险，进而会对公司的盈利能力产生不利影响。
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疲软。公司主要产品平面 MOSFET 来自消费电子领域的收入占比较高，自
未能正确判断市场需求变化、技术水平停滞不前、未能有效控制产品成本或市
场竞争格局发生不利变化，将会导致公司产品售价和成本出现预期外的波动，
公司产品毛利率及盈利能力未来存在下降的风险。
报告期各期末，公司应收账款的账面价值分别为 2,735.75 万元、2,143.10
万元和 3,962.86 万元，2022 年末应收账款增加较多。受预算拨款进度、经费支
付计划、付款审批流程、终端客户付款进度等因素影响，公司高可靠领域客户
销售回款周期普遍较长；同时，2022 年二季度以来消费电子市场需求持续疲软，
在一定程度上会影响客户的回款。若未来消费电子领域需求端持续低迷、高可
靠领域销售额持续增加或市场环境发生其他不利变化，公司不能有效加强应收
账款的催收，导致应收账款较高，则公司可能面临发生坏账的风险，进而会对
公司的盈利能力产生不利影响。
报告期内，公司享受的税收优惠政策主要系“新办的集成电路设计企业”
和“国家鼓励的重点集成电路设计企业”优惠税率税收优惠政策。根据相关政
策规定，公司 2020 年享受按照 25%的法定税率减半计缴企业所得税的优惠政策，
按 10%计缴企业所得税的优惠政策。报告期内公司享受的所得税税收优惠金额
占同期利润总额的比例分别为 0.00%、15.44%和 12.44%。若未来国家税收优惠
政策发生不利变化，或公司不符合税收优惠条件，将面临无法享受有关税收优
惠政策的风险，将对公司的经营成果产生不利影响。
甘化科工系公司第二大股东，与其一致行动人彭玫共持有公司20.05%的股
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权。报告期内，公司与甘化科工子公司甘华电源、升华电源、德芯源存在关联
交易，关联交易金额合计分别为0万元、1.15万元和928.11万元，占公司营业收
入比例分别为0.00%、0.01%及3.94%。由于甘化科工与公司在高可靠领域存在
业务协同，随着双方合作的不断深入，预计甘化科工及其子公司将持续向公司
采购产品和技术服务，公司存在关联交易规模和占比进一步扩大的风险。若公
司未来关联交易未能有效履行相关决策程序或关联交易定价显失公允，将可能
对公司经营业绩造成不利影响。
（五）法律风险
公司拥有的知识产权是公司核心竞争力的重要组成部分，未来如公司相关
核心技术被竞争对手所获知并效仿，或者第三方侵犯公司知识产权的行为得不
到及时防范和制止，将会对公司未来业务发展和生产经营产生负面影响。截至
业可比上市公司士兰微、新洁能等仍存在一定差距，不利于核心技术的保护。
此外，不排除竞争对手或第三方采取恶意诉讼的策略，或公司因其他原因与竞
争对手或第三方产生知识产权纠纷，公司通过法律途径寻求保护将付出额外的
人力、物力及时间成本，亦会导致公司商业利益、品牌声誉受到一定程度的损
失。
因跨地区开展业务的需要，公司及子公司、分公司在张家港市、无锡市、
西安市、深圳市等多地租赁了办公、研发场所、员工宿舍等。租赁期限到期后，
若上述房屋不能及时续租，公司子公司、分公司需重新选择经营场所并进行搬
迁，可能短期内对经营的稳定性造成不利影响；公司承租的部分员工宿舍未办
理租赁备案登记，可能存在被所在地房地产主管部门处罚的风险。
二、与行业相关的风险
（一）技术迭代的风险
发行人主要经营的产品包括功率器件和功率IC，两者均属于功率半导体。
功率半导体行业属于技术密集型行业，不追求先进制程，产品生命周期长，较
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数字芯片相比迭代速度更慢。从技术发展层面来看，一方面，下游客户的个性
化需求不断丰富，下游应用领域对产品技术参数的要求亦不断提升，如发行人
无法顺应行业技术发展趋势，在产品研发中紧跟下游客户应用需求的变动方
向，则有可能导致公司产品被赶超或替代；另一方面，发行人报告期内销售产
品以平面MOSFET为主，在300V以下电压段和400V-1,000V电压段分别与沟槽
型MOSFET和超结MOSFET存在一定程度竞争，如因新技术的发展使沟槽型
MOSFET和 超 结MOSFET的 电 压 覆 盖 更 宽 且 相 关 量 产 工 艺 成 熟 ， 则 平 面
MOSFET与两类MOSFET的市场竞争可能加剧，存在市场空间被挤压的风险。
前述风险将导致发行人竞争力减弱，给业务开展造成不利影响。
（二）市场竞争风险
目前，我国的功率半导体行业正经历快速发展阶段，行业内厂商积极进行
市场拓展，市场竞争逐渐加剧。因发行人成立时间较短、规模尚小且部分类型
产品的研发起步时间较晚，存在一定的竞争劣势，具体表现在：第一，公司产
品以平面 MOSFET 为主，占主营业务收入的比例分别为 88.39%、83.07%和
平面 MOSFET 以及超结 MOSFET、沟槽型 MOSFET、FRMOS、SiC 功率器件
目前销售收入较少，新产品研发及产业化程度存在差距；第二，发行人功率 IC
产品主要面向高可靠应用领域，如未来高可靠领域内新进入者持续增加，该领
域市场竞争将可能加剧。前述因素均可能对公司经营业绩带来不利影响；第三，
发行人所处行业的竞争对手较多，既包括英飞凌、安森美等国际一流功率半导
体厂商，也包括华润微、士兰微等国内的知名功率半导体厂商。与前述竞争对
手相比，发行人相关产品的研发及市场推广起步时间较晚，在沟槽型 MOSFET、
超结 MOSFET、FRMOS、SiC 功率器件等其他类型 MOSFET 的产品丰富度、
技术积累和经营规模方面均与前述竞争对手存在一定差距。发行人需要持续投
入大量资金用于核心技术及新产品的研发，以缩小与竞争对手的差距并保持自
身竞争力。若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势，不能根据客户需求
及时推出新产品、不断优化产品性能与提高服务质量，则可能导致公司竞争能
力下降，公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。
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（三）国际贸易摩擦的风险
报告期内，公司存在向汉磊科技采购晶圆的情形。在经济全球化日益深化
的背景之下，国际贸易关系的变化对于半导体行业景气度可能产生深远影响。
一方面，近年来国际贸易摩擦不断，部分国家通过贸易保护的手段，试图制约
中国相关产业的发展；尤其是随着中美贸易摩擦的加剧，美国政府已将多家中
国企业和机构列入美国出口管制的“实体清单”。若美国将公司及公司主要客
户、供应商列入“实体清单”名单或采取其他经济限制手段，可能导致公司业
务受限、供应商无法供货或者客户采购受到约束，公司的正常生产经营将受到
不利影响。另一方面，在国际贸易环境紧张的情况下，半导体产业链上下游可
能出现生产和采购受限的情形，从而对公司经营业绩造成不利影响。
（四）产业政策变化的风险
半导体产业是国家战略性产业。近年来，国家出台了一系列鼓励政策以推
动我国半导体产业的发展，增强了中国半导体产业的创新能力和国际竞争力，
带动了整个产业的发展。但若未来国家相关产业政策支持力度减弱，可能导致
下游市场需求下滑、税收优惠减少、政府补贴金额下降等，公司的经营业绩可
能会因此受到不利影响。
三、其他风险
（一）本次发行失败的风险
根据《上海证券交易所首次公开发行证券发行与承销业务实施细则》的要求，
若本次发行时提供有效报价的投资者或网下申购的投资者数量不足法律规定要求，
或者发行时总市值未能达到预计市值上市条件的，本次发行应当中止，若发行人
中止发行上市审核程序超过上交所规定的时限或者中止发行注册程序超过 3 个月
仍未恢复，或者存在其他影响发行的不利情形，或将会出现发行失败的风险。
（二）与募集资金运用相关的风险
本次募集资金投资项目包括智能功率半导体研发升级项目、SiC 功率器件
研发升级项目、功率半导体研发工程中心升级项目以及补充营运资金，本次募
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集资金投资项目与公司现有主营业务和发展战略紧密联系，现有的可行性分析
是基于当前的市场环境和技术发展趋势等因素做出的，未来可能因产业政策变
化、市场环境变化、行业竞争加剧或研发过程中关键技术未能突破等原因导致
项目延期、无法实施或不能达到预期收益，将对发行人经营产生不利影响。
本次发行的募投项目投资金额较大且在短期内难以完全产生效益，募投项
目实施后，公司将面临净资产收益率及每股收益下降的风险。本次募集资金投
资项目建成后，公司将新增固定资产、无形资产、研发投入，导致相应的折旧、
摊销及费用增加。如果因市场环境等因素发生变化，募集资金投资项目投产后
盈利水平不及预期，新增的折旧、摊销及费用支出将对公司的经营业绩产生不
利影响。
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第四节 发行人基本情况
一、发行人基本情况
（一）中文名称：苏州锴威特半导体股份有限公司
英文名称：Suzhou Convert Semiconductor CO., LTD.
（二）注册资本：5,526.3158 万元
（三）法定代表人：罗寅
（四）有限公司成立日期：2015 年 1 月 22 日
整体变更设立股份公司日期：2019 年 7 月 30 日
（五）住所：张家港市杨舍镇华昌路 10 号沙洲湖科创园 B2 幢 01 室
（六）邮政编码：215600
（七）电话号码：0512-58979950；传真号码：0512-58979950
（八）互联网网址：www.convertsemi.com
（九）电子信箱：zhengq@convertsemi.com
（十）负责信息披露和投资者关系的部门：证券部
负责人：严泓
联系电话：0512-58979950
二、发行人设立情况和报告期内的股本和股东变化情况
（一）发行人设立情况
发行人由前身锴威特有限整体变更设立。
有限，注册资本为 500.00 万元，由罗寅认缴 150.00 万元、陈锴认缴 145.00 万元、
陈国祥认缴 105.00 万元、港鹰实业认缴 100.00 万元。
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锴威特有限的 500.00 万元注册资本共分三期实缴，第一期实缴 100.00 万元，
全部由罗寅以货币实缴出资，2015 年 5 月 16 日，天衡会计师事务所（特殊普通
合伙）出具《苏州锴威特半导体有限公司验资报告》（天衡勤验字[2015]0017
号），确认本次货币出资均已经缴纳。第二期实缴 100.00 万元，全部由港鹰实
业以货币实缴出资，2015 年 8 月 3 日，天衡会计师事务所（特殊普通合伙）出
具《苏州锴威特半导体有限公司验资报告》（天衡勤验字[2015]0025 号），确
认本次货币出资均已经缴纳。第三期实缴 300.00 万元，其中由罗寅以货币实缴
出资 50.00 万元，由陈锴以货币实缴出资 145.00 万元，由陈国祥以货币实缴出
资 105.00 万元，2016 年 3 月 3 日，苏州中信联合会计师事务所（普通合伙）出
具《苏州锴威特半导体有限公司验资报告》（中信验[2016]001 号），确认本次
货币出资均已经缴纳。
《营业执照》（注册号：320582000348672）。
锴威特有限成立时的股东及股权结构如下：
单位：万元
序号 股东姓名/名称 出资形式 出资金额 出资比例
合计 / 500.00 100.00%
公司是由锴威特有限于 2019 年 7 月 30 日以整体变更方式设立。
（信会师报字[2019]第 ZA51343 号），锴威特有限截至 2019 年 1 月 31 日经审
计的净资产为 6,794.68 万元。
导体有限公司拟整体改制设立股份有限公司涉及的净资产价值资产评估报告》
（苏中资评报字（2019）第 2023 号），锴威特有限截至 2019 年 1 月 31 日的股
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东全部权益价值评估值为 6,891.16 万元。
年 1 月 31 日经审计的账面净资产 6,794.68 万元按 1：0.0896 的比例折为股份公
司的 6,089,300 股，每股面值人民币 1 元；各股东持股比例不变；公司净资产折
股后超出注册资本的部分人民币 6,185.75 万元计入股份公司的资本公积。同日，
锴威特有限全体股东作为发起人签署《苏州锴威特半导体股份有限公司发起人
协议书》。
有限公司。
（信会师报字[2019]第 ZA52117 号），经审验，截至 2019 年 6 月 20 日止，公
司已根据《公司法》有关规定及公司折股方案，将锴威特有限截至 2019 年 1 月
比例折合股份总额 6,089,300 股，每股 1 元，共计股本人民币 6,089,300 元，大
于股本部分 6,185.75 万元计入资本公积。
会信用代码：913205823237703256）。
整体变更后，公司股本结构如下：
单位：万股
序号 股东姓名/名称 持股数量 持股比例
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
序号 股东姓名/名称 持股数量 持股比例
合计 608.93 100.00%
字[2022]008211 号），经复核，公司于股份公司设立时截至 2019 年 1 月 31 日
的净资产由 6,794.68 万元变更为人民币 6,378.49 万元，其中股本总额和股本结
构 不 变 ， 股 本 总 额 为 人 民 币 608.93 万 元 ， 资 本 公 积 （ 股 本 溢 价 ） 变 更 为
司净资产及折股比例等事项的议案》。
（二）报告期内的股本和股东变化情况
融分别与甘化科工签订股份转让合同，向甘化科工以 77.18 元/股的价格合计转
让 81.62 万股。本次股份转让后，甘化科工持有锴威特 13.40%的股份，转让方
光荣联盟、金城创融不再持有发行人的股份，具体转让情况如下：
序号 转让方 受让方 转让股份数量（万股） 转让价款（万元）
甘化科工
本次股份转让完成后，公司的股东及股权结构如下：
序号 股东姓名/名称 持股数量（万股） 持股比例
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
序号 股东姓名/名称 持股数量（万股） 持股比例
合计 608.93 100.00%
协议》，各方一致同意并确认，公司注册资本由 608.93 万元增加至 744.25 万元，
由员工持股平台港晨芯以 967.54 万元货币资金认购 67.66 万股，价格 14.30 元/
股；新增的注册资本由甘化科工以 4,700.34 万元货币资金认购 67.66 万股，价
格 69.47 元/股。2020 年 10 月，公司先后召开 2020 年第三次、第四次临时股东
大会，审议通过上述增资及实施股权激励事宜，并审议通过了修改《公司章程》
的议案。
的《营业执照》（统一社会信用代码：913205823237703256）。
号），确认本次货币出资均已经缴纳。
本次增资完成后，公司的股东及股权结构如下：
单位：万股
序号 股东姓名/名称 持股数量 持股比例
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
序号 股东姓名/名称 持股数量 持股比例
合计 744.25 100.00%
资本由 744.25 万元增加至 5,000.00 万元，新增的注册资本以资本公积（股本溢
价）按原股东持股比例向全体股东转增，每股面值 1 元，合计增加注册资本
的《营业执照》（统一社会信用代码：913205823237703256）。
号），确认截至 2020 年 11 月 27 日止，公司变更后的注册资本为人民币
本次资本公积转增股本完成后，公司的股东及股权结构如下：
单位：万股
序号 股东姓名/名称 持股数量 持股比例
合计 5,000.0000 100.00%
投资将其持有的 123.95 万股股份以 10.34 元/股的价格全部转让给其关联企业招
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港共赢。本次股份转让完成后，转让方招港投资不再持有发行人的股份。
本次股份转让完成后，公司的股东及股权结构如下：
单位：万股
序号 股东姓名/名称 持股数量 持股比例
合计 5,000.0000 100.00%
悦丰金创、赵建光、彭玫、陈涛与发行人及当时股东丁国华、罗寅、港鹰实业、
港晨芯、陈锴、大唐汇金、招港共赢、国经众明、金茂创投签署《股份转让及
增资协议》，各方一致同意并确认，由陈涛、邦盛聚源、赵建光、彭玫以受让
部分原股东所持发行人股份的方式对发行人进行投资，价格 19.00 元/股，具体
情况如下：
序号 出让方 受让方 转让股份数量（万股） 转让价款（万元）
邦盛聚源 10.5263 200.00
赵建光 52.6316 1,000.00
合计 - 142.1053 2,700.00
由新工邦盛、邦盛聚泓、禾望投资、甘化科工、悦丰金创认购发行人新增
的 526.3158 万股股份的方式对发行人进行投资，价格 19.00 元/股，具体情况如
下：
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序号 增资人 认购股份数（万股） 增资价款（万元）
合计 526.3158 10,000.00
注：“SS”代表国有股东（State-owned Shareholder）的缩写
过了上述增资事项，并审议通过了公司章程修正案。
的《营业执照》（统一社会信用代码：913205823237703256）。
[2021]000925 号），确认本次货币出资均已经缴纳。
本次股份转让及增资完成后，公司的股东及股权结构如下：
单位：万股
序号 股东姓名/名称 持股数量 持股比例
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序号 股东姓名/名称 持股数量 持股比例
合计 5,526.3158 100.00%
（三）关于对赌协议及其解除的情况
截至 2021 年 12 月，发行人不存在现行有效的对赌条款。发行人历史上融
资引入外部投资人股东时，曾约定了股权转让限制、优先购买权、后续融资反
稀释、股份回赎、业绩承诺与股权调整等股东特殊权利条款。2021 年 12 月，
历次对赌协议的相关方签署了补充协议，约定上述特殊权利条款终止且自始无
效，对任何一方均无法律约束力，并不因任何原因、条件重新恢复；相关各方
确认协议约定的对赌触发条件未发生，该等特殊权利条款自始无效，对赌各方
不存在纠纷或潜在纠纷，不存在严重影响公司持续经营能力或其他严重影响投
资者权益的情形。
三、发行人报告期内的重大资产重组情况
报告期内，发行人未发生重大资产重组行为。
四、发行人在其他证券市场上市、挂牌情况
发行人自成立至今，未在其他证券市场上市或挂牌。
五、发行人的股权结构
（一）股权结构图
截至本招股说明书签署日，公司股权结构如下图所示：
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实际控制人丁国华所控制的62.93%表决权比例
港 甘 新 禾 大 招 邦 国 悦 金 邦
丁 港 赵
罗 鹰 陈 化 工 望 唐 港 盛 经 丰 彭 茂 陈 盛
国 晨 建
寅 实 锴 科 邦 投 汇 共 聚 众 金 玫 创 涛 聚
华 芯 光
业 工 盛 资 金 赢 泓 明 创 投 源
苏州锴威特半导体股份有限公司
苏州锴威特半导体股份 苏州锴威特半导体股份 苏州锴威特半导体股份
西安锴威半导体有限公司
有限公司无锡分公司 有限公司深圳分公司 有限公司南京分公司
（二）组织架构图
截至本招股说明书签署日，公司的组织架构如下所示：
六、发行人控股公司、分公司及参股公司情况
截至本招股说明书签署日，公司共有 1 家全资子公司，3 家分公司，无参
股公司，具体情况如下：
（一）子公司
公司名称 西安锴威半导体有限公司
统一社会信用代码 91610131MA6TX6HF1C
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法定代表人 丁国华
成立时间 2015 年 11 月 13 日
注册资本 200 万元
实收资本 200 万元
注册地和主要生产经营地 西安市高新区锦业路 69 号创业研发园瞪羚谷 B303 室
一般经营项目：半导体分立器件、集成电路和系统模块的设
计、销售；货物与技术的进出口经营（国家限制和禁止进出口
经营范围
的货物和技术除外）；软件设计、开发、销售。（以上经营范
围除国家规定的专控及前置许可项目）
在发行人业务板块中定位 主要承担研发职能，为发行人业务的组成部分
股东名称 持股比例
股东构成及控制情况
锴威特 100.00%
西安锴威最近一年经审计的简要财务数据如下：
单位：万元
项目 2022 年 12 月 31 日
总资产 145.62
负债 20.98
所有者权益 124.63
项目 2022 年度
营业收入 100.00
净利润 39.48
注：西安锴威已经包含在发行人合并报表的范围内，该合并财务报表已经大华会计师
审计
（二）分公司
统一社会信用代码 91320214MA1YN6WPXG
负责人 谭在超
成立日期 2019 年 7 月 4 日
住所 无锡市新吴区震泽路 18-4 号软件园金牛座 B502、B503 室
半导体分立器件、集成电路和系统模块的设计、测试、销售；自营
经营范围 和代理各类商品及技术的进出口业务；软件设计、开发、销售。
（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
在发行人业务板块
主要承担研发和销售职能
中定位
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统一社会信用代码 91440300MA5FUQH61F
负责人 徐进
成立日期 2019 年 10 月 15 日
深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路 16 号深圳湾科技生态园
住所
半导体分立器件、集成电路和系统模块的设计、测试、销售；自营
经营范围 和代理各类商品及技术的进出口业务；软件设计、开发、销售。
（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
在发行人业务板块
主要承担销售职能
中定位
统一社会信用代码 91320115MACJHJL982
负责人 谭在超
成立日期 2023 年 6 月 1 日
江苏省南京市江宁区胜利路 89 号紫金研创中心 3 幢 4 号楼 701 室
住所
（江宁开发区）
一般项目:集成电路设计;集成电路销售;集成电路芯片及产品销售;集
成电路芯片设计及服务;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交
经营范围
流、技术转让、技术推广;技术推广服务;科技推广和应用服务（除依
法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动）
在发行人业务板块
主要承担研发职能
中定位
七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人
情况
（一）控股股东、实际控制人的基本情况
截至本招股说明书签署日，丁国华先生直接持有公司 20.26%股份，同时丁
国华作为港晨芯的执行事务合伙人，通过港晨芯间接控制公司 8.23%的表决权，
根据 2019 年 2 月签署的《一致行动协议》，罗寅、港鹰实业、陈锴系丁国华的
一致行动人，罗寅直接持有公司 17.09%的股份，港鹰实业直接持有公司 10.11%
的股份，陈锴直接持有公司 7.24%的股份，因此丁国华先生直接和间接控制公
司合计 62.93%的表决权，为公司的控股股东和实际控制人。其简历如下：
丁国华先生，1963 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，身份证号码为
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东南大学半导体物理与器件专业硕士，高级工程师。1986 年 7 月至 1997 年 12
月历任中国华晶电子集团公司双极电路总厂五分厂工程师、技术组长、技术副
厂长等职，1998 年 1 月至 2000 年 9 月任集智达微电子（无锡）有限公司总经理，
月至 2015 年 8 月历任无锡硅动力微电子股份有限公司副董事长、董事长、总经
理、副总经理等职，2003 年 6 月至 2019 年 1 月任无锡硅动力微电子股份有限公
司董事。2015 年 9 月至今历任公司总裁、董事长。曾获港城最美创新创业人才、
姑苏创新创业领军人才、无锡市人民政府颁发的科学技术进步二等奖、无锡新
区软件企业优秀总经理、国家电子工业部（现更名为工业和信息化部）颁发的
科学技术进步三等奖、江苏省科学技术厅和江苏省教育厅联合颁发的全省高校
院所科技人员创新创业先进个人等奖项或荣誉称号。曾任东南大学专业学位研
究生校外指导教师，现任第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展工作委
员会副主任。
（二）一致行动关系的有效期限及纠纷解决机制
对一致行动关系的有效期限及纠纷解决机制明确如下：
事项 内容
一致行动关系 在各方持有公司股权期间持续有效，若一方不再持有公司股权，则自该
的有效期限 方不再持有公司股权发生之日起对该方不再发生法律效力。
日 3 起日内、会议召开前，向丁国华确认表决意见，丁国华应于股东
会、董事会会议召开前一天将表决意见通知其他方，由各方自己或委托
其他方出席会议并按丁国华意见投票表决。
纠纷解决机制 2、任何与协议有关或因协议引起的争议事项，各方应当先通过友好协商
方式解决。如不能协商解决，任何一方有权将争议事项提交至协议签署
地有管辖权的人民法院，通过诉讼程序解决争议。
务。
（三）其他股东不谋求控制权的承诺
除丁国华外，发行人其他股东均已出具不谋求控制权的承诺：本企业/本人
认可丁国华在发行人的实际控制人地位，不谋求发行人的实际控制人地位；本
企业/本人未曾且将来亦不会以形成一致行动关系、委托、征集表决权、联合其
他股东以及其他任何方式单独或共同谋求发行人的实际控制权，未曾且将来亦
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不会协助或促使其他股东通过任何方式谋求发行人实际控制人地位。
（四）控股股东和实际控制人直接或间接持有发行人的股份是否存在质押
或其他有争议的情况
截至本招股说明书签署日，控股股东和实际控制人直接或间接持有发行人
的股份不存在质押或其他有争议的情况。
（五）其他持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东的基本情况
截至本招股说明书签署日，除丁国华外，其他直接持有发行人 5%以上股份
的主要股东有甘化科工、罗寅、港鹰实业、港晨芯、陈锴。
截至本招股说明书签署日，甘化科工直接持有公司 19.10%的股份，甘化科
工系深交所上市公司（股票代码 000576），其基本情况如下：
公司名称 广东甘化科工股份有限公司
统一社会信用代码 91440700190357288E
法定代表人 黄克
成立时间 1993 年 4 月 15 日
注册资本 44,263.1734 万元
实收资本 44,263.1734 万元
注册地和主要生产经
广东省江门市蓬江区甘化路 62 号
营地
主营业务及与发行人 食糖贸易业务和预制破片、电源等军工产品的研发、生产、销
主营业务的关系 售，与发行人主营业务不存在同业竞争
经营本企业和本企业成员企业自产产品及相关技术的出口业务；
经营本企业和本企业成员企业生产、科研所需的原辅材料、机械
设备、仪器仪表、零配件及相关技术的进口业务（国家限定公司
经营或禁止进出口的商品除外；不单列贸易方式）；对外经济技
术合作业务、停车场管理、物业管理。研发、生产、销售：电源
经营范围
变换器、电源模块、电子元器件、半导体集成电路及系统产品、
计算机软硬件开发、有色金属合金、粉末冶金、食糖、纸浆、
纸、酵母、酒精、建筑材料、金属材料（不含金银）。机电及化
工机械的制造加工，仪器仪表试验及修理；技术开发。（依法须
经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动。）
股东姓名/名称 持股比例
前五大股东构成（截 德力西集团有限公司 41.77%
至 2023 年 3 月末） 冯骏 2.34%
胡成中 1.43%
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谢慧明 0.89%
中华联合人寿保险股份有限公司-传统保险产品 0.86%
合计 47.29%
截至本招股说明书签署日，港鹰实业直接持有公司 10.11%的股份，其基本
情况如下：
公司名称 张家港市港鹰实业有限公司
统一社会信用代码 9132058272725970X0
法定代表人 倪芬琴
成立时间 2001 年 3 月 22 日
注册资本 3,018.00 万元
实收资本 880.00 万元
注册地 张家港市杨舍镇晨阳镇公园东路 28 号
主要生产经营地 张家港市杨舍镇晨阳街道晨中路 1 号
主营业务及与发行人
机械制造，与发行人主营业务不存在同业竞争
主营业务的关系
化学纤维工业专用设备、纺织机械、机械及专用配件及器材、铸
锻件、化学纤维制造、销售；皮革制品加工、销售；金属材料购
销；经营本企业自产产品及技术的出口业务；经营本企业生产、
科研所需的原辅材料、仪器仪表、机械设备、零配件、五金电
器、电线电缆、化工产品（除危险化学品）及技术的进出口业
务；经营进料加工和“三来一补”业务；自营和代理各类商品及
经营范围 技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后
方可开展经营活动）许可项目：道路货物运输（不含危险货
物）；发电、输电、供电业务（依法须经批准的项目，经相关部
门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以审批结果为准）一
般项目：产业用纺织制成品生产；产业用纺织制成品销售；汽车
租赁（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营
活动）
股东姓名 持股比例
倪芬琴 70.00%
股东构成
陈锴 30.00%
合计 100.00%
截至本招股说明书签署日，其他持有发行人 5%以上股份或表决权的自然人
股东如下：
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股东 直接持股数 直接持股 是否拥有永久
序号 国籍 身份证号码
姓名 （万股） 比例 境外居留权
港晨芯为公司员工持股平台，截至本招股说明书签署日，港晨芯直接持有
公司 8.23%的股份，其基本情况如下：
公司名称 苏州港晨芯企业管理合伙企业（有限合伙）
统一社会信用代码 91320582MA22AW24X8
执行事务合伙人 丁国华
成立时间 2020 年 8 月 28 日
住所 张家港市杨舍镇沙洲湖科创园 A1 幢 1231 室
主营业务及与发行人
企业管理，与发行人主营业务不存在同业竞争
主营业务的关系
一般项目：企业管理（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依
经营范围
法自主开展经营活动）
港晨芯的合伙人均为发行人员工，具体出资构成如下：
序号 出资人姓名 出资额（万元） 出资比例（%） 出资人类型
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序号 出资人姓名 出资额（万元） 出资比例（%） 出资人类型
合计 1,000.0000 100.00 -
八、特别表决权股份或类似安排的情况
截至本招股说明书签署日，发行人不存在特别表决权股份或类似安排的情
况。
九、协议控制架构的情况
截至本招股说明书签署日，发行人不存在协议控制架构的情况。
十、控股股东、实际控制人报告期内是否存在贪污、贿赂、侵
占财产、挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序的刑事犯罪，是
否存在欺诈发行、重大信息披露违法或者其他涉及国家安全、公共
安全、生态安全、生产安全、公众健康安全等领域的重大违法行为
报告期内，发行人控股股东、实际控制人不存在贪污、贿赂、侵占财产、
挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序的刑事犯罪，不存在欺诈发行、重大
信息披露违法或者其他涉及国家安全、公共安全、生态安全、生产安全、公众
健康安全等领域的重大违法行为。
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十一、发行人股本情况
（一）本次发行前后公司股本情况
发行人本次发行前的总股本为 5,526.3158 万股，如本次公开发行股票数量
为 1,842.1053 万股，占发行后总股本的 25.00%，本次发行前后股本结构预计如
下：
发行前 发行后
序号 股东姓名/名称 持股数量 持股数量
比例（%） 比例（%）
（万股） （万股）
公司新股预计发
行数量
合计 5,526.3158 100.00 7,368.4211 100.00
（二）本次发行前的前十名股东情况
本次发行前，本公司前十名股东及持股情况如下：
序号 股东姓名 持股数量（万股） 持股比例
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
序号 股东姓名 持股数量（万股） 持股比例
合计 5,126.0807 92.76%
（三）本次发行前的前十名自然人股东及其在发行人处任职的情况
本次发行前，公司自然人股东共计 6 名，具体持股及其在本公司任职情况
如下：
序号 股东姓名 持股数量（万股） 比例 在本公司任职
合计 2,596.2853 46.97%
（四）发行人股本中国有股份或外资股份情况
截至本招股说明书签署日，发行人现有股东中有 1 名应标注“SS”（国有
股东）标识，具体如下：
序号 股东名称 持股数量（万股） 持股比例 批复文件
合计 52.6316 0.95% -
根据江苏省政府国有资产监督管理委员会于 2022 年 6 月 13 日出具的《江
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苏省国资委关于苏州锴威特半导体股份有限公司国有股东标识管理事项的批
复》，发行人如在境内发行股票并上市，悦丰金创在中国证券登记结算有限责
任公司登记的证券账户标注“SS”。
本次发行前，发行人股本中无外资股份。
（五）发行人申报前十二个月新增股东的情况
发行人申报前十二个月以增资方式新增股东的情况如下：
序 认缴注册资本 增资价格 取得股份
股东名称 定价依据 入股原因
号 （万元） （元/股） 时间
基于发行人
发展情况与 2021 年
处行业及发行
人未来成长性
悦丰金创 商确定
（SS）
注：上表取得股份时间为完成工商变更登记之日
发行人申报前十二个月以股份转让方式新增股东的情况如下：
序 转让出资额 转让价格 取得股
受让方 转让方 定价依据 入股原因
号 （万元） （元/股） 份时间
招港内部持
基于前次
股 安 排 调 2021 年
整，变更投 8月
定价确定
资主体
看好发行人
所 处 行 业 及 2021 年
罗寅 况与 市 场
协 商
成长性
注：上表取得股份时间为股份转让款支付日
（1）禾望投资基本情况
禾望投资为上交所上市公司禾望电气（股票代码 603063）的全资子公司，
截至本招股说明书签署日，禾望投资直接持有公司 2.86%的股份，其基本情况
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
如下：
名称 深圳市禾望投资有限公司
统一社会信用代码 91440300MA5GJY293U
注册资本 100 万元
企业类型 有限责任公司（法人独资）
住所 深圳市南山区西丽街道新围社区官龙第二工业区 11 栋三层
法定代表人 刘济洲
成立日期 2020 年 12 月 29 日
一般经营项目是：投资咨询（不含限制项目）；投资顾问（不含限
经营范围
制项目）。许可经营项目是：无
实际控制人 韩玉
股东名称 出资比例（%）
股东构成 深圳市禾望电气股份有限公司 100.00
合计 100.00
（2）悦丰金创基本情况
截至本招股说明书签署日，悦丰金创直接持有公司 0.95%的股份，其基本
情况如下：
名称 张家港市悦丰金创投资有限公司
统一社会信用代码 91320582MA1R9Q2Y46
注册资本 270,000.00 万元
企业类型 有限责任公司
住所 张家港市杨舍镇国泰南路 9 号主楼 2010 室
法定代表人 席国平
成立日期 2017 年 10 月 11 日
利用自有资金从事股权投资，投资管理、投资咨询。（依法须经批
经营范围
准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
实际控制人 张家港经济技术开发区管理委员会
股东名称 出资比例（%）
张家港经开区控股集团有限公司 72.22
股东构成
张家港市悦丰投资开发建设有限公司 27.78
合计 100.00
（3）招港共赢基本情况
截至本招股说明书签署日，招港共赢直接持有公司 2.24%的股份，其基本
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
情况如下：
张家港市招港共赢企业管
企业名称 注册资本 10,010.00 万元
理合伙企业（有限合伙）
深圳市招商国协壹号
执行事务合伙人
统一社会信用代码 91320582MA213WF51K 股权投资基金管理有
（基金管理人）
限公司
成立时间 2020 年 3 月 27 日 企业类型 有限合伙企业
住所 张家港市杨舍镇暨阳湖商业街 1 幢 B1-063 号
一般项目：企业管理；信息咨询服务（不含许可类信息咨询服务）
经营范围
（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
合伙人名称 出资额（万元） 权益占比（%）
张家港市招商产业资本投
资管理有限公司
权益结构
深圳市招商国协壹号股权
投资基金管理有限公司
合计 10,010.00 100.00
招港共赢的普通合伙人为深圳市招商国协壹号股权投资基金管理有限公司，
该普通合伙人的基本情况如下：
公司名称 深圳市招商国协壹号股权投资基金管理有限公司
法定代表人 王一岗
成立时间 2016 年 10 月 31 日
注册资本 1,000.00 万元
深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室（入驻深圳市前海商务秘
注册地址
书有限公司）
一般经营项目是：受托资产管理、投资管理（不得从事信托、金融资产管
理、证券资产管理及其他限制项目）；受托管理股权投资基金（不得从事
证券投资活动；不得以公开方式募集资金开展投资活动；不得从事公开募
经营范围
集基金管理业务）；股权投资；投资兴办实业（具体项目另行申报）；投
资咨询（不含限制项目）。（以上各项涉及法律、行政法规、国务院决定
禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）
股东构成 招商局资本管理有限责任公司持股 100%
（4）邦盛聚源基本情况
截至本招股说明书签署日，邦盛聚源直接持有公司 0.19%的股份，其基本
情况如下：
南京邦盛聚源投资管理合伙
企业名称 注册资本 300.10 万元
企业（有限合伙）
执行事务合伙人 南京邦盛投资管理
统一社会信用代码 91320100302330224C
（基金管理人） 有限公司
成立时间 2014 年 9 月 12 日 企业类型 有限合伙企业
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
住所 南京市建邺区白龙江东街 9 号 B2 幢北楼 19 层
实业投资；投资管理。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方
经营范围
可开展经营活动）
合伙人姓名/名称 出资额（万元） 权益占比（%）
南京邦盛聚鸿创业投资合伙
企业（有限合伙）
陈林 10.00 3.33
徐涵 10.00 3.33
赵楷 10.00 3.33
彭玉萍 10.00 3.33
郜翀 10.00 3.33
权益结构
姬磊 10.00 3.33
丁炜鉴 10.00 3.33
凌明圣 10.00 3.33
王传禄 10.00 3.33
郭小鹏 10.00 3.33
南京邦盛投资管理有限公司 0.10 0.03
合计 300.10 100.00
邦盛聚源的普通合伙人为南京邦盛投资管理有限公司，该普通合伙人的基
本情况如下：
公司名称 南京邦盛投资管理有限公司
法定代表人 郜翀
成立时间 2014 年 1 月 29 日
注册资本 1,000.00 万元
注册地址 南京市建邺区白龙江东街 9 号 B2 幢北楼 19 层
投资管理。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活
经营范围
动）
股东构成 郜翀持股 44.62%，凌明圣持股 33.85%，郭小鹏持股 21.53%
（5）新工邦盛基本情况
截至本招股说明书签署日，新工邦盛直接持有公司 2.86%的股份，其基本
情况如下：
江苏疌泉新工邦盛创业投资
企业名称 注册资本 40,415.00 万元
基金合伙企业（有限合伙）
执行事务合伙人 南京邦盛新工股权投
统一社会信用代码 91320100MA1P2EEJ50
（基金管理人） 资基金管理有限公司
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
成立时间 2017 年 5 月 23 日 企业类型 有限合伙企业
住所 南京市建邺区河西大街 198 号三单元 1001 室
创业投资；股权投资。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方
经营范围
可开展经营活动）
合伙人名称 出资额（万元） 权益占比（%）
南京邦盛聚信创业投资基金
合伙企业（有限合伙）
南京新工投资集团有限责任
公司
权益结构
江苏省政府投资基金（有限
合伙）
南京邦盛新工股权投资基金
管理有限公司
合计 40,415.00 100.00
新工邦盛的普通合伙人为南京邦盛新工股权投资基金管理有限公司，该普
通合伙人的基本情况如下：
公司名称 南京邦盛新工股权投资基金管理有限公司
法定代表人 郜翀
成立时间 2016 年 10 月 18 日
注册资本 500.00 万元
注册地址 南京市建邺区河西大街 198 号三单元 10 层 1001 室
投资与资本管理；受托管理私募股权投资基金。（依法须经批准的项目，
经营范围
经相关部门批准后方可开展经营活动）
南京邦盛投资管理有限公司持股 65.00%，南京新工新兴产业投资管理有限
股东构成
公司持股 35.00%
（6）邦盛聚泓基本情况
截至本招股说明书签署日，邦盛聚泓直接持有公司 1.91%的股份，其基本
情况如下：
徐州邦盛聚泓股权投资合
企业名称 注册资本 20,000.00 万元
伙企业（有限合伙）
执行事务合伙人 南京邦盛投资管理有
统一社会信用代码 91320301MA25GA755T
（基金管理人） 限公司
成立时间 2021 年 3 月 22 日 企业类型 有限合伙企业
住所 徐州经济技术开发区金龙湖科技金融广场 A 座 10 楼 1010 室
一般项目：股权投资；以私募基金从事股权投资、投资管理、资产管
理等活动（须在中国证券投资基金业协会完成登记备案后方可从事经
经营范围
营活动）（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营
活动）
权益结构 合伙人姓名/名称 出资额（万元） 权益占比（%）
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
徐州臻心创业投资有限公
司
邳州经开产业投资基金合
伙企业（有限合伙）
江苏徐州老工业基地产业
发展基金（有限合伙）
许为民 2,000.00 10.00
南京邦盛投资管理合伙企
业（有限合伙）
南京邦盛投资管理有限公
司
合计 20,000.00 100.00
邦盛聚泓的普通合伙人为南京邦盛投资管理有限公司，该普通合伙人的基
本情况如下：
公司名称 南京邦盛投资管理有限公司
法定代表人 郜翀
成立时间 2014 年 1 月 29 日
注册资本 1,000.00 万元
注册地址 南京市建邺区白龙江东街 9 号 B2 幢北楼 19 层
投资管理。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活
经营范围
动）
股东构成 郜翀持股 44.62%，凌明圣持股 33.85%，郭小鹏持股 21.53%
（7）自然人股东基本情况
发行人申报前十二个月新增自然人股东基本情况如下：
持股数量 持股 是否拥有永久
序号 股东姓名 国籍 身份证号码
（万股） 比例 境外居留权
发行人申报前十二个月新增股东与发行人其他股东、董事、监事、高级管
理人员的关联关系如下：
（1）招港共赢的员工戴明亮担任发行人监事；
（2）邦盛聚泓、邦盛聚源的执行事务合伙人均为南京邦盛投资管理有限公
司，该公司为新工邦盛执行事务合伙人的控股股东；邦盛聚泓、邦盛聚源、新
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工邦盛共同提名的姬磊担任发行人的董事；
（3）彭玫为甘化科工董事冯骏的配偶，且冯骏持有甘化科工 2.34%的股份，
按照《上市公司收购管理办法》第八十三条规定，甘化科工和彭玫为一致行动
人；
（4）大唐汇金的执行事务合伙人南京大唐泰科投资管理有限公司与悦丰金
创、金茂创投共同投资设立张家港悦金产业投资基金合伙企业（有限合伙），
南京大唐泰科投资管理有限公司担任执行事务合伙人；
（5）悦丰金创的控股股东张家港经开区控股集团有限公司同时为发行人股
东大唐汇金的有限合伙人，持有大唐汇金 19%的合伙份额。
的关联关系
截至本招股说明书签署日，新增股东与本次发行的中介机构及其负责人、
高级管理人员、经办人员均不存在关联关系。
截至本招股说明书签署日，新增股东不存在股份代持情形。
（六）本次发行前各股东之间的关联关系
截至本招股说明书签署日，本次发行前发行人各直接股东间的关联关系及
关联股东的各自直接持有发行人的股权比例如下：
单位：万股
股东姓名 直接持股
序号 持股数量 关联关系
/名称 比例
丁国华 1,119.8042 20.26%
①罗寅、港鹰实业、陈锴系丁国华的一致行动
港晨芯 454.5500 8.23% 人；
罗寅 944.5671 17.09% ②丁国华担任港晨芯的执行事务合伙人并持有
港鹰实业 558.7234 10.11% 有 35.47%合伙份额；
陈锴 400.3350 7.24% ③陈锴持有港鹰实业 30%的股权并担任副总经
理、监事。
合计 3,477.9797 62.93%
新工邦盛 157.8947 2.86% 邦盛聚泓、邦盛聚源的执行事务合伙人均为南
邦盛聚泓 105.2632 1.91% 京邦盛投资管理有限公司，同时南京邦盛投资
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股东姓名 直接持股
序号 持股数量 关联关系
/名称 比例
邦盛聚源 10.5263 0.19% 管理有限公司为新工邦盛的执行事务合伙人的
控股股东，三者系一致行动人。
合计 273.6842 4.96%
甘化科工 1,055.5216 19.10% 彭玫为甘化科工董事冯骏的配偶，且冯骏持有
甘化科工 2.34%的股份，按照《上市公司收购
管理办法》第八十三条规定，甘化科工和彭玫
合计 1,108.1532 20.05% 为一致行动人。
大唐汇金 152.8400 2.77% ①大唐汇金的执行事务合伙人南京大唐泰科投
资管理有限公司、悦丰金创、金茂创投共同投
悦丰金创
（SS）
限合伙），南京大唐泰科投资管理有限公司担
金茂创投 38.2250 0.69% 任执行事务合伙人；
②大唐汇金的有限合伙人张家港创新投资集团
有限公司同时也持有金茂创投 10%的股权；
合计 243.6966 4.41% ③悦丰金创的控股股东张家港经开区控股集团
有限公司同时为发行人股东大唐汇金的有限合
伙人，持有大唐汇金 19%的合伙份额。
发行人员工持股平台港晨芯各个股东间的关联关系及关联股东的各自持有
港晨芯的出资额比例如下：
序号 股东姓名 出资额（万元） 出资比例（%） 关联关系
丁国华 200.0000 20.00
合计 210.9999 21.10
谭在超 200.0000 20.00
合计 208.7999 20.88
除上述情况外，发行人股东之间不存在其他关联关系。
（七）股东公开发售股份的情况
本次公开发行股份不涉及发行人股东公开发售股份的情形。
（八）申报时存在私募投资基金等金融产品股东的情况
截至本招股说明书签署日，公司股东中有 12 位机构股东，其中甘化科工、
港鹰实业、禾望投资、悦丰金创、金茂创投为公司制股东，金茂创投为私募投
资基金管理人且已办理私募投资基金管理人登记（登记编号：P1061541）；港
晨芯为发行人员工持股平台；邦盛聚源系为满足南京邦盛投资管理有限公司体
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系内受托管理基金的内部跟投机制所设，为南京邦盛投资管理有限公司体系内
经营管理人员出资设立的投资平台；招港共赢出资来源为自有资金。甘化科工、
港鹰实业、禾望投资、悦丰金创、港晨芯、邦盛聚源、招港共赢均不存在以非
公开方式向合格投资者募集资金设立的情形，亦不存在委托其他任何管理机构
管理资产的情形或行为，不属于《私募投资基金监督管理暂行办法》和《私募
投资基金管理人登记和基金备案办法（试行）》所定义的私募投资基金，无需
办理私募投资基金备案或私募投资基金管理人登记手续；金茂创投不属于私募
投资基金，但属于私募投资基金管理人且已办理了私募投资基金管理人登记。
新工邦盛、大唐汇金、邦盛聚泓、国经众明均属于《证券投资基金法》
《私募投资基金监督管理暂行办法》和《私募投资基金管理人登记和基金备案
办法（试行）》规定的私募投资基金，均已履行了私募投资基金登记备案程序，
具体情况如下：
管理人登 管理人登
机构股东 基金编号 基金备案时间 基金管理人
记编号 记时间
南京邦盛新工股权投
新工邦盛 SX9307 2017.11.2 P1061949 2017.3.22
资基金管理有限公司
南京大唐泰科投资管
大唐汇金 SK7594 2016.7.28 P1022511 2015.9.2
理有限公司
南京邦盛投资管理有
邦盛聚泓 SQH860 2021.5.17 P1066390 2017.12.19
限公司
无锡国经投资管理有
国经众明 SS3664 2017.3.23 P1020623 2015.8.13
限公司
十二、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的简要情况
（一）董事会成员
公司董事由股东大会选举产生，任期为 3 年，任期届满可连选连任。公司
本届董事会由 9 名董事组成，其中 3 名为独立董事。
现任董事基本情况如下：
序号 姓名 在公司担任的董事职务 提名人 任职期限
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序号 姓名 在公司担任的董事职务 提名人 任职期限
邦盛聚泓、
邦盛聚源
上述各位董事简历如下：
丁国华先生简历参见本节“七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股
东及实际控制人情况”之“（一）控股股东、实际控制人的基本情况”。
罗寅先生，1986 年出生，中国国籍，无境外永久居留权。东南大学信息工
程学士、集成电路工程领域工程硕士，西安电子科技大学电子科学与技术博士
在读。2008 年 7 月至 2009 年 12 月任江苏新志光电集成有限公司 IC 工程师，
至 2014 年 12 月任苏州芯通微电子有限公司项目经理。2015 年 1 月至今任公司
总经理、董事。曾获张家港市领军型创业人才、张家港市十大杰出青年、苏州
市“三新四创”好青年和苏州市“青年创业之星”等奖项或荣誉称号。
陈锴先生，1991 年出生，中国国籍，无境外永久居留权。曼彻斯特大学财
务金融学士，曼彻斯特大学运营、项目与供应链管理硕士。2012 年 12 月至
任张家港市港鹰实业有限公司副总经理、监事，2017 年 4 月至今任张家港保税
区邦钇宏国际贸易有限公司监事。2017 年 7 月至今任公司董事。
司景喆先生，1990 年出生，中国国籍，无境外永久居留权。复旦大学飞行
器设计专业学士、飞行器设计专业硕士。2015 年 9 月至 2018 年 6 月任国金证券
股份有限公司机械军工行业研究员，2018 年 6 月至 2023 年 3 月历任甘化科工总
裁助理、投资总监、董事会秘书。2020 年 10 月至今任公司董事。
姬磊先生，1982 年出生，中国国籍，无境外永久居留权。南京邮电大学电
子科学与技术学士，南京邮电大学光学工程硕士。2007 年 5 月至 2011 年 9 月任
中国移动通信集团江苏有限公司南京分公司工程师，2011 年 9 月至 2014 年 2 月
任江苏高科技投资集团有限公司投资经理，2014 年 2 月至今任江苏邦盛股权投
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资基金管理有限公司投资总监。2021 年 9 月至今任公司董事。
谭在超先生，1981 年出生，中国国籍，无境外永久居留权。西安交通大学
电子科学与技术专业学士。2004 年 7 月至 2007 年 10 月任无锡华润晶芯半导体
有限公司工艺整合工程师，2007 年 11 月至 2012 年 10 月任无锡硅动力微电子股
份有限公司研发部经理，2012 年 11 月至 2014 年 3 月任无锡中星微电子有限公
司线路设计高级工程师，2014 年 4 月至 2015 年 2 月任无锡迈尔斯通集成电路有
限公司研发经理。2015 年 3 月至 2017 年 7 月任公司研发部总经理，2017 年 7
月至 2019 年 1 月任公司研发部总经理、监事，2019 年 1 月至 2021 年 10 月任公
司研发部总经理、董事，2021 年 10 月至今任公司副总经理兼研发部总经理、
董事。
秦舒先生，1956 年出生，中国国籍，无境外永久居留权。西北电讯工程学
院（现更名为西安电子科技大学）半导体物理与器件专业学士，研究员级高级
工程师。1982 年 7 月至 1991 年 2 月任中国华晶电子集团公司双极电路总厂五分
厂技术员、工程师，1991 年 3 月至 1995 年 2 月中国华晶电子集团公司硅材料工
厂副厂长，1995 年 3 月至 2001 年 2 月任中国华晶电子集团公司硅材料工厂厂长，
至 2012 年 7 月任江苏晶鼎电子材料有限公司常务副总经理。2012 年 8 月至
月至今任江苏省半导体行业协会秘书长。2021 年 9 月至今任公司独立董事。
苏中一先生，1957 年出生，中国国籍，无境外永久居留权。吉林大学经济
系政治经济学学士，西北大学企业管理硕士班结业，财政部财政科研所（现更
名为中国财政科学研究院）财政学专业企业财务会计管理方向博士研究生，高
级经济师，中央财经大学校外硕士生导师。1992 年 7 月至 1994 年 3 月任国务院
发展研究中心宏观经济研究部咨询研究员，1994 年 4 月至 1997 年 7 月任财政部
办公厅主任科员、信息处副处长、综合处处长，1997 年 8 月至 2000 年 3 月任平
安证券咨询部总经理兼平安保险集团战略与投资决策委员会委员，2000 年 3 月
至 2002 年 9 月任西南证券研发中心经理，2002 年 10 月至 2004 年 3 月任北京富
勤国际企业管理咨询有限公司副总经理，2004 年 4 月至 2006 年 9 月任中嘉会计
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
师事务所副总经理兼北京中嘉德投资管理咨询有限公司副总经理，2006 年 10
月至今任中审亚太会计师事务所（特殊普通合伙）总咨询师、管理部主任。
朱光忠先生，1974 年出生，中国国籍，无境外永久居留权。北京大学法学
学士，河北工业大学高级管理人员工商管理硕士，执业律师。1993 年 8 月至
律师事务所律师，2008 年 7 月至 2010 年 4 月任上海明泰律师事务所律师，
年 3 月任上海金茂凯德律师事务所合伙人，2023 年 3 月至今任上海德禾翰通律
师事务所全国管委会委员。2021 年 9 月至今任公司独立董事。
（二）监事会成员
公司监事由股东大会和职工代表大会选举产生，任期为 3 年，任期届满可
连选连任。公司本届监事会由 3 名监事组成，其中 1 名为职工代表监事。
现任监事基本情况如下：
序号 姓名 在公司担任的监事职务 提名人 任职期限
职工代表大会选
举产生
上述各位监事简历如下：
黃怀宙先生，1983 年出生，中国国籍，无境外永久居留权。毕业于江苏大
学会计专业。2005 年 5 月至 2015 年 11 月任无锡意昂数字技术有限公司生产计
划部部长，2015 年 11 月至今任公司销售总监。2019 年 1 月至今任公司监事。
戴明亮先生，1986 年出生，中国国籍，无境外永久居留权。安徽财经大学
会计学学士。2009 年 7 月至 2012 年 12 月任深圳市招商创业有限公司财务部职
员，2013 年 1 月至 2013 年 6 月任招商局蛇口工业区有限公司财务部主管，
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
孙新卫先生，1966 年出生，中国国籍，无境外永久居留权。毕业于南京大
学工商管理专业。1987 年 8 月至 1994 年 2 月任江苏太湖耐火材料股份有限公司
主办会计，1994 年 3 月至 2010 年 12 月任江苏公证天业会计师事务所有限公司
合伙人，2011 年 1 月至 2015 年 12 月任远程电缆股份有限公司董事会秘书，
至今任公司监事。
（三）高级管理人员
公司高级管理人员基本情况如下：
序号 姓名 在公司担任的职务
上述各位高级管理人员简历如下：
罗寅先生简历参见本节“十二、董事、监事、高级管理人员及核心技术人
员的简要情况”之“（一）董事会成员”。
谭在超先生简历参见本节“十二、董事、监事、高级管理人员及核心技术
人员的简要情况”之“（一）董事会成员”。
严泓女士，1990 年出生，中国国籍，无境外永久居留权。澳大利亚南澳大
学人力资源管理学士，澳大利亚阿德莱德大学应用金融硕士。2013 年 9 月至
月任无锡航亚科技股份有限公司人力资源主管，2015 年 7 月至 2020 年 4 月任无
锡紫光微电子有限公司人事行政部经理、监事，2020 年 9 月至 2021 年 5 月任唯
道管理咨询（无锡）有限公司高级咨询顾问，2021 年 5 月至 2021 年 10 月任公
司董事长助理，2021 年 10 月至今任公司董事会秘书。
刘娟娟女士，1982 年出生，中国国籍，无境外永久居留权。南京理工大学
会计学学士。2004 年 7 月至 2009 年 4 月任无锡硅动力微电子股份有限公司会计，
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
（四）核心技术人员
公司核心技术人员共 4 位，具体名单如下：
序号 姓名 在公司担任的职务
上述各位核心技术人员简历如下：
丁国华先生简历参见本节“七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股
东及实际控制人情况”之“（一）控股股东、实际控制人的基本情况”。
罗寅先生、谭在超先生简历参见本节“十二、董事、监事、高级管理人员
及核心技术人员的简要情况”之“（一）董事会成员”。
张胜先生，1979 年出生，中国国籍，无境外永久居留权。合肥工业大学应
用物理学士。2002 年 9 月至 2003 年 2 月任华越微电子有限公司工程师，2003
年 2 月至 2011 年 10 月任绍兴芯谷科技有限公司项目经理，2011 年 10 月至
IC 研发总监。2019 年度被评为张家港市紧缺高层次人才。
（五）董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的兼职情况
截至 2023 年 3 月 24 日，公司董事、监事、高级管理人员及核心技术人员
在除公司及其子公司、员工持股平台以外的其他单位兼职情况如下：
在发行人 与发行人的关联
姓名 兼职单位 兼职职务
所任职务 关系
张家港锴琳企业管理合 执行事务合伙
陈锴 董事 无其他关联关系
伙企业（有限合伙） 人
张家港市港鹰实业有限 副总经理、监
陈锴 董事 公司直接股东
公司 事
张家港保税区邦钇宏国
陈锴 董事 监事 无其他关联关系
际贸易有限公司
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
在发行人 与发行人的关联
姓名 兼职单位 兼职职务
所任职务 关系
执行董事、总
张家港市永琳新材料科
陈锴 董事 经理兼法定代 无其他关联关系
技有限公司
表人
甘化科工控股子
沈阳含能金属材料制造
司景喆 董事 董事 公司，持股
有限公司
北京惠风联合防务科技
司景喆 董事 董事 无其他关联关系
有限公司
四川甘华电源科技有限 甘化科工全资子
司景喆 董事 监事
公司 公司
控股股东为邦盛
投资。邦盛投资
为公司股东邦盛
聚泓、邦盛聚源
江苏邦盛股权投资基金
姬磊 董事 投资总监 的执行事务合伙
管理有限公司
人，同时邦盛投
资为新工邦盛的
执行事务合伙人
的控股股东
神顶科技（南京）有限
姬磊 董事 董事 无其他关联关系
公司
苏州岭纬智能科技有限
姬磊 董事 董事 无其他关联关系
公司
深圳衡宇芯片科技有限
姬磊 董事 董事 无其他关联关系
公司
衡宇芯科技（合肥）有
姬磊 董事 董事 无其他关联关系
限公司
苏州钧舵机器人有限公
姬磊 董事 董事 无其他关联关系
司
南京凯奥思数据技术有
姬磊 董事 董事 无其他关联关系
限公司
南京商络电子股份有限
姬磊 董事 监事 无其他关联关系
公司
广东赛微微电子股份有
姬磊 董事 监事 无其他关联关系
限公司
升新高科技（南京）有
姬磊 董事 监事 无其他关联关系
限公司
苏州海光芯创光电科技
姬磊 董事 监事 无其他关联关系
股份有限公司
华进半导体封装先导技
秦舒 独立董事 副总经理 无其他关联关系
术研发中心有限公司
江苏艾森半导体材料股
秦舒 独立董事 独立董事 无其他关联关系
份有限公司
柏诚系统科技股份有限
秦舒 独立董事 独立董事 无其他关联关系
公司
无锡市德科立光电子技
秦舒 独立董事 董事 无其他关联关系
术股份有限公司
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
在发行人 与发行人的关联
姓名 兼职单位 兼职职务
所任职务 关系
无锡帝科电子材料股份
秦舒 独立董事 独立董事 无其他关联关系
有限公司
秦舒 独立董事 江苏省半导体行业协会 秘书长 无其他关联关系
华芯检测（无锡）有限 总经理、执行
秦舒 独立董事 无其他关联关系
公司 董事
无锡力芯微电子股份有
秦舒 独立董事 独立董事 无其他关联关系
限公司
无锡合进企业管理合伙 执行事务合伙
秦舒 独立董事 无其他关联关系
企业（有限合伙） 人
安泊智汇半导体设备
秦舒 独立董事 董事 无其他关联关系
（上海）有限责任公司
安泊智汇半导体设备
秦舒 独立董事 董事 无其他关联关系
（嘉兴）有限公司
中审亚太会计师事务所 总咨询师、管
苏中一 独立董事 无其他关联关系
（特殊普通合伙） 理部主任
校外硕士生导
苏中一 独立董事 中央财经大学 无其他关联关系
师
北京康辰药业股份有限
苏中一 独立董事 独立董事 无其他关联关系
公司
常州武进中瑞电子科技
苏中一 独立董事 独立董事 无其他关联关系
股份有限公司
浩鲸云计算科技股份有
苏中一 独立董事 独立董事 无其他关联关系
限公司
亿嘉和科技股份有限公
苏中一 独立董事 独立董事 无其他关联关系
司
上海金茂凯德律师事务
朱光忠 独立董事 合伙人 无其他关联关系
所
凯龙高科技股份有限公
孙新卫 监事 独立董事 无其他关联关系
司
无锡万奈特测量设备有
孙新卫 监事 董事 无其他关联关系
限公司
南京南翔氢电新能源有
孙新卫 监事 董事 无其他关联关系
限公司
无锡雪浪环境科技股份
孙新卫 监事 独立董事 无其他关联关系
有限公司
无锡化工装备股份有限
孙新卫 监事 独立董事 无其他关联关系
公司
无锡国嘉企业管理有限 执行董事、总
孙新卫 监事 无其他关联关系
公司 经理
无锡协力企业管理合伙 执行事务合伙
孙新卫 监事 无其他关联关系
企业（有限合伙） 人
无锡国经投资管理有限 国经众明的普通
孙新卫 监事 副总经理
公司 合伙人
无锡奥特维科技股份有
孙新卫 监事 独立董事 无其他关联关系
限公司
无锡派克新材料科技股
孙新卫 监事 独立董事 无其他关联关系
份有限公司
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在发行人 与发行人的关联
姓名 兼职单位 兼职职务
所任职务 关系
招港共赢有限合
张家港市招商产业资本 伙人，持有招港
戴明亮 监事 高级投资经理
投资管理有限公司 共赢 99.90%的合
伙份额
（六）董事、监事、高级管理人员及核心技术人员之间存在的亲属关系
公司董事长丁国华与董事会秘书严泓为父女关系。除此以外，截至本招股
说明书签署日，公司现任董事、监事、高级管理人员及核心技术人员之间不存
在其他亲属关系。
（七）董事、监事、高级管理人员及核心技术人员最近三年是否涉及行政
处罚、监督管理措施、纪律处分或自律监管措施、被司法机关立案侦查、被中
国证监会立案调查情况
发行人董事、监事、高级管理人员及核心人员最近三年不涉及行政处罚、
监督管理措施、纪律处分或自律监管措施、被司法机关立案侦查、被中国证监
会立案调查情况。
十三、发行人与董事、监事、高级管理人员及核心技术人员签
署的重大协议及履行情况
截至本招股说明书签署日，发行人与公司董事（不在公司任职并领取薪酬
的董事除外）、监事（不在公司任职并领取薪酬的监事除外）、高级管理人员
及核心技术人员均已签署了《劳动合同》，与独立董事签署了《聘任协议》，
与核心技术人员另签署了《保密协议》和《竞业禁止协议》。除上述协议外，
公司董事、监事、高级管理人员和核心技术人员未与公司签订对投资者作出价
值判断和投资决策有重大影响的其他协议。
截至本招股说明书签署日，上述协议履行情况正常，不存在违约情形。
十四、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员最近两年变
动情况
（一）董事变动情况
最近两年，公司董事变动情况如下：
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时间 成员 变动原因
引入新股东新工邦盛、邦盛聚泓、邦盛
丁国华、罗寅、陈锴、谭在 聚源，提名姬磊担任董事；为优化治理
超、司景喆、姬磊、秦舒、苏 结构，经表决同意黄克、白祖文辞去董
今
中一、朱光忠 事职务，引入秦舒、苏中一、朱光忠三
名独立董事
最近两年，发行人董事变更的原因系股东委派董事变更和引入独立董事，
不会对发行人经营管理产生重大不利影响，因此发行人最近两年董事未发生重
大不利变化。
（二）监事变动情况
最近两年，公司监事均为黄怀宙、孙新卫、戴明亮，未发生变动。
（三）高级管理人员变动情况
最近两年，公司高级管理人员变动情况如下：
时间 成员 变动原因
总经理：罗寅
副总经理：谭在超 公司进一步完善公司治理
董事会秘书：严泓 结构，新增高级管理人员
财务总监：刘娟娟
公司高级管理人员因进一步完善公司治理结构发生了增补，副总经理、董
事会秘书和财务总监均系内部培养，公司主要经营管理团队保持稳定，最近两
年高管未发生重大不利变化。
（四）核心技术人员变动情况
公司近两年核心技术人员稳定，均为丁国华、罗寅、谭在超、张胜，未发
生变化。
十五、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员及其近亲属
直接或间接持有发行人股份的情况
截至本招股说明书签署日，发行人董事、监事、高级管理人员、核心技术
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人员及其近亲属直接或间接持有公司股份的情况如下表所示：
间接 股份质押、冻
序 职务或 直接持 通过何公司间 合并持
姓名 持股 结或发生诉讼
号 亲属关系 股比例 接持股 股比例
比例 纠纷等情况
董事、副总经
经理
监事会主席、
职工代表监事
- 0.07% 国经众明 0.07% 不存在
无锡国经铭锐
- 0.01% 0.01% 不存在
企业（有限合
伙）
销售部员工、
丁国华的继子
研发部员工、
谭在超的配偶
合计 61.38%
注：间接持股比例为穿透控股平台后间接持有锴威特的股份比例
十六、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员对外投资情
况
截至 2023 年 3 月 24 日，公司董事、监事、高级管理人员及核心技术人员
不存在与公司及其业务相关的其他对外投资情况。
十七、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员薪酬情况
（一）薪酬组成、确定依据及履行的程序
在公司任职的董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的薪酬由工资、
奖金和福利补贴组成，按各自所在岗位职务依据公司相关薪酬标准和制度领取。
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未在公司担任其他职务的董事、监事，任期内不在公司领取薪酬。独立董事依
据公司制度领取固定津贴。
公司董事会下设薪酬与考核委员会，主要负责制定公司董事及高级管理人
员的考核标准并进行考核，负责制定、审查公司董事及高级管理人员的薪酬政
策与方案。薪酬与考核委员会提出的公司董事的薪酬计划，须报经董事会同意
后，提交股东大会审议通过后方可实施；公司高级管理人员的薪酬分配方案须
报董事会批准后实施。
（二）报告期内薪酬总额占发行人利润总额的比重
报告期内，公司董事、监事、高级管理人员及核心技术人员薪酬总额及其
占公司利润总额的比重如下：
单位：万元
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
薪酬总额 616.51 558.27 328.96
利润总额 6,602.92 4,859.16 -1,975.68
占比 9.34% 11.49% /
（三）最近一年薪酬具体情况
董事、监事、高级管理人员及核心技术人员最近一年从发行人及其关联企
业领取收入的情况如下：
姓名 在发行人所任职务 实际控制人控制
（万元） 联企业领薪
的其他企业领薪
丁国华 董事长 152.70 否 否
罗寅 董事、总经理 110.70 否 否
担任港鹰实业副
陈锴 董事 - 否 总经理、监事并
领薪
担任甘化科工董
司景喆 董事 - 否
事会秘书并领薪
姬磊 董事 - 否 否
董事、副总经理、研发
谭在超 111.29 否 否
部总经理
秦舒 独立董事 10.80 否 否
苏中一 独立董事 10.80 否 否
朱光忠 独立董事 10.80 否 否
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姓名 在发行人所任职务 实际控制人控制
（万元） 联企业领薪
的其他企业领薪
黄怀宙 监事会主席、职工监事 28.15 否 否
戴明亮 监事 - 否 否
担任无锡国经投
孙新卫 监事 - 否 资管理有限公司
副总经理并领薪
严泓 董事会秘书 57.37 否 否
刘娟娟 财务总监 37.94 否 否
张胜 IC 研发总监 85.96 否 否
上述人员的薪酬包括领取的工薪、奖金、津贴及所享受的其他待遇等，公
司目前未设置退休金计划。
十八、已经制定或实施的股权激励及相关安排
（一）员工持股平台情况
为建立健全公司长效激励机制，充分调动员工的积极性和创造性，同时为
了回报其对公司做出的贡献，发行人采用间接持股的方式对员工进行股权激励。
截至本招股说明书签署日，发行人设有 1 个员工持股平台，即港晨芯，持有发
行人 8.23%的股权，港晨芯的合伙人均为发行人员工。港晨芯的具体情况参见
本节“七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况”之
“（五）其他持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东的基本情况”之“4、
港晨芯”。
（二）发行人股权激励实施情况
港晨芯由丁国华、罗寅、谭在超于 2020 年 8 月共同出资设立，注册资本
的 20%合伙份额、谭在超持有的 20%合伙份额以及罗寅持有的 35%合伙份额为
其本人实际所有，罗寅持有的另外 25%的合伙份额拟用于员工股权激励。
报告期内，与股权激励有关的股份变动情况如下：
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公司直接股东，增资价格低于同期外部投资者入股的公允价格，对港晨芯合伙
人形成股权激励。
权激励
为激励部分核心员工，2020 年 12 月，罗寅与叶昆等 21 名员工签署合伙份
额转让协议书，罗寅将其所持部分港晨芯的合伙份额转让予上述员工。本次股
权激励具体授予情况如下：
折合锴威特股 转让价格
序 被授 转让份额 份额比例 转让价款
份数量 （元/股）
号 予人 （万元） （%） （万元）①
（万股）② ③=①/②
合计 193.60 19.36 193.60 88.00 2.20
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权激励
为激励部分核心员工，2021 年 12 月 25 日，罗寅与张胜等 16 名员工签署合
伙份额转让协议书，罗寅将其所持部分港晨芯的合伙份额转让予上述员工。本
次股权激励具体授予情况如下：
折合锴威特股 转让价格
序 被授 转让份额 份额比例 转让价款
份数量 （元/股）
号 予人 （万元） （%） （万元）①
（万股）② ③=①/②
合计 51.70 5.17 117.50 23.50 5.00
本次合伙份额转让完成后，港晨芯持股平台中用作激励的预留 25%合伙份
额剩余 47,024.53 元出资额（对应港晨芯出资比例为 0.47%，对应锴威特股份
（三）员工持股平台的锁定期
发行人员工持股平台港晨芯已出具承诺：“本企业持有的发行人首次公开
发行前已发行的股份，自发行人股票在上海证券交易所上市之日起 36 个月内不
转让或者委托他人管理，也不由发行人回购该部分股份。”
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港晨芯的合伙人丁国华、罗寅、徐进已出具承诺：“本人直接及间接/间接
持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股票在上海证券交易所
上市之日起 36 个月内不转让或者委托他人管理，也不由发行人回购该部分股
份。”除上述三人外，根据合伙协议，港晨芯的有限合伙人权益转让应遵守如
下约定：“在锴威特实现在中国境内实现首次公开发行股票并上市后 12 个月内
不得转让其持有的有限合伙份额。”
（四）股权激励对公司经营状况、财务状况、控制权变化等的影响
公司的股权激励安排有助于充分调动员工的积极性和创造性，从而促进公
司的良性发展，整体而言有利于公司的经营、发展。
公司在实施前述股权激励的过程中，股份转让价格低于同期外部投资者入
股的公允价格。根据会计准则相关规定，需要确认股份支付费用。同期市场公
允价格采用最近一次外部投资者对公司增资时的公司估值进行计量。
港晨芯的全体合伙人签订了《苏州港晨芯企业管理合伙企业（有限合伙）
有限合伙协议》（以下简称“《合伙协议》”），《合伙协议》未约定被激励
人员的等待期及服务期，仅约定了所持公司股票在发行上市后的减持锁定期。
根据《合伙协议》的约定，被激励人员所持股份可以转让，并且在遵守《竞业
禁止协议》条款的前提下，对被激励人员因常规原因离职时所持份额转让与否
及转让价格亦无限制。因此，根据会计准则的相关规定，公司对 2020 年和
报告期内，公司的股份支付费用全部计入管理费用，股权激励对于公司财
务状况的影响金额具体如下：
单位：万元
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
股份支付费用 - 365.06 2,109.30
利润总额 6,602.92 4,859.16 -1,975.68
影响比例 - 7.51% /
上述股权激励实施前后，公司控制权未发生变化。
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十九、员工及其社会保障情况
（一）发行人员工情况
公司实行劳动合同制，员工按照《劳动法》与公司签订《劳动合同》，承
担义务并享受权利。公司认真贯彻执行国家和地方有关劳动、工资、保险等方
面的法律法规，依法办理劳动用工手续，按规定确立劳动试用期、合同期限、
工时制度、劳动保障以及劳动合同的变更、解除和终止。公司员工情况如下：
报告期各期末，公司在册员工人数及变化情况如下：
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
员工总数（人） 95 85 71
截至 2022 年 12 月 31 日，发行人员工的专业结构如下：
项目 人数（人） 比例
管理人员 36 37.89%
销售人员 19 20.00%
研发人员 40 42.11%
合计 95 100.00%
截至 2022 年 12 月 31 日，发行人员工的受教育程度如下：
项目 人数（人） 比例
硕士及以上学历 12 12.63%
本科学历 56 58.95%
大专及以下学历 27 28.42%
合计 95 100.00%
截至 2022 年 12 月 31 日，发行人员工的年龄分布如下：
项目 人数（人） 比例
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项目 人数（人） 比例
合计 95 100.00%
（二）发行人执行社会保障制度、住房制度改革、医疗制度改革情况
公司根据《中华人民共和国劳动法》《中华人民共和国劳动合同法》等相
关规定，实行劳动合同制。公司已按照国家、地方有关法律法规及有关政策规
定为员工办理了养老保险、医疗保险、工伤保险、失业保险及生育保险等社会
保险。同时，公司还根据《住房公积金管理条例》及地方政府的相关规定依法
为员工缴纳了住房公积金。
报告期各期末，发行人及子公司社会保险缴纳情况具体如下：
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
在职员工人数（人） 95 85 71
实缴人数（人） 95 82 70
差异人数（人） - 3 1
其中：当月入职次月缴纳（人） - 3 1
报告期各期末，发行人及子公司公积金缴纳情况具体如下：
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
在职员工人数（人） 95 85 71
实缴人数（人） 95 84 70
差异人数（人） - 1 1
其中：当月入职次月缴纳（人） - 1 1
截至本招股说明书签署日，公司不存在应缴未缴社会保险、公积金的情况。
根据张家港市人力资源和社会保障局于 2023 年 2 月 27 日出具的《证明》、
西安高新区社会保险基金管理中心于 2023 年 2 月 1 日出具的《西安高新技术产
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业开发区社会保险参保缴费情况证明》、无锡高新区（新吴区）人力资源和社
会保障局于 2023 年 2 月 21 日出具的《关于锴威特半导体股份有限公司无锡分
公司企业守法情况的证明》、信用广东《企业信用报告（无违法违规证明版）》
（查询日：2023 年 3 月 7 日）、苏州市住房公积金管理中心于 2023 年 2 月 17
日出具的《住房公积金缴存证明》、西安住房公积金管理中心于 2023 年 2 月 1
日出具的《住房公积金单位缴存证明》、无锡市住房公积金管理中心于 2023 年
的相关法律、法规而受到行政处罚的情形。
本公司控股股东、实际控制人丁国华已出具承诺：“①若公司在申请首次
公开发行股票并在科创板上市的过程中被有关部门要求为其员工补缴或者被有
关方面追偿社会保险和住房公积金，本人将无条件替公司补缴或赔偿应缴纳的
全部社会保险和住房公积金，使公司不会因此而遭受任何损失。②若公司因未
严格执行社会保险和住房公积金制度而被相关部门予以行政处罚，本人将无条
件替公司支付全部罚款款项，使公司不会因此而遭受任何损失。”
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第五节 业务和技术
一、发行人主营业务、主要产品或服务的情况
（一）发行人主营业务情况
公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。
公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，主要产品包含功率
器件及功率 IC 两大类。在功率器件方面，公司产品以高压平面 MOSFET 为主，
并在平面 MOSFET 工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率 MOSFET
（FRMOS）系列产品；在功率 IC 方面，公司产品主要包括 PWM 控制 IC 和栅
极驱动 IC。此外，在第三代半导体方面，公司的 SiC 功率器件已顺利实现产品
布局并进入产业化阶段。
公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的
重点集成电路设计企业、江苏省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企
业”、江苏省半导体行业协会理事单位，公司研发中心获“江苏省高可靠性功
率器件工程技术研究中心”认证。截至 2023 年 7 月 13 日，公司已积累了 10 项
核心技术，获得 71 项授权专利（其中发明专利 28 项，实用新型专利 43 项，另
有 2 项发明专利已获授予专利通知书，待取得专利证书）和 53 项集成电路布图
设计专有权。
凭借高性能的产品，公司荣获由中国电子信息发展研究院（赛迪研究院）
评选的第十六届（2021 年度）和第十五届（2020 年度）“中国芯”优秀技术创
新产品奖；由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会等机构联合评选的
第十四届（2019 年度）和第十二届（2017 年度）中国半导体创新产品和技术奖。
公司还获得了汉磊科技“最佳合作伙伴”“最佳业绩成长”的合作商奖项，芯
片设计和工艺调试能力得到业内知名晶圆代工厂的认可。
凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，公司迅速在细分领域打开市场，
产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域，客户包括以晶丰明源、必
易微、芯朋微、灿瑞科技为代表的芯片设计公司及多家高可靠领域客户，并且
产品已被小米、美的、雷士照明、佛山照明等终端客户所采用。
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根据 Omdia 数据，按 2020 年收入规模测算，公司在全球 MOSFET 功率器
件市场份额约为 0.23%。
（二）发行人主要产品及服务情况
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，可实现电源开关和
电能转换的功能，实现变频、变相、变压、逆变、变流、开关的目的。
发行人在功率半导体方面持续进行研发投入，主要产品包括平面 MOSFET
和功率 IC；发行人还为部分客户提供芯片设计及工艺开发等技术服务。
（1）平面 MOSFET
发行人的功率 MOSFET 产品专注于平面技术路线，采用纵向垂直结构，结
合自主研发的新型复合终端结构及实现工艺技术，一方面可使终端表面的电场
分布更加均匀，可有效降低终端 Si-SiO2 界面态以及可动离子的影响；另一方面
可缩小终端尺寸，有效地减小芯片面积。通过与钝化层的合理配合，发行人的
平面 MOSFET 产品有效降低了高温漏电及持续开关动作后击穿电压的跌落，拥
有突出的高温可靠性。发行人的平面 MOSFET 产品覆盖 40V-1500V 电压段，已
形成较为齐全的产品系列，拥有近 500 款不同规格的产品，其产品情况如下：
封装后成品示意图 产品特点 覆盖参数段 主要应用方向
具有功率密度高、产品击穿耐 公司产品广泛用于 LED
压稳定性高、阈值电压一致性 电压范围：40V-1500V 照明、电源适配器、智
好 、 高 温 漏 电 小 、 开 关 损 耗 电流范围：0.3A-190A 能家电、PC 电源、逆变
小、抗浪涌能力强等性能特点 器、智能电表等
平面 MOSFET 的器件结构
常规平面 MOSFET 的体二极管的反向恢复性能和快恢复二极管及肖特基二
极管相比，其反向恢复速度较低，反向恢复特性较差。如将其应用在电机控制
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系统以及半桥、全桥和 LLC 的电源系统中，会导致开关损耗增加，降低系统的
效率，同时，也会产生较高的振铃，影响功率 MOSFET 的安全工作。为了减小
反向恢复导致的开关损耗，常规做法是在平面 MOSFET 上并联一颗 FRED（超
快恢复二极管），但由于 FRED 和 MOSFET 寄生体二极管并联，存在竞争，仍
会有部分电流流过寄生体二极管，为避免这种情况，功率部分的设计和控制都
会变得复杂。针对上述情况，发行人在平面 MOSFET 工艺平台的基础上设计研
发了集成快恢复高压功率 MOSFET（FRMOS）系列产品。该类产品具有低反向
恢复电荷、反向恢复时间短的特性，形成近 60 款2不同规格产品，其产品情况
如下：
封装后成品示意图 产品特点 覆盖参数段 主要应用方向
关键动态指 标 反向恢复 电
采用重金属掺杂工艺制 公司产品主要应用于直
荷 Qrr＜0.2uC
造，具有低反向恢复电 流无刷电机驱动、LLC
反向恢复时间 Trr＜100ns
荷、反向恢复时间短和 架构的大功率电源、高
电压范围：300V-700V
低高温漏电流的特性 功率数字音频功放等
电流范围：2A-45A
（2）功率 IC
功率 IC 是半导体芯片中模拟芯片的典型代表，可实现功率（电压、电流、
频率）的变换控制与调节，为后续电子元器件提供相应的功率供应和管控要求。
公司拥有深厚的功率 IC 设计、研发经验。公司基于晶圆代工厂 0.5um
工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优
化产品性能。公司已形成 80 余款功率 IC 产品，并完成了多款功率 IC 所需的
IP 设计与验证。公司的功率 IC 产品主要包括 PWM 控制 IC 和栅极驱动 IC 等，
具有集成度高、可靠性高、工作频率高、工作电压范围宽、功耗低、工作温度
范围宽（-55℃-125℃）等特点。
公司 PWM 控制 IC 主要为隔离式开关电源芯片，主要功能是将输入电压的
振幅转换成宽度一定的脉冲，用于驱动外部功率器件开关，使电源的输出电压
在工作条件变化时保持恒定。公司产品涵盖反激、反激双路交错、正激有源钳
位、推挽、半桥、全桥、移相全桥等多拓扑配置，帮助客户灵活创建各种电源
基于产品电压、电流、封装形式的不同进行型号划分，如不考虑封装形式，公司 FRMOS 型号数为 36 款
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设计；同时集成了欠压、过压、过流、过热等多种保护功能，确保系统安全稳
定工作，能够为客户提供隔离式开关电源系列化的解决方案。
公司栅极驱动 IC 主要为电机驱动 IC，其能够将电机控制器/MCU 输出的低
压控制信号转换成驱动功率器件的高压驱动信号，来驱动功率器件进行开关动
作，从而驱动电机工作，集成了高侧和低侧驱动器，可降低开关损耗，适应嘈
杂的环境并提高系统效率。公司的驱动 IC 产品包含单相半桥、全桥、三相全桥
产品系列，可满足多种场景的应用要求。
发行人的主要功率 IC 产品如下：
产品 封装后成品
产品特点 覆盖参数段 主要应用方向
种类 示意图
产品主要为隔离式开关电源芯片，用
于将输入电压的振幅转换成宽度一定
的脉冲，使电源的输出电压在工作条
件变化时保持恒定。产品涵盖反激、 工作电压范围： 可广泛用于安防、
PWM 反激双路交错、正激有源钳位、推 13V-120V 工业电源等，公司
控制 IC 挽、半桥、全桥、移相全桥等多拓扑 开关频率支持 产品主要应用于高
配置，帮助客户灵活创建各种电源设 1MHz 以上 可靠领域
计；同时集成了欠压、过压、过流、
过热等多种保护功能，确保系统安全
稳定工作
产品主要为电机驱动 IC，包含单相
半桥、全桥、三相全桥产品系列，用
工作电压范围：
于将电机控制器/MCU 输出的低压控
制信号转换成驱动功率器件的高压驱
栅极 驱动电流最高可 动、工业电源等，
动信号，集成了高侧和低侧驱动器，
驱动 IC 达 10A 公司产品主要应用
可降低开关损耗，适应嘈杂的环境并
开关频率可支持 于高可靠领域
提高系统效率，支持 TTL 和 CMOS
电平输入，低传输延迟、内部集成电
荷泵，支持 100%占空比工作
（3）其他 MOSFET 产品
公司 MOSFET 产品正在向沟槽型 MOSFET 和超结 MOSFET 进行延伸，目
前沟槽型 MOSFET 已形成 30V-150V 电压规格的产品系列，超结 MOSFET 已形
成 600V-800V 电压规格的产品系列。
产品种类 封装后成品示意图 产品特点 覆盖参数段 主要应用方向
可广泛用于电动工具、
具有工作频率高、导通损耗
沟槽型 电压范围：30V-150V 智能家电主板等，公司
小、开关损耗低、芯片体积
MOSFET 电流范围：4A-300A 产品已向前述领域客户
小等特点
形成销售
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产品种类 封装后成品示意图 产品特点 覆盖参数段 主要应用方向
可广泛用于新能源汽车
公司超结 MOSFET 采用多次
充电桩、服务器电源、
超结 外 延 工 艺 ， 具 有 工 作 频 率 电压范围：600V-800V
通讯电源，公司产品已
MOSFET 高、导通损耗小、开关损耗 电流范围：4A-80A
向前述领域客户形成销
低等特点
售
（4）SiC 功率器件
公司 SiC 功率器件产品主要包括 SiC MOSFET 和 SiC SBD（肖特基势垒二
极管），目前公司 SiC MOSFET 已形成 650V-1700V 四个电压规格的产品系列，
SiC SBD 已形成 650V-1200V 电压规格的产品系列。SiC SBD 是由金属和碳化硅
材料接触形成的快速恢复肖特基二极管，与 SiC MOSFET 同属于功率器件。
发行人的主要 SiC 功率器件产品如下：
产品
封装后成品示意图 产品特点 覆盖参数段 主要应用方向
种类
可广泛用于新能源汽
导通电阻小，开 车及配套、工业照
SiC 关损耗低，工作 电压范围：650V-1700V 明、大功率电源、高
MOSFET 温度范围宽，阈 电流范围：3A-100A 可靠领域等，公司产
值电压一致性好 品目前以高可靠领域
应用为主
可广泛用于新能源汽
反向恢复时间 车及配套、大功率电
短，反向恢复电 电压范围：650V-1200V 源、逆变器、高可靠
SiC SBD
荷小，工作温度 电流范围：2A-60A 领域等，公司产品目
范围宽 前以高可靠领域应用
为主
（5）技术服务
公司在开发产品的同时，利用长期积累的设计经验和工艺开发能力，为客
户提供芯片设计及工艺开发等技术服务，公司技术服务主要覆盖高可靠领域客
户，包括产品开发和工艺开发流片两类。
产品开发：在该类技术服务过程中，由客户定义产品的功能和参数指标，
委托公司对该产品进行设计开发，后续公司根据客户的具体需求，可以为客户
提供制版、流片和测试验证等技术服务工作。
工艺开发流片：客户基于晶圆厂已有工艺平台，需要开发新的器件或者其
他工艺升级要求。在工艺开发流片的服务过程中，由公司负责新器件工艺开发
或为客户提供其指定需求的工艺服务。后续由客户基于公司提供的工艺服务自
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行设计产品，并委托公司进行制版、流片的服务。而产品的测试验证等工作由
客户自行负责。
发行人基于下游客户的不同需求导向，向其提供多样化的产品系列，对外
销售的产品形态呈现为中测后晶圆、封装成品和裸芯。
公司产品形态示意图
发行人应用于消费电子领域和高可靠领域的产品应用场景需求不同，使得
发行人应用于两个领域的产品在工艺、技术、生产能力、专利和知识诀窍方面
存在一定差异，具体情况如下：
项目 类型 消费电子 高可靠
功 率 IC 晶 圆 制 造 工 艺 主 要 采 用
综合考虑产品性能及工艺成本 SOI BCD 工艺，SOI BCD 工艺具
要求，功率 IC 的晶圆制造工艺 有闩锁免疫、高温漏电低、耐压
工艺 主要采用常规的 PN 结隔离的 高、抗噪声能力强等特点，满足高
BCD 工艺以及双极工艺；功率 可靠领域对产品的性能指标要求；
器件的工艺控制规范相对宽松 功率器件的工艺控制精度要求相对
较高
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项目 类型 消费电子 高可靠
相较消费电子领域产品还应用了
“一种半桥驱动芯片电路设计及制
主 要 应 用 功 率 器 件 相 关 的 技 造工艺”“一种输入失调电压自动
术；消费电子领域产品需综合 修正电路”等技术；高可靠领域产
考虑性能和成本因素，因此可 品性能和可靠性为首要考虑因素，
靠性冗余设计、精度设计要求 因此芯片设计中采取冗余设计和高
相 对 较 低 ， 版 图 布 局 相 对 集 精度设计的技术；为提高产品的抗
技术 中，压焊窗口满足消费类封装 干扰能力，版图设计充分考虑噪声
要求即可，设计上尽可能减小 屏蔽；为满足高可靠封装要求，芯
芯片面积，降低成本，另外主 片压焊窗口会保留充足余量；为追
要采用反激拓扑结构；在工艺 求高效率和高功率密度，主要采用
设计上针对器件耐压留足 25% 半/全桥、正激有源钳位、推挽等
以上的余量 拓扑结构；为保证产品可靠性，在
工艺设计上针对器件耐压需留足
晶圆生产过程中的工艺参数的 晶圆生产过程中的工艺参数的控制
控制规范通常按照中心值±20% 规范按照中心值±10%进行控制；
晶圆生产 进行控制；晶圆工厂 WAT 测试 晶圆工厂 WAT 测试按照“9 点测
按照“5 点测试，3 点 pass 可出 试，1 点 fail 晶圆即失效”的原则
货”的原则管控 管控
按照规格书进行常规测试，测
采用更严格的测试规范进行测试，
试规范通常为中心值±20%进行
测试规范通常为中心值±10%进行
晶圆测试 控制；通常用金属熔丝进行修
控制；采用激光修调，保证产品精
调，产品精度相对激光修调偏
生产能力 度
低
采用高质量等级的塑封，潮湿敏感
通常采用常规的塑封工艺，潮
度等级需满足 level1 要求，采用粗
产品封装 湿敏感度等级满足 level3 要求即
化框架封装，并且对分层、键合强
可
度等进行加强工艺管控
需进行低温、常温、高温三温测
按照规格书仅进行常温测试， 试，并经过老炼测试，剔除早期易
成品测试
通常由封装厂进行测试 失效产品，由发行人自身或者委托
专业测试厂家进行测试
相较消费电子领域产品还应用了
主要为功率器件产品，应用的
“一种全电压范围多基准电压同步
相关专利和知识诀窍 专利和知识诀窍多为功率器件
调整电路”“一种半桥驱动芯片”
相关
等功率 IC 相关的专利和知识诀窍
由上表可见，由于消费电子领域和高可靠领域产品的应用场景需求不同，
导致两类产品存在一定差异。在工艺方面，高可靠领域功率 IC 产品多采用 SOI
BCD 工艺，与消费电子领域产品存在差异；高可靠领域的功率器件产品在工艺
实现、参数控制规范方面较消费电子领域产品更加严格；在技术方面，高可靠
领域产品应用的技术较消费电子领域产品更为丰富，多采用高冗余度和高精度
的芯片设计、抗干扰能力更高的版图设计以及半/全桥、正激有源钳位、推挽等
拓扑结构，与消费电子领域产品存在差异；在生产能力方面，高可靠领域产品
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较消费电子领域产品拥有更为严格的工艺参数控制、晶圆及成品测试规范，并
采用更高质量的封装。另外，在专利和知识诀窍方面，高可靠领域产品较消费
电子产品还应用了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路”“一种半桥驱
动芯片”等功率 IC 相关的专利的知识诀窍。
（三）发行人主营业务收入构成及特征
报告期内，公司主要产品及服务实现的主营业务收入情况如下表所示：
单位：万元
产品类别
金额 比例 金额 比例 金额 比例
功率器件 14,379.26 63.33% 17,780.54 87.51% 12,131.61 90.65%
功率 IC 5,692.38 25.07% 1,169.49 5.76% 322.32 2.41%
技术服务 2,207.46 9.72% 1,316.82 6.48% 906.42 6.77%
其他 426.54 1.88% 51.29 0.25% 23.14 0.17%
合计 22,705.64 100.00% 20,318.15 100.00% 13,383.49 100.00%
报告期内，公司主营业务收入整体以功率器件为主；在较早布局功率 IC 及
加大客户开拓力度的背景下，近年来，公司功率 IC 的收入快速增长且占主营业
务收入的比例提升明显。
（四）发行人主要经营模式
半导体行业的经营模式一般可分为 IDM、Fabless 和 Foundry 三种。IDM 指
垂直整合制造模式，采用该模式的企业完整从事从芯片设计到晶圆制造、封装
测试等集成电路的全产业链业务，属于重资产经营模式；功率半导体领域的国
际领先厂商如英飞凌、安森美、意法半导体等均采取该经营模式，国内以该模
式为主的企业有华润微、士兰微、华微电子等；Fabless 指专注于芯片设计，将
晶圆制造、封装和测试环节委托给专业厂商完成的经营模式，属于轻资产经营
模式；国内采用该经营模式或以该经营模式为主的企业有新洁能、东微半导、
晶丰明源、芯朋微等。Foundry 指提供代工或受托加工等生产服务的经营模式，
包括各类晶圆代工厂和封装测试企业，国内以该模式为主的企业包括中芯国际、
华虹半导体、华天科技、长电科技等。
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发行人为采用 Fabless 经营模式的芯片设计企业，将晶圆制造和封测环节委
外，晶圆代工厂根据公司提供的产品设计版图、工艺制程要求完成晶圆的加工
制造，经公司验收后，公司再根据市场需求对其进行委外封装和测试。通过将
制造、封装、测试环节委外，发行人可将研发力量集中于功率半导体芯片设计
环节，专注于自身所擅长的领域，提升核心竞争力；同时 Fabless 经营模式较
IDM 经营模式更为灵活，发行人可快速根据市场变化进行产品结构调整。
发行人目前已与西安微晶微、汉磊科技等晶圆制造厂商及华天科技、泰州
海天等封测厂商形成了长期合作关系，建立了较为稳定的晶圆制造、封装和测
试的供应渠道。公司具有完善的外协供应商管理体系，对主要晶圆制造厂商及
封测厂商均进行有效管理，以保证供应产品的质量符合要求。
发行人制定了系统的研发管理制度和版图设计流程规范，包括《产品设计
开发控制程序》《版图设计管理规定》《产品验证管理规定》《工程封装管理
规定》等，对研发过程中各个环节进行了规范，保证设计研发产出符合公司要
求规定，从而提升研发产出效率和成功率。
发行人的研发流程主要如下所示：
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发行人研发流程主要包括论证阶段、设计阶段、工程试制阶段和定型阶段。
（1）论证阶段
立项准备：市场部根据市场调研信息，基于对客户需求搜集、整理、分析，
进行产品定义，完成《项目建议书》或《项目立项调查表》，对项目的可行性
进行分析，包括技术、原材料、工艺、成本、效益等方面。
项目立项：研发部根据《项目建议书》或《项目立项调查表》进行立项评
审，评审通过后成立项目组，指定项目负责人，并对项目组成员进行分工，由
项目负责人制定项目研发计划。
（2）设计阶段
设计阶段项目组基于《项目任务书》要求，对器件结构和线路进行设计，
基于选择的工艺对器件及线路进行仿真，优化器件结构和工艺参数，最终确定
器件结构及电路功能单元结构，进行版图设计，最后形成相关 GDS 文件。设计
阶段主要包括如下环节：
① 功率器件产品
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器件研发工程师根据《项目立项调查表》的需求，进行工艺平台的选择，
同时在选定的工艺平台上进行器件结构及工艺仿真，基于仿真结果进行器件的
版图设计，并提供《器件研发芯片信息表》，经过研发负责人签字确认后，输
出制版用 GDS 文件，同时制定《中、成测测试方案》及《产品封装规范》。
② 功率 IC 类产品：
线路设计人员根据项目基本要求，选取合适的 IP 及工艺进行线路设计及仿
真，形成完整的线路原理图和《线路设计报告》。在设计过程中，需要综合考
虑中、成测可测性、封装要求，并提供可供版图设计人员参考的布图规划，且
需要配合版图设计人员进行版图设计验证。
版图设计人员根据线路原理图、布图规划以及工艺规则，使用选取的工艺
平台进行版图设计，提供经过设计验证的版图数据（GDS 文件），形成《版图
设计报告》。
测试人员根据项目设计规范、各功能块参数设计目标值，搭建测试平台，
辅助线路设计人员进行线路和系统设计。项目负责人与测试人员一起制定《中、
成测测试方案》。
项目组对《线路设计报告》《版图设计报告》《中、成测测试方案》及封
装可行性进行审核，形成《设计开发评审报告》，同时根据评审的结果对项目
问题点进行修改和完善，随后版图和线路工程师需分别确认版图数据信息和工
艺器件参数的选择和要求规范，最后输出制版用 GDS 文件。
（3）工程试制阶段
制版：功率器件类产品和 IC 类产品设计开发完成之后，项目负责人将制版
需求发送至运营部，同时将设计的 GDS 文件发送工艺线指定的掩膜工厂，运营
部安排订单、跟进制版进度及交付安排。
工程批流片：运营部根据项目负责人的内部订单安排晶圆代工厂进行工程
批流片，流片完成后，测试人员根据评审的测试方案进行 CP 测试，项目负责
人根据项目需求，安排封装需求至运营部，由运营部负责安排封测代工厂进行
封装。测试人员对封装成品进行参数测试评价验证。
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以上内容完成之后，项目组提交《工程批总结报告》，由项目负责人组织
工程批总结会议，确定下一步实验方案或改版方案。如改版方案确定后，由线
路设计人员和版图设计人员分别安排改版，并重新进行制版流片。
工程批送样验证：工程批流片、封装、成测达到设计的预定目标后，由销
售部负责送样给客户验证，研发部项目负责人跟踪客户的验证结果，综合所有
验证结果，编制《设计开发验证报告》。
试生产验证：产品工程批验证通过后，研发部安排三批量试生产验证，试
生产验证通过后，提交《试生产总结报告》并组织试生产总结会议。
（4）定型阶段
试生产转量产：试生产通过后，质量部和研发部相关部门的负责人和项目
负责人召开评审会议，对试生产转量产的可行性进行评审。
项目结案：评审通过后，产品设计开发结案。研发部给出量产品的生产规
格及生产方案、CP/FT 的测试规范及生产产品的验收良率目标、封装规范及封
装验收良率目标，编制产品规格书，产品定型，项目结案。
报告期内，公司采购内容主要包括晶圆和封装测试服务。公司自主设计研
发相关产品，再委托晶圆代工厂商生产并向其采购。晶圆采购根据公司是否提
供原材料外延片分为直接委外和带料委外两种采购形式：对于直接委外，晶圆
代工厂自行采购外延片并根据公司设计版图（公司设计版图的具体载体为 GDS
文件或掩膜版）及工艺要求制造出公司所需晶圆，向公司销售加工后晶圆；对
于带料委外，由发行人提供外延片，晶圆代工厂仅负责晶圆制造，根据公司提
供的设计版图及工艺要求制造出公司所需晶圆，并向公司收取加工费。两种模
式所采购晶圆均为发行人自主设计研发。对于加工后晶圆，晶圆代工厂具备中
测条件的，公司会直接采购中测后晶圆，如晶圆代工厂不具备中测条件，公司
采购加工后晶圆后，再另行委外中测，中测完成后入库。
公司制定了《采购控制程序》，对晶圆、外延片、封装、包辅料等采购流
程制定了严格规定并遵照执行。公司还制定了《供应商开发和管理程序》
《wafer 委外加工管理规定》《CP 委外加工管理规定》《封装委外加工管理规
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定》等规定，对各类外协采购进行严格管理和控制，保证外协采购内容满足公
司要求。对于新供应商选择和导入，运营部成立了开发评估小组，择优选取具
有一定规模和影响力、生产能力、质量控制能力、技术保障能力、按时交付能
力、成本控制能力的供应商作为开发对象。运营部会同研发部、质量部对供应
商进行合格供方评审，评审通过后，由质量部将其纳入公司的合格供应商名单，
运营部负责具体采购执行。
购置价值 7,377.06 万元（含税）的晶圆加工设备并投放于西安微晶微的形式与
其合作。公司与西安微晶微签署了《扩产合作协议》，根据协议约定，扩产完
成后，西安微晶微将保证为公司提供不低于 18,000 片/月的晶圆代工产能供给。
预计 2022 年西安微晶微将完成扩产。
（1）设备使用费的确定依据
根据 2021 年 6 月签订的《扩产合作协议》约定，公司在西安微晶微加工或
采购晶圆，在协议期内继续享有优惠协议价，具体由双方协商一致并以订单为
准。在延续扩产协议签订之前晶圆采购价格优惠 10-20 元/片左右的基础上，双
方进一步约定，西安微晶微向公司另行支付设备使用费 20 元/片。根据双方商
讨的扩产合作方案，公司延续可享有的采购价格优惠与可收取的设备使用费的
合计金额基本能够覆盖公司投入扩产设备后新增的折旧费用。
因此，公司与西安微晶微确定的设备使用费具有合理依据。
（2）西安微晶微加工公司订单外的晶圆不支付设备使用费具有合理性
西安微晶微加工公司订单外的晶圆无需向公司支付设备使用费具有合理性，
具体原因如下：
不能单独使用公司的设备构建完整的生产线
半导体晶圆加工主工艺模块通常有氧化、光刻、刻蚀、注入、扩散、金属
化等工序，公司本次投入的设备主要为光刻机、涂胶显影机、扩散炉等 6 英寸
生产线的核心设备，重点在解决光刻、扩散及刻蚀工序的产线瓶颈，并未覆盖
生产线的完整工序，从而不能单独使用公司的设备构建完整的生产线。
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控
根据《扩产合作协议》约定，增加扩产设备解决产线瓶颈后，西安微晶微
向公司提供 1.8 万片/月（争取达到 2 万片/月）的晶圆产能供给保障。公司的相
关扩产设备安装、调试交付后，在保障公司订单生产及产能供给的前提下，西
安微晶微可以根据排产安排、产品类型等自主安排设备的剩余产能。
综上，西安微晶微加工公司订单外的晶圆无需向公司支付设备使用费具有
合理性。
（3）相关合作安排不存在公司向西安微晶微让渡利益的情形
尽管从晶圆单位成本角度，公司在本次合作后不再实际享受西安微晶微提
供的价格优惠，但根据双方商讨的扩产合作方案，公司购置扩产设备新增的折
旧费用基本可以得到覆盖，因此双方本次合作不存在让渡利益的情形。
西安微晶微本次扩产投资总预算 1.2 亿元，其中包括公司投放的设备、西
安微晶微其他客户投入的资金、西安微晶微自行增添的配套设备及设施和资金
投入等。公司购置设备的款项总额占本次扩产总预算约 60%，扩产后公司可获
取产线总产能的 60%-70%，公司及其他客户的投入金额与扩产后各自享有的产
能匹配，可见本次合作对于参与各方都是一项公平合理的交易。
略意义
当前，缺乏代工权已经成为制约中国半导体设计公司发展的关键因素。设
计公司晶圆制造是芯片产业链的重要环节，在全球晶圆产能紧缺等大背景之下，
晶圆代工厂产能无法匹配设计公司不断提升的技术水平和产能需求。并且代工
厂价格波动频繁，设计公司成本不可控。因此，设计公司向产业链前端渗透、
实现自主可控已是大势所趋。
公司采取向产业链前端渗透的策略，一方面在产能紧缺的时期可以保证产
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能供给的稳定性，掌握一定的代工权；另一方面也能逐步加强对上游供应链的
自主可控。浙商证券研究报告显示3，对于设计公司来说，自建晶圆厂、在成熟
工艺节点掌握独立代工权、将芯片设计和生产制造环节集于一体，将成为趋势。
公司本次与西安微晶微扩产合作符合行业未来发展趋势，对于公司有重要的战
略意义。
公司在本次扩产合作中购置投入的设备为 6 英寸半导体设备，主要包括光
刻机、轨道机涂胶/显影等，公司拥有全部投入设备的所有权。目前大部分国外
原厂专注于先进制程设备的研发及生产，逐步不再生产成熟制程设备及提供相
关服务，而国内相关设备厂商的技术实力和供应能力还在提升过程中，因此可
以预计相关设备在未来相当长时间内仍处于市场紧缺状态，具有较为可靠的升
值预期。以轨道机涂胶/显影设备为例，根据设备提供商的询价，截至 2023 年
综上，通过本次合作，公司实现向产业链前端渗透，逐步加强对上游供应
链的自主可控；该合作对于参与各方都是一项公平交易；公司所投入设备亦存
在升值预期。相关合作安排不存在发行人向西安微晶微让渡利益的情形。
公司采取直销为主、经销为辅的销售模式，主要直销客户多为业内知名的
芯片设计公司及高可靠领域客户，包括晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技
等；经销客户为公司的经销商。公司销售产品形态包括中测后晶圆、封装成品
和裸芯，中测后晶圆和裸芯以直销模式为主，封装成品以直销和经销模式进行
销售。
公司的经销模式为买断式，属于行业内的常规模式。公司制定了《成品客
户管理规定》《报价管理规定》《售后服务管理制度》《客户投诉处理控制程
序》等规定，其中对经销商的导入、价格制定、客诉流程等方面均作出了详细
规定，公司与经销商均签署《产品授权经销协议》，对双方的权利和义务作出
出自浙商证券 2023 年 1 月 20 日发布的行业专题报告《2023·半导体未来十大产业趋势预
测》
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明确规定。
按销售模式分类，报告期内，发行人主营业务收入构成如下：
单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
直销 20,755.90 91.41% 18,325.72 90.19% 13,093.94 97.84%
经销 1,949.74 8.59% 1,992.42 9.81% 289.55 2.16%
合计 22,705.64 100.00% 20,318.15 100.00% 13,383.49 100.00%
（五）发行人设立以来主营业务、主要产品或服务、主要经营模式的演变
情况
发行人主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。
自设立以来，发行人即围绕功率半导体产品不断进行业务开拓和持续创新。
发行人以产品研发创新为业务发展的持续动力，根据下游客户和市场的需
求持续进行研发创新，不断完善产品系列，并对现有产品进行性能升级。发行
人的技术研发发展节点和主要产品发展节点情况如下：
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发行人建立了完备的研发体系，重视人才梯队建设和培养，可持续根据市
场动态、终端应用方向的最新动向不断推出新产品，持续进行产品升级以保持
自身竞争力。
自设立以来，发行人的主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提
供相关技术服务。公司采用 Fabless 的经营模式，主要经营模式未发生重大变化。
公司采用 Fabless 经营模式，专注于功率器件和功率 IC 的设计、研发与销
售，并提供相关技术服务。公司将晶圆制造、封装和测试等生产环节外包给第
三方晶圆制造和封装测试企业完成，Fabless 经营模式属于轻资产运营模式，能
够快速响应市场需求变化，是发行人基于自身发展阶段、战略定位、行业现状
的选择，该经营模式与公司当前的战略发展定位和公司发展阶段相匹配。发行
人预计未来相关影响因素不会发生重大变化，发行人将继续保持该经营模式。
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发行人采用 Fabless 经营模式，业务经营模式属于行业内的常用经营模式。
发行人持续创新机制详见本节“七、发行人保持技术创新的机制、技术储备及技
术创新的安排”。
（六）发行人主要业务经营情况和核心技术产业化情况
报 告 期 各 期 ， 公 司 营 业 收 入 分 别 为 13,698.04 万 元 、20,972.89 万 元 和
内公司营收规模持续增长，具备较强成长性，公司功率 IC 收入占比逐年提高。
发行人将核心技术应用于产品研发，已研制出多款高性能功率器件和功率
IC 产品。发行人技术产业化情况详见本招股说明书“第二节/五、/（二）发行
人技术的产业化水平”。
（七）发行人主要业务流程图
发行人采用 Fabless 经营模式，负责芯片设计、研发和销售业务流程环节，其
余晶圆加工、封装和测试环节均委外完成。发行人业务主要流程图如下所示：
公司的核心技术同时包含芯片设计和晶圆工艺，主要体现于上述业务流程图
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中的芯片设计及晶圆加工环节。发行人作为采用 Fabless 经营模式的芯片设计企业，
将晶圆制造环节委外。公司与晶圆代工厂的合作模式为：发行人完成芯片设计后，
将设计版图生成的 GDS 文件提交至掩膜厂制作掩膜版，再将掩膜版送至晶圆代工
厂，晶圆代工厂根据发行人的工艺制程及要求规范，使用掩膜版完成晶圆的加工
制造，发行人验收后再根据市场需求将晶圆进行委外封装和测试。
发行人的核心技术涵盖器件元胞结构、终端结构的设计及实现方法、工艺流
程的优化改进及材料选择等方面。发行人已积累了如“高压 MOSFET 的少子寿命
控制及工艺实现技术”“新型复合终端结构及实现工艺技术”等多项具有原创性
和先进性的核心工艺技术，并自行编制了工艺信息文档，该文档包含了基于晶圆
代工厂产线设备资源制造最终定型器件所需的工艺制造流程、各工艺环节的条件
和控制规范、关键工艺菜单等全部信息。发行人会将工艺信息文档交予晶圆代工
厂，晶圆代工厂按照发行人特有的工艺技术来进行晶圆的生产制造。具体核心技
术在业务中的表现详见本节“六/（一）公司的核心技术情况”。
（八）发行人所属行业的代表性业务指标情况
报告期内，公司主要产品包括功率器件和功率 IC。其中功率器件以 MOSFET
为主，功率 IC 以 PWM 控制 IC 和栅极驱动 IC 为主。两类产品的代表性业务指标
为其产品性能参数，具体业务指标对比详见本节“二/（五）/4、公司产品参数与
竞品比较情况”。
（九）产业政策和国家经济发展战略情况
公司产品主要包括功率器件和功率 IC 产品，两类产品均属于功率半导体领域，
公司的功率 IC 还属于模拟集成电路产品。针对半导体行业，近年来国家出台了一
系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展，增强中国半导体产业创新能力和国
际竞争力，也为公司业务发展创造了良好的条件。
具体产业政策和发展战略情况详见本节“二/（三）主要法律法规及行业政
策”。
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二、发行人所处行业的基本情况和竞争状况
（一）所属行业及确定所属行业的依据
发行人主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。
根据《中华人民共和国国民经济行业分类》（GB/T4754－2017），公司所属行
业为“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。
（二）行业主管部门及监管体制
公司所处行业为半导体行业，其管理体制是国家产业宏观调控下的市场调
节机制。半导体行业由行政管理部门制定产业发展规划、发展政策，对行业进
行宏观调控；由标准研究机构制定国家标准，对行业进行标准化；由行业协会
对行业进行自律规范管理。行业的主管部门为国家工业和信息化部，行业自律
性组织为中国半导体行业协会。
国家工业和信息化部主要职责包括：研究提出工业发展战略，拟订工业行
业规划和产业政策并组织实施；指导工业行业技术法规和行业标准的拟订；按
国务院规定权限，审批、核准国家规划内和年度计划规模内工业、通信业和信
息化固定资产投资项目等。工信部下设电子信息司，其主要职责包括：电子信
息产品制造的行业管理工作；组织协调重大系统装备、微电子等基础产品的开
发与生产；组织协调国家有关重大工程项目所需配套装备、元器件、仪器和材
料的国产化，促进电子信息技术推广应用。
中国半导体行业协会是行业的自律组织和协调机构，下设集成电路分会、
半导体分立器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会、半导体支撑业分
会等专业机构。中国半导体行业协会的主要任务包括：贯彻落实政府有关的政
策、法规，向政府业务主管部门提出本行业发展的经济、技术和装备政策的咨
询意见和建议；广泛开展经济技术交流和学术交流活动；开展半导体产业的国
际交流与合作；协助政府制（修）订行业标准、国家标准及推荐标准；推动标
准的贯彻执行等。
国家工业和信息化部和中国半导体行业协会构成了半导体行业的管理体系。
各企业在主管部门产业宏观调控、行业协会自律规范的约束下，面向市场自主
经营，自主承担市场风险。
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（三）主要法律法规及行业政策
半导体行业作为电子产品的上游行业，为各类电子产品提供核心基础元器
件，对我国电子行业发展起着重要的支柱作用，是保持国民经济持续、快速、
健康发展的先导型产业，亦是我国国家发展战略中的重要行业。近年来，我国
中央及地方相继出台了一系列对半导体行业的扶持及鼓励政策，主要的法律法
规及产业政策如下：
发布 发布
名称 与公司所处行业相关内容 与公司主营业务的关系
机构 时间
纲要指出，需要集中优势资源攻
关多领域关键核心技术，其中集
《中华人民共
成电路领域包括集成电路设计工 发行人主要产品中包含
和国国民经济
全国人 具开发、重点装备和高纯靶材开 碳化硅等宽禁带半导体
和社会发展第 2021
民代表 发，集成电路先进工艺和绝缘栅 功率器件、功率 IC，该
十四个五年规 年
大会 双极晶体管（IGBT）、微机电 政策文件与公司产品/服
划和 2035 年远
系 统 （ MEMS ） 等 特 色 工 艺 突 务相关
景目标纲要》
破，先进存储技术升级，碳化
硅、氮化镓等宽禁带半导体发展
《基础电子元 实施重点产品高端提升行动，重
发行人的主要产品具备
器件产业发展 点发展耐高温、耐高压、低损
耐高温、耐高压、低损
行 动 计 划 耗、高可靠半导体分立器件及模
（ 2021-2023 工信部 块等电路类元器件；实施重点市
年 泛应用于高可靠领域，
年）》（工信 场应用推广行动，推动功率器件
该政策文件与公司产品/
部 电 子 等高可靠电子元器件在高端装备
服务相关
〔2021〕5 号） 制造市场的应用
科 技 方案提出在重点领域培育一批具 发行人主要产品中包含
《 长 三 角 G60 部、国 有国际竞争力的龙头企业，加快 碳化硅等宽禁带半导体
科创走廊建设 家发改 培育布局量子信息、类脑芯片、 功率器件，属于第三代
年
方案》 委等六 第三代半导体、基因编辑等一批 半导体，该政策文件与
部委 未来产业 公司产品/服务相关
提出要“提高优质企业自主创新
工 信
能力，……加大基础零部件、基 发行人的功率器件产品
《关于加快培 部、科
础电子元器件、基础软件、基础 属于基础电子元器件，
育发展制造业 技部、 2021
材料、基础工艺、高端仪器设 发行人功率 IC 产品属于
优质企业的指 财政部 年
备、集成电路、网络安全等领域 集成电路，该政策文件
导意见》 等六部
关键核心技术、产品、装备攻关 与公司产品/服务相关
门
和示范应用”
提出“加快向上游设计、下游制
造环节的延伸拓展，重点突破新 发行人的功率 IC 和功率
《江苏省“十 江苏省 一代高端通用计算芯片、面向特 器件产品属于“高压功
四五”科技创 人民政 定领域应用的 SoC 芯片等关键技 率 IC、新一代功率半导
年
新规划》 府 术，加强高压功率 IC、新一代功 体器件”，该政策文件
率半导体器件及模块等先进制备 与公司产品/服务相关
工艺研发”
《关于扩大战 在“聚焦重点产业投资领域”中 发行人的功率器件和功
国家发 2020
略性新兴产业 提出“加快新一代信息技术产业 率 IC 属于“关键芯片、
改委 年
投资培育壮大 提质增效。加快基础材料、关键 高端元器件”的范畴，
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名称 与公司所处行业相关内容 与公司主营业务的关系
机构 时间
新增长点增长 芯片、高端元器件、新型显示器 该政策文件与公司产品/
极 的 指 导 意 件、关键软件等核心技术攻关， 服务相关
见》发改高技 大力推动重点工程和重大项目建
〔 2020 〕 1409 设，积极扩大合理有效投资”
号
国家鼓励的重点集成电路设计企
业和软件企业，自获利年度起，
第一年至第五年免征企业所得
税，接续年度减按 10%的税率征
《国务院关于
收企业所得税
印发新时期促
聚焦高端芯片、集成电路装备和 发行人属于国家鼓励的
进集成电路产
业和软件产业 国务院
年 集成电路设计工具、基础软件、 和软件企业，享受该财
高质量发展若
工业软件、应用软件的关键核心 税政策
干 政 策 的 通
技术研发。科技部、国家发展改
知》
革委、工业和信息化部等部门做
好有关工作的组织实施，积极利
用国家重点研发计划、国家科技
重大专项等给予支持
《关于印发制 在电子信息领域，大力发展集成
工 信
造业设计能力 电路设计、大型计算设备设计、 发行人属于集成电路设
部、国
提升专项行动 2019 个人计算机及智能终端设计、人 计企业，属于集成电路
家发改
计 划 （ 2019- 年 工智能时尚创意设计、虚拟现实 设计行业，符合政策支
委等十
三部委
知》 真模拟系统设计等
依法成立且符合条件的集成电路
《关于集成电 设计企业和软件企业，在 2018
路设计和软件 财 政 年 12 月 31 日前自获利年度起计 发行人符合该政策条
产业企业所得 部、税 算优惠期，第一年至第二年免征 件，报告期享受该财税
年
税 政 策 的 公 务总局 企业所得税，第三年至第五年按 政策
告》 照 25%的法定税率减半征收企业
所得税，并享受至期满为止
明确将“集成电路设计”“新型
电子元器件（片式元器件、频率
发行人属于集成电路设
《产业结构调 元器件、混合集成电路、电力电
计企业，主要产品功率
整 指 导 目 录 国家发 2019 子器件、光电子器件、敏感元器
MOSFET 属于电力电子
（ 2019 年 改委 年 件及传感器、新型机电元件、高
器件，符合政策支持方
本）》 密度印刷电路板和柔性电路板
向
等）制造”列为鼓励类发展的项
目
研究制定了集成电路相关布局规
《<关于加快支 划，推动包括工业半导体材料、 发行人功率器件及功率
持工业半导体 芯片等产业形成区域集聚、主体 IC 可 用 于 工 业 控 制 领
芯片技术研发 2019 集中的良性发展局面。对符合条 域，属于“工业半导体
工信部
及产业化自主 年 件的工业半导体芯片设计、制造 芯片”的范畴，该政策
发展的提案>答 等企业的企业所得税、进口关税 文件与公司产品/服务相
复函》 等方面出台了多项税收优惠政 关
策，对相关领域给予重点扶持
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名称 与公司所处行业相关内容 与公司主营业务的关系
机构 时间
指出“战略性新兴产业是以重大
技术突破和重大发展需求为基
础，对经济社会全局和长远发展
具有重大引领带动作用，知识技 发行人主要产品属于
术密集、物质资源消耗少、成长 “金属氧化物半导体场
《战略新兴产
国家统 2018 潜力大、综合效益好的产业”， 效 应 管
业 分 类
计局 年 并将“半导体分立器件制 （MOSFET）”，该政
（2018）》
造”“集成电路设计”“功率晶 策文件与公司产品/服务
体管”“新型片式元件”“金属 相关
氧 化 物 半 导 体 场 效 应 管
（MOSFET）”“功率肖特基二
极管”列为战略新兴产业
发行人属于集成电路芯
《战略性新兴
明确集成电路等电子核心基础产 片涉及企业，主要产品
产业重点产品
国家发 2017 业地位，并将集成电路芯片设计 MOSFET 属于“电力电
和服务指导目
改委 年 及服务、电力电子功率器件列为 子功率器件”，该政策
录 （ 2016
战略新兴产业重点产品和服务 文件与公司产品/服务相
版）》
关
发行人的功率 IC 产品属
制定国家信息领域核心技术设备 于“集成电路”，发行
中共中
发展战略纲要，以体系化思维弥 人的功率器件产品属于
《国家信息化 央办公
发 展 战 略 纲 厅、国
年 全可控的核心技术体系，带动集 可应用于高可靠领域以
要》 务院办
成电路、基础软件、核心元器件 实现自主可控，该政策
公厅
等薄弱环节实现根本性突破 文件与公司产品/服务相
关
上述政策的颁布为我国半导体行业的发展提供了强有力的政策支持，为我
国半导体行业的蓬勃壮大创造了良好的环境，有利于发行人的未来发展。
（四）所属行业的特点和发展趋势
（1）半导体行业产业链概览
半导体核心产业链主要包括芯片设计、晶圆制造和封装测试三大核心环节，
产业链中的企业专注于各自优势细分领域，形成了深度专业化分工的格局，企
业既可专注于某一优势环节，也可采用 IDM 模式一体化全覆盖发展。发行人专
注于核心产业链中的芯片设计环节。产业链的上游是为晶圆制造、封装和测试
环节提供所需原材料和相关设备的支撑产业；下游为各类使用半导体产品的终
端应用企业。半导体产业链示意图具体如下：
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（2）半导体行业市场规模
根据 WSTS 数据，2021 年全球半导体销售额达 5,559 亿美元，同比增长
场将继续增长至 6,135 亿美元。
中国半导体行业伴随着中国经济的迅速增长而快速发展，半导体下游应用
市场也在强劲需求的带动下不断增长；同时，国外半导体部分产能向包括中国
在内的亚洲国家转移。受多重利好影响，中国半导体行业迅速发展。根据
WSTS 数据，2021 年中国半导体市场规模已达 1,925 亿美元，占世界半导体市
场的 34.6%，稳居全球第一大市场。
根据《功率半导体分立器件产业及标准化白皮书（2019 版）》，功率半导
体按器件集成度可以分为功率器件和功率 IC 两大类。功率器件包括二极管、晶
体管和晶闸管三大类，其中晶体管市场份额最大，常见的晶体管主要包括
MOSFET、IGBT、BJT 等。功率 IC 是指将高压功率器件与其控制电路、外围接
口电路及各种保护电路等集成于同一芯片的集成电路，是系统信号处理部分和
执行部分的桥梁。
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功率半导体产品范围示意图
（1）功率半导体市场规模
功率半导体的应用十分广阔，涉及电路控制和电能转换的产品均离不开功
率半导体的使用。根据 Omdia 的数据及预测，2021 年全球功率半导体市场规模
为 462 亿美元（主要包括功率器件、功率 IC 和功率模组），预计 2024 年将达
到 522 亿美元。
全球功率半导体市场规模
数据来源：Omdia、中信建投研究所，该数据并非专门为本次发行准备，发行人未为
此支付费用或提供帮助
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中国的功率半导体行业在国家相关政策支持、国产化替代加速及资本推动
等因素合力下，取得了长足的进步与发展。根据 Omdia 数据及预测，2021 年中
国功率半导体市场规模为 182 亿美元，预计 2024 年将达 206 亿美元，中国作为
全球最大的功率半导体市场，发展前景十分广阔。
中国功率半导体市场规模
数据来源：Omdia，该数据并非专门为本次发行准备，发行人未为此支付费用或提供
帮助
（2）功率器件市场
功率半导体主要可分为功率器件和功率 IC 两大类。根据 Omdia 数据，2020
年全球功率器件市场规模约为 149.82 亿美元。随着各个领域对功率器件的电压
和工作频率要求逐渐提升，能较好满足该需求的 MOSFET 等功率器件产品成为
了功率器件的主流产品。根据 Omdia 数据，2020 年全球 MOSFET 器件市场规
模为 80.8 亿美元，在所有功率器件类别中占比最高，占比达 53.90%，且增速与
功率器件总体增速接近，需求保持稳定增长。
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数据来源：Omdia，该数据并非专门为本次发行准备，发行人未为此支付费用或提供
帮助
（3）MOSFET 细分市场的情况
① MOSFET 行业总览
MOSFET 全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种广泛应用于模拟
电路与数字电路的场效晶体管，用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化，
可实现开关和信号放大等功能，与双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，
也称 BJT、三极管）和绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，也
称 IGBT）同属于晶体管领域。MOSFET 具有开关速度快、输入阻抗高、热稳
定性好等特性，应用于包括通信、消费电子、汽车电子、工业控制在内的众多
领域。
根据芯谋研究（ICwise）数据，2021 年全球 MOSFET 市场规模为 113.2 亿
美元，预计 2025 年将增长至 150.5 亿美元，年化复合增长率达 7.4%。全球
MOSFET 市场规模预计将保持稳定扩张，市场前景广阔。
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全球 MOSFET 市场规模及增长预测
数据来源：芯谋研究（ICwise），该数据并非专门为本次发行准备，发行人未为此支
付费用或提供帮助
计 2025 年中国 MOSFET 市场规模将增长至 64.7 亿美元，年化复合增长率为
中国 MOSFET 市场规模及增长预测
数据来源：芯谋研究（ICwise），该数据并非专门为本次发行准备，发行人未为此支
付费用或提供帮助
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② MOSFET 产品的技术特点
功率器件种类较多，主要包括二极管、三极管（BJT）、晶闸管、MOSFET
和IGBT等。其中，二极管、晶闸管、三极管（BJT）的优点是成本低，生产工
艺相对简单，在中低端领域大量应用；MOSFET、IGBT等器件结构相对复杂，
工艺门槛和生产成本相对较高，系具有较高技术先进性的产品。根据Omdia数
据，2020年全球MOSFET器件市场规模为80.8亿美元，在所有功率器件类别中
占比最高，占比达53.90%，需求保持稳定增长。
功率器件各类产品的性能和技术门槛具体对比情况如下：
器件类型 优势 劣势 技术门槛
电压电流容量
结构原理简单，工作可靠，属 小，开关频率不 最简单的功率器
二极管 于不可控型开关器件，主要用 高，在频率较高 件，原理成熟，
作整流 的电力电子电路 技术门槛低
中的应用受限
电路结构上必须
设置关断电路， 技术门槛相对较
半控型开关器件（只能触发导
使电路结构变复 低，但对生产厂
通，不能触发关断），承受电
晶闸管 杂、增加成本； 商的技术积累及
压和电流容量在功率器件中最
开关频率不高， 整体配套能力具
高
难以实现变流装 有一定要求
置的高频化
电流控制型开关器件，导通电 不易于驱动控
技术成熟，技术
BJT 压低、通态电流大、损耗小， 制，频率较低
门槛相对较低
用于开关或功率放大
电压控制型开关器件，开关速 功率相对 IGBT
度快，输入阻抗高，热稳定性 较小，一般适用 有 较 高 技 术 门
MOSF
好，所需驱动功率小且驱动电 于 功 率 不 超 过 槛 ， 产 品 可 靠 性
ET
晶体管 路简单，工作频率高，不存在 10kW 的 电 力 电 要求高
二次击穿问题 子装置
电压控制型开关器件，绝缘栅 开 关 速 度 低 于
双极型晶体管，开关损耗小， MOSFET， 生 产 技 术 门 槛 高 ， 背
IGBT 具有耐脉冲电流冲击的能力， 成本相对较高， 面 工 艺 等 单 点 技
电压越高，IGBT 越有优势，高 稳 定 性 比 术突破难
压下，开关速度高，电流大 MOSFET 稍差
数据来源：国泰君安证券研究所、国元证券研究中心、民生证券研究所、国金证
券研究所
MOSFET、BJT（双极型三极管）和 IGBT 同属于功率器件大类下的晶体管
产品，三者技术特性对比具体如下：
特性 BJT MOSFET IGBT
驱动方法 电流 电压 电压
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特性 BJT MOSFET IGBT
驱动电路 复杂 简单 简单
输入阻抗 低 高 高
驱动功率 高 低 低
开关速度 慢 快 中
开关频率 低 快 中
安全工作区 窄 宽 宽
饱和电压 低 高 低
资料来源：瑞萨、中国产业信息网、民生证券
由上表可知，与BJT相比，MOSFET可在低电流和低电压条件下工作，也可
用于大电流开关电路和高频高速电路，应用场景更为广泛；MOSFET具有易于
驱动、输入阻抗高、开关速度快、导通内阻小等特点，结构较BJT更为复杂；
部分MOSFET可将源极和漏极互换运用，栅极可正可负，灵活性较BJT更优。
IGBT兼具BJT的高耐压和MOSFET输入阻抗高的特性，适用于高电压、大电流
场合。
综上所述，发行人主要产品MOSFET的开关功耗低、开关速度快，适用于
高频应用场景，技术门槛较高，产品可靠性要求高，是功率器件中技术先进性
较高的产品品类。
③ MOSFET 细分产品情况
根据工作电压划分，以400V为分界，MOSFET可分为高压MOSFET和中低
压 MOSFET ； 根 据 器 件 结 构 划 分 ， MOSFET 可 分 为 平 面 MOSFET 、 沟 槽 型
MOSFET、超结MOSFET等。
三类MOSFET器件特性对比如下：
项目 平面 MOSFET 沟槽型 MOSFET 超结 MOSFET
电压范围宽，可覆盖
电压范围
可分为中低压、高压和 中低压段 段
超高压三个电压段
中低压：0.1A-200A
电流范围 高压：0.1A-50A 5A-450A 5A-120A
超高压：0.1A-20A
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项目 平面 MOSFET 沟槽型 MOSFET 超结 MOSFET
耐压较高，工作频率高；损
耐压范围宽，易于驱 耐压较低，工作频率 耗低，兼具高耐压低导通电
动，安全工作区宽，抗 高；损耗低；安全工 阻；安全工作区较窄；
特点
雷击浪涌能力强；芯片 作区较窄，抗雷击浪 对于深沟槽工艺超结
面积较大，损耗较高 涌能力弱 MOSFET，EMI（电磁干扰）
能力弱
A.三类MOSFET的市场规模和国产化率情况
根据芯谋研究，2021年中国平面MOSFET的市场规模约为20.8亿美元，预
计2025年可增长至30.2亿美元；2021年中国沟槽型MOSFET的市场规模约为19.0
亿美元，预计2025年可增长至23.9亿美元；2021年中国超结MOSFET的市场规
模约为6.8亿美元，预计2025年可增长至10.7亿美元。整体来看，未来三类
MOSFET的市场规模均将继续增长，三类MOSFET共存于市场。
国产化率方面，整体来看高压MOSFET的国产化率低于中低压产品。根据
芯谋研究，2021年中低压平面（400V以下）MOSFET的国产化率约为42.2%，
高压平面MOSFET的国产化率约为29.9%，超高压平面MOSFET的国产化率约为
B. 三类MOSFET产品的研发差异
MOSFET的主要技术发展维度包括器件结构、制程、工艺、材料等多个方
面，MOSFET的发展不高度依赖于先进制程工艺，更侧重于打造特色平台，在
结构、工艺及材料方面不断优化。
基 于 MOSFET 不 追 求极 致 线 宽、 不 必 遵循 摩 尔 定律 的 技 术发 展 特 点 ，
MOSFET产品的整体研发方向为：在考虑成本因素的前提下，进一步优化工艺
以提升良率、改进优化器件参数，达到性能、成本、可靠性的最优解。具体来
看，三类MOSFET的研发难度各有侧重；平面MOSFET偏重于设计和工艺的结
合，沟槽型MOSFET和超结MOSFET偏重于实现工艺，对设备精度的依赖性更
高。
C.三类MOSFET产品的市场前景
三类MOSFET均可应用于消费电子、工业控制等领域，以消费电子代表性
品类智能家居产品为例，根据Strategy Analytics数据，拥有一件以上智能家居产
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品的家庭比例将由2021年的15%上升至2025年的接近20%，智能家居市场规模
将从2021年的1,230亿美元增长至2025年的1,730亿美元，亚太地区将成为最大的
智能家居市场，市场前景广阔。
以工业控制领域代表性应用产品逆变器为例，根据Global Market Insight数
据，全球光伏逆变器市场规模预计将从2021年的191.8亿美元增长至2028年的
功率器件市场规模超过100亿元人民币，市场前景广阔。
超结MOSFET的下游应用市场主要受新能源汽车带动，以其代表性应用场
景新能源充电桩为例，根据中国电动汽车充电基础设施促进联盟数据，2021年
中国新能源充电桩市场规模达418.7亿元，预计2026年可增长至2,870.2亿元，巨
大增长空间中将产生大量超结MOSFET需求，具有广阔的市场前景。
未来三类MOSFET的市场规模将继续保持增长，体现出三类MOSFET之间
主要为互补关系；三类MOSFET的下游应用领域均包含消费电子、工业控制
等，具有广阔的市场前景。
④ MOSFET 市场的竞争格局
A. MOSFET整体竞争格局
长期以来，以英飞凌、安森美、意法半导体、东芝、瑞萨为代表的国外品
牌凭借先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积累，目前占据
全球 MOSFET 市场的主要份额。根据 Omdia 数据，以销售额计，2020 年
MOSFET 市场前七大品牌的市场占有率合计达到 68.09%。市场竞争格局相对稳
定。我国知名功率半导体企业华润微、士兰微分别位列第八位和第十位，安世
半导体（已被闻泰科技收购）位列第九位，三家合计市场份额占比 10.26%。这
表明国产品牌经过多年发展已在国际竞争中崭露头角，但整体市场份额较国外
品牌仍存差距。
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根据 Omdia 数据，2020 年英飞凌和安森美分别占据了中国 MOSFET 市场
产品销售额的 24.87%和 16.53%，中国本土最大的 MOSFET 品牌华润微市场占
有率约为 9%，排名第三。
近年来，在政府的政策引导及资金扶持下，国内 MOSFET 市场蓬勃发展，
MOSFET 厂商资本支出和研发投入持续提升，涌现出华润微、士兰微、华微电
子、新洁能、东微半导等一批国内厂商，与国外品牌进行市场竞争，标志着国
内 MOSFET 品牌与国外品牌的技术差距正在缩小。
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B.三类MOSFET国内市场竞争格局
平面MOSFET方面，根据芯谋研究发布的《中国MOSFET市场研究报告
超 亿 元 的 中 国 大 陆 企 业 有 21 家 ， 剔 除 产 品 布 局 以 沟 槽 型 MOSFET 或 超 结
MOSFET为主的企业后，主营平面MOSFET的国内企业主要包括安世半导体
（ 已 被 闻 泰 科 技 （ 600745.SH ） 收 购 ） 、 华 润 微 （ 688396.SH ） 、 士 兰 微
（600460.SH）、华微电子（600360.SH）、深爱半导体（833378.NQ）、捷捷
微电（300623.SZ）、扬杰科技（300373.SZ）等。
沟槽型MOSFET方面，国内主要从事沟槽型MOSFET销售和研发的厂商包
括新洁能（605111.SH）、士兰微、华润微、东微半导（688261.SH）、捷捷微
电、扬杰科技等。
超结MOSFET方面，国内主要从事超结MOSFET销售和研发的厂商包括东
微半导、新洁能、士兰微、华润微、捷捷微电等。
关于沟槽型MOSFET和超结MOSFET的主要厂商情况介绍，士兰微、华润
微、新洁能、东微半导的介绍详见本节之“二/（五）/2、行业的竞争格局”，
其他厂商简要介绍如下：
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公司 简介
捷捷微电成立于 1995 年，2017 年 3 月于深交所创业板上市。捷捷微
电是一家专业从事功率半导体分立器件、电力电子器件研发、制造及
销售的江苏省高新技术企业，针对不同下游应用领域开发了 200 多种
捷捷微电
不同规格和型号的产品。公司产品主要应用于家用电器、漏断路等民
用领域，无功补偿装置、电力模块等工业领域，及通讯网络、IT 产
品、汽车电子等防雷击和静电保护领域
扬杰科技成立于 2006 年，于 2014 年 1 月在深交所创业板上市。扬杰
科技采用 IDM 与 Fabless 并行的商业模式运营，主要产品为各类电力
扬杰科技
电子器件芯片、二极管、三极管、MOSFET、IGBT 及第三代半导体
等，产品广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子等诸多领域
上述企业中，华润微、士兰微等作为国内IDM领先厂商，其产品种类覆盖
较为齐全，Fabless模式设计企业的在产品结构方面各有侧重，如新洁能专注于
沟 槽 型 MOSFET ， 东 微 半 导 专 注 于 超 结 MOSFET 。 发 行 人 专 注 于 平 面
MOSFET，同时已向沟槽型MOSFET和超结MOSFET方面延伸。
（4）功率 IC 细分市场的情况
功率 IC 是功率半导体的另一重要组成部分，根据 Omdia 数据，2020 年全
球功率 IC 市场规模约为 243 亿美元。发行人功率 IC 产品主要为 PWM 控制 IC
和栅极驱动 IC（Gate Driver），其中，发行人 PWM 控制 IC 系开关电源中的核
心元器件，主要应用于 AC-DC 和隔离式 DC-DC 开关电源模块；发行人栅极驱
动 IC 主要产品为电机驱动 IC，主要用于直流无刷电机驱动和步进电机驱动系
统中。
AC/DC
发行人PWM控制
IC应用于AC/DC
和隔离式DC/DC
DC/DC 电源管理系统
功率IC 栅极驱动IC
多功能PMIC
其它
发行人主要覆盖的产品
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① 市场规模
A、PWM 控制 IC 的市场规模
根据QYResearch测算，2022年全球PWM控制IC的市场规模为50.74亿美
元，预计2028年将达到67.70亿美元，年化增长率为4.92%。2022年中国PWM控
制IC的市场规模约为19.75亿美元，预计2028年将达到30.12亿美元，年化增长率
达7.28%；其中中国高可靠领域PWM控制IC市场规模为5.00亿美元，预计2028
年将达到7.61亿美元，年化增长率达7.26%。
B、栅极驱动 IC 的市场规模
根据西南证券研究报告，2022年全球栅极驱动IC市场规模为26.7亿美元，
预计2025年将达到37.5亿美元，年化增长率达11.99%。国内栅极驱动IC的市场
规模以及应用于高可靠领域的市场规模数据暂无公开资料，按照中国电源管理
IC市场规模约占据全球约40%市场份额估算，2022年国内栅极驱动IC市场规模
为10.7亿美元，预计2025年将达到15.0亿美元。中国高可靠领域栅极驱动IC的市
场规模尚无公开数据。
② 竞争格局
A、PWM 控制 IC 的市场竞争格局
根据 QYResearch 相关数据，国际巨头如 TI（德州仪器）、ADI（亚德诺半
导体）、英飞凌、安森美、意法半导体等欧美公司在 PWM 控制 IC 领域总体处
于领先地位，2021 年度 PWM 控制 IC 中国市场收入前 10 大公司均为国外公司，
排名具体如下：
序号 公司 市场占有率
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序号 公司 市场占有率
合计 78.54%
B、栅极驱动 IC 的市场竞争格局
根据芯谋研究相关数据，栅极驱动 IC 市场集中度相对较高，2021 年度栅
极驱动 IC 中国市场收入前 10 大公司市场占有率合计达到 74.4%，其中欧日美
公司总体处于领先地位，3 家中国大陆企业峰岹科技（688279.SH）、士兰微
（600460.SH）和晶丰明源（688368.SH）市场占有率合计为 20.1%，具体如下：
序号 公司 市场占有率
合计 74.4%
C、高可靠领域功率 IC 的竞争格局
高可靠领域电子元器件市场相对特殊，对供应商的各项资质、研发实力和
质量管理体系有相当严格的要求，对产品的质量、可靠性和长期持续稳定供货
能力更为关注。高可靠领域客户一般首先考虑向现有合格供应商采购，在现有
合格供应商提供的产品无法满足需求时，才会委托新的供应商开发新产品，且
新产品认证周期较长，因此国内高可靠领域功率 IC 产品的市场参与者均具有各
自相对擅长的产品领域和较为稳定的下游订单需求，行业内市场化竞争程度较
为温和。
③ PWM 控制 IC 和栅极驱动 IC 的国产化率情况
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QYResearch 研究报告显示：“近年来，中国隔离式 PWM 控制器生产商在
国内也占据了一定的市场份额（10%~15%）”，由此可见 PWM 控制 IC 市场国
产化率相对较低。
根据芯谋研究相关数据，2021 年度栅极驱动 IC 中国市场前 10 大公司的市
场占有率为 74.4%。这 10 家公司中仅有 3 家中国大陆公司，市场占有率合计为
④ 功率 IC 产品的技术门槛
A.功率 IC 的技术门槛
a.对研发团队的专业能力要求较高
功率 IC 产品属于模拟 IC 的一种，在产品研发设计时需要在速度、功耗、
增益、精度、电源电压、工艺、工作温度、噪声、面积等多种因素间进行考量。
功率 IC 产品内部由多种功能模块电路构成，内部集成的功能模块有高精度低温
漂的电压基准源、电流基准源、线性稳压器、高频振荡器、输出驱动模块及各
种保护模块，需要充分考虑噪声、串扰等在各功能模块间的影响，每个功能模
块电路均会影响到功率 IC 的性能指标，影响功率 IC 产品的研发速度和成功率，
版图的布局布线的复杂度较高。因此对于功率 IC 设计公司来讲，需要相对专业
资深的设计团队，不断进行功能模块 IP 电路的验证和储备，才能打磨出高性能
的功率 IC 产品。
b.工艺实现门槛高
功率 IC 产品集成了低压 CMOS、中压 CMOS、高压 CMOS、LDMOS、双
极器件、各种阻容等多种器件，需采用高压 BCD 工艺来进行设计研发。由于功
率 IC 产品的市场需求多样，晶圆代工厂提供的 BCD 工艺平台往往无法完全满
足产品设计的要求，因此 IC 设计企业需同时具备工艺和器件的研发能力，能够
针对线路设计过程中的需求开发功率 IC 产品所需要的工艺平台。高压 BCD 工
艺层次多，器件结构复杂，对功率 IC 产品研发提出较高的要求。
B. PWM 控制 IC 的技术门槛
PWM 控制 IC 的技术门槛主要体现在以下方面：
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a.拓扑结构复杂多样
PWM 控制 IC 可用于 AC-DC 或隔离式 DC-DC 开关电源模块。为满足不同
应用场景的性能指标要求，开关电源模块的拓扑结构较多，可以分为反激、正
激、推挽、半桥、全桥、移相全桥等，针对不同功率的应用场景需采用不同的
拓扑结构，不同拓扑结构的研发难度亦有所不同。面对多样化的下游需求，设
计企业需具备较多 PWM 控制 IC 拓扑结构研发能力和对应的工艺平台开发能力。
b.需要支持高开关频率工作
开关频率的高低影响到开关电源系统的功率密度。开关频率高，则可以减
小磁性元件、容性元件等无源器件的尺寸和体积，从而降低电源系统的重量和
体积，但系统体积减小，则带来热管理问题。因此在提高开关频率的同时，还
要确保系统高的工作效率，降低热损耗。
C.栅极驱动 IC 的技术门槛
栅极驱动 IC 的技术门槛具体表现在以下方面：
a.需在降低系统损耗前提下实现低传输延迟
栅极驱动 IC 内部电路工作在 100~600V 的高压下，产品损耗和传输延时之
间呈现负相关关系，即传输延迟越小，损耗越大，限制了产品的工作频率。因
此，栅极驱动 IC 需解决如何在高工作频率、低损耗的前提下，实现低传输延迟。
b.100%占空比应用的线路设计难度大
电机驱动系统需在极强扭矩的场合下工作，因此栅极驱动 IC 需保证在短时
间内能够工作在 100%占空比下，使高边功率器件持续导通，输出强功率，对栅
极驱动 IC 的线路设计提出较高的要求。
c.抗 dv/dt 及抗负压能力要求高
栅极驱动 IC 的高边电路的地电平为浮地，该电平会在负电平、零电压电平
和高压驱动母线电平之间来回跳变，在浮地电平跳变过程中，驱动 IC 的电平位
移电路和驱动输出电路需具有高的抗 dv/dt 和负压能力，保证输出信号的正确性，
这就要求研发团队兼具版图设计和工艺平台开发的能力。
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（5）功率半导体下游应用领域
功率半导体的下游应用十分广阔，涉及电路控制和电能转换的产品，均离
不开功率半导体的应用，功率半导体主要下游应用领域包括消费电子、工业控
制、汽车电子、高可靠领域等。
功率半导体主要类别及下游应用
数据来源：Yole、申港证券研究所，该数据并非专门为本次发行准备，发行人未为此支付
费用或提供帮助
①消费电子
以 MOSFET 为代表的功率器件在消费电子产品中具有广泛应用，根据
Yole 数据，2020 年全球硅基 MOSFET 下游需求中，消费电子应用需求占比位
居第一，市场规模达 28 亿美元。消费电子市场的景气度是影响 MOSFET 下游
需求的重要因素之一。根据前瞻产业研究院和国金证券研究所数据，消费电子
在功率器件下游应用中占比 20%。
近年来中国消费电子产品的普及程度越来越高，人均消费电子设备保有量
快速上升，促进了电子市场的快速发展。根据 GfK 相关数据，中国科技消费电
子产品 2020 年市场规模为 2.08 万亿元，预计 2022 年将达 2.36 万亿元。消费电
子市场的快速增长，有力地拉动了对功率半导体产品的需求。
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中国科技消费电子产品市场规模及预测
数据来源：GfK，该数据并非专门为本次发行准备，发行人未为此支付费用或提供帮
助
②工业控制
功率半导体产品已广泛用于变频器、逆变器、数据中心、通讯电源等产品。
近年来，随着智能制造的趋势不断加深，工厂的智能化生产制造、智能仓储等
的升级改造成为工业领域功率半导体的增长驱动力之一。以动力控制为例，根
据中信建投证券研究所相关报告，传统工业电机消耗了全球 45%的能源，而采
用 IPM 模块的变频驱动电机可降低 60%的能耗，这种交流感应驱动电机向变频
驱动电机的升级可带来单机 40 美元的功率半导体产品市场增量。根据华经情报
网数据，全球工业功率半导体的市场规模 2020 年达 125 亿美元，2016 年至
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数据来源：华经情报网，上海证券研究所，该数据并非专门为本次发行准备，发行人
未为此支付费用或提供帮助
③汽车电子
近年来，汽车行业呈现出“电动化”“智能化”和“网联化”的特点。新
能源汽车的兴起，尤其是众多国内造车新势力品牌的发展壮大，一定程度打破
了原有的汽车电子供应链格局，为国内功率半导体厂商加速进入汽车电子产业
链提供了良好机遇。相较传统汽车，功率半导体器件在新能源汽车中应用数量
更多，单车应用金额更高。栅极驱动 IC、MOSFET、IGBT 等功率半导体产品
已广泛应用于电池管理系统（BMS）、电驱系统、电动制动系统等众多涉及电
力管理、能量转换的功能单元中。伴随着新能源汽车的兴起，预计全球汽车功
率半导体市场也将持续蓬勃发展。
④高可靠领域
功率半导体还广泛应用于国家战略需求等高可靠领域。该领域对功率半导
体的产品质量要求高于其他应用领域，对相关功率半导体企业的研发能力、技
术水平、工艺水平、供货稳定性等提出了更高的要求。近年来，国际政治经济
形势存在一定不确定性，国际贸易摩擦频发、外国对我国半导体产业采取诸多
限制措施。在此背景下，国家出台了众多产业政策，积极推动我国半导体产业
链的自主可控，半导体芯片国产化替代进程加速，为国内功率半导体厂商提供
了良好的发展机遇。
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（1）海外龙头仍居第一梯队，国内厂商市场发展空间大
目前高端功率半导体产品仍然主要由美、日、欧龙头厂商主导，国内厂商
与国外龙头公司仍存在较大差距。根据 Strategy Analytics 数据，2020 年全球功
率半导体市场份额前五大公司占据近 70%市场份额，其中英飞凌处于绝对领先
地位，独占 30%市场份额，市场份额前五大公司均为国外企业，国内厂商市场
份额仅占 10%左右，发展空间大。
（2）第三代半导体材料带来新的发展机遇
以 SiC 为代表的第三代半导体材料给功率半导体行业带来了新的发展契机，
SiC 材料相对于硅基材料主要拥有如下优势：耐高压、耐高温、工作频率高。
① 耐高压 SiC 的击穿场强约为硅的 10 倍，这就意味着同样电压等级的
SiC MOSFET 晶圆外延层厚度只要硅的十分之一，是应用于超高压功率器件的
理想材料。
② 耐高温 SiC 的禁带宽度是硅基材料的 3 倍，SiC 的热导率是硅基材料的
③ 高频 SiC 的电子饱和速度是硅基材料的 2-3 倍，SiC 功率器件可实现 10
倍于硅基功率器件的工作频率4。
国家设立了“2030 年前碳排放达峰，2060 年前碳中和”的双碳战略目标，
未来制造业企业将进一步提升能源利用效率、减少碳排放，SiC 凭借低功耗、
耐高压、耐高温、高频等优势特性，在助力国家实现碳中和战略目标方面具有
重要作用，其应用前景广阔。
（3）功率半导体的国产替代趋势逐渐加强
现阶段中国功率半导体的进口量和进口占比仍然较大，尤其是用于工业控
制领域的高性能产品及用于高可靠领域的产品，国产化替代空间较大。根据
CCID 的数据，中国功率器件市场中，接近 90%的产品均依赖进口。根据半导
体行业观察、国金证券研究所数据，中国模拟芯片仍高度依赖进口，2020 年国
数据来源：宽禁带半导体功率器件，刘海涛，陈启秀，《半导体技术》，1999 年第 2 期
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产化率仅为 12%左右。近年来，国产化替代需求随着中美贸易摩擦而更加迫切。
近年来，国家颁布了《国家信息化发展战略纲要》《中华人民共和国国民经济
和社会发展第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要》等政策，为功率半导体
产业链自主可控提供了政策支持，功率半导体行业的国产化替代进程将进一步
加速。
（4）功率器件技术发展趋势
功率器件的发展包含多个技术路径，包含线宽、器件结构、工艺进步、材
料等多个方面，经过不断的发展，功率器件追求不断提高功率密度，实现功耗
与成本的最优解，同时实现多种功能的集成。另外，功率器件的材料迭代（如
第三代半导体材料）和集成化趋势也日益加强。
功率器件的技术发展趋势如下表所示：
技术路径 发展方向 性能影响
线宽从 10 微米发展至 0.15-0.35 微
线宽减小 全面提升芯片性能
米，但不追求先进制程
VDMOS 器件中，中低压方面，出
优化提高电压承载能力、额定
器件结构 现了沟槽型 MOSFET，高压方面，
电流水平和工作频率等指标
出现了超结 MOSFET
同样器件结构下，通过工艺优化改 以影响功耗指标为主，但也影
工艺进步
进各项指标 响基础指标
从硅基逐步发展至 SiC、GaN 等第
材料迭代 全面提升芯片性能
三代半导体材料
降低电源控制器设计及实现工
向着小型化、集成化方向发展，如
艺的难度，让电源系统安全可
集成化趋势 在 MOSFET 中集成过流采样、过热
靠稳定运行，实现系统低待机
采样单元
功耗
（1）知识和技术壁垒
半导体行业属于知识密集型行业，需要半导体物理学、材料学、电路分析
和设计、信息学等多种学科知识的交叉。而公司所处的功率半导体行业更强调
芯片设计与制造工艺的结合，这不仅要求公司具备坚实理论基础，还需掌握丰
富的行业经验，凭借专利技术和工艺诀窍（Know-how）的积累，追求成本、性
能和可靠性的最优解，以保持行业竞争力，这构成了行业较高的知识和技术壁
垒。
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（2）资金壁垒
半导体行业还属于资金密集型行业，尤其对于采取 IDM 模式的相关企业而
言，制造、测试设备的相关资金投入规模巨大。基于此部分芯片设计企业采用
Fabless 的经营模式，采取轻资产运营的策略，但即便如此，芯片设计和研发同
样需要持续大量资金投入，前述情形都使得半导体行业具有较高的资金壁垒。
发行人所在半导体行业具有一定周期性。从历史数据来看，半导体市场短
期存在周期性波动，但中长期而言，行业发展整体仍呈现上升趋势。信达证券
研究报告显示，以全球半导体销售额复盘半导体景气周期，1996-2019 年半导体
产业经历了 7 个完整的景气周期。
数据来源：信达证券，该数据并非专门为本次发行准备，发行人未为此支付费用或提
供帮助
性
发行人所在功率半导体行业属于半导体产业链中的重要组成部分，上游行
业主要为硅片、湿电子化学品等主营原材料企业，下游行业涵盖了消费电子、
工业控制和高可靠领域等多种终端应用企业，发行人所在行业与上下游紧密联
系。
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（五）发行人产品或服务的市场地位、技术水平及特点
发行人凭借高性能的产品积累了如晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技
等众多业内知名的芯片设计公司客户，产品已被小米、美的、雷士照明、佛山
照明等知名终端客户所采用。在细分领域，公司的产品性能参数处于业内先进
水平，具有较强的市场竞争力。
根据 Omdia 研究数据，2020 年 MOSFET 功率器件主要本土厂商（不含外
资企业、港澳台企业）占全球市场份额情况如下：
序号 公司
（百万美元） 市场份额
资料来源：东微半导占全球 MOSFET 的市场份额系以其公开披露的 2020 年度经审计
销售额折合美元测算得到，其余公司的 MOSFET 销售额和市场份额数据来自 Omdia。
结合 Omdia 数据，以发行人 2020 年 MOSFET 产品销售额测算，发行人全
球 MOSFET 市场的市场份额约为 0.23%；结合芯谋研究和 Omdia 数据测算，发
行人 2021 年平面 MOSFET 国内市场占有率约为 1.26%。根据江苏省半导体行
业协会统计，以销售额计算，2021 年公司 FRMOS 市场份额位列本土企业第四
位（前三位分别为华润微、士兰微、华微电子）；SiC 功率器件方面，公司是
国内为数不多的具备 650V-1700V SiC MOSFET 设计能力的企业之一，产品已
覆盖业内主流电压段。
公司通过自主积累的核心技术和工艺诀窍，在超高压平面MOSFET方面已
取得深厚技术积累。公司研制推出的1500V超高压MOSFET产品“CS4N150”荣获
第十二届（2017年度）中国半导体创新产品和技术奖，是当年“分立器件”类别
八个获奖产品之一，也是唯一获奖的平面MOSFET产品，该产品2022年已形成
批 量 销 售 ； 发 行 人 独 立 承 接 了 超 高 压 FRMOS 的 国 家 级 研 发 项 目 ， 超 高 压
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MOSFET领域的技术研发实力得到权威部门认可；发行人超高压平面MOSFET
最高耐压已达1700V，根据同行业可比公司官网公示产品信息比较，该耐压水
平在国内同行业厂商中处于领先水平，体现出公司在超高压MOSFET方面已具
备较强技术水平及市场竞争力。
公司名称 平面 MOSFET 产品最高电压
Littelfuse 4700V
华润微 1500V
士兰微 1500V
锴威特 1700V
数据来源：官方网站公开数据
功率 IC 方面，报告期内，发行人功率 IC 产品已向包括公司 A-1、公司 E、
单位 H、公司 G 等在内的多家高可靠领域客户形成销售，部分客户向发行人采
购的功率 IC 产品目前没有其他国内供应商可以替代，发行人在高可靠领域已取
得一定的市场地位。
我国功率半导体行业较西方国家起步较晚，受到企业规模及技术水平的制
约，在高端功率半导体产品领域尚未形成整体的规模效应。
目前，功率半导体行业中美、日、欧龙头公司如英飞凌、意法半导体、安
森美等凭借着先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积累，处
于行业领先地位；国内主流功率半导体厂商包括华润微、华微电子、士兰微、
安世半导体、新洁能、东微半导等，这些企业在芯片设计或制造工艺方面亦拥
有较为深厚的技术积累，在国内市场已形成一定品牌效应和规模效应，市场份
额稳步提升。
功率器件方面，发行人在行业内的主要竞争对手既包括国际一流功率半导
体厂商，如英飞凌、安森美、东芝、意法半导体、瑞萨、力特等；也包括国内
的知名功率半导体公司，如华润微、士兰微、新洁能、华微电子、东微半导等。
行业内竞争对手基本情况介绍如下：
① 英飞凌
英飞凌成立于 1999 年，前身为西门子集团的半导体部门，已在德国法兰克
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福 交 易 所 （ 股 票 代 码 ：IFX） 和 美 国 柜 台 交 易 市 场 挂 牌 上 市 （ 股 票 代 码 ：
IFNNY），是全球领先的半导体公司。其专注于为汽车和工业功率器件、IC 卡
和安全应用提供半导体和系统解决方案，主要产品包括功率半导体、嵌入式控
制器、射频器件与传感器、存储器等。英飞凌采用 IDM 模式，2022 财年营业收
入为 142.18 亿欧元。
② 安森美
安森美于 1999 年从摩托罗拉中分拆，目前已在美国纳斯达克上市（股票代
码：ONNN），是一家宽频和电力管理集成电路和标准半导体供应商。安森美
的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，主要应用于汽车、
通信、计算机、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事、航空及电源应用等
领域。安森美采用 IDM 模式，2022 年度营业收入为 83.26 亿美元。
③ 东芝
东芝成立于 1875 年，已在东京证券交易所和名古屋证券交易所上市。东芝
是一家多元化的电气、电子制造商，是日本最大的半导体制造商和第二大综合
电机制造商。公司具有丰富的 MOSFET 研发及生产的经验，主要产品包括
IDM 模式，2021 财年营业收入为 33,369.67 亿日元。
④ 意法半导体
意法半导体成立于 1987 年，已在纽约证券交易所、泛欧巴黎证券交易所和
意大利米兰证券交易所上市，是全球最大的半导体公司之一。意法半导体在分
立器件、手机相机模块和车用集成电路领域居世界前列，产品主要应用于汽车
产品、电脑周边设备、通讯系统、消费产品、工业自动化控制系统等领域。意
法半导体采用 IDM 模式，2022 年度营业收入为 161.28 亿美元。
⑤ 瑞萨
瑞萨成立于 2003 年，已在东京证券交易所上市（股票代码：RNECF）。
瑞萨在半导体领域方面具有先进技术和丰富经验，产品包括集成电路和功率半
导体，其功率半导体产品主要包括 MOSFET、IGBT、功率集成电路、二极管、
三极管及晶闸管等。瑞萨采用 IDM 模式，2022 年度营业收入为 15,008.53 亿日
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元。
⑥ 力特
力特成立于 1927 年，已在美国纳斯达克上市（股票代码：LFUS），是电
路保护、电源控制和传感器领域技术领先的制造商。力特的产品系列包括保险
丝、功率器件、传感器和保护继电器等，被广泛应用于汽车、工业、家电、医
疗设备、消费电子等领域。力特采用 IDM 模式，2022 财年营业收入为 25.14 亿
美元。
⑦ 华润微
华润微成立于 2003 年，已在上交所科创板上市（股票代码：688396），为
中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的
半导体企业。其产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。华润微
采用 IDM 模式，2022 年度营业收入为 100.60 亿元。
⑧ 士兰微
士兰微成立于 1997 年，已在上交所主板上市（股票代码：600460），是以
IDM 模式为主的综合型半导体产品公司。其主要产品包括 MOSFET、IGBT 等
半导体分立器件、功率模块 IPM/PIM、MEMS 传感器和 LED 芯片等，2022 年
度营业收入为 82.82 亿元。
⑨ 新洁能
新洁能成立于 2013 年，已在上交所主板上市（股票代码：605111），为国
内半导体功率器件设计龙头企业之一。其主营业务为 MOSFET 等分立器件的研
发和销售，目前已经形成沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET 两类主要产
品系列，以及屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET、绝缘栅双极型晶体管和功率模块等
新产品系列。新洁能主要采用 Fabless 的经营模式，2022 年度营业收入为 18.11
亿元。
⑩ 华微电子
华微电子成立于 1999 年，已在上交所主板上市（股票代码：600360），主
要从事功率半导体器件的设计研发、芯片制造、封装测试、销售等业务，主要
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生产半导体分立器件及 IC，应用于消费电子、节能照明、计算机、PC、汽车电
子、通讯保护与工业控制等领域。华微电子采用 IDM 模式，2022 年度营业收入
为 19.53 亿元。
? 东微半导
东微半导成立于 2008 年，已在上交所科创板上市（股票代码：688261），
是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注
于工业及汽车相关等中大功率应用领域。其主要产品包括 Tri-gate IGBT、超级
硅 MOSFET、高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅沟槽 MOSFET 等。东微半
导主要采用 Fabless 的经营模式，2022 年度营业收入为 11.16 亿元。
功率 IC 方面，公司的功率 IC 产品主要为 PWM 控制 IC 及栅极驱动 IC。整
体而言，高可靠功率 IC 的市场参与者数量较少，国内主要从事高可靠领域电源
管理类产品的公司臻镭科技、成都华微和振华风光的产品与公司产品类型存在
一定差异，其中臻镭科技的电源管理 IC 产品主要为负载点电源芯片、T/R 电源
管理芯片、固体电子开关芯片和电池均衡器芯片；成都华微的电源管理 IC 产品
主要为线性电源 LDO 等；振华风光的电源管理器产品主要为电压基准源、三端
稳压源等，前述三家企业非发行人功率 IC 主要竞争对手。国外厂商中，发行人
功率 IC 产品的主要竞争对手为业内领先企业德州仪器、安森美和瑞萨，其中安
森美和瑞萨的基本情况已于前文描述，德州仪器的基本情况如下：
德州仪器成立于 1930 年，已在美国 NASDAQ 证券交易所上市，是一家全
球性的半导体公司，也是世界第一大数字信号处理器和模拟电路元件制造商，
产品主要应用于工业、汽车、消费电子产品、通信设备和企业系统等领域。德
州仪器采用 IDM 模式，2022 年度营业收入为 200.28 亿美元。
发行人的技术水平集中体现于功率半导体芯片的设计与研发能力，同时可
根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能，在设
计与芯片制造中能做到产品设计与制造工艺的统筹协同，一方面满足产品特定
参数的要求，另一方面提高产品的性价比，增强产品的竞争能力。发行人的技
术水平和研发能力还体现在产品的高可靠性及参数一致性，发行人部分功率器
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件、功率 IC 产品的性能指标已达到国外竞品同等水平。
（1）功率器件
① 平面 MOSFET
通过自主研发和创新，发行人先后推出了 40V-1500V 的平面 MOSFET 产品，
实现了较为广阔的电压段覆盖，发行人专注于研发难度更大、国产化率更低的
高压和超高压产品领域，以技术作为驱动，不断推出具有市场竞争力的高压和
超高压产品。但由于该参数非标准参数，一般国内厂商不公开相关信息，难以
得知竞争对手平面 MOSFET 的高温可靠性是否与发行人达到同一水平。根据江
苏省工业和信息化厅出具的新产品新技术鉴定验收证书（苏工信鉴字[2022]101
号），公司“新型复合终端结构及实现工艺技术”整体达到国际先进水平，平面
MOSFET 高温老化后的击穿电压跌落达 5V 以内的水平，150°C 下漏电流指标低
于 10uA，可靠性指标优；发行人在平面 MOSFET 工艺平台基础上开发的
FRMOS 产品可实现反向恢复时间小于 100ns，最小可达 50ns；发凭借前述可靠
性优势，发行人的平面 MOSFET 已广泛应用于消费电子、工业控制和高可靠领
域。在消费电子领域，发行人的平面 MOSFET 产品主要向包括晶丰明源、必易
微、芯朋微、灿瑞科技在内的业内知名 IC 设计公司销售，产品已应用于包括小
米、美的、昕诺飞等众多知名终端客户；在工业控制领域，发行人的平面
MOSFET 已获上能电气、威胜集团等多家知名终端客户应用；在高可靠领域，
发行人的平面 MOSFET 已向公司 A-1、公司 E、单位 H 等客户形成销售，助力
高可靠领域 MOSFET 产品的国产化替代。
②其他功率器件
公司沟槽型MOSFET、超结MOSFET、FRMOS、SiC功率器件等各项产品
的技术先进性和市场竞争力具体体现如下：
产品类型 技术先进性和产品竞争力
沟槽型 流电压段
MOSFET 2、SGT MOS 方面已建立 100V 电压下产品设计平台
超结
优势特性
MOSFET
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产品类型 技术先进性和产品竞争力
低 600V Ronsp 至 11mR.cm2，可以支持最大电流达 100A 的超结 MOSFET 开
发
反向恢复时间控制在 100ns 以内，最小可达 50ns，该核心技术已通过江苏省
工业和信息化厅的新技术新产品鉴定，总体达国际先进水平
FRMOS 3、高温漏电流小，可靠性优
级研发项目，正在进行 800V、900V、1000V 和 1200V 电压下产品设计平台
的开发
技术得到的产品 Ronsp 指标优秀，参数一致性好
SiC
功率器件
的产品设计平台，目前正在进行 2600V 和 3300V 电压下产品设计平台的开发
（2）功率IC
发行人通过在功率IC领域的持续自主研发和技术积累，有效提升产品性能
及可靠性，满足高可靠领域客户大功率电源模块的应用要求，具备技术先进性
和市场竞争力,具体体现在如下方面：
①发行人具备完善的功率IC研发体系
发行人针对功率IC研发制定了科学的研发流程体系，功率IC研发人员的数
量逐年上升，且发行人研发中心获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中
心”认证，具备功率IC自主研发和持续研发能力。发行人完善的研发体系有利于
进一步拓宽功率IC产品体系，及时响应客户需求和市场动向，有助于提升公司
研发成功率及客户服务能力，为发行人功率IC业务拓展提供强有力的支持。
②高性能的工艺技术平台
功率IC属于模拟集成电路，除了线路设计之外，功率IC设计企业还需要拥
有定制开发器件和工艺的能力，才能满足产品需求。经过多年的技术沉淀，发
行人已在SOI BCD工艺平台上新增600V PMOS器件、100V/200V/600V肖特基二
极管、耗尽型NMOS、耐压达200V的高压电容等多种特色器件，进一步丰富了
该工艺平台的器件选择。发行人利用该工艺平台所设计的功率IC产品电压范围
可覆盖5V~600V，工作温度范围可达-55~125℃，普遍具有抗噪声能力强、闩锁
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免疫、工作温度范围宽的优势。
③功率IC产品已获高可靠领域知名客户认可，客户丰富度不断提升
报告期各期，公司功率IC高可靠客户数量分别为3个、13个和64个，客户数
量快速增长，已向众多知名高可靠领域客户形成销售，并为其提供功率IC产品
定制化开发的技术服务。发行人功率IC产品获得客户的高度认可，销售收入持
续提升，体现了发行人功率IC产品的技术先进性和市场竞争力。
④功率IC细分产品具备技术先进性，性能指标已达到国外竞品同等水平，
可实现国产替代及自主可控
发行人PWM控制IC支持较高的功率范围和开关工作频率，集成了欠压、过
压、过流、过热等多种保护功能，具备安全性高、智能化的特点，能够同时支
持反激、反激双路交错、正激有源钳位、推挽、半桥、全桥、移相全桥等多种
拓扑结构，可满足客户多样化的产品需求；发行人栅极驱动IC具备工作范围
宽、低延迟传输、满足100%占空比应用的要求、抗dv/dt及抗负压能力高的特
点，具备技术先进性。
发行人功率IC主要对标厂商包括TI（德州仪器）、安森美等，均为行业先
进厂商，其产品技术指标水平可代表行业先进水平。通过选取主要对标厂商的
竞品进行参数比较，可以发现发行人功率IC产品的关键指标已达到行业先进厂
商对标产品的水平，发行人开发的部分功率IC产品在高可靠领域细分市场替代
了国外竞品，实现了国产自主可控。
对于功率器件产品，主要量化性能指标包括导通电阻典型值 Rdson（反映
器件的导通性能）、耐压 BV（反映器件的耐压性能）、漏电流 Iss（反映器件
关断状态下漏源间电流大小）、额定电流（反映器件安全电流处理能力）、阈
值电压（反映器件导通所需要施加的栅极电压）和优值 FOM（反映器件导通和
开关的综合性能）。其中，FRMOS 还包括反向恢复时间（反映器件的反向恢复
性能）等特性参数；对于功率 IC 产品，主要量化性能指标包括开关频率（反映
工作频率的高低）、最高工作电压 Vccmax（反映最高工作电压的高低）和峰值
驱动电流（反映驱动能力的强弱）、静态电流（反映芯片待机状态下功耗）、
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传输延时（反映信号输入到输出的延时）。以下选取发行人收入占比较高的平
面 MOSFET 产品（其中两款为 FRMOS）、沟槽型 MOSFET、超结 MOSFET 和
两款功率 IC 产品与竞品进行性能指标对比，同行业竞品主要选取与发行人主流
产品性能指标相近的竞品。
（1）功率器件产品
功率器件的同类产品比较中的竞品选择标准为：从公开渠道能够获取的国
内外对标厂商最新在售产品清单中，选择相同或者相近BV耐压（击穿电压）和
额定电流参数的产品进行对比。例如公司平面MOSFET CS20N50FF在对比时选
取20A/500V左右的同类型对标产品进行对比。因功率器件参数众多，故发行人
采用控制变量的比较方法，具有合理性。根据同行业公司东微半导的招股说明
书，其性能参数对比中对对标产品的选取方式同样为固定参数平台下选取竞
品。
根据前述原则，发行人的平面MOSFET（含FRMOS）共选取了六家对标厂
商的产品，包括安森美、Littelfuse、士兰微、华润微、华微电子、龙腾股份；
沟槽型MOSFET选取了安森美、英飞凌、意法半导体、华润微、新洁能等五家
对标厂商产品；超结MOSFET选取了安森美、意法半导体、东微半导、新洁能
等四家对标厂商的产品，SiC MOSFET选取了上海瞻芯、安森美两家对标厂商
的产品。
① 平面MOSFET-CS4N65F
导通电阻
耐压 BV 漏电流 lss 阈值电压 Vth 额定电流 优值 FOM
公司名称 产品型号 典型值 Rdson
（单位：V） （单位:uA） （单位：V） （单位：A） （单位：ohm*nC）
（单位：ohm）
龙腾股份 LNF4N65 2.5 650 <1 2-4 4 30
华润微 CS4N65FA9R 2.4 650 <1 2-4 4 34.8
士兰微 SVF4N65F 2.3 650 <1 2-4 4 29.9
Littelfuse IXTU4N60P <2.0 600 <1 2-4 4 <26
锴威特 CS4N65F 2.0 650 <1 3-4 4 30
数据来源：各公司官网公开信息
注 1：导通电阻 Rdson 指标数值越小，器件的导通性能越强，下同
注 2：耐压 BV 指标数值越大，器件耐压越高，安全工作区更大，性能越强，下同
注 3：漏电流 lss 反映器件关断状态下漏源间电流大小，数值越小，性能越强，下同
注 4：阈值电压 Vth 范围越窄，器件参数一致性越好，下同
注 5：额定电流可反映器件的安全电流处理能力，电流越大则器件性能越强，下同
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注 6：优值 FOM 指标数值越小，表示器件同时具备低导通电阻和快速开关特性，器件
性能越高，下同
由上表可见，与竞品相比，发行人型号为 CS4N65F 的平面 MOSFET 产品，
在同样耐压性能下，导通电阻典型值低于龙腾股份的 LNF4N65、华润微的
CS4N65FA9R 以及士兰微的 SVF4N65F；优值指标优于华润微的 CS4N65FA9R
以及士兰微的 SVF4N65F，整体性能与 Littelfuse 的 IXTU4N60P 相当。
② 平面 MOSFET -CS20N50FF
导通电阻
耐压 BV 漏电流 lss 阈值电压 Vth 额定电流 优值 FOM
公司名称 产品型号 典型值 Rdson
（单位：V） （单位:uA） （单位：V） （单位：A） （单位：ohm*nC）
（单位：ohm）
华微电子 JCS18N50WE 0.22 500 <1 2-4 19 10.71
华润微 CS20N50A0R 0.24 500 <1 2-4 20 12.48
Littelfuse IXTQ22N50P <0.27 500 <5 3-5.5 22 <13.5
安森美 FDPF18N50 0.22 500 <1 3-5 18 9.9
锴威特 CS20N50FF 0.21 500 <1 3-4 20 10.29
数据来源：各公司官网公开信息
由上表可见，与竞品相比，发行人型号为 CS20N50FF 的平面 MOSFET 产
品，在同样耐压性能下，导通电阻典型值、额定电流指标、阈值电压和优值指
标均优于华微电子的 JCS18N50WE；导通电阻典型值、优值指标和阈值电压优
于华润微的 CS20N50A0R 和 Littelfuse 的 IXTQ22N50P，整体性能与 Onsemi 的
FDPF18N50 相当。
③平面MOSFET-CS3N150F
导通电阻 优值 FOM
耐压 BV 漏电流 lss 阈值电压 Vth 额定电流
公司名称 产品型号 典型值 Rdson （单位：
（单位：V） （单位:uA） （单位：V） （单位：A）
（单位：ohm） ohm*nC）
意法半导体 STFW3N150 6 1500 10 3-5 2.5 180
IXTQ3N150
Littelfuse 6 1500 10 2.5-5 3.0 240
M
CS3N150AH
华润微 5 1500 25 3-5 3.0 190
R
锴威特 CS3N150F 5.2 1500 1 3-5 3.0 210
数据来源：各公司官网公开信息
对于超高压器件而言，漏电流指标是衡量产品性能及可靠性的关键参数。
由上表可见，与竞品相比，发行人型号为 CS3N150F 的超高压平面 MOSFET 产
品，在同样耐压性能下漏电流显著优于其他竞品；导通电阻典型值低于意法半
导 体 的 STFW3N150、Littelfuse 的 IXTQ3N150M， 略 高 于 华 润 微 的
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CS3N150AHR；阈值电压较 Littelfuse 的 IXTQ3N150M 更窄；优值指标优于
Littelfuse 的 IXTQ3N150M， 与 华 润 微 的 CS3N150AHR 和 意 法 半 导 体 的
STFW3N150 接近。发行人产品整体性能优于 Littelfuse 的 IXTQ3N150M，与意
法半导体的 STFW3N150 和华润微的 CS3N150AHR 性能指标相当，在可靠性方
面优于其他全部对标产品。
④ FRMOS -CSFR45N50FW
导通电阻
耐压 BV 漏电流 lss 阈值电压 Vth 额定电流 反向恢复时间 Trr
公司名称 产品型号 典型值 Rdson
（单位：V） （单位:uA） （单位：V） （单位：A） （单位：ns）
（单位：ohm）
安森美 FDH45N50F 0.105 500 <25 3-5 45 188
Littelfuse IXFH50N50P3 <0.125 500 <25 3-5 50 <250
士兰微 SVF45NF50CP7 0.105 500 <6 3-5 45 252
锴威特 CSFR45N50FW 0.1 500 <1 3-5 45 95
数据来源：各公司官网公开信息
注：反向恢复时间 Trr 指标数值越小，器件的反向恢复损耗越小，性能越强，下同
由上表可见，与竞品相比，发行人型号为 CSFR45N50FW 的 FRMOS 产品，
在同样耐压性能下，导通电阻典型值和反向恢复时间均优于安森美的
FDH45N50F、Littelfuse 的 IXFH50N50P3 以及士兰微的 SVF45NF50CP7。
⑤ FRMOS -CSFR5N50D
导通电阻
耐压 BV 漏电流 lss 阈值电压 Vth 额定电流 反向恢复时间 Trr
公司名称 产品型号 典型值 Rdson
（单位：V） （单位:uA） （单位：V） （单位：A） （单位：ns）
（单位：ohm）
华润微 CS5R50C4RDP-G 1.6 500 <1 2-4 5 47
安森美 FDD5N50NZ 1.38 500 <1 3-5 5 210
Littelfuse IXFA5N50P3 <1.65 500 <5 2-4 5 <250
锴威特 CSFR5N50D 1.5 500 <1 3-4 5 61
数据来源：各公司官网公开信息
由上表可见，与竞品相比，发行人型号为 CSFR5N50D 的 FRMOS 产品，
在 同 样 耐 压 性 能 下 ， 额 定 电 流 指 标 相 同 ， 其 他 指 标 均 优 于 Littelfuse 的
IXFA5N50P3；导通电阻典型值优于华润微的 CS5R50C4RDP-G，两者反向恢复
时间相近，整体性能相当；导通电阻典型值与安森美的 FDD5N50NZ 相当，反
向恢复时间指标优于前者。
⑥ 沟槽型 MOSFET-CTO01F03K08PST
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导通电阻
耐压 BV 漏电流 lss 阈值电压 Vth 额定电流 优值 FOM
公司名称 产品型号 典型值 Rdson
（单位：V） （单位:uA） （单位：V） （单位：A） （单位：ohm*nC）
（单位：ohm）
华润微 CRTT500P10L 0.04 -100 1 -1.3~-2.5 -27.0 3.4
安森美 FQB34P10 0.05 -100 1 -2~-4 -33.5 4.2
英飞凌 IPB320P10LM 0.03 -100 1 -1~-2 -63.0 5.6
锴威特 CTO01F03K08PST 0.04 -100 1 -1.2~-2.5 -45.0 3.9
数据来源：各公司官网公开信息
由上表可见，与竞品相比，发行人型号为 CTO01F03K08PST 的沟槽型
MOSFET，在同样耐压性能下，漏电流指标均相同，导通电阻典型值优于安森
美的产品，与华润微产品相当；阈值电压优于安森美的产品；额定电流指标优
于英飞凌的产品；优值指标优于安森美和英飞凌的产品。
⑦ 沟槽型 MOSFET-CTP04N004
导通电阻
耐压 BV 漏电流 lss 阈值电压 Vth 额定电流 优值 FOM
公司名称 产品型号 典型值 Rdson
（单位：V） （单位:uA） （单位：V） （单位：A） （单位：ohm*nC）
（单位：ohm）
新洁能 NCE40H12 0.003 40 1 1.2~2.5 120 0.2
华润微 CRTT045N04L2P 0.004 40 1 1~2 100 0.2
意法半导体 STB120N4LF6 0.003 40 1 1~3 80 0.3
英飞凌 BSZ040N04LS 0.003 40 1 1.2~2 105 0.2
锴威特 CTP04N004 0.003 40 1 1.2~2.5 140 0.2
数据来源：各公司官网公开信息
由上表可见，与竞品相比，发行人型号为 CTP04N004 的沟槽型 MOSFET，
在同样耐压性能下，漏电流指标均相同，导通电阻典型值优于华润微的产品，
与新洁能、意法半导体、英飞凌的产品相当；阈值电压优于意法半导体的产品，
与新洁能的产品相当；额定电流指标均优于竞品；优值指标优于意法半导体的
产品，与新洁能、华润微、英飞凌的产品相当。
⑧ 超结 MOSFET-CLW60R064MF
导通电阻
耐压 BV 漏电流 lss 阈值电压 Vth 额定电流 优值 FOM
公司名称 产品型号 典型值 Rdson
（单位：V） （单位:uA） （单位：V） （单位：A） （单位：ohm*nC）
（单位：ohm）
东微半导 OSG60R069HZF 0.06 600 10 3.5~4.5 53 3.6
意法半导体 STW65N60DM6 0.06 600 1 3.25~4.75 46 3.9
安森美 FCH072N60 0.07 600 1 2.5~3.5 52 6.3
锴威特 CLW60R064MF 0.06 600 10 3.5~4.5 53 4.6
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数据来源：各公司官网公开信息
由上表可见，与竞品相比，发行人型号为 CLW60R064MF 的超结 MOSFET，
在同样耐压性能下，导通电阻典型值与意法半导体、东微半导的产品相当，优
于安森美的产品；漏电流指标与东微半导的产品相当；阈值电压、额定电流与
东微半导、安森美的产品相当，优于意法半导体的产品；优值指标优于安森美
的产品。
⑨ 超结 MOSFET-CLD65R1K0M
导通电阻
耐压 BV 漏电流 lss 阈值电压 Vth 额定电流 优值 FOM
公司名称 产品型号 典型值 Rdson
（单位：V） （单位:uA） （单位：V） （单位：A） （单位：ohm*nC）
（单位：ohm）
东微半导 OSG65R900DF 0.7 650 1 2.0~4.0 5.0 5.5
意法半导体 STD7N65M2 1.0 650 1 2.0~4.0 5.0 8.8
新洁能 NCE65T1K2K 1.0 650 1 3.0~4.0 4.0 8.4
锴威特 CLD65R1K0M 1.0 650 1 2.9~3.9 4.0 6.7
数据来源：各公司官网公开信息
由上表可见，与竞品相比，发行人型号为 CLD65R1K0M 的超结 MOSFET，
在同样耐压性能下，漏电流指标均相同，导通电阻典型值与意法半导体、新洁
能的产品相当；额定电流与新洁能的产品相当；阈值电压与新洁能的产品相当，
优于东微半导、意法半导体的产品；优值指标优于意法半导体、新洁能的产品。
⑩ SiC MOSFET-C2M065W030
导通电阻
耐压 BV 漏电流 lss 阈值电压 Vth 额定电流 优值 FOM
公司名称 产品型号 典型值 Rdson
（单位：V） （单位:uA） （单位：V） （单位：A） （单位：ohm*nC）
（单位：ohm）
安森美 NTHL045N065SC1 0.03 650 10 1.8~4.3 66 3.4
上海瞻芯 IV1Q06040T3 0.04 650 100 1.8~5.0 72 4.4
锴威特 C2M065W030 0.03 650 10 2.0~3.5 100 4.2
数据来源：各公司官网公开信息
由上表可见，与竞品相比，发行人型号为 C2M065W030 的 SiC MOSFET，
在同样耐压性能下，导通电阻典型值、漏电流指标与安森美的产品相当，优于
上海瞻芯的产品；阈值电压、额定电流优于安森美和上海瞻芯的产品；优值指
标优于上海瞻芯的产品。因此，公司 SiC MOSFET 的产品性能指标与国内外竞
争对手相接近。
综上，发行人平面 MOSFET 和 FRMOS 产品关键参数指标整体达到行业先
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进厂商水平，部分参数指标优于行业先进厂商水平；沟槽型 MOSFET、超结
MOSFET 和 SiC MOSFET 的产品性能指标与竞争对手相近。
（2）功率IC产品
功率 IC 的同类产品比较中的竞品选择标准为：与发行人产品功能相同或相
似的国外品牌对标产品。发行人的功率 IC 主要面向高可靠领域，所选竞品多数
亦为客户有国产替代需求的国外对标产品。据前述原则，发行人 PWM 控制 IC
所选取对标厂商为业内领先厂商 TI（德州仪器），发行人栅极驱动 IC 所选取
对标厂商为业内领先厂商瑞萨和安森美，其产品技术指标水平可代表行业先进
水平。
发行人选择用于参数比较的产品均为发行人为客户国产化替代需求而进行
技术开发的产品，可代表发行人功率 IC 的技术水平。
① PWM 控制 IC
最大工作电压
开关频率 峰值驱动电流 静态电流
序号 公司名称 产品型号 功能描述 Vccmax 工作温度范围
（单位：KHz） （单位：A） （mA）
（单位：V）
TI（德州仪器） LM5035C 集成半桥和同 500 105 2.0 -40℃~125℃ 4.0
锴威特 CSV35035CQ 控制芯片 500 120 2.0 -55℃~125℃ 3.0
TI（德州仪器） LM5025A 有源钳位 PWM 580 105 3.0 -40℃~125℃ 4.2
锴威特 CSV35025TN 控制芯片 500 105 3.0 -55℃~125℃ 3.0
TI（德州仪器） LM5022 Boost & SEPIC 990 65 1.0 -40℃~125℃ 3.5
锴威特 CSV35022M PWM 控制芯片 1,000 120 1.0 -55℃~125℃ 3.5
数据来源：各公司官网公开信息
注 1：开关频率反映工作频率的高低，指标数值越大，芯片可以工作的频率越高，性
能越强，下同
注 2：最大工作电压反映耐压性能，指标数值越大，芯片耐压越高，工作电压范围越
宽，性能越强，下同
注 3：峰值驱动电流反映芯片的驱动能力，电流越大则芯片性能越强，下同
注 4：工作温度范围反映芯片可正常工作的温度范围，一般而言范围越宽，芯片性能
越高，下同
注 5：静态电流反映芯片待机状态下功耗，一般而言数值越低，芯片静态功耗越小，
下同
由上表可见，发行人的 CSV35025TN 产品开关频率低于 TI 的 LM5025A，
其他指标更优或与之相同，CSV35035CQ 和 CSV35022M 拥有与各自 TI 的竞品
相近的开关频率指标，耐压性能优于竞品，三款 PWM 控制 IC 相较竞品工作温
度范围更宽，静态电流更小。
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② 栅极驱动 IC
最大工作电压
开关频率 峰值驱动电流 传输延时 静态电流
序号 公司名称 产品型号 功能描述 Vccmax 工作温度范围
（单位：KHz） （单位：A） （ns） （mA）
（单位：V）
瑞萨 HIP4080A 集 成 电 荷 1,000 80 2.5 -40℃~125℃ 40 10.5
锴威特 CSV51280S 控制芯片 1,000 105 2.5 -55℃~125℃ 80 5.5
瑞萨 HIP2101 集成自举 1,000 100 2.0 -40℃~125℃ 31 0.30
二极管的
半桥控制
锴威特 CSV52103N 芯片 2,000 180 2.0 -55℃~125℃ 31 0.30
数据来源：各公司官网公开信息
注：传输延时代表信号输入到输出的延时，一般而言数值越低，芯片性能越高
由上表可见，在相同的开关频率和峰值驱动电流指标下，发行人的
CSV51280S 集成电荷泵的全桥控制芯片传输延时方面高于瑞萨的 HIP4080A，
主要系根据客户需求定制化参数相关。发行人产品拥有更高的耐压，更宽的工
作温度范围，静态电流更小；CSV52103N 集成自举二极管的半桥控制芯片在耐
压、开关频率、工作温度范围和静态电流方面均优于竞品或与竞品处于同一水
平，峰值驱动电流略低于部分竞品，传输延时略高于部分竞品，可满足高可靠
领域客户的应用需求。
综上，发行人功率 IC 关键指标已达到行业先进厂商对标产品水平。
（1）功率器件同行业可比公司
发行人是采用 Fabless 经营模式的芯片设计公司。结合公司经营模式、功率
器件产品结构等，发行人选取功率器件同行业可比公司原则为：选取功率器件
产品结构与发行人相近的，兼顾采用 Fabless 经营模式的芯片设计公司。综合前
述原则，发行人选取的功率器件同行业可比公司为士兰微、华微电子、新洁能、
东微半导。
发行人与功率器件同行业可比公司在经营情况、市场地位、技术实力的对
比情况如下所示：
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公司 士兰微 华微电子 新洁能 东微半导 发行人
主要从事功率器件与功率
专业从事集成电路、分立
IC 芯片的设计、研发和销
器件及 LED 芯片等半导 主要从事功率半导体器件 从事 MOSFET、IGBT 等半 从事功率器件研发与销售，
售，并提供相关技术服
体产品的设计、生产与销 的设计研发、芯片制造、 导体芯片和功率器件的研 主要产品包括 Green MOS 系
务；目前功率器件方面，
公司介绍 售的综合性半导体企业。 封装测试、销售等业务， 发设计及销售，以 Fabless 列 高 压 超 级 结 MOSFET 、
公司产品以高压平面
主要产品包括集成电路、 主要产品包括二极管、可 经营模式为主，并向封装 SFG MOS 系列及 FSMOS 系
MOSFET 为主，SiC 功率
分立器件产品、发光二极 控硅、MOSFET、IGBT 测试环节延伸 列中低压屏蔽栅 MOSFET
器件已顺利实现产品布局
管产品等三个大类
并进入产业化阶段
元，其中功率半导体产品收
入为 10.47 亿元，晶圆实现
收 入 6.81 亿 元 ； 超 结
营业收入 0.69 亿元；
入 44.67 亿元； 收入 18.82 亿元； 元； 14,379.26 万元；
其中功率器件成品收入为
经营规模 6.55 亿元，晶圆实现营业收
入 38.13 亿元； 收入 21.59 亿元； 元；功率器件收入 13.52 亿 17,780.54 万元；
入 1.27 亿元；
入 22.03 亿元 收入 16.05 亿元 2020 年 芯 片 收 入 1.75 亿 12,131.61 万元
其中高压超结 MOSFET 主营
元；功率器件收入 7.78 亿
业务收入 2.49 亿元；中低压
元
屏蔽栅 MOSFET 主营业务收
入 0.59 亿元
经营模式 IDM 模式 IDM 模式 Fabless 模式为主 Fabless 模式 Fabless 模式
功率器件
市场份额
MOSFET
市场份额
销量描述
分立器件 5 英寸、6 英寸 立器件 679,544 万只 18.02 亿只 MOSFET 成 品 销 量 为 后晶圆 12.80 万片，功率
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公司 士兰微 华微电子 新洁能 东微半导 发行人
芯片 238.04 万片；集成 18,301.41 万颗，中低压屏蔽 器件封装成品 4,967.27 万
电路和分立器件 8 英寸芯 栅 MOSFET 的 成 品 销 量 为 颗
片 65.00 万片 9,044.18 万颗
截至 2021 年 12 月 31 日，拥
截至 2022 年 12 月 31 日， 有高压超级结 MOSFET 产品
超过 650 款，MOSFET 最 超过 1,000 款，MOSFET 拥有 2,000 余款细分型号产 型号规格 1100 款，中低压 700 余款，MOSFET 最高
产品描述
高耐压为 1500V 最高耐压为 1500V 品，MOSFET 最高耐压为 MOSFET 产品型号规格 641 耐压为 1500V
截 至 2019 年 12 月 31
截至 2019 年 4 月 1 日， 截至 2023 年 7 月 13 日，
日，拥有专利 839 项，其 截至 2022 年 12 月 31 日，
专利和研 拥有专利 74 项，其中发 截至 2022 年 12 月 31 日，拥 拥有专利 71 项，其中发明
中发明专利 416 项；截至 拥有专利 182 项，其中发
发人员情 明专利 18 项；截至 2022 有发明专利 56 项；研发人员 专利 28 项；截至 2022 年
况 年 12 月 31 日，研发人员 为 54 人，占比 49.09% 12 月 31 日，研发人员为
人 员 为 3,351 人 ， 占 比 106 人，占比 31.18%
为 701 人，占比 30.11% 40 人，占比 42.11%
别 为 42,876.64 万 元 、 别 为 6,620.26 万 元 、
为 5,173.04 万元、7,968.92 1,599.36 万元、4,143.39 万元 为 1,388.55 万元、1,886.27
研发费用 58,688.89 万 元 和 9,186.77 万元和 10,525.76
万元和 10,070.71 万元，占 和 5,492.73 万元，占营业收 万元和 2,271.95 万元，占
占比 71,107.58 万 元 ， 占 营 业 万元，占营业收入比例分
营 业 收 入 比 例 分 别 为 入比例分别为 5.18%、5.30% 营 业 收 入 比 例 分 别 为
收 入 比 例 分 别 为 别 为 3.85% 、 4.16% 和
注 1：发行人数据来自于发行人审计报告、业务数据；同行业公司信息系根据其年报、半年报、招股说明书、公司官网及公开信息整理；新洁能于
有所不同
注 2：功率器件市场份额和 MOSFET 市场份额以 Omdia 市场报告中 2020 年全球功率器件市场规模和 MOSFET 市场规模数据、同行业公司 2020 年
业绩数据测算
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发行人功率器件同行业可比公司中，士兰微、华微电子为 IDM 模式经营的
公司，士兰微除制造和销售 MOSFET 外，还从事 IGBT、IC 等多种产品的制造
和销售，业务丰富，规模较大；新洁能、东微半导和发行人同为采用 Fabless 经
营模式的功率器件芯片设计企业，主营业务更为集中。其中，新洁能专注于沟
槽型 MOSFET 产品，东微半导侧重于超结 MOSFET 产品。发行人研发人员占
比与功率器件同行业可比公司不存在明显差异。发行人和士兰微同时涉及功率
器件和功率 IC 的研发，发行人研发投入占比与士兰微较为接近，高于华微电子、
新洁能和东微半导。
（2）功率 IC 同行业可比公司
公司的功率 IC 产品主要是 PWM 控制 IC 及栅极驱动 IC，整体而言，高可
靠功率 IC 的市场参与者数量较少。国内同行业厂商如峰岹科技、士兰微、晶丰
明源等，主要产品中虽包含栅极驱动 IC 产品，但均主要应用于消费电子领域和
工业控制领域，与公司功率 IC 产品应用领域不具有可比性。从高可靠领域来看，
该领域产品定制化程度高且细分品类多，上市公司中并无与公司产品完全一致
的可比公司，因此选取了同样涉及高可靠领域电源管理类产品的公司臻镭科技、
成都华微和振华风光与公司进行比较。
发行人与功率 IC 同行业可比公司在经营情况、市场地位、技术实力的对比
情况如下所示：
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公司 臻镭科技 成都华微 振华风光 发行人
专注于集成电路芯片和微系
统的研发、生产和销售，并
围绕相关产品提供技术服 专注于特种集成电路的研发、
务。公司主要产品包括终端 设计、测试与销售，以提供信
射频前端芯片、射频收发芯 号处理与控制系统的整体解决 专注于高可靠集成电路设计、封
片及高速高精度 方案为产业发展方向，主要产 装、测试及销售，主要产品包括 公司的功率 IC 产品主要包括
公司介绍 ADC/DAC、电源管理芯 品涵盖特种数字及模拟集成电 信号链及电源管理器等系列产 PWM 控制 IC 和栅极驱动 IC
片、微系统及模组等，其中 路两大领域，其中模拟集成电 品，其中电源管理器包括电压基 等，主要应用于高可靠领域
电源管理芯片主要包括负载 路产品包括数据转换 准源、三端稳压源等系列产品
点电源芯片、 T/R 电源管理 （ADC/DAC）、总线接口及电
芯片、 固体电子开关芯片 源管理等
和电池均衡器芯片等产品系
列
收入 9,069.87 万元； 品收入 14,904.74 万元； 8,894.79 万元； 5,692.38 万元；
经营规模
收入 6,619.61 万元； 20,957.53 万元； 6,203.15 万元； 1,169.49 万元；
收入 2,968.69 万元 11,006.14 万元 4,863.74 万元 万元
专注于于芯片设计、封装和测试
经营模式 Fabless 模式 Fabless 模式 环节，晶圆制造通过委外加工进 Fabless 模式
行
销量描述
片 46.96 万颗 万颗 万块 937.33 万颗
电源管理芯片中，PWM 控 模拟集成电路中，开关电源 电压基准源系列产品具有高电压 PWM 控制 IC：工作电压范围
制器产品电压范围： DC-DC 已形成最高输入电压 精度(可达 0.1%)、低温漂(低至 13V-120V，开关频率支持
产品描述
芯片电压范围：5V~40V 载电流最高可达 16A 特点； 栅极驱动 IC：工作电压范围
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公司 臻镭科技 成都华微 振华风光 发行人
三端稳压源系列产品最大输出电 20V-600V，驱动电流最高可达
流可高达 3A，输出电压精度达 10A，开关频率可支持 1MHz 以
截至 2022 年 12 月 31 日， 截至 2022 年 12 月 31 日，拥有
截至 2022 年 12 月 31 日，拥有专 截至 2023 年 7 月 13 日，拥有专
拥有专利 34 项，其中发明 78 项专利，其中发明专利 68
专利和研发人员 利 81 项专利，其中发明专利 18 利 71 项，其中发明专利 28 项；
专利 33 项；截至 2022 年 项；截至 2022 年 6 月 30 日，
情况 项；截至 2022 年 12 月 31 日，研 截至 2022 年 12 月 31 日，研发
发人员为 188 人，占比 25.17% 人员为 40 人，占比 42.11%
为 3,030.33 万元、4,051.08
研发费用占比 和 7,984.52 万元，占营业收
元，占营业收入比例分别为 8,809.06 万元，占营业收入比例分 2,271.95 万元，占营业收入比例
入比例分别为 19.92%、
注：发行人数据来自于发行人审计报告、业务数据；同行业公司信息系根据其年报、招股说明书、公司官网及公开信息整理。
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发行人与功率 IC 同行业可比公司均存在电源管理 IC 产品，且主要应用于
高可靠领域，但各家公司产品收入结构和电源管理 IC 的细分产品品类存在一定
的差异；臻镭科技、成都华微为 Fabless 模式经营的公司，振华风光专注于于芯
片设计、封装和测试环节，晶圆制造通过委外加工进行。发行人研发人员占比
与功率 IC 同行业可比公司不存在明显差异。发行人的研发费用率相对低于臻镭
科技和成都华微，主要是臻镭科技和成都华微除了研发电源管理类产品外，还
包括射频类、可编程逻辑器件等多种研发难度较高的非功率 IC 产品，并且主要
面向高可靠领域客户，该领域客户对产品的可靠性要求高、需求的品类多，因
此需要投入较高的研发费用。而发行人除了研发功率 IC，还包括功率器件等产
品，并且除了面向高可靠领域，还面向消费电子领域和工业控制领域。因此，
发行人的研发费用率相对低于臻镭科技和成都华微具有合理性。
（六）竞争优势和劣势
（1）公司的研发和技术优势
公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的
重点集成电路设计企业，江苏省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企
业”、江苏省半导体行业协会理事单位，公司研发中心获“江苏省高可靠性功
率器件工程技术研究中心”认证。截至 2023 年 7 月 13 日，公司已积累了 10 项
核心技术，取得 71 项授权专利（其中发明专利 28 项，另有 2 项发明专利已获
授予专利通知书，待取得专利证书）和 53 项集成电路布图设计专有权。
在功率器件方面，公司积累了包括“高可靠性元胞结构”“新型复合终端
结构及实现工艺技术”“一种利用 Power MOS 管实现高压快速启动的 AC-DC
开关电源的实现方法”等多项核心技术，其中 3 项达到国际先进水平，1 项达
国内领先水平，使公司产品关键技术指标达到了与国际领先厂商同类产品的水
平；在功率 IC 方面，公司基于晶圆代工厂 0.5um 600V SOI BCD 和 0.18um 40V
BCD 等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代
工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成 80 余
款功率 IC 产品，并完成了多款功率 IC 所需的 IP 设计与验证；公司自主研发了
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“一种全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”“一种输
入失调电压自动修正电路”等核心技术，有效提升了产品参数一致性，增强了
产品可靠性。
凭借高性能的产品，公司荣获由中国电子信息发展研究院（赛迪研究院）
评选的第十六届（2021 年度）和第十五届（2020 年度）“中国芯”优秀技术创
新产品奖；由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会等机构联合评选的
第十四届（2019 年度）和第十二届（2017 年度）中国半导体创新产品和技术奖。
公司还获得了汉磊科技“最佳合作伙伴”“最佳业绩成长”的合作商奖项，芯
片设计和工艺调试能力得到业内知名晶圆代工厂的认可。
（2）丰富的产品矩阵
公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展战略，公司目前拥有
包括平面 MOSFET、功率 IC 等 700 余款产品。公司平面 MOSFET 产品覆盖
拥有近 500 款不同规格的产品；公司在第三代半导体功率器件方面，已推出
晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进
一步优化产品性能。公司已形成 80 余款功率 IC 产品，并完成了多款功率 IC 所
需的 IP 设计与验证。未来，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片
的覆盖，并进一步促进功率 IC 和第三代半导体功率器件的产品系列化。发行人
将努力成为一站式、全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商，助力功率半
导体国产化替代，推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展。
（3）广泛的客户覆盖
公司凭借丰富的产品矩阵、高性能的产品和及时迅速的服务能力，已与超
过 300 家客户进行合作，实现了广泛的客户覆盖。公司客户包括以晶丰明源、
必易微、芯朋微、灿瑞科技为代表的芯片设计公司，并且产品已被小米、美的、
雷士照明、佛山照明等知名终端客户所采用。近年来公司持续加大了对工业控
制和高可靠领域的客户的开拓力度。2021 年，公司工业控制和高可靠领域的客
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户数量分别为 81 个和 18 个（以当年形成收入的口径统计）；2022 年，上述领
域的客户数量分别增加至 121 个和 75 个，客户拓展取得了良好的成效。
公司主要终端厂商及应用领域如下图所示：
（1）发行人融资渠道较为单一
半导体行业是资金密集型行业，设备调试、参数匹配、新品研发和流片等
均需要巨大的资金投入，而发行人目前较为单一的融资渠道使其无法投入大量
资金用于扩大自身规模。因此，发行人亟需拓宽融资渠道，通过其他方式进行
融资，以满足自身技术实力提升和经营规模扩大所需的大量资金需求。
（2）发行人规模有待提高
与行业内其他竞争对手如士兰微、华润微、新洁能等公司相比，发行人的
业务规模相对较小，在市场开拓、议价谈判等方面难以获取与业内龙头企业同
等的优势。公司的产品种类较多，亟待利用规模效应和品牌效应进一步拓展市
场，提升产品的市场份额。
（3）存在后发劣势
相较行业内主要竞争对手，发行人的成立时间相对较短，面临较为激烈的
市场竞争。发行人已采取专注细分领域、与竞争对手进行错位竞争的策略，但
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发 行 人 在 沟 槽 型 MOSFET、 超 结 MOSFET、SiC MOSFET 等 其 他 类 型
MOSFET 的产品丰富度、技术积累仍存在一定差距，在销售渠道铺设、客户产
品认证、品牌影响力和晶圆代工产能获取等方面仍受到竞争对手提前布局的影
响；例如在产能供应紧张时，晶圆代工厂会主要维系现有客户的产能供给，其
他设计公司难以获取到产能。因此行业后入者面临一定的后发劣势。
（4）产品收入结构相对单一
公司目前收入主要集中于平面 MOSFET 产品，超高压平面 MOSFET 以及
超结 MOSFET、沟槽型 MOSFET、FRMOS、SiC 功率器件、功率 IC 目前销售
收入较少，相较行业内其他可比公司，公司的产品收入结构相对单一。未来公
司将加强功率 IC 和 SiC 功率器件的产品市场推广及产品系列化研发，进一步均
衡并优化产品的收入结构。
（5）新产品研发及产业化程度存在差距
公司目前已进行沟槽型 MOSFET 和超结 MOSFET 的研发工作，且 SiC 功
率器件已小批量供货，但新产品尚需持续性的研发投入，公司沟槽型 MOSFET、
超结 MOSFET、SiC 功率器件的收入规模和占比均较小。与行业内竞争对手相
比，公司在产品产业化程度、收入规模上均存在一定差距，短期内难以成为主
要的业绩增长点，新产品研发及产业化进度影响未来公司在市场中的竞争力。
（七）面临的机遇和挑战
（1）国家政策有力支持半导体产业发展
半导体产业是信息技术产业的核心，也是国民经济和社会发展的战略性产
业。基于半导体产品下游应用的广泛性和其在电子转换中起到的基础性作用，
半导体在实现我国制造业转型升级等方面均起到重要作用。
近年来，国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展，增强
中国半导体产业创新能力和国际竞争力。2018 年，国家统计局发布了《战略性
新兴产业分类（2018）》，将“半导体分立器件制造”“集成电路设计”“金
属氧化物半导体场效应管（MOSFET）”等列为战略新兴产业。此外国家还持
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续推出了各项支持半导体行业发展的政策，包括《制造业设计能力提升专项行
动计划（2019-2022 年）》《国家信息化发展战略纲要》《新时期促进集成电路
产业和软件产业高质量发展的若干政策》《中华人民共和国国民经济和社会发
展第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要》（“十四五规划”）等，为半导
体发展提供了有力的政策支持。
（2）下游应用市场广阔
我国是全球功率半导体的第一大市场，国内庞大的市场需求有力带动了功
率半导体产业链的发展，为功率半导体厂商的发展提供了土壤。同时，近年来
随着功率半导体在 5G 通信、消费电子升级、智能家居、工业控制、人工智能、
光伏和新能源汽车等领域的广泛应用，为功率半导体行业发展提供了更为广阔
的市场空间，同时也为发行人的快速发展壮大提供了广阔的市场机遇。
同时，随着在高可靠领域国产化替代的提速，公司凭借已有的技术及产品
储备和积累的客户服务经验，将进一步扩大市场份额，将公司高性能、高可靠
的产品及技术服务应用到更多高可靠领域。
（1）专业人才相对紧缺
芯片设计行业是典型的技术密集型行业，行业内企业的自主创新离不开在
半导体物理学、材料学、电路分析和设计、信息学等领域具有坚实理论基础及
丰富从业经验的专业技术人才。虽然近年来国内半导体行业历经了一段快速发
展时期，对人才引进和培养的力度逐渐加大，但随着市场需求的不断增长，专
业技术人才数量仍难以满足行业发展的需求。
（2）资金实力不强
芯片设计行业属于人才密集、资金密集型行业，面临着产品更新不及时、
研发不达预期、难以满足市场需求等风险。同时，面对日趋激烈的市场竞争，
发行人需要持续投入大量资金用于核心技术及新产品的研发，以保持自身竞争
力。而目前发行人的融资渠道相对有限，资金主要来源于经营积累和银行贷款
等。根据发行人针对市场需求做出的战略规划，未来三年发行人拟投入较大规
模资金用于规划项目的实施。因此本次公开发行将为发行人实现各项业务发展
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提供资金支持，对发行人实现战略规划、目标以及整体业务可持续发展至关重
要。
关于发行人产品性能指标与同行业可比公司的产品对比情况，请参见本节
之“二、发行人所处行业的基本情况和竞争状况”之“（五）发行人产品或服
务的市场地位、技术水平及特点”之“4、公司产品参数与竞品比较情况”。
三、销售情况和主要客户
（一）主要产品的主营业务收入情况
单位：万元
产品 细分品 2022 年度 2021 年度 2020 年度
细分小类
大类 类 金额 比例 金额 比例 金额 比例
平面 MOSFET
（不含 FRMOS）
平面
MOSFET FRMOS 724.41 3.19% 1,035.26 5.10% 587.75 4.39%
小计 12,939.22 56.99% 16,878.04 83.07% 11,829.19 88.39%
功率 沟槽型 MOSFET
器件 549.80 2.42% 748.34 3.68% 251.89 1.88%
（含 SGT MOSFET）
超结 MOSFET 405.54 1.79% 53.67 0.26% 11.89 0.09%
SiC 功率器件 484.70 2.13% 100.50 0.49% 38.64 0.29%
小计 14,379.26 63.33% 17,780.54 87.51% 12,131.61 90.65%
PWM 控制 IC 2,786.71 12.27% 699.26 3.44% 185.62 1.39%
栅极驱动 IC 1,305.40 5.75% 307.95 1.52% 66.57 0.50%
功率
IC 162.29 70.13
其它功率 IC 1,600.27 7.05% 0.80% 0.52%
小计 5,692.38 25.07% 1,169.49 5.76% 322.32 2.41%
技术服务 2,207.46 9.72% 1,316.82 6.48% 906.42 6.77%
其他 426.54 1.88% 51.29 0.25% 23.14 0.17%
合计 22,705.64 100.00% 20,318.15 100.00% 13,383.49 100.00%
注：其他包括光耦合器、IPM 模块等产品，其他功率 IC 包括 LDO（低压差线性稳压
器）、高边电流采样放大器等产品
的产品型号数量贡献了 70%以上的主营业务收入。具体来看，发行人的收入主
要集中于平面 MOSFET（含 FRMOS） 500V、600V 和 650V 三个电压段产品，
报告期各期发行人上述三个主要电压段平面 MOSFET（含 FRMOS）收入占比
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分别为 72.14%、70.46%和 39.60%，2022 年收入占比有所下降，主要系功率 IC
收入占比由 2021 年的 5.76%快速增长至 2022 年的 25.07%。
主要系两款高精度高边电流采样放大器的销售收入合计为 1,504.83 万元。高边
电流采样放大器主要应用于电源或者机电系统中，可对母线电流采样电阻的电
压进行精确放大，从而降低采样功耗，提升系统效率。上述两款高边电流采样
放大器应用于高可靠领域，系公司 G 定制开发的产品，经访谈确认，公司 G 在
委托发行人研发前即已经锁定了下游需求，且目前尚无其他可提供同种功能产
品的国内供应商，因此该产品在完成测试验证后出货上量速度较快，使得 2022
年其他功率 IC 产品的收入整体较高。由于报告期内高边电流采样放大器形成销
售的型号较少，且系公司 G 定制开发产品，公司 G 为该产品报告期内唯一客户，
发行人暂未进行系列化研发，因此公司沿用往年分类口径，将除 PWM 控制 IC、
栅极驱动 IC 以外的功率 IC 产品统一归入了“其它功率 IC”。
（二）主要产品的产量及销售情况
报告期内，发行人主要产品及其主要销售形态的产量、销量、产销率情况
如下：
产品
产品形态 项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
类别
产量（万片） 18.26 17.34 21.81
中测后晶圆 销量（万片） 12.80 19.41 22.64
功率 产销率 70.11% 111.95% 103.78%
器件 产量（万颗） 5,269.49 7,411.08 1,688.87
封装成品 销量（万颗） 4,967.27 6,206.90 1,251.96
产销率 94.26% 83.75% 74.13%
产量（万颗） 1,148.11 1,671.59 1,290.86
功率
封装成品 销量（万颗） 937.33 1,555.73 1,014.32
IC
产销率 81.64% 93.07% 78.58%
注：功率器件主要以中测后晶圆和封装成品形态销售，功率 IC 主要以封装成品形态销
售，故列示上述产销量数据；中测后晶圆销量统计中包含用于封装的晶圆
需求旺盛，发行人基于此行情预测，采购较多中测后晶圆，而 2022 年消费电子
需求出现一定波动，中测后晶圆销量不及预期，导致 2022 年中测后晶圆产销率
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下降。
（三）主要产品销售均价的变动情况
发行人销售产品以功率器件和功率 IC 产品为主。报告期内，上述产品的销
售单价参见本招股说明书“第六节 财务会计信息与管理层分析”之“十、经营
成果分析”之“（一）营业收入分析”之“2、主营业务收入按产品分析”的详
细说明。
（四）主要产品的销售收入情况
报告期内，发行人主营业务收入主要来源于产品销售和技术服务收入。主
要产品形态包括中测后晶圆、封装成品和裸芯，主营业务收入按形态分类构成
如下：
单位：万元
形态
金额 比例 金额 比例 金额 比例
中测后晶圆 10,489.63 46.20% 13,626.37 67.07% 11,335.23 84.70%
封装成品 6,419.31 28.27% 5,035.68 24.78% 988.28 7.38%
裸芯 3,589.23 15.81% 339.27 1.67% 153.56 1.15%
技术服务 2,207.46 9.72% 1,316.82 6.48% 906.42 6.77%
合计 22,705.64 100.00% 20,318.15 100.00% 13,383.49 100.00%
按销售模式分类，发行人报告期内主营业务收入构成如下：
单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
直销 20,755.90 91.41% 18,325.72 90.19% 13,093.94 97.84%
经销 1,949.74 8.59% 1,992.42 9.81% 289.55 2.16%
合计 22,705.64 100.00% 20,318.15 100.00% 13,383.49 100.00%
公司的功率器件和功率IC产品可广泛应用于消费电子（包含适配器、LED
照明等）、工业控制（包含光伏/风电逆变器、智能电表、车载逆变等）、高可
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靠等应用领域。
报告期内，发行人在下游应用领域的主营业务收入情况如下所示：
单位：万元
应用领域
收入 占比 收入 占比 收入 占比
消费电子 10,561.22 46.51% 16,408.44 80.76% 11,209.78 83.76%
高可靠 8,707.96 38.35% 2,023.07 9.96% 986.93 7.37%
工业控制 3,436.46 15.13% 1,886.63 9.29% 1,186.77 8.87%
合计 22,705.64 100.00% 20,318.15 100.00% 13,383.49 100.00%
注：上述按应用领域分类收入基于客户访谈、发行人对不同型号产品市场应用的分类
统计得到，亦存在某型号产品同时可用于多个应用领域的情形
报告期内发行人在下游应用领域的收入以消费电子为主，高可靠领域收入
报告期内呈现快速增长态势，主要系 2022 年发行人加深与公司 A-1 等现有客户
的合作，部分已通过认证的产品型号于 2022 年销售起量，同时发行人亦拓展了
部分高可靠领域新客户。
报告期内，发行人平面 MOSFET（含 FRMOS）的细分应用领域具体如下
表所示：
单位：万元
电压段 项目
金额 占比 金额 占比 金额 占比
光 伏 /风 电 逆
变器
智能电表 367.25 2.84% 195.98 1.16% 58.43 0.49%
超高压 适配器 189.53 1.46% 383.97 2.27% 201.22 1.70%
其它 407.19 3.15% 172.80 1.02% 102.43 0.87%
小计 1,192.13 9.21% 752.75 4.46% 362.09 3.06%
LED 照明 3,413.86 26.38% 7,397.33 43.83% 3,832.09 32.40%
适配器 3,691.62 28.53% 3,900.83 23.11% 4,039.66 34.15%
智能家电 618.47 4.78% 622.70 3.69% 145.43 1.23%
高压 直流无刷电
机驱动
其它 1,538.10 11.89% 2,003.17 11.87% 1,642.01 13.88%
小计 9,840.48 76.05% 14,896.51 88.26% 10,246.14 86.62%
中低压 LED 照明 358.08 2.77% 391.63 2.32% 310.22 2.62%
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电压段 项目
金额 占比 金额 占比 金额 占比
车载逆变 728.10 5.63% 153.39 0.91% 52.21 0.44%
步进电机 328.51 2.54% 295.46 1.75% 259.35 2.19%
高可靠领域 310.58 2.40% 15.85 0.09% 6.61 0.06%
适配器 93.44 0.72% 230.44 1.37% 370.45 3.13%
其它 87.92 0.68% 142.00 0.84% 222.14 1.88%
小计 1,906.62 14.74% 1,228.78 7.28% 1,220.97 10.32%
合计 12,939.22 100.00% 16,878.04 100.00% 11,829.19 100.00%
注 1：上表中，光伏/风电逆变器、智能电表、车载逆变、步进电机应用场景属于工业
控制领域；适配器、LED 照明、智能家电、直流无刷电机驱动应用场景属于消费电子领域
注 2：超高压“其它”应用场景主要包括储能（工业控制领域）、高可靠领域等应用
场景；高压“其它”应用场景主要包括充电器（消费电子领域）、储能（工业控制领域）、
高可靠领域等应用场景；中低压“其它”应用场景主要包括工业电源（工业控制领域）、
电动工具（消费电子）等应用场景
报告期内，发行人平面 MOSFET（含 FRMOS）的细分应用领域与上述平
面 MOSFET 的竞争优势领域相匹配。2022 年度，发行人在光伏/风电逆变器、
智能电表、电机驱动、车载逆变等工业控制领域收入占比有所提升，市场拓展
较好。
报告期内，公司向西安微晶微主要采购平面 MOSFET 功率器件晶圆，所对
应的下游应用领域的主营业务收入分布情况如下：
单位：万元
应用领域
收入 占比 收入 占比 收入 占比
消费电子 8,663.19 76.74% 12,431.83 93.62% 4,779.38 89.67%
高可靠 385.82 3.42% 18.48 0.14% 7.61 0.14%
工业控制 2,240.30 19.84% 829.36 6.25% 542.76 10.18%
合计 11,289.30 100.00% 13,279.68 100.00% 5,329.75 100.00%
注：上述按应用领域分类收入基于客户访谈、发行人对不同型号产品市场应用的分类
统计得到
报告期内，公司向西安微晶微采购的晶圆主要应用于消费电子领域，其收
入占比分别为 89.67%、93.62%和 76.74%。近年来，随着公司在高可靠和工业
控制应用领域业务的拓展，上述两个领域的合计收入占比提升明显，已由 2020
年的 10.32%提升至 2022 年的 23.26%。
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报告期内，发行人平面 MOSFET（不含 FRMOS）的不同电压段主营业务
收入情况具体如下表所示：
单位：万元
电压段
金额 占比 金额 占比 金额 占比
超高压
小计 1,192.13 9.76% 752.75 4.75% 362.09 3.22%
高压
小计 9,128.54 74.73% 13,861.25 87.49% 9,658.38 85.91%
中低压 电压＜200V 861.52 7.05% 396.11 2.50% 452.94 4.03%
小计 1,894.15 15.51% 1,228.78 7.76% 1,220.97 10.86%
合计 12,214.81 100.00% 15,842.77 100.00% 11,241.44 100.00%
由上表可知，报告期内发行人平面 MOSFET（不含 FRMOS）的主营业务
收入以高压段产品为主，高压段产品占比分别为 85.91%、87.49%和 74.73%；
超高压段产品收入增长迅速，特别是 1500V 及以上产品收入增幅较大。
（五）主要客户情况
报告期各期，公司前五大客户销售收入及占比如下：
单位：万元
占当期营业收
序号 客户名称 销售模式 2022 年度
入比例
合计 9,723.37 41.31%
注 1：同一控制下公司已合并计算
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注 2：甘化科工控制的企业包括甘华电源、升华电源和德芯源
注 3：晶丰明源包括上市公司晶丰明源（688368）及其控股子公司上海芯飞半导体技
术有限公司
单位：万元
占当期营业收
序号 客户名称 销售模式 2021 年度
入比例
合计 7,979.13 38.04%
注 4：无锡众享包括无锡众享和深圳市联虹科技有限公司，2021 年 8 月起无锡众享不
再持有深圳市联虹科技有限公司任何股份
注 5：必易微包括上市公司必易微（688045）及其控股子公司厦门市必易微电子技术
有限公司，下同。
单位：万元
占当期营业收
序号 客户名称 销售模式 2020 年度
入比例
合计 4,832.67 35.28%
注 6：公司 B 及与其同一控制企业包括公司 B 和西安微晶微。报告期内公司主要向公
司 B 销售，仅 2020 年同时向西安微晶微销售少量外延片，销售额为 34.00 万元
注 7：盛廷微电子包括盛廷微电子江苏有限公司和盛廷微电子（深圳）有限公司，下
同
报告期内，公司前五大客户的合计销售收入占年度销售收入的比重分别为
前五大客户中，硅动力系公司报告期内曾经的关联方，2020 年公司 1-9 月
对其销售额纳入关联交易，甘化科工控制的企业甘华电源、升华电源和德芯源
系公司关联方。公司与前述关联方的关联交易详情请参见本招股说明书“第八
节 公司治理与独立性”之“七、关联方及关联交易”之“（二）关联交易”之
“4、一般关联交易”之“（2）经常性关联交易”。除此之外，公司与其他主要客
户不存在关联关系，公司董事、监事、高级管理人员和其他核心人员，主要关
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联方或持有公司 5%以上股份的股东在上述客户中均不占有任何权益。
四、采购情况和主要供应商
（一）主要商品及服务采购情况
发行人采用 Fabless 经营模式，将晶圆制造和封装测试环节委外。报告期内，
发行人主要采购内容包括外延片、晶圆、封装测试服务、掩膜版等，其他采购
包括 CP 测试、技术服务等。具体采购情况如下：
单位：万元
采购内容
金额 占比 金额 占比 金额 占比
晶圆 4,879.58 26.47% 7,541.02 44.22% 10,630.48 88.15%
外延片 4,562.06 24.75% 3,899.05 22.87% 8.45 0.07%
晶圆代工服务 6,364.62 34.53% 2,678.05 15.71% - 0.00%
封装测试服务 1,100.33 5.97% 1,636.52 9.60% 438.00 3.63%
掩膜版 618.97 3.36% 430.55 2.52% 320.38 2.66%
其他 906.13 4.92% 866.62 5.08% 661.76 5.49%
合计 18,431.70 100.00% 17,051.82 100.00% 12,059.07 100.00%
注：晶圆指直接委外采购；晶圆代工服务指带料委外采购
公司晶圆采购包括直接委外和带料委外两种模式。直接委外模式下，公司
直接采购晶圆代工厂受托生产的晶圆；带料委外模式下，公司自行采购原材料
外延片，再委托晶圆代工厂对其进行加工，公司向晶圆代工厂采购晶圆代工服
务。
自 2021 年上半年开始，公司与西安微晶微的晶圆委外模式由直接委外转变
为带料委外，导致外延片、晶圆代工服务的采购大幅增加，同时晶圆的采购金
额下降。
报告期内，发行人主要采购的商品及服务价格变动情况如下所示：
平均价格
采购内容 单位
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平均价格
采购内容 单位
晶圆 元/片 2,218.60 765.82 479.30
外延片 元/片 257.88 264.91 216.66
晶圆代工服务 元/片 389.98 323.03 -
封装测试服务 元/颗 0.17 0.18 0.15
掩膜版 元/块 7,065.82 6,388.02 5,357.60
人 2021 年增加了向深圳市稳先微电子有限公司和北京燕东微电子科技有限公司
的晶圆采购，采购产品以 8 英寸晶圆为主，单价较高；另一方面因 2021 年行业
内供需关系较为紧张，晶圆市场价格整体有所上涨。2022 年晶圆平均采购价格
显著上涨，主要系发行人与西安微晶微的合作模式全部转变为带料委外，发行
人向西安微晶微的晶圆采购均体现于上表“晶圆代工服务”中；发行人向其他
晶圆代工厂采购晶圆为单价较高的产品，故显著拉高了平均价格。同时，由于
的产能在 2022 年上半年依然较为紧张，代工价格相对于 2021 年的价格高点未
出现明显下调，因此公司 2022 年采购的晶圆代工服务的平均价格较 2021 年有
一定幅度上涨。
微晶微提供的价格优惠情况，以及对公司晶圆成本的影响如下：
（1）2021 年扩产合作的背景
局面；同期公司与西安微晶微已形成稳定的合作关系，但西安微晶微现有产能
无法满足公司未来晶圆采购规模的增长；在此背景下，一方面西安微晶微需要
抓住市场机遇扩大产能以满足快速增长的下游需求，另一方面公司也在寻求向
产业链前端渗透，以有效、经济的措施快速获取并锁定代工产能，双方存在现
实合理的扩产合作基础。
（2）扩产前后享受价格优惠的变化情况
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基于公司与西安微晶微互信稳定的合作历史及公司作为西安微晶微第一大
客户的身份，同时考虑到早期公司为西安微晶微生产线通线的工艺调试提供了
技术支持，自双方首次合作以来，西安微晶微在晶圆代工价格上就给予了公司
一定幅度的优惠。对于同时间段、相同电压段产品而言，西安微晶微给予公司
的价格相对其他客户通常有不超过 5%的优惠，结合签订协议之前的晶圆采购价
格，对应的优惠金额约为 10-20 元/片左右。
安微晶微提供的价格优惠
公司与西安微晶微在扩产合作过程中，公司希望采用更加符合市场形势的
合作模式达到保证晶圆产能的目的，同时继续享有采购价格优惠。因此经双方
多次探讨协商并经内部审议，形成了本次合作方案，即由公司自行购置设备并
投放于西安微晶微生产线，以实现快速扩产。2021 年 6 月，经双方协商并在
《扩产合作协议》约定，西安微晶微扩产后保证对公司的晶圆代工产能供给，
并延续给予公司晶圆采购的优惠协议价。
因此，从晶圆采购价格角度，公司继续享有较西安微晶微其他客户的晶圆
采购价格优惠；根据双方商讨的扩产合作方案，该价格优惠与约定的设备使用
费的合计金额基本能够覆盖公司投入扩产设备后新增的折旧费用，鉴于上述折
旧费用会分摊至晶圆的单位成本，从而会抵消晶圆采购价格优惠，从晶圆单位
成本角度，公司在本次合作后不再实际享受西安微晶微提供的价格优惠。
（二）能源单价的变化
发行人不涉及晶圆制造和生产环节，少量采购能源主要为办公场所的电力
等，供应价格较为稳定。
（三）主要供应商情况
报告期内，公司向前五大供应商采购内容主要包括中测后晶圆（以及晶圆
代工服务）、外延片等。采购总额包括与公司产品生产相关的外延片、晶圆
（以及晶圆代工服务）等物料采购费用及封装费、测试费、掩膜版采购费用等。
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单位：万元
序号 供应商名称 主要采购内容
购金额 总额的比例
合计 14,762.45 80.09%
注 1：同一控制下公司已合并计算
注 2：中国电子科技集团下属企业包括南京国盛电子有限公司、单位 C、无锡中微爱
芯电子有限公司、无锡中微掩模电子有限公司和南京第三代半导体技术创新中心有限公司，
下同
注 3：上海汉磊是业内知名晶圆代工企业汉磊科技（3707.TW）的全资子公司，是其于
中国大陆设立的贸易公司，为便于客户以人民币结算，报告期内发行人通过上海汉磊向汉
磊科技进行晶圆采购
注 4：浙江金瑞泓包括浙江金瑞泓和金瑞泓科技（衢州）有限公司，二者为上市公司
立昂微（605358）的控股子公司，下同
注 5：公司 D 及与其同一控制企业包括公司 D 与无锡迪思微电子有限公司，下同
单位：万元
序号 供应商名称 主要采购内容
采购金额 总额的比例
晶圆、晶圆代
工服务
合计 13,053.49 76.55%
注 6：公司 B 及与其同一控制企业包括公司 B 和西安微晶微，报告期内公司主要向西
安微晶微采购，仅 2020 年和 2021 年向公司 B 采购少量技术服务，金额分别为 283.02 万元
和 231.13 万元，下同
注 7：稳先微电子包括深圳市稳先微电子有限公司及其控股子公司无锡先瞳半导体科
技有限公司
单位：万元
序号 供应商名称 主要采购内容
采购金额 额的比例
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序号 供应商名称 主要采购内容
采购金额 额的比例
合计 11,023.60 91.41%
注 8：无锡紫光微电子有限公司为上市公司紫光国微（002049）的控股子公司
报告期内，公司向前五大供应商采购额占当期总采购额的占比分别为
厂采购晶圆，基于合作深度、工艺平台稳定性、产能供应量、采购价格等多种
因素，报告期内公司主要向上海汉磊、西安微晶微采购晶圆，故报告期内向两
家供应商采购额占采购总额的比例较高。
报告期内公司不存在对单一供应商采购比例超过 50%的情况，公司报告期
内积极开拓其他晶圆代工渠道，2021 年公司前五大供应商采购集中度已明显下
降。
公司与报告期内主要供应商不存在关联关系，公司董事、监事、高级管理
人员和其他核心人员，主要关联方或持有公司 5%以上股份的股东在上述供应商
中均不占有任何权益。
五、对主要业务有重大影响的主要固定资产、无形资产
（一）固定资产
截至 2022 年 12 月 31 日，公司的固定资产主要为机器设备、房屋及建筑物、
电子设备等，具体情况如下：
单位：万元
项目 账面原值 累计折旧 账面价值 成新率
机器设备 6,209.79 192.26 6,017.52 96.90%
房屋及建筑物 4,139.25 161.32 3,977.93 96.10%
电子设备 1,158.82 489.76 669.06 57.74%
运输工具 175.63 149.50 26.13 14.88%
办公家具及其他 117.81 37.17 80.64 68.45%
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项目 账面原值 累计折旧 账面价值 成新率
合计 11,801.30 1,030.01 10,771.29 91.27%
公司的电子设备主要为产品检测设备等，机器设备为发行人已完成安装调
试并验收的投放于西安微晶微的扩产设备。
（1）不动产
截至本招股说明书签署日，公司已取得不动产权证的境内自有房产共 1 项，
具体情况如下：
土地使用权 房屋建筑 证载 取得 土地使用权 他项
序号 权利人 证书编号 坐落
面积（㎡） 面积（㎡） 用途 方式 期限 权利
苏 （2022）
杨 舍 镇 华 昌 路 51,561.60
张家港市不 商 服 用 出让/其 至 2052 年
动 产 权 第 地/办公 它 10 月 31 日
创园 B2 幢 01 室 摊）
注：该房产实际用途为办公、研发，符合其证载用途，发行人及子公司均不具备房地
产开发相关资质，未从事房地产开发相关业务
（2）房屋租赁
截至 2023 年 3 月 24 日，公司共租赁 8 处房产，具体情况如下：
面积
序号 承租方 出租方 坐落 租赁期间 租金 用途
（m2）
张家港杨舍镇华
张家港沙洲
昌路 10 号沙洲 2022.10.01- 办公、
湖科创园 A1 幢 2025.09.30 科研
展有限公司
江苏省无锡市新
发行人 无锡软件产
吴区震泽路 18-4 2021.1.1- 办公、
号软件园金牛座 2023.12.31 科研
公司 公司
B502、B503 室
深圳市南山区深
发行人 深圳湾科技 圳湾科技生态园 34,324.50 元/月，后续 办公及
公司 司 11 栋 A 座 28 层 标准上调增 5% 持
月；
西安高新技 西安市高新区锦
西安 术产业开发 业路 69 号创业 2021.12.2- 办公、
锴威 区创业园发 研发园 C 区 1 号 2024.12.1 科研
展中心 瞪羚谷 B303
月；
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面积
序号 承租方 出租方 坐落 租赁期间 租金 用途
（m2）
张家港市农联花
张家港市房 园 5 幢 204 室、 2020.11.18- 员工
产管理中心 27 幢 103、104 2023.11.17 宿舍
室
张家港市南桥花
张家港市房 苑 20 幢 203、 2022.4.1- 员工
产管理中心 303、204、 2023.3.31 宿舍
张家港市人
张家港市城东花 2022.9.21- 员工
苑 26 幢 0402 室 2023.9.20 宿舍
服务中心
张家港市人
张家港市城东花 2022.6.25- 员工
苑 33 幢 0601 室 2023.6.24 宿舍
服务中心
上表中房屋出租方均为产权所有人或有权出租方，租赁用途符合房屋法定
用途。
发行人及其子公司租赁的房产中，除上表中 7、8 项的租赁房屋未办理租赁
登记备案外，其余均已办理租赁登记备案；根据《中华人民共和国民法典》第
七百零六条的规定，当事人未依照法律、行政法规规定办理租赁合同登记备案
手续的，不影响合同的效力。上述未办理租赁备案的房产租赁之相关租赁协议
均未约定以办理租赁合同备案登记为协议生效条件，出租方未就该等房屋租赁
与发行人产生任何纠纷或争议，上述房产租赁协议对协议双方均具有法律约束
力，且已切实履行，不会因未办理租赁登记备案而导致租赁违约风险。且发行
人实际控制人丁国华已出具承诺：“若公司及其子公司因租赁物业未取得产权
证书或未办理登记备案而受到房地产管理部门处罚，或物业租赁合同被认定为
无效或者出现任何纠纷导致公司更换经营场所的，本人将承担公司由此产生的
全部经济损失，保证公司不会因此遭受任何损失。”
综上所述，发行人与相关主体签署的租赁合同符合有关法律、法规的规定，
对合同双方均具有约束力，合法、有效，不会对发行人经营活动产生不利影响。
（二）无形资产
截至本招股说明书签署日，公司目前共拥有 5 项境内注册商标，权利人均
为发行人，且均已取得相应的《商标注册证》；公司无境外注册商标。商标具
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体情况参见本招股说明书“第十二节 附件”之“九、无形资产相关证书”之“（一）
商标”。
截至 2023 年 7 月 13 日，公司及其子公司已取得相应证书的专利权共 71 项，
专利具体情况参见本招股说明书“第十二节 附件”之“九、无形资产相关证书”之
“（二）专利”。
截至本招股说明书签署日，公司及其子公司共有 53 项集成电路布图设计专
有权，集成电路布图设计专有权具体情况参见本招股说明书“第十二节 附件”之
“九、无形资产相关证书”之“（三）集成电路布图设计专有权”。
截至本招股说明书签署日，发行人拥有 1 个域名，具体情况如下：
序
域名名称 备案/许可证号 注册人 注册日期 到期日
号
（三）上述固定资产和无形资产与发行人业务的内在联系
公司固定资产主要为公司生产经营所需的电子设备、运输工具等，上述固
定资产为公司进行研发设计活动提供了场所和使用平台，是保证公司日常生产
经营的必要条件。
公司的无形资产主要为商标、专利、集成电路布图设计专有权和域名。其
中，商标是公司与同行业中的其它公司产品进行区分的标志，专利、集成电路
布图设计专有权是公司多年研发的成果，已应用于公司产品中，对公司技术创
新起到了促进和保护作用。
公司拥有上述固定资产、无形资产的完整产权，不存在瑕疵、纠纷和潜在
纠纷，不会对公司持续经营产生重大不利影响。
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（四）发行人主要业务资质、认证和特许经营情况
截至本招股说明书签署日，公司取得的主要业务资质、认证情况如下：
序号 公司名称 证书名称 证书编号 有效期 发证单位
GB/T 19001—2016
量管理体系认证
GB/T 24001—2016
境管理体系认证
截至本招股说明书签署日，公司无特许经营权。
六、发行人的核心技术及研发情况
（一）公司的核心技术情况
截至 2023 年 7 月 13 日，发行人核心技术主要如下所示：
技术 技术所处
序号 技术名称 技术特点 应用产品 对应专利
来源 阶段
通过控制重金属掺杂浓度，控制硅中的少
高压
子寿命，技术整体达国际先进水平。利用
MOSFET 的
自主 该技术制造的 FRMOS 产品具有反向恢复 大批量
研发 时间短、漏电流小、高温特性好、反向恢 生产
制技术及工
复特性较软、低电磁干扰的产品特性，性
艺实现技术
能优于利用电子辐照技术制造的同类产品
采用横向变掺杂和场板复合的终端结构，
新型复合终 使终端表面电场分布更加均匀，降低产品
自主 平面 大批量
研发 MOSFET 生产
现工艺技术 体达国际先进水平。应用该技术可将高压
平面 MOSFET 的终端环尺寸减小 50%
发行人研制的一种掺砷衬底防止自掺杂的
背封结构，可以确保在 MOSFET 正面工
一种防止自 艺过程中避免衬底对高阻外延层的自掺杂
自主 平面 大批量
研发 MOSFET 生产
结构 用锑掺杂衬底材料的制造工艺，该技术可
取消薄片注入和退火的工序，有效降低碎
片率，提升产品制造良率
采用 spacer 侧墙技术、浅槽孔技术及复合
介质层工艺，实现了稳定可靠的高电流密
高可靠性元 自主 平面 大批量
胞结构 研发 MOSFET 生产
在同等工艺平台下，可达到更高的电流密
度，实现更小的芯片面积
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技术 技术所处
序号 技术名称 技术特点 应用产品 对应专利
来源 阶段
形成沟道，套刻偏差容易导致沟道离散，
限制了沟道长度精度。该技术通过自对准
短沟道碳化 工艺形成极短且一致性好的沟道长度，可 ZL202010005540.4
硅 在优化 Ronsp 参数的同时，确保器件参数 ZL202310266260.2
MOSFET 器 自主 的一致性和稳定性 SiC 2 项发明专利已授权 小批量
件系列产品 研发 2、在碳化硅 MOSFET 器件中集成碳化硅 MOSFET 另有发明专利 生产
沟道控制及 肖特基二极管，从而改善碳化硅 202310836119.1 在
其制造技术 MOSFET 的体二极管特性，用一颗器件 审中
可以替换系统应用中的碳化硅 MOSFET
和碳化硅二极管两颗器件并联，简化系统
并降低系统成本
一 种 利 用 1、可利用功率 MOS 场效应管实现高压快
Power MOS 速启动，具有启动时间短、成本低、待机
管实现高压 功耗小等优点 平面 ZL201610936731.6
自主 大批量
研发 生产
AC-DC 开 过流采样单元同高压 MOS 开关管集成， 功率 IC 2 项发明专利已授权
关电源的实 降低了主控芯片的工艺难度，使各种保护
现方法 功能更精准，响应速度更快
基于合作晶圆代工厂的标准工艺平台，发
行人对工艺条件持续优化，基于晶圆代工 ZL202210598076.3
厂 0.5um SOI BCD 工艺自主搭建了设计 ZL202310286350.8
基 于 SOI 平台，利用 SOI 工艺的低寄生、低漏电、 2 项发明专利已授权
自主 大批量
研发 202110083120.2 等 生产
设计平台 IC 芯片，包括反激、正激、有源钳位、
SEPIC、级联、推挽、半桥等多种 IP 核， 20 项发明专利在审
并在 IP 基础上成功开发了近 20 款功率 IC 中
产品
在芯片封装后进行修调，避免了芯片制
一种全电压 造、封装过程带来的误差，确保了产品参
范围多基准 数的一致性 ZL201510712389.7
电压同步调 2、实现 2n 位的电压调整档位，可输出全 ZL201510712488.5
整电路、高 自主 电压范围高精度多基准参考电压 ZL202111106498.6 大批量
精准过压保 研发 3、有效改善产品参数的一致性及过压保 ZL202210881885.5 生产
护电路及相 护的判决时间精度，提高过压保护的一致 4 项发明专利已授权
对电源的高 性
压稳压电路 4、提供一种相对电源的高压稳压电路，
可以为功率 IC 内部模块供电提供一种灵
活的供电方式
一种半桥驱
可简化半桥驱动芯片的制造工艺，降低制 ZL201510261101.9
动芯片电路 自主 栅极驱动 大批量
设计及制造 研发 IC 等 2 项发明专利已授权 生产
路功耗，增强其可靠性
工艺
实现电路在每次上电时都会对输入失调电 ZL202111106438.4
一种输入失 ZL202111106315.0
自主 压进行修正，消除外部环境对输入失调电 PWM 控制 大批量
研发 压的影响。该技术方案下采用常规器件即 IC 等 生产
修正电路 3 项发明专利已授权
可实现失调电压自动修正，比较器的输入 201910540692.1
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技术 技术所处
序号 技术名称 技术特点 应用产品 对应专利
来源 阶段
失调电压可以达到微伏级别 202011402062.7
（二）公司的核心技术先进性及其表征
公司通过自主创新和技术沉淀，已同时具备功率器件和功率 IC 的设计、研
发能力。公司掌握了功率半导体芯片的前端设计技术，自主搭建了多个功率半
导体细分产品的技术平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的
标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。截至 2023 年 7 月 13 日，
公司已获授权专利 71 项（其中发明专利 28 项、实用新型专利 43 项,另有 2 项发
明专利已获授予专利通知书，待取得专利证书），集成电路布图设计专有权 53
项。
在功率器件方面，公司已同时具备硅基及 SiC 基功率器件的设计、研发能
力，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术，其中 3 项达到国际先进水平，
靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”等。其中，公司利用
“高压 MOSFET 的少子寿命控制及工艺实现技术”研发并量产的 FRMOS 产品
具有反向恢复时间短、漏电流小、高温特性好、反向恢复特性较软、低电磁干
扰的优势特性；在第三代半导体器件方面，公司利用掌握的“短沟道碳化硅
MOSFET 器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了 SiC MOSFET 稳定的性
能和优良的良率控制。上述核心技术有效提升了公司产品性能指标，增强了产
品市场竞争力。
在功率 IC 方面，公司基于晶圆代工厂 0.5um 600V SOI BCD 和 0.18um 40V
BCD 等工艺自主搭建了设计平台，公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代
工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成 80 余
款功率 IC 产品，并完成了多款功率 IC 所需的 IP 设计与验证；公司自主研发了
“一种全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”“一种输
入失调电压自动修正电路”等核心技术，有效提升了产品参数一致性，增强了
产品可靠性。
发行人的核心技术先进性体现于发行人利用相关核心技术研发的产品参数
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指标，请参见本节之“二、发行人所处行业的基本情况和竞争状况”之“（五）
发行人产品或服务的市场地位、技术水平及特点”之“4、公司产品参数与竞品
比较情况”。
（三）公司核心技术产品收入情况
报告期内，公司大部分营业收入来自于公司核心技术产品及服务，公司核
心技术产品主要包括平面 MOSFET、功率 IC 等，公司核心技术相关产品及服
务产生收入情况如下：
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
核心技术产品收入（万元） 21,799.58 19,590.75 13,144.90
营业收入（万元） 23,538.19 20,972.89 13,698.04
核心技术产品收入占比 92.61% 93.41% 95.96%
注：上表核心技术产品收入未包含外采晶圆封装成品形成的收入以及其他非核心技术
对应产品的收入。报告期内，公司核心技术产品收入占比有所下降，主要系前述收入增长
所致
（四）公司研发投入情况
报告期内，公司无研发费用资本化的情况，研发费用占比情况如下所示:
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
研发费用（万元） 2,271.95 1,886.27 1,388.55
营业收入（万元） 23,538.19 20,972.89 13,698.04
占比 9.65% 8.99% 10.14%
（五）公司的科研实力和成果情况
报告期内，发行人主要获得荣誉和奖项情况如下表所示：
序号 奖项名称 认定时间 认定单位
第十六届“中国芯”优秀技术创新
产品—“集成超快恢复二极管
（ FRD ） 的 高 压 功 率 器 件
FRMOS/CSFR7N50”
江苏省科技小巨人企业（ 2021 年-
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序号 奖项名称 认定时间 认定单位
第十四届（2019 年度）中国半导体 中国半导体行业协会/中国电子
—1200V SiC 平面功率 MOSFET” 备工业协会/中国电子报社
第十五届“中国芯”优秀技术创新
MOSFET/C2M170W400”
第七届中国创新创业大赛国际第三
第三代半导体产业技术创新战
略联盟
一等奖
第十二届（2017 年度）中国半导体 中国半导体行业协会/中国电子
率 MOSFET CS4N150” 备工业协会/中国电子报社
江苏省科技小巨人企业（ 2018 年-
报告期内，发行人研发中心获认证情况如下表所示：
序号 研发中心名称 认定时间 认定单位
截至本招股说明书签署日，发行人独立承担国家级研发项目 1 项，其具体
情况如下：
序号 研发方向 承担方式 项目类型 进展情况
（六）公司核心技术人员情况
截至报告期末，公司共有员工 95 人，其中研发人员 40 人，占比 42.11%。
公司拥有本科及以上学历人员 68 人，占员工总数的 71.58%。
公司对核心技术人员的认定依据为：（1）拥有与公司业务及发展战略相适
应的工作经历、专业知识背景与研发能力的人员；（2）主持和参与多项技术研
发项目并取得成果，并对公司研发工作作出重要贡献的人员；（3）具备良好的
组织管理能力，担任与研发相关的重要职务的人员。
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经认定，公司的核心技术人员为丁国华、罗寅、谭在超、张胜，其学历资
质、专业领域与研发贡献情况如下表所示：
姓名 任职及负责领域 学历与从业经验 研发贡献
任发行人董事长，
西安交通大学电子工程系半导 主持“功率器件与智能功率集成芯片
主导公司的研发方
体物理与器件专业学士、东南 开发及产业化”等市级重点科技项
向，参与研发项目
大学半导体物理与器件硕士， 目，获得授权发明专利 26 项，实用
丁国华 的 产 品 定 义 、 项 目
高级工程师，拥有 30 余年从 新型专利 41 项。带领团队成功开发
评审和技术难点攻
业经历，同时掌握功率器件和 第 三 代 半 导 体 SiC 功 率 器 件 、
关，是发行人的技
功率 IC 产品的核心技术 FRMOS 器件等
术带头人。
东南大学信息工程学士、集成
主持“功率器件与智能功率集成芯片
任发行人董事、总 电路工程领域工程硕士，西安
开发及产业化”等市级重点研发产业
经理，主导公司研 电子科技大学电子科学与技术
罗寅 化项目。获得授权发明专利 28 项，
发项目的实施及成 博士在读，拥有 14 年从业经
实用新型专利 43 项，集成电路布图
果转化。 历，同时掌握功率器件和功率
设计专有权 3 项
IC 产品的核心技术
主 持 开 发 的 “ 1500V 高 压 功 率
MOSFET”和“1200V SiC 平面功率
MOSFET”先后获得第十二届和十四
届中国半导体创新产品和技术奖，
任发行人董事、副 西安交通大学电子科学与技术
“1700V SiC MOSFET”和“集成超
总经理、研发部总 专业学士，拥有 18 年从业经
谭在超 快恢复二极管（FRD）的高压功率器
经理，全面统筹发 历，同时掌握功率器件和功率
件 FRMOS”先后获得第十五届和第
行人研发工作。 IC 产品的核心技术
十六届“中国芯”优秀技术创新产品
荣誉；获得授权发明专利 28 项，实
用新型专利 43 项，集成电路布图设
计专有权 7 项
主持参与了 30 多个产品的研发，其
合肥工业大学应用物理学专业
中 20 多个产品已实现量产销售。在
学士，曾任职于深圳市海思半
任发行人 IC 研发总 半 桥 驱 动 、 PWM 控 制 、 锂 电 池 保
导体有限公司，拥有近 20 年
监，主要负责功率 护、光电转换芯片等产品进行了深入
张胜 行 业 经 验 ， 掌 握 功 率 IC 设
IC 产 品 的 技 术 研 研究，帮助公司在上述产品的研发取
计、生产和测试应用的整个流
发。 得突破。获得授权发明专利 7 项，实
程，擅长高压 BCD 工艺产品
用新型专利 28 项，在审发明专利 35
的电路设计
项，被评为张家港市紧缺高层次人才
公司已与核心技术人员签署了附带竞业禁止条款的保密协议，对核心技术
保护具体作出了规定。公司制定了完善的研发激励体系，对公司内部完成研发
攻关项目的负责人和新品研发的相关人员提供相应激励，公司拥有研发人员收
益共享机制，与研发产品产业化程度挂钩，同时结合市场化的薪酬水平、员工
股权激励等措施，提升核心技术人员积极性，确保公司核心技术人员保持稳定、
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持续为公司的技术研发贡献力量。
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（七）发行人正在从事的技术研发项目
截至 2022 年 12 月 31 日，发行人正在从事的主要技术研发项目情况如下：
单位：万元
报告期已
研发金额 截至目前 人员投
序号 项目名称 拟达到的研发目标 研发项目的先进性 投入的研
预算 研发进度 入情况
发费用
平面 部分已量 1、开发 4 层光刻的 55V-100V 工艺平台 晶圆成本可降低 20% 注
MOSFET 产 2、开发 1700V 车规级平面 MOSFET 2、 研 发 可 通 过 6KV ESD 的
SiC 基 小批量试 电压平台下，开发系列化产品，电流能力覆盖 3A- 采用自对准工艺技术，Ronsp 可低 注
MOS 管 产 150A 至 4.0mΩ.cm2 以下
沟槽型 部分已量 2、开发新一代的 100V 屏蔽栅工艺平台 降低至 30mΩ.mm2 以下，芯片面 注
MOSFET 产 3、 基 于 12 英 寸 工 艺 开 发 20V-40V 沟 槽 型 积可减小 20%
MOSFET 2、采用 12 英寸工艺，芯片面积
可缩小 10%
超结 部分已量 注
MOSFET 产
开发 900V~950V 电压工艺平台 11mΩ.cm2，芯片面积可减小 40%
Boost 可实现逐周期电流限制、单电阻
小批量试 2、峰值驱动电流典型值 1A
产 3、最大占空比 90%
控制器 钟、斜坡补偿、可调软启动
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报告期已
研发金额 截至目前 人员投
序号 项目名称 拟达到的研发目标 研发项目的先进性 投入的研
预算 研发进度 入情况
发费用
小批量试 2、输出 Source/Sink Current 0.165A/?0.375A 具有过流和电源欠压保护，可编
产 3、集成快速、低导通电阻的自举二极管 程的误差清除时间
芯片
小批量试 2、实现可编程死区时间 可应用于电机驱动，实现可编程
产 3、最大耐压 200V 以上 死区时间，输出电流能力 1A/2A
芯片
数字控制智能充电器的充电电压
定 电 压 范 围 ：40V-75V 设 置 精 度 0.1V， 电 流 范
和电流通过 485 通讯协议进行设
围：0-10A，设置精度 0.1A
定，以达到一台充电器对多款锂
数字板充 小批量试 2、风扇由检测温度控制“开启/关闭”可有效的增
电器项目 产 加风扇使用时间，降低功耗
灵活性；
集成仓位加热功能，以应对因温
度低而充不满电的问题
压保护、过流保护、欠压保护等多种保护功能
隔离耐压为 5KV，峰值驱动电流
动器 程流片 3、输入输出最大传输延迟时间 60ns
时间为 60ns
电流模 小批量试 2、150uA 启动电流 具有 1.5A 输出驱动能力和 60ns 过
PWM 控 产 3、250uA 工作启动电流 流检测响应时间
制器 4、最高 1MHz 工作频率
高压双通 小批量试 1、两路独立的电流模式 PWM 控制 IC 单电阻设置工作频率，最高可达
道有源钳 产 2、两路主输出+两路有源钳位输出 2MHz，也可外部同步时钟，可设
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报告期已
研发金额 截至目前 人员投
序号 项目名称 拟达到的研发目标 研发项目的先进性 投入的研
预算 研发进度 入情况
发费用
位交错电 3、内置 100V 高压启动电路 置最大占空比，具有高输入电压
流模式控 4、峰值驱动电流 2.5A（TYP） 占空比回折，可调主输出与有源
制芯片 钳位输出重叠时间，打嗝限流模
式时间常数可调
内置电荷泵，可维持偏置电压，
A 高频全 小批量试 2、悬浮电压最高 95V
桥驱动芯 产 3、输出电流能力：+2.5A/-2.5A
逻辑电平
片 4、线电压欠压锁定功能
自举电路和可选电荷泵保持高侧
MOSFET
小批量试 2、自举电源最大电压高达 95V，偏置电源 7V 到
产 15V
芯片 3、1.25A 的峰值关断电流 下降沿时间为 20ns 和 10ns，可编
已完成工 2、耐压 20V/600V
程流片 3、输出传输延时匹配
驱动 到 2.5A
有源钳位 1、峰值驱动电流 3A
内置高压启动电路；可调的线电
正激 小批量试 2、电压工作模式
PWM 控 产 3、可调的两级过流保护
率，外部可同步时钟；伏秒钳位
制芯片 4、主输出与有源钳位输出的重叠时间或死区时间
可编程延时确保广泛工作条件下
移相全桥 已完成工 ZVS，提高系统效率；支持双向
控制器 程流片 同步；开关频率可编程高达
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报告期已
研发金额 截至目前 人员投
序号 项目名称 拟达到的研发目标 研发项目的先进性 投入的研
预算 研发进度 入情况
发费用
驱动输出电流能力最大可达 8A，
单通道栅 优化改版 3、极低的传输延迟时间（典型值 13ns）
极驱动器 流片 4、4.5V~18V 单电源供电
兼容 TT/CMOS 输入信号控制。
注：“平面 MOSFET”“沟槽型 MOSFET”“SiC 基 MOS 管”和“超结 MOSFET”为大类研发项目，含多个子项目，每个子项目研发人员投入不同，
上表未统一列示
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（八）发行人合作研发开发情况
截至本招股说明书签署日，发行人不存在正在从事的合作研发。
七、发行人保持技术创新的机制、技术储备及技术创新的安排
（一）公司技术储备
公司积极响应国家战略部署，坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的
发展定位，持续加大对产品及核心技术的研发投入；在注重基础研究的同时，
深度拓展前沿技术的应用，推动产品的技术高效升级，力求实现产品和技术的
自主可控。
在硅基器件方面，公司已拥有“多次外延的超级结 MOSFET 设计平台”
“屏蔽栅沟槽 MOSFET 设计平台”等技术储备。
在第三代半导体器件方面，公司已在 SiC 功率器件的器件结构、关键工艺
等方面积累了较多的设计研发经验，掌握了“短沟道碳化硅 MOSFET 器件系列
产品沟道控制及其制造技术”等核心技术，拥有“一种集成肖特基二极管的短
沟道碳化硅 MOSFET 器件及其制造方法”、“碳化硅肖特基二极管的衬底减薄
方法和制作方法”、“一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法”等多项专利
储备，SiC 功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。
在功率 IC 方面，公司基于 0.5um 600V SOI BCD 和 0.18um 40V BCD 等工
艺搭建了设计平台，已拥有多项经验证的 IP 核和相关技术积累，已完成针对第
三代半导体器件的配套驱动 IC 样品试制。
公司针对光电结合的功率开关，基于 SOI 工艺平台已完成了 8V、12V、
固态继电器产品系列，相关产品已完成试制阶段认证；公司还通过二次集成已
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实现了针对不同应用的电机驱动 IPM 解决方案，已完成 500V、600V 单相、三
相驱动的 IPM 模块的试制。
未来，公司将在功率器件和模块封装可靠性、功率 IC 产品多品类研发、
SiC 高温封装应用、SiC MOSFET 光继电器以及数字电源等产品进行持续深入研
究，并进一步推动第三代半导体功率器件产品的量产落地与技术升级。
（二）公司保持技术不断创新的机制、保持技术创新的安排
半导体行业具有技术含量高、资金投入大的特点，公司需要持续研发投入
才能在市场中保持竞争优势。报告期内，公司近三年研发投入 5,546.77 万元，
年复合增长率达到 27.91%。未来，公司将加大对战略性产品的研发投入，并将
通过持续优化激励制度，增强团队的凝聚力和稳定性，进一步提升公司的自主
创新能力。公司将持续加强对核心技术的积累，在注重基础研究的同时，深度
拓展前沿技术的应用，推动产品技术的高效升级。
公司注重内部人才的培养与外部人才的引进，通过业务培训、技术研讨等
方式不断完善人才培养体系，加强人才梯队建设。公司亦通过提供行业内具有
竞争力的市场化薪酬，积极引进公司研发所需的优秀人才。报告期内，公司研
发人员数量由 2020 年初的 25 人增加至 2022 年末的 40 人。上述举措使得公司
能够不断保持人才活力，吸收前沿技术动态，保障技术创新。
发行人立足功率器件和功率 IC 产品的自主设计、研发，已建立了系统的研
发创新制度和体系。公司管理层深知人才是公司前进和发展的根本动力，在公
司内部形成了支持研发、尊重人才、提倡创新的浓厚氛围，鼓励研发人才发挥
个人能力和创新思维，助力公司产品不断创新。
八、发行人环境保护和安全生产情况
公司为采用 Fabless 经营模式的芯片设计企业，不涉及生产制造环节，除办
公人员少量生活垃圾和污水之外，不涉及环境污染物及有害物质的排放。
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九、发行人的境外经营及境外资产情况
截至本招股说明书签署日，发行人在境外未设立生产经营主体，也不存在
拥有境外资产的情况。
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第六节 财务会计信息与管理层分析
本节的财务会计数据和相关的分析说明反映了公司报告期内经审计的财务
状况、经营成果和现金流量。非经特别说明，本节所列财务数据，均引自大华
会计师的审计报告，或根据其中相关数据计算得出。公司提醒投资者关注和阅
读本招股说明书所附财务报告、审计报告全文，以获取全部的财务会计信息。
非经特别说明，本节所列财务数据均为合并口径。
一、财务报表
（一）合并资产负债表
单位：万元
资产 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
流动资产：
货币资金 9,530.50 17,794.03 7,973.28
交易性金融资产 - 994.65 -
应收票据 3,632.30 1,001.92 2,749.06
应收账款 3,962.86 2,143.10 2,735.75
应收款项融资 1,003.41 10.00 1,614.09
预付款项 1,800.53 934.04 291.83
其他应收款 508.43 1,144.54 1,031.60
存货 11,673.77 6,694.00 3,012.06
其他流动资产 109.28 1,123.61 104.47
流动资产合计 32,221.08 31,839.88 19,512.14
非流动资产：
固定资产 10,771.29 387.85 295.60
在建工程 465.95 5,527.96 26.55
使用权资产 111.46 200.47 -
无形资产 151.88 219.40 -
长期待摊费用 78.01 136.33 33.26
递延所得税资产 101.26 30.77 41.71
其他非流动资产 503.00 1,333.42 1.40
非流动资产合计 12,182.85 7,836.19 398.53
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资产 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
资产总计 44,403.93 39,676.07 19,910.67
（一）合并资产负债表（续）
单位：万元
负债和股东权益 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
流动负债：
短期借款 2,561.93 3,894.87 1,599.92
应付票据 3,208.60 2,100.00 1,175.00
应付账款 1,815.92 1,883.07 1,359.16
合同负债 1,338.73 1,717.79 391.98
应付职工薪酬 510.08 539.50 459.67
应交税费 22.93 38.74 23.21
其他应付款 12.38 - 0.22
一年内到期的非流动负债 82.87 189.77 -
其他流动负债 775.15 475.43 2,253.05
流动负债合计 10,328.58 10,839.17 7,262.21
非流动负债：
长期借款 - 850.00 -
租赁负债 25.91 99.17 -
长期应付款 62.00 26.00 -
递延所得税负债 14.85 0.50 -
非流动负债合计 102.76 975.67 -
负债合计 10,431.34 11,814.83 7,262.21
股东权益：
股本 5,526.32 5,526.32 5,000.00
资本公积 18,932.00 18,932.00 9,093.25
盈余公积 972.22 365.19 83.21
未分配利润 8,542.05 3,037.73 -1,528.01
归属于母公司股东权益合计 33,972.59 27,861.24 12,648.46
少数股东权益 - - -
股东权益合计 33,972.59 27,861.24 12,648.46
负债和股东权益总计 44,403.93 39,676.07 19,910.67
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（二）合并利润表
单位：万元
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
一、营业收入 23,538.19 20,972.89 13,698.04
减：营业成本 12,666.64 12,682.08 11,253.90
税金及附加 22.91 58.29 2.33
销售费用 773.71 664.22 334.29
管理费用 1,694.56 1,569.36 2,892.85
研发费用 2,271.95 1,886.27 1,388.55
财务费用 50.13 80.70 44.98
其中：利息费用 136.58 104.14 50.28
利息收入 92.38 26.14 7.39
加：其他收益 1,190.57 544.28 286.17
投资收益（损失以“-”号填列） 92.42 273.73 36.02
公允价值变动收益（损失以“-”
- 5.00 -
号填列）
信用减值损失（损失以“-”号填
-188.34 53.56 -17.56
列）
资产减值损失（损失以“-”号填
-549.74 -49.39 -61.47
列）
资产处置收益（损失以“-”号填
- - -
列）
二、营业利润（亏损以“-”号填
列）
加：营业外收入 - - -
减：营业外支出 0.29 - -
三、利润总额（亏损总额以“-”
号填列）
减：所得税费用 491.57 11.45 -8.82
四、净利润（净亏损以“-”号填
列）
（一）按经营持续性分类 - -
“-”号填列）
- -
“-”号填列）
（二）按所有权归属分类 - -
（净亏损以“-”号填列）
- -
”号填列）
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项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
五、其他综合收益的税后净额 - -
（一）归属于母公司所有者的其
- -
他综合收益的税后净额
（二）归属于少数股东的其他综
- -
合收益的税后净额
六、综合收益总额 6,111.35 4,847.72 -1,966.86
（一）归属于母公司所有者的综
合收益总额
（二）归属于少数股东的综合收
- -
益总额
七、每股收益： - -
（一）基本每股收益 1.11 0.94 -0.47
（二）稀释每股收益 1.11 0.94 -0.47
（三）合并现金流量表
单位：万元
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
一、经营活动产生的现金流量：
销售商品、提供劳务收到的现金 21,325.25 20,226.19 6,751.88
收到的税费返还 1,677.65 106.14 157.76
收到其他与经营活动有关的现金 2,297.18 1,217.23 981.46
经营活动现金流入小计 25,300.08 21,549.56 7,891.10
购买商品、接受劳务支付的现金 20,510.89 11,191.81 5,794.86
支付给职工以及为职工支付的现
金
支付的各项税费 1,001.66 928.29 251.35
支付其他与经营活动有关的现金 1,969.64 2,190.00 1,462.40
经营活动现金流出小计 26,415.86 16,484.37 8,886.41
经营活动产生的现金流量净额 -1,115.78 5,065.19 -995.31
二、投资活动产生的现金流量：
收回投资所收到的现金 22,589.65 36,710.35 11,550.00
取得投资收益收到的现金 97.42 273.73 36.02
处置固定资产、无形资产和其他
- - -
长期资产收回的现金净额
处置子公司及其他营业单位收到
- - -
的现金净额
收到其他与投资活动有关的现金 - - -
投资活动现金流入小计 22,687.06 36,984.09 11,586.02
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项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
购建固定资产、无形资产和其他
长期资产支付的现金
投资支付的现金 21,600.00 37,700.00 11,550.00
取得子公司及其他营业单位支付
- - -
的现金净额
支付其他与投资活动有关的现金 - - -
投资活动现金流出小计 26,514.22 45,401.89 11,674.15
投资活动产生的现金流量净额 -3,827.16 -8,417.80 -88.13
三、筹资活动产生的现金流量：
吸收投资收到的现金 - 10,000.00 5,667.88
其中：子公司吸收少数股东投资
- - -
收到的现金
取得借款收到的现金 2,559.65 4,890.38 1,598.00
收到其他与筹资活动有关的现金 - - -
筹资活动现金流入小计 2,559.65 14,890.38 7,265.88
偿还债务支付的现金 4,840.38 1,780.09 304.75
分配股利、利润或偿付利息支付
的现金
其中：子公司支付给少数股东的
- - -
股利、利润
支付其他与筹资活动有关的现金 575.80 - -
筹资活动现金流出小计 5,550.25 1,872.01 553.47
筹资活动产生的现金流量净额 -2,990.60 13,018.36 6,712.41
四、汇率变动对现金及现金等价
- -
物的影响
五、现金及现金等价物净增加额 -7,933.54 9,665.75 5,628.98
加：期初现金及现金等价物余额 17,374.03 7,708.28 2,079.31
六、期末现金及现金等价物余额 9,440.50 17,374.03 7,708.28
二、审计意见和关键审计事项
（一）审计意见
大华会计师接受公司委托，审计了公司 2020 年 12 月 31 日、2021 年 12 月
和 2022 年度的合并及母公司利润表、合并及母公司现金流量表、合并及母公司
所有者权益变动表，以及相关财务报表附注，并出具了无保留意见的《审计报
告》（大华审字[2023]001877 号）。大华会计师认为，公司财务报表在所有重
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大方面按照企业会计准则的规定编制，公允反映了公司 2020 年 12 月 31 日、
度、2021 年度和 2022 年度的合并及母公司经营成果和现金流量。
（二）关键审计事项及与财务信息相关的重大事项或重要性水平的判断标
准
大华会计师出具的《审计报告》（大华审字[2023]001877 号）中，对关键
审计事项的描述具体如下：
关键审计事项 审计中如何应对关键审计事项
一、收入确认 大华会计师针对收入确认实施的重要审计程
关 键 审 计 事 项 适 用 的 会 计 年 度 ： 2022 年 序包括：
度、2021 年度及 2020 年度。 1、了解、测试并评价锴威特公司与收入确
公司营业收入分别为人民币 235,381,937.61 2、选取样本检查销售合同，识别与商品所
元、209,728,901.39 元、136,980,424.58 元。 有权上的风险和报酬转移/控制权转移相关的
收入是锴威特公司的关键业绩指标之一，从 合同条款与条件，评价收入确认时点是否符
而存在管理层为了达到特定目标或期望而操 合企业会计准则的要求；
纵收入确认时点的固有风险，因此，我们将 3、结合产品类型对收入以及毛利情况执行
收入确认识别为关键审计事项。 分析程序，判断本报告期收入金额是否出现
异常波动的情况；
易记录选取样本，核对对应的销售合同及销
货出库单、签收单或对账单、发票等；对于
技术服务收入，核对技术服务合同、客户验
收手续、发票等资料；评价相关收入确认是
否符合锴威特公司收入确认的会计政策；
及走访程序，并将函证结果、访谈记录与锴
威特公司的记录进行核对；
选取样本，核对销货出库单、签收单或对账
单等其他支持性文档，以评价收入是否被记
录于恰当的会计期间。
二、存货的减值 大华会计师针对存货跌价准备计提实施的重
关 键 审 计 事 项 适 用 的 会 计 年 度 ： 2022 年 要审计程序包括：
度、2021 年度、2020 年度。 1、了解锴威特公司存货跌价准备计提相关
余 额 分 别 为 人 民 币 122,740,509.36 元 、 监盘，检查存货的数量、状况等，并对库龄
价准备余额分别为人民币 6,002,858.81 元、 3、取得锴威特公司存货的报告期各期末库
值 分 别 为 人 民 币 116,737,650.55 元 、 况进行分析复核，分析计提的存货跌价准备
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关键审计事项 审计中如何应对关键审计事项
货采用成本与可变现净值孰低的方法进行计 4、获取锴威特公司存货跌价准备计算表，
量，存货跌价准备计提是否充分对财务报表 执行存货减值测试，检查是否按照锴威特公
影响较大。锴威特公司以存货的估计售价减 司相关会计政策执行，检查以前年度计提的
去至完工时估计将要发生的成本、估计的销 存货跌价准备报告期的变化情况等，分析存
售费用和相关税费后的金额确定存货可变现 货跌价准备计提是否充分；
净值。管理层在确定估计售价时需要运用重 5、对管理层计算的可变现净值所涉及的重
大判断，并综合考虑存货的状态、历史售价 要假设进行评价，包括检查估计售价和至完
以及未来市场变化趋势。由于该项目涉及金 工时发生的成本、销售费用以及相关税金
额重大，并且涉及重大管理层判断，因此我 等；
们将存货跌价准备计提识别为关键审计事 6、对于已计提跌价准备的存货，选取样本
项。 通过查阅其期后销售或领用情况，评估管理
层计提的存货跌价准备是否适当。
公司根据自身所处行业和发展阶段，从项目性质和金额两方面判断财务信
息的重要性。在判断项目性质的重要性时，公司主要考虑该项目在性质上是否
属于日常活动、是否显著影响公司财务状况、经营成果和现金流量等因素；在
此基础上，公司进一步判断项目金额的重要性，主要参考以下标准：超过发行
人最近一年营业收入 1%或超过发行人最近一年营业利润 5%，以及金额虽未达
到前述标准但公司认为较为重要的相关事项。
三、影响公司经营业绩的重要因素以及对业绩变动具有较强预
示作用的财务指标和非财务指标分析
（一）影响公司经营业绩的重要因素
半导体产业是信息技术产业的核心，也是国民经济和社会发展的战略性产
业。近年来，国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展，增强
中国半导体产业创新能力和国际竞争力。2018 年，国家统计局发布了《战略性
新兴产业分类（2018）》，将“半导体分立器件制造”“集成电路设计”“金
属氧化物半导体场效应管（MOSFET）”等列为战略新兴产业。此外国家还持
续推出了各项支持半导体行业发展的政策，包括《国家信息化发展战略纲要》
《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》《中华人民共
和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要》（“十四
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五规划”）等，为功率半导体行业市场规模的增长提供了有力的政策支持，并
进一步促进了功率半导体行业健康、快速和有序的发展。
公司作为功率半导体设计公司，身处全球功率半导体的第一大市场，国内
庞大的市场需求有力带动了功率半导体产业链的发展，为功率半导体厂商的发
展提供了土壤。近年来功率半导体更是在 5G 通信、消费电子、智能家居、工
业控制、人工智能、光伏和新能源汽车等领域得到广泛应用。同时，随着在高
可靠领域国产化替代的提速，公司凭借已有的技术及产品储备和积累的客户服
务经验，将进一步扩大市场份额，将公司高性能的产品及技术服务应用到更多
高可靠领域。多重需求增长推动了功率半导体市场空间的持续扩大，也为公司
的快速发展壮大提供了良好的市场机遇。
公司采用 Fabless 经营模式，专注于功率器件和功率 IC 的设计、研发与销
售，并提供相关技术服务。公司将晶圆制造、封装和测试等生产环节外包给第
三方晶圆制造和封装测试企业完成，属于轻资产运营模式，能够快速响应市场
需求变化。公司营业成本主要由晶圆采购成本和封测费用等构成，晶圆采购和
封测成本的变动会直接影响公司的主营业务成本，进而影响公司的毛利和净利
润。随着我国半导体行业产能的扩张，以及受益于公司的销售规模扩大形成的
规模效应，公司有望进一步优化成本构成，提升盈利能力。
公司自成立之初，即构建了功率器件和功率 IC 产品双轮驱动的业务模式，
主营产品包括平面 MOSFET、SiC 功率器件等功率器件产品以及功率 IC 产品，
同时存在技术服务收入。报告期内，各类产品及服务的收入占比存在一定波动，
并且同一类产品的中测后晶圆、封装成品、裸芯等产品形态的收入占比也存在
一定波动，公司不同种类及形态的产品的毛利率有所差异。随着公司功率 IC、
FRMOS 等毛利率较高的产品收入占比提升，公司的盈利水平亦有所提升。
除上述因素外，税收优惠政策、政府补助等因素亦会对公司经营业绩产生
一定影响。具体详见本节“十、经营成果分析”。
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（二）对公司业绩变动具有较强预示作用的财务指标和非财务指标
主营业务收入增长率可用来判断公司业务的竞争力和发展所处阶段。报告
期内，公司主营业务收入分别为 13,383.49 万元、20,318.15 万元和 22,705.64 万
元，占当期营业收入的比重均在 96%以上，近三个完整年度的复合增长率为
较强的竞争力。
毛利率可用来判断公司的产品议价能力、对采购成本的控制能力等，报告
期内，公司主营业务毛利率分别为 18.17%、39.71%和 45.14%，公司主营业务
收入增长的同时毛利率在 2021 年和 2022 年提升明显，较高的毛利率为公司提
供了良好的盈利空间，也代表着公司产品的综合市场竞争力。
关于主营业务收入和毛利率的具体分析，详见本节“十、经营成果分析”。
研发投入占比则可用来判断公司持续创新能力、持续盈利能力和未来发展
水平。公司研发投入水平较高，报告期内，研发费用分别为 1,388.55 万元、
期营业收入的比例分别为 10.14%、8.99%和 9.65%，相比同行业处于较高水平。
此外，报告期期末公司研发人员为 40 人，占员工总数的比例为 42.11%，研发
人员占比较高。持续较高的研发投入对公司业绩变动具有较强的预示作用。
指标
公司产品规格的数量可以判断公司业绩的增长潜力。近年来，公司在主营
的功率器件和功率 IC 产品方面，持续增加产品的研发设计投入和提高开发效率，
拥有 700 余款产品，丰富的产品能够满足客户的多样性需求。
下游标杆客户的认证可以判断公司销售渠道的拓展情况和市场认可度。凭
借产品可靠性高、参数一致性好等特点，公司迅速在细分领域打开市场，产品
广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域，客户包括以晶丰明源、必易微、
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芯朋微、灿瑞科技为代表的芯片设计公司及多家高可靠领域客户，并且产品已
被小米、美的、雷士照明、佛山照明等终端客户所采用。
上述相关指标表明公司主营业务发展良好，产品具有较强的竞争力、创新
能力和较高的客户认可度，在行业市场环境整体向好及公司持续进行产品技术
创新的背景下，公司可以继续保持良好的发展趋势并不断增强市场竞争力。
四、分部信息
公司以内部组织结构、管理要求、内部报告制度等为依据确定报告分部，
并以产品分部为基础确定报告分部。具体详见本节“十、经营成果分析”之
“（一）营业收入分析”与“（二）营业成本分析”。
五、合并财务报表的编制基础、合并范围及变化情况
（一）财务报表的编制基础
公司根据实际发生的交易和事项，按照财政部颁布的《企业会计准则——
基本准则》和具体企业会计准则、企业会计准则应用指南、企业会计准则解释
及其他相关规定（以下合称“企业会计准则”）进行确认和计量，在此基础上，
结合中国证券监督管理委员会《公开发行证券的公司信息披露编报规则第 15 号
——财务报告的一般规定》（2014 年修订）的规定，编制财务报表。
公司对自报告期末起 12 个月的持续经营能力进行了评价，未发现对持续经
营能力产生重大怀疑的事项或情况。因此，财务报表系在持续经营假设的基础
上编制。
公司会计核算以权责发生制为记账基础。除某些金融工具以公允价值计量
外，财务报表以历史成本作为计量基础。资产如果发生减值，则按照相关规定
计提相应的减值准备。
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（二）合并报表范围及其变化
报告期内，公司合并财务报表范围内子公司如下：
是否纳入合并财务报表范围
子公司名称
西安锴威 是 是 是
报告期内，公司合并财务报表范围未发生变化。
六、主要会计政策和会计估计
报告期内，公司全部会计政策和会计估计请参见大华会计师出具的《审计
报告》（大华审字[2023]001877 号），公司主要的会计政策及会计估计具体情
况如下：
（一）收入
公司与客户之间的销售合同通常为商品转让、技术服务等产品的单项履约
义务，属于某一时点履行的履约义务。本公司的收入主要来源于如下业务类型：
①晶圆、封装成品等产品销售；②技术服务。
（1）收入确认的一般原则
本公司在履行了合同中的履约义务，即在客户取得相关商品或服务控制权
时，按照分摊至该项履约义务的交易价格确认收入。
履约义务，是指合同中本公司向客户转让可明确区分商品或服务的承诺。
取得相关商品控制权，是指能够主导该商品的使用并从中获得几乎全部的
经济利益。
本公司在合同开始日即对合同进行评估，识别该合同所包含的各单项履约
义务，并确定各单项履约义务是在某一时段内履行，还是某一时点履行。满足
下列条件之一的，属于在某一时间段内履行的履约义务，本公司按照履约进度，
在一段时间内确认收入：
①客户在本公司履约的同时即取得并消耗本公司履约所带来的经济利益；
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②客户能够控制本公司履约过程中在建的商品；
③本公司履约过程中所产出的商品具有不可替代用途，且本公司在整个合
同期间内有权就累计至今已完成的履约部分收取款项。否则，本公司在客户取
得相关商品或服务控制权的时点确认收入。
对于在某一时段内履行的履约义务，本公司根据商品和劳务的性质，采用
投入法确定恰当的履约进度。产出法是根据已转移给客户的商品对于客户的价
值确定履约进度（投入法是根据公司为履行履约义务的投入确定履约进度）。
当履约进度不能合理确定时，公司已经发生的成本预计能够得到补偿的，按照
已经发生的成本金额确认收入，直到履约进度能够合理确定为止。
（2）收入确认的具体方法
①晶圆、封装成品等产品销售：公司根据客户订单将产品发运至指定地点，
货物经签收或验收后确认收入，以取得的签收单或对账单等作为依据。
②技术服务：合同约定的产品或项目开发完成并经客户验收后确认收入。
对于附有技术服务费返还条款的技术服务项目，公司的收入确认方法如下：
A.收取客户技术服务费用
公司与客户订立技术服务合同后，收取技术服务费时，基于合同预期履行
情况，所收取的技术服务费向客户返还的可能性较大；因此，公司基于谨慎考
虑将已收取的技术服务费暂不确认收入，而是作为预收款项处理，计入合同负
债科目。
B.客户采购量达到合同约定并触发返还条款
当客户向公司采购达到合同约定的采购量时，公司根据合同约定将已收取
的技术服务费款项予以返还或抵减货款。
C.客户采购量未达到合同约定或提前取消合同
当客户采购量未达到合同约定或提前取消合同时，公司已收取的技术服务
费款项无需向客户返还。公司将已收取的款项确认为技术服务收入。
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公司晶圆、封装成品等产品和技术服务的成本核算及结转方法如下：
（1）晶圆、封装成品等产品的成本归集及结转
直接委外模式下晶圆成本为直接采购的晶圆材料成本；带料委外模式下晶
圆成本为外延片采购成本加上晶圆加工费之和。晶圆采购入库后，公司晶圆成
本归集至库存商品-晶圆。
封装成品的成本为晶圆材料成本与封测厂的封测加工费之和。公司根据封
测厂提供的结算单据，确认实际各委外加工批次的产品数量及封测费金额；对
于运营部门申请的封测任务单，将封测加工费与对应委外加工批次材料成本一
并结转至库存商品-封装成品。
公司根据当月中测后晶圆、封装成品等产品的实际销售数量，按月末一次
加权平均结转库存商品金额至主营业务成本。
（2）技术服务的成本归集及结转
公司技术服务的成本构成为样品试制成本（掩膜版、晶圆试制和封测成
本）、项目人工成本以及其他成本。研发部门按具体技术服务项目向运营部门
下达晶圆代工需求、委外封测需求，晶圆代工和封测完成入库后，财务部门根
据所属项目将样品试制成本、项目人工成本以及其他成本直接归集至相应的技
术服务项目，并计入合同履约成本-XX 项目。
技术服务项目经客户验收合格后，公司一次性将该项目的合同履约成本结
转至主营业务成本。
（二）金融工具
本公司在成为金融工具合同的一方时确认一项金融资产或金融负债。
实际利率法是指计算金融资产或金融负债的摊余成本以及将利息收入或利
息费用分摊计入各会计期间的方法。
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实际利率，是指将金融资产或金融负债在预计存续期的估计未来现金流量，
折现为该金融资产账面余额或该金融负债摊余成本所使用的利率。在确定实际
利率时，在考虑金融资产或金融负债所有合同条款（如提前还款、展期、看涨
期权或其他类似期权等）的基础上估计预期现金流量，但不考虑预期信用损失。
金融资产或金融负债的摊余成本是以该金融资产或金融负债的初始确认金
额扣除已偿还的本金，加上或减去采用实际利率法将该初始确认金额与到期日
金额之间的差额进行摊销形成的累计摊销额，再扣除累计计提的损失准备（仅
适用于金融资产）。
本公司对以摊余成本计量的金融资产、合同资产、不属于以公允价值计量
且其变动计入当期损益的金融负债的贷款承诺、不属于以公允价值计量且其变
动计入当期损益的金融负债以及因金融资产转移不符合终止确认条件或继续涉
入被转移金融资产所形成金融负债的财务担保合同以预期信用损失为基础进行
减值会计处理并确认损失准备。
预期信用损失，是指以发生违约的风险为权重的金融工具信用损失的加权
平均值。信用损失，是指本公司按照原实际利率折现的、根据合同应收的所有
合同现金流量与预期收取的所有现金流量之间的差额，即全部现金短缺的现值。
其中，对于本公司购买或源生的已发生信用减值的金融资产，应按照该金融资
产经信用调整的实际利率折现。
对由收入准则规范的交易形成的应收款项，本公司运用简化计量方法，按
照相当于整个存续期内预期信用损失的金额计量损失准备。
对于购买或源生的已发生信用减值的金融资产，在资产负债表日仅将自初
始确认后整个存续期内预期信用损失的累计变动确认为损失准备。在每个资产
负债表日，将整个存续期内预期信用损失的变动金额作为减值损失或利得计入
当期损益。即使该资产负债表日确定的整个存续期内预期信用损失小于初始确
认时估计现金流量所反映的预期信用损失的金额，也将预期信用损失的有利变
动确认为减值利得。
除上述采用简化计量方法和购买或源生的已发生信用减值以外的其他金融
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资产，本公司在每个资产负债表日评估相关金融工具的信用风险自初始确认后
是否已显著增加，并按照下列情形分别计量其损失准备、确认预期信用损失及
其变动：
则按照相当于该金融工具未来 12 个月内预期信用损失的金额计量其损失准备，
并按照账面余额和实际利率计算利息收入。
值的，处于第二阶段，则按照相当于该金融工具整个存续期内预期信用损失的
金额计量其损失准备，并按照账面余额和实际利率计算利息收入。
公司按照相当于该金融工具整个存续期内预期信用损失的金额计量其损失准备，
并按照摊余成本和实际利率计算利息收入。
金融工具信用损失准备的增加或转回金额，作为减值损失或利得计入当期
损益。除分类为以公允价值计量且其变动计入其他综合收益的金融资产外，信
用损失准备抵减金融资产的账面余额。对于分类为以公允价值计量且其变动计
入其他综合收益的金融资产，本公司在其他综合收益中确认其信用损失准备，
不减少该金融资产在资产负债表中列示的账面价值。
本公司在前一会计期间已经按照相当于金融工具整个存续期内预期信用损
失的金额计量了损失准备，但在当期资产负债表日，该金融工具已不再属于自
初始确认后信用风险显著增加的情形的，本公司在当期资产负债表日按照相当
于未来 12 个月内预期信用损失的金额计量该金融工具的损失准备，由此形成的
损失准备的转回金额作为减值利得计入当期损益。
（1）信用风险显著增加
本公司利用可获得的合理且有依据的前瞻性信息，通过比较金融工具在资
产负债表日发生违约的风险与在初始确认日发生违约的风险，以确定金融工具
的信用风险自初始确认后是否已显著增加。对于财务担保合同，本公司在应用
金融工具减值规定时，将本公司成为做出不可撤销承诺的一方之日作为初始确
认日。
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本公司在评估信用风险是否显著增加时会考虑如下因素：
①债务人经营成果实际或预期是否发生显著变化；
②债务人所处的监管、经济或技术环境是否发生显著不利变化；
③作为债务抵押的担保物价值或第三方提供的担保或信用增级质量是否发
生显著变化，这些变化预期将降低债务人按合同规定期限还款的经济动机或者
影响违约概率；
④债务人预期表现和还款行为是否发生显著变化；
⑤本公司对金融工具信用管理方法是否发生变化等。
于资产负债表日，若本公司判断金融工具只具有较低的信用风险，则本公
司假定该金融工具的信用风险自初始确认后并未显著增加。如果金融工具的违
约风险较低，借款人在短期内履行其合同现金流量义务的能力很强，并且即使
较长时期内经济形势和经营环境存在不利变化，但未必一定降低借款人履行其
合同现金流量义务的能力，则该金融工具被视为具有较低的信用风险。
（2）已发生信用减值的金融资产
当对金融资产预期未来现金流量具有不利影响的一项或多项事件发生时，
该金融资产成为已发生信用减值的金融资产。金融资产已发生信用减值的证据
包括下列可观察信息：
①发行方或债务人发生重大财务困难；
②债务人违反合同，如偿付利息或本金违约或逾期等；
③债权人出于与债务人财务困难有关的经济或合同考虑，给予债务人在任
何其他情况下都不会做出的让步；
④债务人很可能破产或进行其他财务重组；
⑤发行方或债务人财务困难导致该金融资产的活跃市场消失；
⑥以大幅折扣购买或源生一项金融资产，该折扣反映了发生信用损失的事
实。
金融资产发生信用减值，有可能是多个事件的共同作用所致，未必是可单
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独识别的事件所致。
（3）预期信用损失的确定
本公司基于单项和组合评估金融工具的预期信用损失，在评估预期信用损
失时，考虑有关过去事项、当前状况以及未来经济状况预测的合理且有依据的
信息。
本公司以共同信用风险特征为依据，将金融工具分为不同组合。本公司采
用的共同信用风险特征包括：金融工具类型、账龄组合等。相关金融工具的单
项评估标准和组合信用风险特征详见相关金融工具的会计政策。
本公司按照下列方法确定相关金融工具的预期信用损失：
①对于金融资产，信用损失为本公司应收取的合同现金流量与预期收取的
现金流量之间差额的现值；
②对于租赁应收款项，信用损失为本公司应收取的合同现金流量与预期收
取的现金流量之间差额的现值；
③对于财务担保合同，信用损失为本公司就该合同持有人发生的信用损失
向其做出赔付的预计付款额，减去本公司预期向该合同持有人、债务人或任何
其他方收取的金额之间差额的现值；
④对于资产负债表日已发生信用减值但并非购买或源生已发生信用减值的
金融资产，信用损失为该金融资产账面余额与按原实际利率折现的估计未来现
金流量的现值之间的差额。
本公司计量金融工具预期信用损失的方法反映的因素包括：通过评价一系
列可能的结果而确定的无偏概率加权平均金额；货币时间价值；在资产负债表
日无须付出不必要的额外成本或努力即可获得的有关过去事项、当前状况以及
未来经济状况预测的合理且有依据的信息。
（4）减记金融资产
当本公司不再合理预期金融资产合同现金流量能够全部或部分收回的，直
接减记该金融资产的账面余额。这种减记构成相关金融资产的终止确认。
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（三）应收票据
本公司对应收票据的预期信用损失的确定方法及会计处理方法详见本节
“六、主要会计政策和会计估计”之“（二）金融工具”之“1、金融工具减
值”。
对于应收票据，本公司按照相当于整个存续期内预期信用损失的金额计量
其损失准备，由此形成的损失准备的增加或转回金额，作为减值损失或利得计
入当期损益。
当在单项工具层面无法以合理成本评估预期信用损失的充分证据时，本公
司参考历史信用损失经验，结合当前状况以及对未来经济状况的判断，依据信
用风险特征将应收票据划分为若干组合，在组合基础上计算预期信用损失。确
定组合的依据如下：
组合名称 确定组合的依据 计提方法
银行承兑汇票总体风险较低，参考历史信用损
银行承兑汇票 承兑机构 失经验，结合当前状况以及对未来经济状况的
预期计提预期信用损失
参考历史信用损失经验，结合当前状况以及对
未来经济状况的预测，按照应收账款连续账龄
商业承兑汇票 承兑机构 计算的原则编制商业承兑汇票的账龄，并根据
整个存续期预期信用损失率对照表，计算预期
信用损失
（四）应收账款
本公司对应收账款的预期信用损失的确定方法及会计处理方法详见本节
“六、主要会计政策和会计估计”之“（二）金融工具”之“1、金融工具减
值”。
对于应收账款，无论是否包含重大融资成分，本公司始终按照相当于整个
存续期内预期信用损失的金额计量其损失准备，由此形成的损失准备的增加或
转回金额，作为减值损失或利得计入当期损益。
本公司对存在客观证据表明将无法按原有条款收回的应收账款单独确定其
信用损失；当在单项工具层面无法以合理成本评估预期信用损失的充分证据时，
本公司参考历史信用损失经验，结合当前状况以及对未来经济状况的判断，依
据信用风险特征将应收账款划分为若干组合，在组合基础上计算预期信用损失。
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确定组合的依据如下：
组合名称 确定组合的依据 计提方法
本组合以应收款项 参考历史信用损失经验，结合当前状况以及对未来经
销售货款 的账龄作为信用风 济状况的预测，编制应收账款账龄与整个存续期预期
险特征 信用损失率对照表，计算预期信用损失。
（五）存货
存货是指本公司在日常活动中持有以备出售的产成品或商品、处在生产过
程中的在产品、在生产过程或提供劳务过程中耗用的材料和物料等。主要包括
原材料、委托加工物资、库存商品、发出商品、合同履约成本等。
存货在取得时，按成本进行初始计量，包括采购成本、加工成本和其他成
本。存货发出时按月末一次加权平均法计价。
期末对存货进行全面清查后，按存货的成本与可变现净值孰低提取或调整
存货跌价准备。产成品、库存商品和用于出售的材料等直接用于出售的商品存
货，在正常生产经营过程中，以该存货的估计售价减去估计的销售费用和相关
税费后的金额，确定其可变现净值；需要经过加工的材料存货，在正常生产经
营过程中，以所生产的产成品的估计售价减去至完工时估计将要发生的成本、
估计的销售费用和相关税费后的金额，确定其可变现净值；为执行销售合同或
者劳务合同而持有的存货，其可变现净值以合同价格为基础计算，若持有存货
的数量多于销售合同订购数量的，超出部分的存货的可变现净值以一般销售价
格为基础计算。
期末按照单个存货项目计提存货跌价准备；但对于数量繁多、单价较低的
存货，按照存货类别计提存货跌价准备；与在同一地区生产和销售的产品系列
相关、具有相同或类似最终用途或目的，且难以与其他项目分开计量的存货，
则合并计提存货跌价准备。
以前减记存货价值的影响因素已经消失的，减记的金额予以恢复，并在原
已计提的存货跌价准备金额内转回，转回的金额计入当期损益。
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采用永续盘存制。
（1）低值易耗品采用一次转销法；
（2）包装物采用一次转销法；
（3）其他周转材料采用一次转销法摊销。
（六）固定资产
固定资产指为生产商品、提供劳务、出租或经营管理而持有，并且使用寿
命超过一个会计年度的有形资产。固定资产在同时满足下列条件时予以确认：
（1）与该固定资产有关的经济利益很可能流入企业；
（2）该固定资产的成本能够可靠地计量。
本公司固定资产按成本进行初始计量。
（1）外购的固定资产的成本包括买价、进口关税等相关税费，以及为使固
定资产达到预定可使用状态前所发生的可直接归属于该资产的其他支出。
（2）自行建造固定资产的成本，由建造该项资产达到预定可使用状态前所
发生的必要支出构成。
（3）投资者投入的固定资产，按投资合同或协议约定的价值作为入账价值，
但合同或协议约定价值不公允的按公允价值入账。
（4）购买固定资产的价款超过正常信用条件延期支付，实质上具有融资性
质的，固定资产的成本以购买价款的现值为基础确定。实际支付的价款与购买
价款的现值之间的差额，除应予资本化的以外，在信用期间内计入当期损益。
（1）固定资产折旧
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固定资产折旧按其入账价值减去预计净残值后在预计使用寿命内计提。对
计提了减值准备的固定资产，则在未来期间按扣除减值准备后的账面价值及依
据尚可使用年限确定折旧额；已提足折旧仍继续使用的固定资产不计提折旧。
本公司根据固定资产的性质和使用情况，确定固定资产的使用寿命和预计
净残值。并在年度终了，对固定资产的使用寿命、预计净残值和折旧方法进行
复核，如与原先估计数存在差异的，进行相应的调整。
各类固定资产的折旧方法、折旧年限和年折旧率如下：
折旧年限 年折旧率
类别 折旧方法 残值率（%）
（年） （%）
房屋及建筑物 年限平均法 20 5 4.75
房屋及建筑物-装修改造 年限平均法 5 0 20
机器设备 年限平均法 10 5 9.5
运输工具 年限平均法 4 5 23.75
电子设备 年限平均法 3-5 5 19-31.67
办公家具及其他 年限平均法 3 5 31.67
（2）固定资产的后续支出
与固定资产有关的后续支出，符合固定资产确认条件的，计入固定资产成
本；不符合固定资产确认条件的，在发生时计入当期损益。
（3）固定资产处置
当固定资产被处置、或者预期通过使用或处置不能产生经济利益时，终止
确认该固定资产。固定资产出售、转让、报废或毁损的处置收入扣除其账面价
值和相关税费后的金额计入当期损益。
（七）股份支付
本公司的股份支付分为以权益结算的股份支付和以现金结算的股份支付。
对于授予的存在活跃市场的期权等权益工具，按照活跃市场中的报价确定
其公允价值。对于授予的不存在活跃市场的期权等权益工具，采用期权定价模
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型等确定其公允价值，选用的期权定价模型考虑以下因素：（1）期权的行权价
格；（2）期权的有效期；（3）标的股份的现行价格；（4）股价预计波动率；
（5）股份的预计股利；（6）期权有效期内的无风险利率。
在确定权益工具授予日的公允价值时，考虑股份支付协议规定的可行权条
件中的市场条件和非可行权条件的影响。股份支付存在非可行权条件的，只要
职工或其他方满足了所有可行权条件中的非市场条件（如服务期限等），即确
认已得到服务相对应的成本费用。
等待期内每个资产负债表日，根据最新取得的可行权职工人数变动等后续
信息作出最佳估计，修正预计可行权的权益工具数量。在可行权日，最终预计
可行权权益工具的数量与实际可行权数量一致。
以权益结算的股份支付，按授予职工权益工具的公允价值计量。授予后立
即可行权的，在授予日按照权益工具的公允价值计入相关成本或费用，相应增
加资本公积。在完成等待期内的服务或达到规定业绩条件才可行权的，在等待
期内的每个资产负债表日，以对可行权权益工具数量的最佳估计为基础，按照
权益工具授予日的公允价值，将当期取得的服务计入相关成本或费用和资本公
积。在可行权日之后不再对已确认的相关成本或费用和所有者权益总额进行调
整。
以现金结算的股份支付，按照本公司承担的以股份或其他权益工具为基础
计算确定的负债的公允价值计量。授予后立即可行权的，在授予日以本公司承
担负债的公允价值计入相关成本或费用，相应增加负债。在完成等待期内的服
务或达到规定业绩条件以后才可行权的以现金结算的股份支付，在等待期内的
每个资产负债表日，以对可行权情况的最佳估计为基础，按照本公司承担负债
的公允价值金额，将当期取得的服务计入成本或费用和相应的负债。在相关负
债结算前的每个资产负债表日以及结算日，对负债的公允价值重新计量，其变
动计入当期损益。
若在等待期内取消了授予的权益工具，本公司对取消所授予的权益性工具
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作为加速行权处理，将剩余等待期内应确认的金额立即计入当期损益，同时确
认资本公积。职工或其他方能够选择满足非可行权条件但在等待期内未满足的，
本公司将其作为授予权益工具的取消处理。
（八）政府补助
政府补助，是本公司从政府无偿取得的货币性资产与非货币性资产。根据
相关政府文件规定的补助对象，将政府补助划分为与资产相关的政府补助和与
收益相关的政府补助。
与资产相关的政府补助，是指本公司取得的、用于购建或以其他方式形成
长期资产的政府补助。与收益相关的政府补助，是指除与资产相关的政府补助
之外的政府补助。
对期末有证据表明公司能够符合财政扶持政策规定的相关条件且预计能够
收到财政扶持资金的，按应收金额确认政府补助。除此之外，政府补助均在实
际收到时确认。
政府补助为货币性资产的，按照收到或应收的金额计量。政府补助为非货
币性资产的，按照公允价值计量；公允价值不能够可靠取得的，按照名义金额
（人民币 1 元）计量。按照名义金额计量的政府补助，直接计入当期损益。
本公司根据经济业务的实质，确定某一类政府补助业务应当采用总额法还
是净额法进行会计处理。通常情况下，本公司对于同类或类似政府补助业务只
选用一种方法，且对该业务一贯地运用该方法。
项目 核算内容
采用总额法核算的政府补助类别 报告期内所有政府补助
与资产相关的政府补助，应当冲减相关资产的账面价值或确认为递延收益。
与资产相关的政府补助确认为递延收益的，在所建造或购买资产使用寿命内按
照合理、系统的方法分期计入损益。
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与收益相关的政府补助，用于补偿企业以后期间的相关费用或损失的，确
认为递延收益，在确认相关费用或损失的期间计入当期损益或冲减相关成本；
用于补偿企业已发生的相关费用或损失的，取得时直接计入当期损益或冲减相
关成本。
与企业日常活动相关的政府补助计入其他收益或冲减相关成本费用；与企
业日常活动无关的政府补助计入营业外收支。
收到与政策性优惠贷款贴息相关的政府补助冲减相关借款费用；取得贷款
银行提供的政策性优惠利率贷款的，以实际收到的借款金额作为借款的入账价
值，按照借款本金和该政策性优惠利率计算相关借款费用。
已确认的政府补助需要返还时，初始确认时冲减相关资产账面价值的，调
整资产账面价值；存在相关递延收益余额的，冲减相关递延收益账面余额，超
出部分计入当期损益；不存在相关递延收益的，直接计入当期损益。
（九）递延所得税资产和递延所得税负债
递延所得税资产和递延所得税负债根据资产和负债的计税基础与其账面价
值的差额（暂时性差异）计算确认。于资产负债表日，递延所得税资产和递延
所得税负债，按照预期收回该资产或清偿该负债期间的适用税率计量。
本公司以很可能取得用来抵扣可抵扣暂时性差异、能够结转以后年度的可
抵扣亏损和税款抵减的应纳税所得额为限，确认由可抵扣暂时性差异产生的递
延所得税资产。但是，同时具有下列特征的交易中因资产或负债的初始确认所
产生的递延所得税资产不予确认：（1）该交易不是企业合并；（2）交易发生
时既不影响会计利润也不影响应纳税所得额或可抵扣亏损。
对于与联营企业投资相关的可抵扣暂时性差异，同时满足下列条件的，确
认相应的递延所得税资产：暂时性差异在可预见的未来很可能转回，且未来很
可能获得用来抵扣可抵扣暂时性差异的应纳税所得额。
公司将当期与以前期间应交未交的应纳税暂时性差异确认为递延所得税负
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债。但不包括：
（1）商誉的初始确认所形成的暂时性差异；
（2）非企业合并形成的交易或事项，且该交易或事项发生时既不影响会计
利润，也不影响应纳税所得额（或可抵扣亏损）所形成的暂时性差异；
（3）对于与子公司、联营企业投资相关的应纳税暂时性差异，该暂时性差
异转回的时间能够控制并且该暂时性差异在可预见的未来很可能不会转回。
净额列示
（1）企业拥有以净额结算当期所得税资产及当期所得税负债的法定权利；
（2）递延所得税资产和递延所得税负债是与同一税收征管部门对同一纳税
主体征收的所得税相关或者对不同的纳税主体相关，但在未来每一具有重要性
的递延所得税资产和递延所得税负债转回的期间内，涉及的纳税主体体意图以
净额结算当期所得税资产及当期所得税负债或是同时取得资产、清偿债务。
（十）重要会计政策、会计估计的变更
会计政策变更的内容和原因 备注
本公司自 2021 年 1 月 1 日起执行财政部 2018 年修订的《企业会计准则第 21 号
（1）
——租赁》
本公司自 2021 年 2 月 2 日起执行财政部 2021 年发布的《企业会计准则解释第
（2）
本公司自 2021 年 12 月 31 日起执行财政部 2021 年发布的《企业会计准则解释
（3）
第 15 号》
本公司自 2022 年 12 月 13 日起执行财政部 2022 年发布的《企业会计准则解释
（4）
第 16 号》
（1）执行新租赁准则对本公司的影响
本公司自 2021 年 1 月 1 日起执行财政部 2018 年修订的《企业会计准则第
在首次执行日，本公司选择不重新评估此前已存在的合同是否为租赁或是
否包含租赁，并将此方法一致应用于所有合同，因此仅对上述在原租赁准则下
识别为租赁的合同采用本准则衔接规定。
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本公司对低价值资产租赁的会计政策为不确认使用权资产和租赁负债。根
据新租赁准则的衔接规定，本公司在首次执行日前的低价值资产租赁，自首次
执行日起按照新租赁准则进行会计处理，不对低价值资产租赁进行追溯调整。
执行新租赁准则对 2021 年 1 月 1 日财务报表相关项目的影响列示如下：
单位：万元
项目 2020 年 12 月 31 日 累积影响金额 2021 年 1 月 1 日
预付账款 291.83 -12.45 279.38
使用权资产 - 202.91 202.91
资产合计 19,910.67 190.46 20,101.13
一年内到期的非
- 88.14 88.14
流动负债
租赁负债 - 102.32 102.32
负债合计 7,262.21 190.46 7,452.67
注 1：上表仅呈列受影响的财务报表项目，不受影响的财务报表项目不包括在内，因
此所披露的小计和合计无法根据上表中呈列的数字重新计算得出
注 2：于 2021 年 1 月 1 日，对本公司除短期租赁及低价值租赁以外的经营租赁进行重
新计量，将未支付的租赁付款额按照各租赁主体增量借款利率的加权平均值折现确认使用
权资产金额 202.91 万元，同时增加租赁负债。公司已预付与租赁相关的款项抵减租赁负债
原值，减少预付账款期初余额 12.45 万元
注 3：于 2021 年 1 月 1 日，对本公司一年内到期的租赁负债重分类至一年内到期的非
流动负债，增加一年内到期的非流动负债 88.14 万元，同时减少租赁负债
注 4：首次执行日计入资产负债表的租赁负债所采用的承租人增量借款利率的加权平
均值分别为 4.1756%
（2）执行企业会计准则解释第 14 号对本公司的影响
〔2021〕1 号，以下简称“解释 14 号”），自 2021 年 2 月 2 日起施行（以下简
称“施行日”）。
本公司自施行日起执行解释 14 号，执行解释 14 号对本报告期内财务报表
无重大影响。
（3）执行企业会计准则解释第 15 号对本公司的影响
〔2021〕35 号，以下简称“解释 15 号”），其中“关于资金集中管理相关列
报”内容自发布之日起施行，“关于企业将固定资产达到预定可使用状态前或
者研发过程中产出的产品或副产品对外销售的会计处理（以下简称‘试运行销
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售’）”和“关于亏损合同的判断”内容自 2022 年 1 月 1 日起施行。
本公司自 2022 年 1 月 1 日起执行解释 15 号，执行解释 15 号对可比期间财
务报表无重大影响。
（4）执行企业会计准则解释第 16 号对本公司的影响
〔2022〕31 号，以下简称“解释 16 号”），解释 16 号三个事项的会计处理中：
“关于单项交易产生的资产和负债相关的递延所得税不适用初始确认豁免的会
计处理”自 2023 年 1 月 1 日起施行，允许企业自发布年度提前执行，本公司在
金融工具相关股利的所得税影响的会计处理”及“关于企业将以现金结算的股
份支付修改为以权益结算的股份支付的会计处理”内容自公布之日起施行。
本公司自 2022 年 12 月 13 日起执行解释 16 号，执行解释 16 号对本报告期
内财务报表无影响。
本报告期主要会计估计未发生变更。
七、非经常性损益情况
（一）注册会计师鉴证的非经常性损益情况
根据大华会计师出具的《非经常性损益鉴证报告》（大华核字
[2023]002299 号），报告期内，公司非经常性损益情况如下：
单位：万元
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
计入当期损益的政府补助（与企业业务密
切相关，按照国家统一标准定额或定量享 1,188.06 542.16 286.15
受的政府补助除外）
除同公司正常经营业务相关的有效套期保
值业务外，持有交易性金融资产、交易性
金融负债产生的公允价值变动损益，以及 92.42 278.74 36.02
处置交易性金融资产、交易性金融负债、
债权投资和其他债权投资取得的投资收益
除上述各项之外的其他营业外收入和支出 -0.29 - -
个税手续费返还 2.51 2.12 0.02
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项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
其他符合非经常性损益定义的损益项目 - -365.06 -2,109.30
小计 1,282.70 457.95 -1,787.11
减：所得税影响额 128.29 - -
归属于母公司普通股股东的非经常性损益
净额
归属于母公司普通股股东的净利润 6,111.35 4,847.72 -1,966.86
扣除非经常性损益后归属于母公司普通股
股东的净利润
注：报告期内，公司其他符合非经常性损益定义的损益项目分别为-2,109.30 万元、-
（二）非经常性损益对经营成果的影响
报告期内，公司归属于母公司普通股股东的非经常性损益净额分别为-
股份支付会计处理产生的期间费用。报告期内，扣除非经常性损益后归属于母
公司普通股股东的净利润分别为-179.75 万元、4,389.76 万元和 4,956.95 万元。
公司作为从事功率器件和功率 IC 的设计、研发和销售业务的高新技术企业，
在芯片产业国产替代的大背景下，持续得到政府部门的重点支持。报告期内，
计入当期损益的政府补助较多，同时，公司实施了股权激励，因此非经常性损
益金额较大。随着公司生产规模逐年扩大，公司盈利能力不断提升，非经常性
损益对经营成果的影响将逐渐降低。
八、主要税收政策、缴纳的主要税种及其法定税率
（一）公司主要税种和税率
税种 计税依据 税率
境内销售；提供加工、修理修配劳务 13%
增值税
其他应税销售服务行为 6%
城市维护建设税 实缴流转税税额 5%、7%
企业所得税 应纳税所得额 25%、12.50%、10%、0%
按照房产原值的 70%（或租金收入）为
房产税 1.2%
纳税基准
（二）公司及所属子公司执行的所得税税率
纳税主体名称 所得税税率（税收优惠后实际执行税率）
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锴威特 10% 免税 12.50%
西安锴威 25% 25% 25%
（三）税收优惠
根据《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策
的通知》（国发〔2011〕4 号）、《财政部 国家税务总局关于进一步鼓励软件
产业和集成电路产业发展企业所得税政策的通知》（财税〔2012〕27 号）的规
定，对我国境内新办集成电路设计企业和符合条件的软件企业，经认定后，在
优惠政策。
根据《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若
干政策的通知》（国发〔2020〕8 号）、《财政部 税务总局 发展改革委 工业和
信息化部关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》
（财政部 税务总局 发展改革委 工业和信息化部公告 2020 年第 45 号公告）的
规定，对国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业，经认定后，自获利年
度起，第一年至第五年免征企业所得税，接续年度减按 10%的税率征收企业所
得税。符合原有政策条件且在 2019 年（含）之前已经进入优惠期的企业或项目，
继续享受至期满为止，如也符合本公告第一条至第四条规定，可按本公告规定
享受相关优惠，其中定期减免税优惠，可按本公告规定计算优惠期，并就剩余
期限享受优惠至期满为止。
公司于 2020 年 12 月通过高新技术企业认定，有效期三年，同时也享受高
新技术企业的所得税税率优惠政策。
根据上述对公司更有利的优惠政策，公司 2020 年按 12.5%的企业所得税税
率计缴企业所得税；2021 年免征企业所得税；2022 年按 10%的企业所得税税率
计缴企业所得税。
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根据《财政部 国家税务总局关于全面推开营业税改征增值税试点的通知》
（财税〔2016〕36 号）之《营业税改征增值税试点过渡政策的规定》，纳税人
提供技术转让、技术开发和与之相关的技术咨询、技术服务免征增值税。本公
司报告期从事的技术服务业务收入经备案后免征增值税。
报告期内，公司享受的税收优惠金额对利润总额的影响情况如下：
单位：万元
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
税收优惠金额 821.58 750.21 -
利润总额 6,602.92 4,859.16 -1,975.68
占利润总额比例 12.44% 15.44% -
报告期内，公司享受税收优惠金额占当期利润总额的比例分别为 0.00%、
九、主要财务指标
（一）主要财务指标
主要财务指标
/2022 年度 /2021 年度 /2020 年度
流动比率 3.12 2.94 2.69
速动比率 1.99 2.32 2.27
资产负债率（母公司） 23.59% 29.76% 36.28%
利息保障倍数（倍） 49.35 47.66 不适用
应收账款周转率（次） 7.32 8.17 4.52
存货周转率（次） 1.33 2.57 3.79
息税折旧摊销前利润（万
元）
归属于发行人股东的净利润
（万元）
归属于发行人股东扣除非经
常性损益后的净利润（万 4,956.95 4,389.76 -179.75
元）
研发投入占营业收入的比例 9.65% 8.99% 10.14%
每股经营活动产生的现金流
-0.20 0.92 -0.20
量（元/股）
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主要财务指标
/2022 年度 /2021 年度 /2020 年度
每股净现金流量（元/股） -1.44 1.75 1.13
归属于发行人股东的每股净
资产（元/股）
注：指标计算公式如下：
流动比率=流动资产/流动负债
速动比率=速动资产/流动负债=（流动资产－存货）/流动负债
资产负债率=总负债/总资产
利息保障倍数=（利润总额+利息费用）/利息费用
应收账款周转率=营业收入/应收账款平均余额
存货周转率=营业成本/存货平均余额
息税折旧摊销前利润＝利润总额＋利息费用＋固定资产折旧＋使用权资产折旧+无形资
产摊销+长期待摊费用摊销
归属于发行人股东的净利润＝归属于母公司股东的净利润
归属于发行人股东扣除非经常性损益后的净利润＝归属于母公司股东的净利润－非经
常性损益的影响数
研发投入占营业收入比例=研发费用/营业收入
每股经营活动产生的现金流量=经营活动产生的现金流量净额/期末股本总额
每股净现金流量=现金及现金等价物净增加额/期末股本总额
归属于发行人股东的每股净资产=期末归属于母公司所有者权益/期末股本总额
（二）净资产收益率及每股收益
根据中国证监会《公开发行证券公司信息披露编报规则第 9 号——净资产
收益率和每股收益的计算及披露》（2010 年修订）的规定，本公司加权平均净
资产收益率及每股收益计算如下：
加权平均净资产收益率
报告期利润
归属于公司普通股股东的净利润 19.77% 27.59% -30.49%
扣除非经常性损益后归属于公司普
通股股东的净利润
单位：元/股
基本每股收益 稀释每股收益
报告期利润 2022 2021 2020 2022 2021 2020
年度 年度 年度 年度 年度 年度
归属于公司普通股股东
的净利润
扣除非经常性损益后归
属于公司普通股股东的 0.90 0.86 -0.04 0.90 0.86 -0.04
净利润
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（1）加权平均净资产收益率的计算公式如下：
加权平均净 资产收益率=P0/（E0+NP÷2+Ei×Mi÷M0－Ej×Mj÷M0±Ek×Mk÷M0）
其中：P0 分别对应于归属于公司普通股股东的净利润、扣除非经常性损益后归属于公
司普通股股东的净利润；NP 为归属于公司普通股股东的净利润；E0 为归属于公司普通股
股东的期初净资产；Ei 为报告期发行新股或债转股等新增的、归属于公司普通股股东的净
资产；Ej 为报告期回购或现金分红等减少的、归属于公司普通股股东的净资产；M0 为报
告期月份数；Mi 为新增净资产次月起至报告期期末的累计月数；Mj 为减少净资产次月起
至报告期期末的累计月数；Ek 为因其他交易或事项引起的净资产增减变动；Mk 为发生其
他净资产增减变动次月起至报告期期末的累计月数。
（2）基本每股收益的计算公式如下：
基本每股收益=P0÷S
S=S0＋S1＋Si×Mi÷M0－Sj×Mj÷M0－Sk
其中：P0 为归属于公司普通股股东的净利润或扣除非经常性损益后归属于普通股股东
的净利润；S 为发行在外的普通股加权平均数；S0 为期初股份总数；S1 为报告期因公积金
转增股本或股票股利分配等增加股份数；Si 为报告期因发行新股或债转股等增加股份数；
Sj 为报告期因回购等减少股份数；Sk 为报告期缩股数；M0 报告期月份数；Mi 为增加股份
次月起至报告期期末的累计月数；Mj 为减少股份次月起至报告期期末的累计月数。
（3）稀释每股收益的计算公式如下：
稀释每股收益=P1/（S0＋S1＋Si×Mi÷M0–Sj×Mj÷M0–Sk+认股权证、股份期权、
可转换债券等增加的普通股加权平均数）
其中，P1 为归属于公司普通股股东的净利润或扣除非经常性损益后归属于公司普通股
股东的净利润，并考虑稀释性潜在普通股对其影响，按《企业会计准则》及有关规定进行
调整。公司在计算稀释每股收益时，应考虑所有稀释性潜在普通股对 P1 和加权平均股数的
影响，按照其稀释程度从大到小的顺序计入稀释每股收益，直至稀释每股收益达到最小值。
由于公司不存在稀释性潜在普通股，故稀释性每股收益的计算与基本每股收益的计算结果
相同。
十、经营成果分析
（一）营业收入分析
报告期内，公司营业收入的具体构成情况如下：
单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
主营业务收入 22,705.64 96.46% 20,318.15 96.88% 13,383.49 97.70%
其他业务收入 832.55 3.54% 654.74 3.12% 314.56 2.30%
合计 23,538.19 100.00% 20,972.89 100.00% 13,698.04 100.00%
报告期内，公司主营业务收入分别为 13,383.49 万元、20,318.15 万元和
完整年度的复合增长率达到 30.25%。其他业务收入主要包括公司外采中测后晶
圆或封装成品后销售产生的贸易类收入以及客户定制的少量外延片收入。随着
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客户对产品多元化需求的增长，公司其他业务收入有所增加，但占营业收入的
比例极低，公司的主营业务突出。
（1）各产品类别的主营业务收入情况
报告期内，公司主营业务收入按产品类别的构成情况如下：
单位：万元
产品类别
金额 比例 金额 比例 金额 比例
功率器件 14,379.26 63.33% 17,780.54 87.51% 12,131.61 90.65%
其中：平
面 MOSFET
其他功
率器件
功率 IC 5,692.38 25.07% 1,169.49 5.76% 322.32 2.41%
技术服务 2,207.46 9.72% 1,316.82 6.48% 906.42 6.77%
其他 426.54 1.88% 51.29 0.25% 23.14 0.17%
合计 22,705.64 100.00% 20,318.15 100.00% 13,383.49 100.00%
报告期内，公司分产品类别的收入主要由功率器件、功率 IC 和技术服务构
成，2020-2021 年，受 2020 年上半年半导体市场需求旺盛等影响，功率器件产
品收入稳定增长；2022 年受消费电子领域需求疲软等因素的影响，功率器件收
入金额及占比有所下降。报告期内，功率 IC 产品收入增长较快；随着芯片国产
化替代加速推进，公司在高可靠领域持续进行研发投入，积累了较为丰富的技
术和产品开发经验，客户服务能力、品牌知名度和认可度逐步提升。原有客户
基于其下游市场需求的增长，加大了对公司功率 IC 产品的采购；同时，公司还
开发了较多新客户并且逐步起量，因此，2022 年功率 IC 产品的收入增长明显。
公司在开发产品的同时，利用长期积累的设计经验和工艺开发能力，为部分客
户提供芯片设计及工艺开发等技术服务，组成了公司主营业务收入的一部分。
公司主营业务收入的其他产品主要包括 IPM 模块、光继电器等。
（2）主营业务收入按产品形态分析
根据下游客户的领域及需求，公司的产品以中测后晶圆、封装成品和裸芯
的形态出售。中测后晶圆即公司完成前期的技术研发、产品设计和流片验证流
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程后，委托晶圆代工厂进一步批量生产并通过 CP 测试流程后的产品，通常以
“片”作为计量单位；封装成品即为在中测后晶圆的基础上进行划片、封装及
测试后的产品，通常以“颗”作为计量单位；裸芯即中测后晶圆经切割后未封
装的独立芯片单元，通常以“颗”作为计量单位；技术服务为公司为客户提供
的芯片设计及工艺开发等技术服务。
报告期内，公司主营业务收入按产品形态分类的情况如下：
单位：万元
产品形态
金额 比例 金额 比例 金额 比例
中测后晶圆 10,489.63 46.20% 13,626.37 67.07% 11,335.23 84.70%
封装成品 6,419.31 28.27% 5,035.68 24.78% 988.28 7.38%
裸芯 3,589.23 15.81% 339.27 1.67% 153.56 1.15%
技术服务 2,207.46 9.72% 1,316.82 6.48% 906.42 6.77%
合计 22,705.64 100.00% 20,318.15 100.00% 13,383.49 100.00%
报告期内，公司销售的产品形态以中测后晶圆为主，占各期主营业务收入
的比例分别为 84.70%、67.07%和 46.20%，2022 年中测后晶圆收入占比下降主
要是受消费电子领域需求疲软的影响。自 2020 年开始，公司抓住下游市场需求
旺盛产能紧缺的机会，主动加强了封装成品的品牌推广力度，2020-2021 年封装
成品的收入增长明显；2022 年在前期市场推广的基础上，品牌知名度提升，公
司封装成品收入持续增长。公司裸芯形态的产品收入主要来自于高可靠领域客
户，由于该领域客户采购芯片后一般需要对芯片进行陶瓷封装或厚膜电路的二
次集成并且单批次的采购数量较少，在客户有上述封装或集成需求的情况下，
公司一般以裸芯形式向其销售。近年来随着国产化替代的加速推进以及公司在
该领域的持续投入和开发客户，裸芯形态的产品收入持续增长，并且在 2022 年
出现明显增长态势。
（3）各产品类别主营业务收入的变动分析
报告期内，公司的主营业务收入分别为 13,383.49 万元、20,318.15 万元和
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报告期内，公司功率器件细分品类构成及收入占比情况如下：
单位：万元
细分品类
金额 比例 金额 比例 金额 比例
平面 MOSFET 12,939.22 89.99% 16,878.04 94.92% 11,829.19 97.51%
其他功率器件 1,440.04 10.01% 902.51 5.08% 302.42 2.49%
合计 14,379.26 100.00% 17,780.54 100.00% 12,131.61 100.00%
公司的功率器件以平面 MOSFET 为主，平面 MOSFET 产品包括集成快恢
复高压功率 MOSFET（FRMOS）系列产品。报告期内，平面 MOSFET 占功率
器件收入的比例分别为 97.51%、94.92%和 89.99%。各个细分品类的收入变动
情况具体如下：
①平面 MOSFET
要是近年来公司积极丰富产品型号，平面 MOSFET 已覆盖高、中、低多个电压
段，拥有近 500 款产品，销售的主要产品覆盖 500V-650V 的高压区间，满足了
不同客户的多品类需求。同时，近年来随着公司持续对产品进行更新升级，经
过新平台设计后的部分产品，其晶圆中单颗芯片面积更小、数量更多、单颗成
本有所降低，并且产品性能更优，因此，下游客户对公司的平面 MOSFET 中测
后晶圆的认可度提高，需求不断增长，如晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科
技等知名芯片设计公司存在采购平面 MOSFET 芯片与其 IC 芯片合封的需求。
要是来自消费电子应用领域的下降。公司平面 MOSFET 产品在应用于消费电子
领域的同时，较早就布局了相关产品在工业控制和高可靠领域的应用，经过前
期的客户送样、产品认证以及品牌认可度的提升，2022 年，公司平面 MOSFET
产品来自工业控制（含汽车前装和后装、新能源）和高可靠应用领域的销售起
量明显。2021 年至 2022 年，公司平面 MOSFET 产品按应用领域的分布具体如
下：
单位：万元
应用领域
收入 占比 收入 占比
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应用领域
收入 占比 收入 占比
消费电子 9,679.46 74.81% 15,520.70 91.96%
工业控制及高可靠 3,259.76 25.19% 1,357.33 8.04%
合计 12,939.22 100.00% 16,878.04 100.00%
域的收入持续增长；上述领域的收入占比由 2021 年的 8.04%，增长至 2022 年
的 25.19%。
报告期内，公司平面 MOSFET 按产品形态的收入构成情况具体如下：
单位：万元
产品形态
金额 比例 金额 比例 金额 比例
中测后晶圆 9,228.07 71.32% 13,382.95 79.29% 11,330.84 95.79%
封装成品 3,589.61 27.74% 3,483.08 20.64% 491.79 4.16%
裸芯 121.55 0.94% 12.00 0.07% 6.56 0.06%
合计 12,939.22 100.00% 16,878.04 100.00% 11,829.19 100.00%
公 司 销 售 的 平 面 MOSFET 以 中 测 后 晶 圆 形 态 为 主 ， 中 测 后 的 平 面
MOSFET 晶圆销售收入占平面 MOSFET 销售总收入的比例分别为 95.79%、
的芯片合封需求，比如晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技等。公司平面
MOSFET 产品各形态的销售情况分析如下：
A.中测后晶圆
报告期内，公司平面 MOSFET 中测后晶圆的销售数量、销售单价及收入变
动的情况如下：
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
销售数量（万片） 9.57 15.55 21.45
销售单价（元/片） 964.47 860.49 528.15
中测后晶圆收入（万元） 9,228.07 13,382.95 11,330.84
报告期内，公司平面 MOSFET 中测后晶圆的销售数量及销售单价均有所波
动，具体情况如下：
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a.销售数量变动分析
原因系：一方面，2021 年半导体市场供求关系紧张，加之汉磊科技调整了经营
策略，减少了为公司代工的产能，而同期西安微晶微的产能正处于爬坡期，上
述两个因素导致中测后晶圆供应不足，使得公司中测后晶圆的销售量有所下降；
另一方面，经过前期销售布局，2021 年公司成品客户需求增长较快，致使封装
成品所需的中测后晶圆数量增加。
率器件应用于消费电子领域的占比较大，受消费电子领域需求疲软的影响，功
率器件的销量下降。2022 年，公司平面 MOSFET 中测后晶圆销量的下降趋势符
合行业周期波动情况。
b.销售单价变动分析
平面 MOSFET 中测后晶圆销售单价由 2020 年的 528.15 元/片上升至 2021
年的 860.49 元/片，主要原因系：一方面，2021 年下游市场需求旺盛，行业整
体价格上调，公司紧跟市场行情变化相应提高了产品的售价；另一方面，2021
年功率半导体产能紧张，晶圆代工成本上涨，公司相应上调了销售单价。
平面 MOSFET 中测后晶圆销售单价由 2021 年的 860.49 元/片上升至 2022
年的 964.47 元/片，主要是公司平面 MOSFET 中测后晶圆来自工业控制及高可
靠应用领域的收入占比由 2021 年的 6.76%提升至 2022 年的 22.92%，上述领域
的平均销售单价较高，从而提升了整体的销售单价。对于消费电子应用领域，
的销售价格全年持续上涨，到 2021 年第四季度达到顶点。受 2022 年消费电子
领域需求疲软的影响，公司应用于该领域的平面 MOSFET 中测后晶圆 2022 年
的平均销售单价相比 2021 年第四季度有所下降，以 2021 年平面 MOSFET 中测
后晶圆销售额前五款型号销售单价的平均值为例，2022 年上述销售单价的平均
值相比 2021 年第四季度下降了 28.92%。
B.封装成品
报告期内，公司平面 MOSFET 封装成品的销售数量、销售单价及营业收入
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变动的具体情况如下：
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
销售数量（万颗） 4,672.78 5,399.65 730.19
销售单价（元/颗） 0.77 0.65 0.67
销售单价（元/颗）
（剔除型号 DN906，注 1）
封装成品收入（万元） 3,589.61 3,483.08 491.79
注 1：2021 年的销售单价为剔除数量大、单价低的 DN906 型号产品的相关数据后，计
算得出的销售单价，该型号为 2021 年新增
报告期内，随着公司收入规模的扩大和品牌影响力的提升，市场培育日渐
成熟，为了扩大市场占有率和提升在终端市场的品牌影响力，公司加大了平面
MOSFET 封装成品的销售力度，收入持续增长。
a.销售量变动分析
ⅰ.报告期内，公司 2019 年底成立了深圳分公司，主要负责封装成品销售。
随着销售推广力度的加大及公司品牌影响力的提升，产品应用领域的扩大，公
司封装成品市场认可度逐步提高，销量增长明显。
ⅱ.2021 年下游市场需求旺盛，产品销量增长；公司加强了与经销商的合
作，进一步加大了封装成品的市场扩张力度和市场品牌的培育。上述因素导致
封装成品的销售数量增长明显。
b.销售单价变动分析
单价低的型号为 DN906 的平面 MOSFET 封装成品销售。其单颗裸芯面积很小，
价约 0.1 元/颗，从而拉低了平面 MOSFET 封装成品的整体销售单价。剔除
DN906 型号后，2021 年平面 MOSFET 封装成品的销售单价为 0.92 元/颗，相比
公司紧跟市场行情变化提高了产品售价。
元/颗，相比 2021 年的 0.92 元/颗有所上涨，主要是公司平面 MOSFET 封装成品
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来自工业控制及高可靠应用领域的收入占比由 2021 年的 13.26%提升至 2022 年
的 29.69%，上述领域的平均销售单价较高，从而提升了整体的销售单价。对于
消费电子应用领域，2022 年，公司平面 MOSFET 封装成品的销售单价相比
号销售单价的平均值为例，2022 年销售单价的平均值相比 2021 年第四季度下
降 10.93%。此外，2022 年平面 MOSFET 封装成品的销售单价上涨还与超高压
产品的收入占比提升有关，2022 年超高压平面 MOSFET 封装成品收入占平面
MOSFET 封装成品总收入的比例为 26.87%，高于 2021 年的 13.84%。超高压产
品主要应用于工业控制领域，通常情况下，其销售单价高于其他电压段产品。
公 司 在 平 面 MOSFET 工 艺 平 台 的 基 础 上 开 发 的 集 成 快 恢 复 高 压 功 率
MOSFET（FRMOS）系列产品在报告期内产生的收入分别为 587.75 万元、
源、高功率数字音频功放等领域，下游需求较多，产品收入增长较快。
②其他功率器件
报告期内，公司其他功率器件的主营业务收入分别为 302.42 万元、902.51
万元和 1,440.04 万元，主要包括 SiC 功率器件、高压超结 MOSFET 和沟槽型
MOSFET 等 产 品 的 销 售 。 在 公 司 业 务 的 开 拓 过 程 中 ， 部 分 客 户 除 对 平 面
MOSFET 产品有需求外，对上述产品也有采购需求。因此，为了拓宽产品品类
及满足客户的综合采购需求，公司设计研发了上述产品并取得了一定的收入。
公司自 2018 年下半年开始研发 SiC 功率器件，积极布局第三代半导体，通
过对 SiC 功率器件的结构设计和生产工艺进行不断探索和研发投入，目前产品
已实现小批量供货。报告期内，公司 SiC 功率器件分别实现收入 38.64 万元、
的实施，公司将完成 SiC 功率器件的产品升级及产品系列化的研发和推广，
SiC 功率器件将成为公司未来业务的重要增长点。
报告期内，公司功率 IC 按产品形态的收入构成情况具体如下：
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单位：万元
产品形态
金额 比例 金额 比例 金额 比例
封装成品 2,157.43 37.90% 892.01 76.27% 234.55 72.77%
裸芯 3,192.04 56.08% 260.44 22.27% 87.77 27.23%
中测后晶圆 342.91 6.02% 17.04 1.46% - 0.00%
合计 5,692.38 100.00% 1,169.49 100.00% 322.32 100.00%
收入占功率 IC 总收入的比例分别为 72.77%和 76.27%。2022 年度，功率 IC 裸
芯的销售收入提升明显，占比为 56.08%。公司裸芯形态的产品收入主要来自于
高可靠领域客户，由于该领域客户采购芯片后一般需要对芯片进行陶瓷封装或
厚膜电路的二次集成并且单批次的采购数量较少，在客户有上述封装或集成需
求的情况下，公司一般以裸芯形式向其销售。
①功率 IC 封装成品
报告期内，主营业务收入中，公司功率 IC 封装成品的销售数量、销售单价
及收入变动的具体情况如下：
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
销售数量（万颗） 937.33 1,555.73 1,014.32
销售单价（元/颗） 2.30 0.57 0.23
封装成品收入（万元） 2,157.43 892.01 234.55
报告期内，公司功率 IC 封装成品的销售数量增长明显，主要受益于无锡众
享科技有限公司和公司 A-1 对公司产品的认可，其逐步加大了对功率 IC 封装成
品的采购量。
要是 2021 年和 2022 年功率 IC 封装成品来自高可靠领域的收入占功率 IC 封装
成品总收入的比例分别为 43.24%和 81.21%，占比持续提升。公司在功率 IC 产
品研发之初需考虑高可靠领域的特殊需求，供给该领域客户的产品集成度高、
产品技术含量高、技术难度大、可靠性等级高、附加值较高；而该领域单一型
号产品需求量相对较小，公司与客户协商定价时，会充分考虑产品前期的研发
投入，因此该领域产品的平均销售单价较高。上述原因使得 2021 年和 2022 年
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功率 IC 封装成品的销售单价持续上涨。
②功率 IC 裸芯
报告期内，主营业务收入中，公司功率 IC 裸芯的销售数量、销售单价及收
入变动的具体情况如下：
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
销售数量（万颗） 43.03 6.01 3.02
销售单价（元/颗） 74.19 43.32 29.07
裸芯收入（万元） 3,192.04 260.44 87.77
报告期内，公司功率 IC 裸芯的收入主要来自于高可靠领域客户。销售数量
和销售单价上涨使得公司功率 IC 裸芯的收入持续增长，并且在 2022 年增长明
显。近年来随着芯片国产化替代加速推进，公司较早就在高可靠领域持续进行
研发投入，积累了较为丰富的技术和产品开发经验，客户服务能力、品牌知名
度和认可度逐步提升。2022 年原有客户基于其下游市场需求的增长，加大了对
公司产品的采购；同时，公司还开发了较多新客户并且逐步起量。因此，2022
年公司功率 IC 裸芯的销售数量增长明显。
报告期内，公司功率 IC 裸芯的销售单价上涨也导致收入增长，销售单价变
动主要是产品型号的差异导致；2020 年，占功率 IC 裸芯总收入前 95%的产品，
其销售单价均为 30 元/颗左右；2021 年，占功率 IC 裸芯总收入前 50%的产品，
其销售单价均超过 40 元/颗；2022 年，占功率 IC 裸芯总收入前 70%的产品，其
销售单价均超过 65 元/颗，并且各年度上述产品型号不重合。对于相同型号的
功率 IC 裸芯，报告期内销售价格较为平稳。
公司在开发产品的同时，利用长期积累的设计经验和工艺开发能力，为客
户提供芯片设计及工艺开发等技术服务，技术服务主要围绕功率 IC 和功率器件
（含 SiC 功率器件）等产品。报告期内，公司的技术服务收入分别为 906.42 万
元、1,316.82 万元和 2,207.46 万元。随着公司与客户合作进一步深入，客户对
公司技术实力的认可度提高，技术服务取得了较为稳定的收入。
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报告期内，公司主营业务收入中其他收入分别为 23.14 万元、51.29 万元和
报告期内，公司主营业务收入按地区构成情况如下：
单位：万元
区域
金额 比例 金额 比例 金额 比例
华东 6,934.64 30.54% 9,879.99 48.63% 6,592.95 49.26%
华南 11,006.43 48.47% 8,299.41 40.85% 5,327.20 39.80%
西北 2,710.20 11.94% 1,451.40 7.14% 1,327.79 9.92%
其他 2,054.37 9.05% 687.34 3.38% 135.54 1.01%
合计 22,705.64 100.00% 20,318.15 100.00% 13,383.49 100.00%
公司的销售区域主要集中在华东和华南等半导体产业链相对集中的地区。
科技等位于上海的客户销售收入减少。因此 2022 年来自华东地区的收入占比相
对前期有所下降。
公司采取直销为主、经销为辅的销售模式。报告期内，公司直销收入占主
营业务收入的比例分别为 97.84%、90.19%和 91.41%。具体情况如下：
单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
直销 20,755.90 91.41% 18,325.72 90.19% 13,093.94 97.84%
经销 1,949.74 8.59% 1,992.42 9.81% 289.55 2.16%
合计 22,705.64 100.00% 20,318.15 100.00% 13,383.49 100.00%
报告期内，公司针对中测后晶圆主要采用直销模式销售。公司在前期经营
过程中积累了晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技等芯片设计公司客户，其
采购公司 MOSFET 中测后晶圆，主要用于与其 IC 芯片进行合封。此类客户订
货量较大、账期条件及回款情况较好。此外，有部分拥有封装资源的客户会采
购公司中测后晶圆进行封装，公司与上述两类客户均采用直销模式销售。
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报告期内，公司针对封装成品采用经销和直销相结合的模式销售。公司为
了扩大市场占有率和在终端市场的品牌影响力，加大了封装成品的销售力度。
随着销售力度的增加和品牌影响力的提升，公司封装成品的销售收入占比增长
明显。封装成品采用经销模式销售的原因如下：
（1）有利于扩大销售覆盖范围和品牌知名度的提升
公司的产品广泛应用于以 LED 照明、适配器、智能家电为代表的消费电子
领域，以及以工业电源、安防设备、电机驱动为代表的工业控制领域，上述应
用领域的客户多且分散，对新供应商导入验证时间长，公司通过经销模式能够
快速导入客户，扩大销售网络的覆盖范围，也有助于提升品牌知名度。
（2）有利于加快资金周转降低货款回款风险
终端客户通常对供应商的付款账期较长，而经销商与终端客户已建立稳定
的合作关系，经销商已完成前期与终端客户合作的流动资金铺垫。在上述背景
下，公司与经销商合作，双方约定了明确的合作规则与付款条件，因此，采用
经销模式有利于公司加快资金周转及降低货款回款风险。
（3）有利于优化公司人员配置，专注于持续创新
销售封装成品需要面对大量的终端客户，开拓前期需要投入较多的人员来
构建销售渠道及前期的应用支持。而在经销模式下，经销商能够承担起产品推
广、渠道铺设、客户开发和维护的职能，公司只需要适量人员对经销商进行管
控并给予其指导和支持，从而使得公司可以专注于产品研发和技术创新，提升
运营效率。
此外，为更好地把握终端客户需求及市场动态，公司针对部分封装成品也
采用了直销模式，通过与客户直接接触，确保公司能够及时掌握市场动态及行
业未来发展趋势。
报告期内，公司主营业务收入分季度的具体情况如下：
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单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
第一季度 5,821.78 25.64% 4,141.92 20.39% 2,224.26 16.62%
第二季度 5,846.83 25.75% 5,606.55 27.59% 2,562.45 19.15%
第三季度 5,289.08 23.29% 5,589.71 27.51% 4,030.49 30.12%
第四季度 5,747.94 25.32% 4,979.97 24.51% 4,566.29 34.12%
合计 22,705.64 100.00% 20,318.15 100.00% 13,383.49 100.00%
公司主营业务收入存在一定的季节性波动特征，其主要与下游终端产品市
场需求波动有关。正常情况下，第一季度是公司的销售淡季，主要系受春节假
期影响，下游行业开工率低，对原材料需求相对较少。公司于第三、四季度实
现的主营业务收入占比相对较高，主要系：①公司下游客户通常在上半年根据
新项目方案制定采购计划，并导入产品进行验证，产品交付和验收多集中在下
半年尤其是第四季度；②受开学季、国庆节、中秋节、圣诞节等消费旺季及春
节备货需求的拉动，公司下游的消费电子领域在第四季度处于生产销售旺季，
从而对原材料需求相应增加。自 2020 年下半年至 2021 年，半导体市场下游需
求旺盛且产能紧缺，打破了通常情况下第三、四季度收入占比较高的季节性波
动趋势，各季度的收入占比较为均衡。2022 年，公司工业控制及高可靠应用领
域的收入占比已超过消费电子应用领域，收入的季节波动不明显。
（二）营业成本分析
报告期内，公司营业成本构成情况如下：
单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
主营业务成本 12,456.63 98.34% 12,249.26 96.59% 10,952.26 97.32%
其他业务成本 210.01 1.66% 432.82 3.41% 301.64 2.68%
合计 12,666.64 100.00% 12,682.08 100.00% 11,253.90 100.00%
报告期内，公司主营业务成本分别为 10,952.26 万元、12,249.26 万元和
务突出。
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（1）主营业务成本按产品类别分类
报告期内，公司各产品类别的主营业务成本构成情况如下：
单位：万元
产品类别
金额 比例 金额 比例 金额 比例
功率器件 10,675.45 85.70% 11,522.64 94.07% 10,385.81 94.83%
其中：平面
MOSFET
其他功率
器件
功率 IC 958.98 7.70% 427.58 3.49% 198.09 1.81%
技术服务 669.55 5.38% 257.29 2.10% 357.00 3.26%
其他 152.64 1.23% 41.75 0.34% 11.36 0.10%
合计 12,456.63 100.00% 12,249.26 100.00% 10,952.26 100.00%
报告期内，公司的主营业务成本以功率器件为主，分别占主营业务成本的
务收入基本一致。
报告期内，公司主营业务成本按性质构成情况如下：
单位：万元
性质
金额 比例 金额 比例 金额 比例
晶圆等材料成
本
封测成本 1,057.18 8.49% 1,249.40 10.20% 306.67 2.80%
技术服务 669.55 5.38% 257.29 2.10% 357.00 3.26%
合计 12,456.63 100.00% 12,249.26 100.00% 10,952.26 100.00%
报告期内，公司主营业务成本主要为晶圆等材料成本，其占主营业务成本
的比例均超过 85%。随着公司加大对封装成品的推广力度，其销量逐步增长，
相应的封测成本占主营业务成本的比例有所提升。
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报告期内，公司各产品形态的主营业务成本构成情况如下：
单位：万元
产品形态
金额 比例 金额 比例 金额 比例
中测后晶圆 7,320.83 58.77% 8,366.64 68.30% 9,723.61 88.78%
封装成品 3,923.75 31.50% 3,592.53 29.33% 830.93 7.59%
裸芯 542.49 4.36% 32.80 0.27% 40.72 0.37%
技术服务 669.55 5.38% 257.29 2.10% 357.00 3.26%
合计 12,456.63 100.00% 12,249.26 100.00% 10,952.26 100.00%
报告期内，主营业务成本中，公司各形态产品成本的变动趋势与主营业务
收入基本一致。
（三）毛利构成及毛利率分析
报告期内，公司毛利额及毛利率构成情况如下：
单位：万元
项目
毛利额 毛利率 毛利额 毛利率 毛利额 毛利率
主营业务 10,249.01 45.14% 8,068.88 39.71% 2,431.23 18.17%
其他业务 622.55 74.78% 221.93 33.90% 12.92 4.11%
合计 10,871.56 46.19% 8,290.81 39.53% 2,444.14 17.84%
报 告 期 内 ， 公 司 综 合 毛 利 额 分 别 为 2,444.14 万 元 、8,290.81 万 元 和
（1）主营业务毛利及毛利率按产品类别分析
报告期内，公司按产品类别的主营业务毛利额及占比、毛利率如下：
单位：万元
产品 2022 年度 2021 年度 2020 年度
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类别 毛利额 毛利额 毛利额
毛利额 毛利率 毛利额 毛利率 毛利额 毛利率
占比 占比 占比
功率器件 3,703.81 36.14% 25.76% 6,257.90 77.56% 35.20% 1,745.80 71.81% 14.39%
功率 IC 4,733.40 46.18% 83.15% 741.91 9.19% 63.44% 124.23 5.11% 38.54%
技术服务 1,537.91 15.01% 69.67% 1,059.53 13.13% 80.46% 549.43 22.60% 60.61%
其他 273.90 2.67% 64.21% 9.53 0.12% 18.59% 11.77 0.48% 50.88%
合计 10,249.01 100.00% 45.14% 8,068.88 100.00% 39.71% 2,431.23 100.00% 18.17%
报告期内，公司功率器件的毛利额分别为 1,745.80 万元、6,257.90 万元和
功率器件是公司主要的毛利额来源。随着功率 IC 的收入占比由 2021 年的
达到 46.18%，成为公司毛利额的主要来源。公司功率 IC 主要来自高可靠领域
客户，公司在产品研发之初需考虑该领域的特殊需求，产品技术含量高、设计
难度大、附加值较高，而该领域单一型号产品需求量相对较小，公司与客户协
商定价时，会充分考虑产品前期的研发投入，因此产品平均销售单价和毛利率
较高。
（2）主营业务毛利及毛利率按细分品类的变动分析
报告期内，公司功率器件细分产品的毛利额和毛利率情况如下：
单位：万元
细分品类
毛利额 毛利率 毛利额 毛利率 毛利额 毛利率
平面 MOSFET 3,153.52 24.37% 6,013.68 35.63% 1,688.07 14.27%
其他功率器件 550.29 38.21% 244.22 27.06% 57.73 19.09%
合计 3,703.81 25.76% 6,257.90 35.20% 1,745.80 14.39%
报告期内，公司功率器件的毛利额主要来自平面 MOSFET，其毛利额分别
为 1,688.07 万元、6,013.68 万元和 3,153.52 万元。
公司功率器件产品细分品类的毛利率分析如下：
①平面 MOSFET
报告期内，公司平面 MOSFET 毛利率分别为 14.27%、35.63%和 24.37%。
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长明显；2022 年，平面 MOSFET 的毛利率相比 2021 年有所下降，主要是随着
司平面 MOSFET 中测后晶圆及封装成品的毛利率均有所下降。毛利率按产品形
态的具体变动情况分析如下：
A.中测后晶圆
报告期内，公司平面 MOSFET 中测后晶圆的销售单价、单位成本及毛利率
变动的具体情况如下：
单位：元/片
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
销售单价 964.47 860.49 528.15
单位成本 699.92 526.06 453.02
中测后晶圆毛利率 27.43% 38.87% 14.23%
毛利率较上期变动（百分点） -11.44% 24.64% -1.52%
其中：销售单价变动对毛利率的
影响
单位成本变动对毛利率的影响 -18.03% -8.49% 0.04%
注：销售单价变动对毛利率的影响=（当期销售单价-上期单位成本）/当期销售单价-上
期毛利率；单位成本变动对毛利率的影响=当期毛利率-（当期销售单价-上期单位成本）/当
期销售单价
主要是由于销售单价上涨幅度大于单位成本上涨幅度，毛利率总体为上涨趋势。
具体原因如下：
a. 在市场价格普遍上涨及公司不断优化升级产品的情况下，公司的毛利率
提升明显
公司以中测后晶圆销售为主，下游客户多为晶丰明源、必易微等芯片设计
公司类客户，其采购发行人平面 MOSFET 中测后晶圆主要用于与其 IC 芯片进
行合封。在公司部分产品通过技术优化升级，使得每片晶圆产出的有效管芯数
量增加，及下游市场需求旺盛叠和产能紧缺导致市场价格普遍上涨的情况下，
该类客户出于对锁定晶圆供应、单颗管芯采购成本及产品质量等因素的综合考
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量，能够接受公司平面 MOSFET 中测后晶圆的价格上调。
利率为 43.21%，相比 2020 年增加 16.44 个百分点。上述客户对供应商上调中测
后晶圆价格导致其成本上升的承受能力较强，公司作为其供应商能够在一定范
围内向其转嫁上涨的晶圆代工成本，从而导致公司平面 MOSFET 中测后晶圆的
毛利率提升。
b.公司产品结构优化导致毛利率提升
公司 FRMOS 中测后晶圆的收入在平面 MOSFET 中测后晶圆的占比由
品，从而导致 2021 年公司平面 MOSFET 中测后晶圆的毛利率提升。
利率 38.87%下降了 11.44 个百分点，平均单位成本上升对毛利率的影响较大。
其一，2021 年晶圆代工价格呈现为一季度至四季度持续上涨的趋势，代工厂的
产能在 2022 年上半年依然较为紧张，2022 年上半年的代工价格相对于 2021 年
的价格高点未出现明显下调，因此 2022 年平面 MOSFET 中测后晶圆的平均单
位成本高于 2021 年；其二，公司投放于西安微晶微的扩产设备分别于 2022 年
平均单位成本。
B.封装成品
报告期内，公司平面 MOSFET 封装成品的销售单价、单位成本及毛利率变
动的具体情况如下：
单位：元/颗
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
销售单价 0.77 0.65 0.67
包含型号
单位成本 0.66 0.50 0.57
DN906
毛利率 14.24% 23.00% 14.89%
剔除型号 销售单价 1.09 0.92 0.67
DN906 单位成本 0.94 0.71 0.57
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项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
毛利率 14.05% 23.15% 14.89%
毛利率较上期变动
-9.11% 8.26% -3.06%
（百分点，剔除型号 DN906）
其中：销售单价变动对毛利率的
影响（剔除型号 DN906）
单位成本变动对毛利率的影响
-20.82% -14.89% 17.88%
（剔除型号 DN906）
注 1：销售单价变动对毛利率的影响=（当期销售单价-上期单位成本）/当期销售单价-
上期毛利率；单位成本变动对毛利率的影响=当期毛利率-（当期销售单价-上期单位成本）/
当期销售单价
注 2：型号 DN906 为 2021 年新增产品，其销售数量大、单价低，分析时予以剔除
新增的数量大、单价低的型号为 DN906 的封装成品相关数据后，2021 年封装成
品的销售单价提升，且上涨幅度大于单位成本的上涨幅度，毛利率总体为上涨
趋势。
单位成本上升对毛利率的影响较大。平面 MOSFET 封装成品的主要成本为晶圆
材料，关于平面 MOSFET 中测后晶圆 2022 年的平均单位成本相比 2021 年上升
的分析见本节“十、经营成果分析/（三）毛利构成及毛利率分析/2/（2）/1）/
①平面 MOSFET/A.中测后晶圆”的详细说明。
②其他功率器件
报告期内，公司其他功率器件的毛利率分别为 19.09%、27.06%和 38.21%，
因产品结构变化，毛利率有所波动。其中 SiC 功率器件是公司布局第三代半导
体的切入产品，下游主要为高可靠领域的客户，因此，公司产品的毛利率相对
较高。
报告期内，公司功率 IC 的毛利率分别为 38.54%、63.44%和 83.15%。公司
功率 IC 的毛利率逐年提高，主要是来自高可靠领域客户的收入占比提升，由
品研发之初需考虑高可靠领域的特殊需求，供给该领域客户的产品集成度高、
产品技术含量高、技术难度大、可靠性等级高、附加值较高；而该领域单一型
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号产品需求量相对较小，公司与客户协商定价时，会充分考虑产品前期的研发
投入，因此该领域产品的平均销售单价和毛利率较高，从而带动了 2020 年、
报告期内，公司技术服务的毛利率分别为 60.61%、80.46%和 69.67%，因
各项目技术和工艺难度、提供服务的内容不同，毛利率在各年度略有波动。
公司主要为高可靠领域客户提供技术服务，该领域客户对技术服务提供方
的设计能力、工艺开发能力、既往成功经验要求较高。公司凭借多年的技术积
累和产业化成功经验，取得了该领域客户的认同。公司技术服务的内容主要为
功率半导体国产化替代的相关产品及工艺开发等，该类服务技术研发难度大、
产品集成度高、工艺复杂、可靠性要求高。因此，报告期内，公司的技术服务
毛利率相对较高。
（1）功率器件
报告期内，公司功率器件的毛利率与可比公司的分立器件（含功率器件）
毛利率对比情况如下：
公司简称 2022 年度 2021 年度 2020 年度
士兰微 30.16% 32.89% 24.00%
华微电子 21.27% 21.26% 19.17%
新洁能 36.81% 38.97% 25.24%
东微半导 33.46% 28.72% 17.85%
平均值 30.43% 30.46% 21.56%
公司 25.76% 35.20% 14.39%
注：数据来源于上述公司披露的定期报告或招股说明书，发行人与新洁能为 2022 年年
报数据，其他公司尚未披露 2022 年年报，上述为 2022 年 6 月 30 日数据；2022 年半年报中
只有士兰微披露了按产品分类的毛利率，因此上表中士兰微选取了分立器件产品的毛利率，
其他可比公司选取了主营业务毛利率
的毛利率较为接近，低于其他三家同行业可比公司的平均水平，具体原因如下：
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公司与东微半导的产品品类较为集中，2020 年两者的业务规模均较小，毛
利率水平较为接近；而士兰微、华微电子和新洁能与公司的产品结构不同，且
品类更为丰富，此外，上述公司已形成较大的业务规模，具有一定规模效应，
也使其毛利率较高。
公司与同行业可比公司的经营模式存在差异，士兰微和华微电子采用 IDM
模式，拥有晶圆制造和封装测试产线；新洁能有封装测试产线。上述公司的成
本相对可控，因此毛利率相对较高；而发行人与东微半导采用 Fabless 模式，受
上游晶圆代工和封装测试等成本的影响，毛利率相对较低并较为接近。
销售单价，导致毛利率较 2020 年提升幅度较大，而公司功率器件的毛利率涨幅
高于同行业，主要原因如下：
公司以销售中测后晶圆为主，客户主要为 IC 设计公司；同行业可比公司以
销售封装成品为主，客户主要为经销商或终端客户，公司与同行业可比公司销
售的产品形态和客户结构存在差异。2021 年，行业晶圆产能紧张，公司平面
MOSFET 中测后晶圆的销售单价涨幅较大，导致平面 MOSFET 中测后晶圆的毛
利率由 2020 年的 14.23%提升至 2021 年的 38.87%，毛利率提升明显。具体原因
详见本节“十、经营成果分析”之“（三）毛利构成及毛利率分析”之“2、主
营业务毛利及毛利率分析”之“（2）主营业务毛利及毛利率按细分品类的变动
分析”之“1）功率器件”之“①平面 MOSFET”的详细说明。
是公司功率器件来自消费电子应用领域的收入占比较高，产品销售价格相比于
年公司主要功率器件产品平面 MOSFET 的平均单位成本较 2021 年有所上涨。
综上，报告期内，公司功率器件的毛利率与同行业可比公司存在的差异有
合理原因。
（2）功率 IC
最近一年，公司功率 IC 的收入增长明显，并且主要来自高可靠领域；该领
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域产品定制化程度高且细分品类多，已上市或在审企业中并无与公司产品一致
的可比公司。因此，选取高可靠领域中有涉及电源管理类产品的公司进行比较，
如臻镭科技、振华风光和成都华微。报告期内，公司功率 IC 来自高可靠领域的
毛利率与上述公司电源管理类产品的毛利率对比情况如下：
公司简称 产品名称 2022 年度 2021 年度 2020 年度
臻镭科技 电源管理芯片 未披露 89.01% 85.05%
振华风光 电源管理器 未披露 75.45% 72.83%
成都华微 电源管理 74.38% 79.50% 76.87%
平均值 74.38% 81.32% 78.25%
功率 IC
公司 88.95% 93.70% 80.43%
（高可靠领域）
注：数据来源于上述公司披露的定期报告或招股说明书，发行人为 2022 年年报数据，
同行业公司尚未披露 2022 年年报，上述为 2022 年 6 月 30 日数据
公司与上述公司的具体产品构成不同，比如，公司的功率 IC 主要包括
PWM 控制 IC 和栅极驱动 IC 等；臻镭科技的电源管理芯片主要包括负载点电源
芯片、T/R 电源管理芯片、固体电子开关芯片和电池均衡器芯片等产品系列；
振华风光的电源管理器主要包括电压基准源和三端稳压源等；成都华微的电源
管理产品主要为线性电源 LDO 和开关电源 DC-DC 等。因此，各自产品的功能、
设计开发难度、面对的客户不同，相关的产品的销售单价及单位成本也有差异，
从而导致各自的毛利率存在差异。
总体来看，公司功率 IC 来自高可靠领域的毛利率与上述公司电源管理类产
品毛利率不存在重大差异。
（四）期间费用分析
报告期内，公司各项期间费用金额及费用率的情况如下：
单位：万元
项目
金额 费用率 金额 费用率 金额 费用率
销售费用 773.71 3.29% 664.22 3.17% 334.29 2.44%
管理费用 1,694.56 7.20% 1,569.36 7.48% 2,892.85 21.12%
研发费用 2,271.95 9.65% 1,886.27 8.99% 1,388.55 10.14%
财务费用 50.13 0.21% 80.70 0.38% 44.98 0.33%
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项目
金额 费用率 金额 费用率 金额 费用率
合计 4,790.35 20.35% 4,200.55 20.03% 4,660.66 34.02%
报告期内，公司期间费用占营业收入的比例分别为 34.02%、20.03%和
报告期内，公司的销售费用构成、金额及占比情况如下：
单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
工资薪酬 573.29 74.10% 530.90 79.93% 291.48 87.20%
折旧及摊销 61.22 7.91% 26.87 4.05% - -
交通及差旅费 33.56 4.34% 29.98 4.51% 20.81 6.22%
业务招待费 46.47 6.01% 38.04 5.73% 19.10 5.71%
其他 59.16 7.64% 38.43 5.79% 2.90 0.87%
合计 773.71 100.00% 664.22 100.00% 334.29 100.00%
营业收入、
费用占比
公司的销售费用主要由工资薪酬和交通及差旅费等构成。报告期内，销售
费用金额分别为 334.29 万元、664.22 万元和 773.71 万元，占营业收入的比例分
别 2.44%、3.17%和 3.29%。
（1）工资薪酬
报告期内，公司销售人员薪酬分别为 291.48 万元、530.90 万元和 573.29 万
元。报告期内，公司持续加大封装成品的销售力度，2021 年工资薪酬增幅较大，
除销售人员的人数增加外，由于公司业绩增长较快，销售人员的人均工资薪酬
也有相应增长。
（2）销售费用率与同行业对比情况
报告期内，公司销售费用率与同行业可比公司的水平（同行业公司均已剔
除股份支付费用）对比情况具体如下：
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公司简称 2022 年度 2021 年度 2020 年度
士兰微 1.42% 1.69% 2.32%
华微电子 1.54% 1.89% 1.68%
新洁能 1.30% 1.37% 1.45%
东微半导 0.89% 0.96% 1.64%
臻镭科技 4.48% 3.25% 3.45%
振华风光 未披露 5.86% 6.44%
成都华微 4.03% 4.56% 8.96%
平均值 2.28% 2.80% 3.71%
公司 3.29% 3.17% 2.44%
注：数据来源于上述公司披露的定期报告或招股说明书，发行人与新洁能为 2022 年年
报数据，其他公司尚未披露 2022 年年报，上述为 2022 年 6 月 30 日数据
报告期内，公司的销售费用率略高于士兰微、华微电子、新洁能和东微半
导，主要是相比上述可比公司，公司封装成品尚处于起步阶段，且相应的收入
规模较小，导致工资薪酬等固定费用占比较高。报告期内，公司的销售费用率
低于臻镭科技、振华风光和成都华微，主要是上述公司近年来加大了客户开拓
力度，并且其主要面向高可靠领域，下游客户较为分散且采购具有小批量多频
次的特点，上述公司的销售费用率较高。
报告期内，公司的管理费用构成、金额及占比情况如下：
单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
工资薪酬 879.33 51.89% 678.69 43.25% 470.69 16.27%
咨询服务费 143.59 8.47% 132.18 8.42% 74.95 2.59%
业务招待费 296.74 17.51% 168.06 10.71% 82.63 2.86%
房租及物业费 18.37 1.08% 16.79 1.07% 48.66 1.68%
办公费 70.86 4.18% 59.75 3.81% 28.35 0.98%
折旧及摊销 232.03 13.69% 104.93 6.69% 56.72 1.96%
股份支付费用 - 0.00% 365.06 23.26% 2,109.30 72.91%
其他 53.63 3.16% 43.89 2.80% 21.53 0.74%
合计 1,694.56 100.00% 1,569.36 100.00% 2,892.85 100.00%
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项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
营业收入、
费用占比
报告期内，管理费用金额分别为 2,892.85 万元、1,569.36 万元和 1,694.56 万
元，占营业收入的比例分别为 21.12%、7.48%和 7.20%。公司的管理费用主要
由工资薪酬、咨询服务费、股份支付费用和折旧及摊销等构成。
（1）工资薪酬
报告期内，公司管理人员薪酬分别为 470.69 万元、678.69 万元和 879.33 万
元。管理人员数量及工资薪酬随公司业务规模的持续扩大而增加。2021 年，管
理人员的工资薪酬较 2020 年上涨较多；除人数增加外，2021 年公司业绩超出
年初制定的经营目标，且所处行业景气度提升，为了保留和吸引人才，公司提
高了管理人员的工资薪酬。
（2）咨询服务费
报告期内，公司的咨询服务费金额分别为 74.95 万元、132.18 万元和
相应产生的中介机构等咨询服务费用较多。
（3）股份支付
公司分别于 2020 年和 2021 年实施了股权激励，确认股份支付费用分别为
“第四节 发行人基本情况”之“十八、已经制定或实施的股权激励及相关安排”
之“（四）股权激励对公司经营状况、财务状况、控制权变化等的影响”。
（4）折旧及摊销
报告期内，公司的折旧及摊销金额分别为 56.72 万元、104.93 万元和
产生的折旧费用较多。
（5）管理费用率与同行业对比情况
报告期内，公司管理费用率与同行业可比公司的水平（公司及同行业公司
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均已剔除股份支付费用）对比情况具体如下：
公司简称 2022 年度 2021 年度 2020 年度
士兰微 4.36% 4.20% 5.80%
华微电子 5.23% 5.42% 5.66%
新洁能 2.21% 2.00% 2.53%
东微半导 2.07% 1.94% 2.11%
臻镭科技 11.86% 9.67% 8.09%
振华风光 未披露 11.87% 10.58%
成都华微 8.01% 15.94% 19.35%
平均值 5.88% 7.30% 7.73%
公司 5.62% 7.29% 21.12%
公司（剔除股份支付） 7.20% 5.74% 5.72%
注：数据来源于上述公司披露的定期报告或招股说明书，发行人与新洁能为 2022 年年
报数据，其他公司尚未披露 2022 年年报，上述为 2022 年 6 月 30 日数据
东微半导，主要是公司业务规模较小导致。2021 年和 2022 年高于士兰微、华
微电子、新洁能和东微半导，主要是公司 2021-2022 年筹备上市，发生的中介
机构咨询服务费和业务招待费占比较大所致。报告期内，公司的管理费用率低
于臻镭科技、振华风光和成都华微，主要系上述公司为高可靠领域企业，对产
品质量、管理及保密要求高，相关人员配置及各部门组织架构设置相对充足，
从而导致管理费用率较高。
报告期内，公司的研发费用构成、金额及占比情况如下：
单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
工资薪酬 1,121.42 49.36% 823.31 43.65% 491.85 35.42%
材料及试验费 797.06 35.08% 560.74 29.73% 383.91 27.65%
外部研发服务 56.83 2.50% 317.08 16.81% 336.46 24.23%
折旧及摊销 219.05 9.64% 147.54 7.82% 110.90 7.99%
其他 77.59 3.42% 37.60 1.99% 65.43 4.71%
合计 2,271.95 100.00% 1,886.27 100.00% 1,388.55 100.00%
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项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
营业收入、费
用占比
报告期内，公司研发费用主要包括工资薪酬、材料及试验费、外部研发服
务和折旧及摊销等。公司的研发费用金额分别为 1,388.55 万元、1,886.27 万元
和 2,271.95 万元，研发费用占营业收入比例分别为 10.14%、8.99%和 9.65%。
（1）工资薪酬
报告期内，公司研发人员工资薪酬分别为 491.85 万元、823.31 万元和
势总体保持增长，该趋势符合公司重视技术研发创新的发展战略和人才储备战
略。2021 年，研发人员的工资薪酬较 2020 年上涨较多，除人数增加外，为了
招聘和留住研发人员，公司调整优化了对研发人员的激励政策，同时 2021 年公
司业绩超出年初经营目标，综合上述因素，公司提高了研发人员的工资薪酬。
研发人员增加；公司研发人员数量由 2021 年末的 32 人增加至 2022 年末的 40
人。
（2）材料及试验费
报告期内，计入研发费用的材料及试验费分别为 383.91 万元、560.74 万元
和 797.06 万元，占当期研发费用的比例分别为 27.65%、29.73%和 35.08%，主
要由工程批晶圆、掩膜版和封测费等构成，其变动主要受研发项目的数量及研
发进度的影响。随着公司业务规模的发展，新产品的推出及在代工厂的流片、
封测增多，材料及试验费相应增加。
（3）外部研发服务
报告期内，外部研发服务分别为 336.46 万元、317.08 万元和 56.83 万元，
程中，为验证性能和参数是否达到研发目标，向外部供应商采购了相应的封装
和测试等服务费用。
（4）研发费用按项目分类
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报告期内，公司研发费用对应的具体研发项目情况如下：
单位：万元
项目 2022 2021 2020 截至 2022 年末
序号 项目名称
预算 年度 年度 年度 研发进度
制芯片
驱动芯片
已完成小批量
试产
高压双路交错电流模式
PWM 控制芯片
已完成小批量
试产
已完成工程流
片
已完成工程流
片
已完成工程流
片
高压双通道有源钳位交
错电流模式控制芯片
控制器
已完成工程流
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项目 2022 2021 2020 截至 2022 年末
序号 项目名称
预算 年度 年度 年度 研发进度
LM5035C 集成同步功能
已完成工程流
片
升级
ADuM6210 隔离 DC-DC 已完成工程流
转换芯片 电源副边 片
机驱动芯片
合计 2,271.95 1,886.27 1,388.55 —
注 1：“其他项目”为报告期各年研发费用金额累积不超过 30 万元的研发项目；公司
已追加“120V 电流模式 PWM 控制芯片”“沟槽型 MOSFET”和“78XX 系列 LDO”的项
目预算
注 2：“平面 MOSFET”“沟槽型 MOSFET”和“超结 MOSFET”为大类研发项目，
“部分已量产”指部分对应器件已量产
（5）研发费用率与同行业对比情况
报告期内，公司研发费用率与同行业可比公司的水平（同行业公司均已剔
除股份支付费用）对比情况具体如下：
公司简称 2022 年度 2021 年度 2020 年度
士兰微 7.51% 8.16% 10.02%
华微电子 5.03% 4.16% 3.85%
新洁能 4.20% 5.27% 5.42%
东微半导 4.45% 5.30% 5.18%
臻镭科技 28.04% 21.26% 19.92%
振华风光 未披露 9.30% 6.84%
成都华微 13.48% 19.87% 22.61%
平均值 10.45% 10.47% 10.55%
公司 9.65% 8.99% 10.14%
注：数据来源于上述公司披露的定期报告或招股说明书，发行人与新洁能为 2022 年年
报数据，其他公司尚未披露 2022 年年报，上述为 2022 年 6 月 30 日数据
公司的研发费用率相对高于华微电子、新洁能和东微半导，一方面是相比
上述可比公司，公司的收入规模较小；另一方面是公司研发的产品除了功率器
件，还有功率 IC，功率 IC 的研发相比功率器件更为复杂，需要更多的研发人
力物力投入。因此，相比华微电子、新洁能和东微半导等专注于功率器件研发
的企业，公司的研发费用率相对较高。而士兰微亦同时涉及功率器件和 IC 的研
发，公司的研发费用率与其较为接近。报告期内，公司的研发费用率相对低于
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臻镭科技和成都华微，主要是臻镭科技和成都华微除了研发电源管理类产品外，
还包括射频类、可编程逻辑器件等多种研发难度较高的非功率 IC 产品，并且主
要面向高可靠领域客户，该领域客户对产品的可靠性要求高、需求的品类多，
因此需要投入较高的研发费用。而公司除了研发功率 IC，还包括功率器件等产
品，并且除了面向高可靠领域，还面向消费电子领域和工业控制领域。因此，
公司的研发费用率相对低于臻镭科技和成都华微具有合理性。
报告期内，公司的财务费用构成及金额情况如下：
单位：万元
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
利息费用 136.58 104.14 50.28
减：利息收入 92.38 26.14 7.39
其他 5.94 2.70 2.09
合计 50.13 80.70 44.98
公司的财务费用主要由利息费用构成，为公司借款产生。随着公司业务规
模扩大，公司银行借款等有息负债增加，相应的利息费用增加。
（五）利润表其他科目分析
报告期内，公司的其他收益构成及金额情况如下：
单位：万元
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
政府补助 1,188.06 542.16 286.15
个人所得税手续费返还 2.51 2.12 0.02
合计 1,190.57 544.28 286.17
报告期内，公司的其他收益主要是收到的政府补助，其明细如下：
单位：万元
与资产相关/与
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
收益相关
张家港市产业创新集群高质
量发展扶持资金
资金到账及引入风险资助
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与资产相关/与
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
收益相关
可加计扣除研发费资助
本市场实现高质量发展市级 30.00 - - 与收益相关
财政奖励
专项资金-科创版企业上市奖 20.00 与收益相关
励资金
张家港市工业和信息化产业
- 268.78 115.88 与收益相关
转型升级专项资金
张家港市重点研发产业化项
- 89.00 70.00 与收益相关
目后补助资金
苏州市科技发展计划 - 60.00 - 与收益相关
张家港市高新技术产业开发
- 49.92 53.04 与收益相关
区管委会房租金补贴
“独角兽”培育企业研发后
- 20.00 - 与收益相关
补助
拟上市企业上市股改补贴 - - - 与收益相关
张家港市“智汇港城”创新
- - - 与收益相关
创业领军人才项目资金
姑苏人才计划项目奖励 - - - 与收益相关
绿色发展等工业经济扶持资
- - - 与收益相关
金-集成电路产业发展奖励
领军人才项目补贴 - - - 与收益相关
张家港市小巨人企业培育行
- - - 与收益相关
动计划扶持资金
企业研发奖励资金 - - 20.00 与收益相关
其他 87.25 54.46 27.23 与收益相关
合计 1,188.06 542.16 286.15
注：“其他”为各年单项金额均小于 20 万元的零星政府补助
公司的投资收益主要是购买银行理财产品产生的收益。报告期内，其金额
分别为 36.02 万元、273.73 万元和 92.42 万元。
报告期内，公司的信用减值损失及资产减值损失的构成及金额情况如下：
单位：万元
项目 内容 2022 年度 2021 年度 2020 年度
应收账款坏账
信用减值损失 -95.78 31.19 15.90
损失
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项目 内容 2022 年度 2021 年度 2020 年度
其他应收账坏
账损失
应收票据坏账
-126.04 28.32 -31.56
损失
小计 -188.34 53.56 -17.56
资产减值损失 存货跌价损失 -549.74 -49.39 -61.47
小计 -549.74 -49.39 -61.47
公司的信用减值损失主要由应收账款、其他应收款和应收票据的坏账损失
导致。报告期内，金额分别为-17.56 万元、53.56 万元和-188.34 万元。
资产减值损失由存货跌价损失导致。报告期内，金额分别为-61.47 万元、-
报告期内，公司无营业外收入；公司营业外支出分别为 0.00 万元、0.00 万
元和 0.29 万元。公司营业外收支占营业收入的比例较低。
报告期内，公司的所得税费用构成及金额情况如下：
单位：万元
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
当期所得税费用 547.72 - -
递延所得税费用 -56.15 11.45 -8.82
合计 491.57 11.45 -8.82
十一、资产质量分析
（一）资产构成及其变化分析
报告期内，公司流动资产和非流动资产构成如下：
单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
流动资产 32,221.08 72.56% 31,839.88 80.25% 19,512.14 98.00%
非流动资产 12,182.85 27.44% 7,836.19 19.75% 398.53 2.00%
资产总计 44,403.93 100.00% 39,676.07 100.00% 19,910.67 100.00%
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报告期各期末，公司的资产总额分别为 19,910.67 万元、39,676.07 万元和
采用 Fabless 经营模式，非流动资产占比较小。
（二）流动资产结构及其变化分析
报告期各期末，公司流动资产的构成如下：
单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
货币资金 9,530.50 29.58% 17,794.03 55.89% 7,973.28 40.86%
交易性金
- 0.00% 994.65 3.12% - 0.00%
融资产
应收票据 3,632.30 11.27% 1,001.92 3.15% 2,749.06 14.09%
应收账款 3,962.86 12.30% 2,143.10 6.73% 2,735.75 14.02%
应收款项
融资
预付款项 1,800.53 5.59% 934.04 2.93% 291.83 1.50%
其他应收
款
存货 11,673.77 36.23% 6,694.00 21.02% 3,012.06 15.44%
其他流动
资产
合计 32,221.08 100.00% 31,839.88 100.00% 19,512.14 100.00%
公司流动资产主要由与日常生产经营密切相关的货币资金、应收票据、应
收账款和存货构成，报告期各期末，上述资产合计占流动资产比例分别为
报告期各期末，公司货币资金的构成情况如下：
单位：万元
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
库存现金 0.95 2.23 0.74
银行存款 9,439.55 17,371.80 7,707.54
其他货币资金 90.00 420.00 265.00
其中：受限制的货币资金 90.00 420.00 265.00
合计 9,530.50 17,794.03 7,973.28
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注：受限制的货币资金主要是银行承兑汇票保证金
报告期各期末，公司货币资金余额分别为 7,973.28 万元、17,794.03 万元和
投资等 10,000.00 万元的股权投资款。
报告期各期末，公司交易性金融资产的构成情况如下：
单位：万元
项目
账面余额 比例 账面余额 比例 账面余额 比例
分类为以公允
价值计量且变
- - 994.65 100.00% - -
动计入当期损
益的金融资产
其中：银行
- - 994.65 100.00% - -
理财产品
合计 - - 994.65 100.00% - -
报告期各期末，公司交易性金融资产的账面价值分别为 0.00 万元、994.65
万元和 0.00 万元，均为公司购买的银行理财产品。
报告期内，公司部分客户采用银行承兑汇票或商业承兑汇票的形式向公司
支付货款。公司接受部分长期稳定合作且信誉良好的客户通过该形式支付货款。
报告期各期末，公司应收票据的构成情况如下：
单位：万元
项目
账面价值 比例 账面价值 比例 账面价值 比例
银行承兑汇票 796.44 21.93% 411.53 41.07% 2,386.42 86.81%
商业承兑汇票 2,835.87 78.07% 590.39 58.93% 362.63 13.19%
合计 3,632.30 100.00% 1,001.92 100.00% 2,749.06 100.00%
报告期各期末，公司应收票据的账面价值分别为 2,749.06 万元、1,001.92
万元和 3,632.30 万元。
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根据金融工具准则有关规定，公司对承兑人为非六大国有商业银行及非九
大股份制商业银行的已背书或贴现的尚未到期的银行承兑汇票、已背书或贴现
的尚未到期的商业承兑汇票未予以终止确认，仍列示应收票据科目，同时将背
书的款项在其他流动负债科目列示。
单位：万元
项目 账面余额 预期信用损失 计提比例 账面价值
单项计提预期信用损失 - - - -
按组合计提预期信用损失 3,797.81 165.51 4.36% 3,632.30
其中：银行承兑汇票 812.69 16.25 2.00% 796.44
商业承兑汇票 2,985.12 149.26 5.00% 2,835.87
合计 3,797.81 165.51 4.36% 3,632.30
单项计提预期信用损失 - - - -
按组合计提预期信用损失 1,041.39 39.47 3.79% 1,001.92
其中：银行承兑汇票 419.93 8.40 2.00% 411.53
商业承兑汇票 621.46 31.07 5.00% 590.39
合计 1,041.39 39.47 3.79% 1,001.92
单项计提预期信用损失 - - - -
按组合计提预期信用损失 2,816.84 67.79 2.41% 2,749.06
其中：银行承兑汇票 2,435.13 48.70 2.00% 2,386.42
商业承兑汇票 381.72 19.09 5.00% 362.63
合计 2,816.84 67.79 2.41% 2,749.06
报告期各期末，公司应收票据账面余额分别为 2,816.84 万元、1,041.39 万
元和 3,797.81 万元。公司参考历史信用损失经验，结合当前状况以及对未来经
济状况的判断，依据信用风险特征将应收票据划分为银行承兑汇票与商业承兑
汇票两个组合，在组合基础上计算预期信用损失。
报告期各期末，公司应收款项融资分别为 1,614.09 万元、10.00 万元和
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银行承兑汇票计入应收款项融资科目进行核算。
公司所持有的应收款项融资均系公司收到的信用等级较高的大型银行承兑
的银行承兑汇票。其不存在重大的信用风险，因而未计提预期信用准备。
报告期内，公司与客户主要采用先货后款的结算方式。报告期各期末，公
司应收账款的账面价值分别为 2,735.75 万元、2,143.10 万元和 3,962.86 万元，公
司应收账款账龄分布情况具体如下：
单位：万元
项目
账面余额 比例 账面余额 比例 账面余额 比例
合计 4,171.43 100.00% 2,255.89 100.00% 2,879.74 100.00%
减：预期信
用损失
账面价值 3,962.86 / 2,143.10 / 2,735.75 /
报告期各期末，公司应收账款的账龄均在 1 年以内，应收账款账龄分布合
理，公司重视对应收账款的管理和催收，应收账款回收风险较低。
报告期各期末，公司应收账款的账面余额分别为 2,879.74 万元、2,255.89
万元和 4,171.43 万元。2021 年末，公司应收账款余额相比上年年末均有所下降，
主要是公司下游市场需求旺盛及代工厂产能紧缺，公司对客户的应收账款回款
较快；2022 年末，公司应收账款余额相比上年年末有所上升，主要原因系：①
科研院所及相关配套单位增加较多，受预算拨款进度、经费支付计划、付款审
批流程、终端客户付款进度等因素影响，该类客户销售回款周期普遍较长，一
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定程度上导致公司回款周期延长；②2022 年二季度以来消费电子市场需求持续
疲软，在一定程度上影响了部分客户的回款。
单位：万元
项目 账面余额 预期信用损失 计提比例 账面价值
单项计提预期信用损失的应
- - - -
收账款
按组合计提预期信用损失的
应收账款
其中：销售货款 4,171.43 208.57 5.00% 3,962.86
合计 4,171.43 208.57 5.00% 3,962.86
单项计提预期信用损失的应
- - - -
收账款
按组合计提预期信用损失的
应收账款
其中：销售货款 2,255.89 112.79 5.00% 2,143.10
合计 2,255.89 112.79 5.00% 2,143.10
单项计提预期信用损失的应
- - - -
收账款
按组合计提预期信用损失的
应收账款
其中：销售货款 2,879.74 143.99 5.00% 2,735.75
合计 2,879.74 143.99 5.00% 2,735.75
报告期内，公司参考同行业公司惯例，结合自身全部为内销且主要为货物
销售等业务特点，对应收账款根据其账龄分布构建信用风险特征组合，并根据
账龄组合制定了预期信用损失的计提比例。
公司与同行业可比上市公司应收账款预期信用损失计提比例的对比情况如
下：
应收账款预期信用损失计提比例
账龄组合 华微 东微 臻镭 振华 成都
士兰微 新洁能 公司
电子 半导 科技 风光 华微
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应收账款预期信用损失计提比例
账龄组合 华微 东微 臻镭 振华 成都
士兰微 新洁能 公司
电子 半导 科技 风光 华微
注：上述公司的坏账准备计提政策来自于年报或招股说明书
公司应收账款预期信用损失计提比例与同行业可比上市公司不存在显著差
异且更为谨慎。
报告期内各期末，公司应收账款前五名客户情况具体如下：
单位：万元
预期信
占应收账款
日期 客户名称 余额 用损失
余额比例
金额
瑞森半导体科技（广东）有限公司 1,429.32 34.26% 71.47
公司 A-2 447.89 10.74% 22.39
单位 H 257.78 6.18% 12.89
上海晶丰明源半导体股份有限公司 189.24 4.54% 9.46
深圳市永源微电子科技有限公司 139.29 3.34% 6.96
小计 2,463.53 59.06% 123.18
深圳市必易微电子股份有限公司 483.67 21.44% 24.18
公司 B 273.23 12.11% 13.66
上海晶丰明源半导体股份有限公司 207.35 9.19% 10.37
公司 A-1 153.42 6.80% 7.67
无锡博通微电子技术有限公司 132.01 5.85% 6.60
小计 1,249.67 55.39% 62.48
深圳市必易微电子股份有限公司 263.19 9.14% 13.16
上海晶丰明源半导体股份有限公司 262.81 9.13% 13.14
盛廷微电子江苏有限公司 249.22 8.65% 12.46
公司 B 217.81 7.56% 10.89
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预期信
占应收账款
日期 客户名称 余额 用损失
余额比例
金额
小计 1,253.45 43.52% 62.67
公司与报告期各期末应收账款前五名客户合作关系良好，合作期间未发生
任何纠纷，公司根据账龄组合对上述客户计提预期信用损失。
报告期内，公司第三方回款的类别及金额情况如下：
单位：万元
回款类别 2022 年度 2021 年度 2020 年度
客户关联方代为付款 - - 77.48
通过发行人员工回款 - - 5.30
合计 - - 82.78
营业收入 23,538.19 20,972.89 13,698.04
占营业收入比例 - - 0.60%
报告期内，公司仅 2020 年度存在少量第三方回款的情况，涉及回款金额为
过发行人员工回款所致。
报告期内，公司严格执行内控制度，当回款人与客户信息不一致时，公司
财务与销售人员协作，第一时间联系客户查明原因，并由客户出具情况说明或
付款委托书。报告期内，公司第三方回款整体占比较低，且报告期最后一期已
不存在此情形。
综上所述，报告期内发行人第三方回款均取得客户出具的情况说明或付款
委托书，第三方回款所对应的收入真实，不存在虚构交易或调节账龄的情形。
发行人及其实际控制人、董监高或其他关联方与第三方回款的支付方不存在其
他利益安排，亦不存在因第三方回款导致的货款归属纠纷，相关内部控制制度
有效运行。
报告期各期末，公司预付款项余额分别为 291.83 万元、934.04 万元和
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预付款项主要为向供应商预付的晶圆采购款。
报告期各期末，公司预付款项前五名供应商情况如下：
单位：万元
占预付款项
日期 客户名称 余额
余额比例
公司 D 636.74 35.36%
深圳中电投资有限公司 266.32 14.79%
华泰联合证券有限责任公司 200.00 11.11%
江苏分所
成都锐成芯微科技股份有限公司 154.74 8.59%
小计 1,437.80 79.85%
西安微晶微电子有限公司 575.86 61.65%
深圳市稳先微电子有限公司 208.55 22.33%
苏州同冠微电子有限公司 43.95 4.71%
无锡众享科技有限公司 29.42 3.15%
丰艺电子（上海）有限公司 14.78 1.58%
小计 872.55 93.42%
西安微晶微电子有限公司 152.47 52.25%
深圳市稳先微电子有限公司 47.03 16.11%
深圳中电投资股份有限公司 19.39 6.64%
限公司
张家港市集成电路产业发展有限公司 11.78 4.04%
小计 247.24 84.72%
产能紧张，公司为了锁定代工厂的产能，向西安微晶微和深圳市稳先微电子有
限公司预付了部分货款；2022 年末，公司预付账款相比上年年末增加，主要原
因系随着公司功率 IC 收入的快速增长，公司集中向代工厂下达的订单较多，为
锁定代工厂的产能并且配合对方进行原材料备货，公司向公司 D 预付了较多功
率 IC 晶圆货款，截至年末尚未完全到货；公司向深圳中电投资有限公司预付款
项主要是通过其代理进口由国外厂商代工的高压超结 MOSFET 晶圆等产品，国
外厂商要求公司预付相关货款，截至年末尚未完全到货；此外，公司为首次公
开发行并上市事宜向中介机构预付了部分款项。
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报告期各期末，公司其他应收款净额分别为 1,031.60 万元、1,144.54 万元
和 508.43 万元，按性质的分类如下：
单位：万元
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
保证金及押金 486.68 1,127.93 1,026.81
其他款项 21.75 16.61 4.79
合计 508.43 1,144.54 1,031.60
公司的其他应收款主要为向晶圆代工厂与封测厂支付的保证金及房租押金。
报告期各期末，公司其他应收款按账龄分布情况具体如下：
单位：万元
项目
账面余额 比例 账面余额 比例 账面余额 比例
合计 535.19 100.00% 1,204.78 100.00% 1,085.89 100.00%
减：坏账
准备
账面价值 508.43 / 1,144.54 / 1,031.60 /
报告期各期末，公司其他应收款余额主要为 1 年以内的往来款。公司的其
他应收款主要为保证金和押金，公司依据信用风险特征对其他应收款划分组合
并在此基础上对预期信用损失进行评估，并分别计提的坏账准备余额为 54.29
万元、60.24 万元和 26.76 万元。公司其他应收款的回收风险较小。
报告期各期末，公司其他应收款的前五名的款项性质、账龄、金额及占比
情况如下：
单位：万元
占其他应
款项
日期 单位名称 账龄 余额 收款余额
性质
比例
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占其他应
款项
日期 单位名称 账龄 余额 收款余额
性质
比例
上海汉磊电子贸易有限公司 保证金 1 年以内 200.00 37.37%
深圳市稳先微电子有限公司 保证金 2-3 年 140.00 26.16%
公司 D 保证金 2 年以内 100.00 18.69%
湖南楚微半导体科技有限公司 保证金 1 年以内 30.00 5.61%
泰州海天电子科技股份有限公
保证金 1-2 年 20.00 3.74%
司
合计 490.00 91.57%
上海汉磊电子贸易有限公司 保证金 1 年以内 900.00 74.70%
深圳市稳先微电子有限公司 保证金 1-2 年 140.00 11.62%
泰州海天电子科技股份有限公
保证金 1 年以内 100.00 8.30%
公司 D 保证金 1 年以内 25.00 2.08%
深圳市投资控股有限公司 押金 1 年以内 10.37 0.86%
合计 1,175.37 97.56%
上海汉磊电子贸易有限公司 保证金 1 年以内 900.00 82.88%
深圳市稳先微电子有限公司 保证金 1 年以内 140.00 12.89%
公司 D 保证金 1 年以内 30.00 2.76%
无锡软件产业发展有限公司 押金 1 年以内 6.30 0.58%
张家港沙洲湖科创园发展有限
押金 1-3 年 2.00 0.18%
公司
合计 1,078.30 99.29%
公司的其他应收款主要为支付给上海汉磊、深圳市稳先微电子有限公司、
公司 D 等晶圆代工厂的保证金。
报告期各期末，公司存货账面价值分别为 3,012.06 万元、6,694.00 万元和
公司存货账面价值随着业务规模的扩大有所增长。
（1）存货明细构成及变动分析
报告期各期末，公司的存货主要由原材料、库存商品、发出商品、委托加
工物资和合同履约成本构成，具体构成情况如下。
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单位：万元
项目
账面价值 比例 账面价值 比例 账面价值 比例
原材料 349.98 3.00% 419.92 6.27% 14.19 0.47%
库存商品 9,345.02 80.05% 3,950.01 59.01% 1,902.71 63.17%
发出商品 32.59 0.28% 18.28 0.27% 132.37 4.39%
委托加工物资 1,350.80 11.57% 1,718.15 25.67% 682.55 22.66%
合同履约成本 595.38 5.10% 587.65 8.78% 280.24 9.30%
合计 11,673.77 100.00% 6,694.00 100.00% 3,012.06 100.00%
报告期各期末，公司的存货以库存商品和委托加工物资为主，合计占比分
别为 85.83%、84.68%和 91.62%。
品和委托加工物资增长较多。其中，2021 年末公司库存商品账面价值相比
了库存商品的储备；2021 年末，委托加工物资账面价值较 2020 年末增长
直接委外转变为带料委外，公司自购外延片并按晶圆生产计划备货，导致外延
片等委托加工物资增加。
品增长较多，主要原因系：受通货膨胀等因素影响，2022 年二季度以来，以智
能手机、PC、家电为代表的消费电子市场需求持续疲软，相关产业链整体呈现
去库存压力。2022 年，虽然发行人来自工业控制及高可靠应用领域的收入占比
超过 50%，相比 2021 年提升明显，但来自消费电子领域的收入占比有 46.51%，
消费电子市场需求端的不利变化是造成公司 2022 年末库存量大幅增加的重要原
因；②公司晶圆采购和常规备货的策略调整较市场变化存在一定时滞。公司在
接到订单后，通常需要约 2-3 个月的晶圆代工周期及约 1 个月的封装测试周期
才能交付产品；2022 年上半年，公司为保障对下游的供货能力，延续了 2021
年市场高速增长态势下的晶圆采购和备货策略，对部分预计需求量较大的常规
通用型中测后晶圆及封装成品进行了采购和持续备货，从而导致库存规模在电
子消费市场需求出现急剧不利变化的形势下持续上升。
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化情况如下：
单位：万元
应用领域
余额 占比 余额 占比
消费电子 5,977.58 51.18% 4,734.57 76.34%
高可靠 1,546.16 13.24% 366.28 5.91%
工业控制 4,154.93 35.58% 1,100.80 17.75%
合计 11,678.67 100.00% 6,201.65 100.00%
存货对应的应用领域占比（%）
消费电子 高可靠 工业控制
也在逐步优化。2021 年末和 2022 年末，公司应用于消费电子领域的存货占比
分别为 76.34%和 51.18%，下降幅度明显。同时，公司应用于工业控制和高可
靠领域的存货占比由 2021 年末的 23.66%提升至 2022 年末的 48.82%，提升幅度
较大。随着公司在工业控制和高可靠应用领域持续进行业务开拓和销售放量，
公司的存货余额将会得到逐步消化。
（2）存货跌价准备分析
报告期各期末，公司存货跌价准备的计提情况如下：
单位：万元
时间 项目 账面余额 跌价准备 计提比例 账面价值
原材料 367.52 17.54 4.77% 349.98
库存商品 9,920.76 575.74 5.80% 9,345.02
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时间 项目 账面余额 跌价准备 计提比例 账面价值
发出商品 32.59 - 0.00% 32.59
委托加工物资 1,357.80 7.00 0.52% 1,350.80
合同履约成本 595.38 - 0.00% 595.38
合计 12,274.05 600.29 4.89% 11,673.77
原材料 454.78 34.86 7.67% 419.92
库存商品 4,010.45 60.44 1.51% 3,950.01
发出商品 18.28 - 0.00% 18.28
委托加工物资 1,718.15 - 0.00% 1,718.15
合同履约成本 587.65 - 0.00% 587.65
合计 6,789.30 95.31 1.40% 6,694.00
原材料 41.33 27.13 65.66% 14.19
库存商品 1,943.29 40.58 2.09% 1,902.71
发出商品 132.37 - 0.00% 132.37
委托加工物资 682.55 - 0.00% 682.55
合同履约成本 280.24 - 0.00% 280.24
合计 3,079.77 67.71 2.20% 3,012.06
如下：一方面因产品备货存在时滞，公司部分库存商品采购时间位于半导体行
情高点，采购成本相对较高；另一方面公司库存商品销售价格受消费电子领域
市场低迷的影响有所下降，存货周转率亦有所降低，因此公司基于谨慎性原则
对部分发生减值和长库龄（主要是库龄在 2 年以上的）库存商品计提了跌价准
备。
报告期各期末，公司与同行业可比公司的存货跌价准备计提比例的对比情
况如下：
公司名称 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31 经营模式
士兰微 4.02% 4.58% 6.44% IDM 模式
华微电子 5.69% 8.68% 5.24% IDM 模式
新洁能 2.13% 0.72% 2.51% 以 Fabless 模式为主
东微半导 0.97% 1.30% 2.75% Fabless 模式
臻镭科技 0.00% 0.00% 0.00% Fabless 模式
振华风光 未披露 4.40% 11.41% 专注于于芯片设计、封
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公司名称 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31 经营模式
装和测试环节，晶圆制
造通过委外加工进行
成都华微 10.55% 11.08% 10.48% Fabless 模式
平均值 3.89% 4.39% 5.55% /
公司 4.89% 1.40% 2.20% Fabless 模式
注：数据来源于上述公司披露的定期报告或招股说明书，发行人与新洁能为 2022 年年
报数据，其他公司尚未披露 2022 年年报，上述为 2022 年 6 月 30 日数据
公司的存货跌价准备计提比例总体上相对低于士兰微和华微电子，主要是
经营模式和公司规模差异导致。报告期内，公司采用 Fabless 经营模式且销售产
品以中测后晶圆为主，覆盖的产业链较短，持有的存货品类及金额较少；士兰
微和华微电子是 IDM 模式且规模较大，覆盖的产业链较长，持有的存货品类及
金额较多，相应的存货跌价准备比例较高；2020-2021 年，公司与以 Fabless 模
式为主的新洁能和以 Fabless 模式的东微半导计提的存货跌价准备的比例较为接
近；2022 年，公司的计提比例高于新洁能和东微半导。因此，公司的存货跌价
准备计提较为谨慎。报告期各期末，公司的存货跌价准备计提比例低于振华风
光和成都华微，主要是上述公司基于其存货库龄较长、生产工艺发生变更后技
术指标无法满足客户需求以及无市场销售价值等原因，对存货计提了较多的跌
价准备。此外，振华风光还有自行封测等生产环节，会涉及到更多的存货品类，
相应的存货跌价准备计提比例较高。
（3）期末存货期后实现销售及结转成本的情况
截至 2023 年 3 月 22 日，公司 2022 年末存货期后销售结转情况如下：
单位：万元
项目 期后销售结转率
存货账面余额 销售结转存货金额
项目类存货 595.38 119.38 20.05%
产品类存货 11,678.67 1,457.15 12.48%
合计 12,274.05 1,576.53 12.84%
注 1：期后销售结转率=截至 2023 年 3 月 22 日存货销售结转金额/2022 年末该存货余
额；
注 2：项目类存货为技术服务项目对应的合同履约成本。
公司的存货分为项目类存货和产品类存货，两类存货的期后销售及结转成
本情况如下：
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截至 2023 年 3 月 22 日，公司 2022 年末项目类存货的期后销售结转率为
行的部分技术服务项目截至 2023 年 3 月 22 日仍在研发过程中，从而未确认收
入及结转成本。后续随着项目的研发完成并取得客户的验收，相关存货会逐步
销售结转。
截至 2023 年 3 月 22 日，公司 2022 年末的产品类存货整体的期后销售结转
率为 12.48%，公司产品类存货包括原材料、委托加工物资、库存商品及发出商
品，其中原材料、委托加工物资达到可销售状态需要一定的加工周期，自外延
片加工至晶圆以及进一步加工为封装成品通常需要 3-4 个月，并且相关存货实
现对外销售也需要一定的时间，因此期后销售结转率较低。具体存货类别的销
售结转情况如下：
①库存商品和发出商品的期后销售情况
对于 2022 年末的库存商品和发出商品，公司主要的产品功率器件和功率
IC 的中测后晶圆和封装成品的期后销售结转情况如下：
单位：万元
截至 2023 年 3 月 22 日 期后销售
销售结转存货金额 结转率
产品
产品形态 占库存商
类别 账面余额
品和发出商品 （b） （c=b/a）
（a）
的比例
中测后晶圆 7,088.16 71.21% 948.54 13.38%
功率
封装成品 1,919.97 19.29% 465.91 24.27%
器件
小计 9,008.13 90.50% 1,414.45 15.70%
中测后晶圆 536.37 5.39% 9.20 1.72%
功率
封装成品 171.95 1.73% 27.38 15.92%
IC
小计 708.32 7.12% 36.58 5.16%
合计 9,716.44 97.62% 1,451.03 14.93%
注：期后销售结转率=截至 2023 年 3 月 22 日存货销售结转金额/2022 年末该存货余额
截至 2023 年 3 月 22 日，公司 2022 年末上述存货的期后销售结转率为
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A.一季度为半导体行业的销售淡季，下游客户处于制定全年生产计划的阶
段，尚未开始大规模采购；并且一季度包括春节等假期，也会影响公司的存货
销售。
B.公司中测后晶圆、封装成品以功率器件为主。2023 年一季度市场需求仍
未明显恢复，造成公司功率器件类库存消化放缓、期后销售率较低。
C.除消费电子市场需求疲软的影响，由于公司中测后晶圆采购和常规备货
的策略调整较市场变化存在一定时滞，2022 年上半年，公司为保障对下游的供
货能力，延续了 2021 年市场高速增长态势下的晶圆采购和备货策略，对部分需
求量大的中测后晶圆及封装成品进行了持续备货，导致报告期末的库存商品规
模处于较高水位，也造成了期后销售率较低。
D.2022 年，随着国产化替代加速，公司在高可靠领域和工业控制领域持续
深耕，继续深挖市场需求和扩大产品应用空间，同时对产品结构进行了优化，
增加对功率 IC、超高压平面 MOSFET 产品、FRMOS 及 SiC 产品的战略备货。
由于高可靠领域和工业控制领域客户产品导入周期相对较长，尚未在短期内大
量出货，从而造成了存货期后销售率较低。
针对上述情形，公司已采取积极措施消化库存。从采购端来看，公司已根
据市场变化调整备货策略，根据目前的市场行情合理预估市场需求，提升备货
的精准性。从销售端来看，公司一方面积极开拓新客户，兼顾中测后晶圆和封
装成品市场的新客户开拓；另一方面努力拓宽现有产品的应用领域，向需求仍
保持平稳的工业控制等应用领域推广。
②原材料及委托加工物资的期后结转情况
公司 2022 年末的原材料及委托加工物资期后结转至库存商品的情况如下：
单位：万元
项目 期后结转率
账面余额 结转金额
原材料 367.52 322.04 87.62%
委托加工物资 1,357.80 1,004.37 73.97%
注：期后结转率=截至 2023 年 3 月 22 日该存货结转金额/2022 年末该存货余额。
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况进行投片，因此少部分型号外延片尚未发往代工厂用于生产晶圆。公司 2022
年末的委托加工物资期后结转率为 73.97%。
随着公司在工业控制和高可靠应用领域持续的业务开拓和销售放量，公司
的存货余额将会得到逐步消化。
报 告 期 各 期 末 ， 公 司 其 他 流 动 资 产 的 账 面 价 值 分 别 为 104.47 万 元 、
的明细如下：
单位：万元
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
增值税留抵税额 97.23 800.54 1.25
预缴企业所得税 12.05 323.07 103.22
合计 109.28 1,123.61 104.47
税额较大，且年末尚未抵扣完毕。
（三）非流动资产结构及其变化分析
报告期各期末，公司非流动资产的构成如下：
单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
固定资产 10,771.29 88.41% 387.85 4.95% 295.60 74.17%
在建工程 465.95 3.82% 5,527.96 70.54% 26.55 6.66%
使用权资产 111.46 0.91% 200.47 2.56% - 0.00%
无形资产 151.88 1.25% 219.40 2.80% - 0.00%
长期待摊费用 78.01 0.64% 136.33 1.74% 33.26 8.35%
递延所得税资产 101.26 0.83% 30.77 0.39% 41.71 10.47%
其他非流动资
产
合计 12,182.85 100.00% 7,836.19 100.00% 398.53 100.00%
公司非流动资产主要由固定资产和在建工程组成。报告期内，上述资产合
计占非流动资产的比例分别为 80.84%、75.49%和 92.23%。公司非流动资产的
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具体情况如下：
报告期各期末，公司持有的固定资产账面价值分别为 295.60 万元、387.85
万元和 10,771.29 万元，占非流动资产的比例分别为 74.17%、4.95%和 88.41%。
沙洲湖科创园 B2 幢作为办公和科研用房并进行了装修，导致房屋及建筑物账面
价值增加了 3,977.93 万元；②公司与西安微晶微扩产合作项目的机器设备 2022
年陆续转固，导致机器设备账面价值增加了 6,017.52 万元。固定资产具体情况
如下：
单位：万元
期间 项目 原值 累计折旧 账面价值
房屋及建筑物 4,139.25 161.32 3,977.93
机器设备 6,209.79 192.26 6,017.52
运输工具 175.63 149.50 26.13
电子设备 1,158.82 489.76 669.06
办公家具及其他 117.81 37.17 80.64
合计 11,801.30 1,030.01 10,771.29
运输工具 175.63 133.08 42.55
电子设备 671.66 339.80 331.86
办公家具及其他 37.64 24.20 13.44
合计 884.92 497.07 387.85
运输工具 147.05 106.48 40.56
电子设备 429.24 196.29 232.95
办公家具及其他 37.64 15.55 22.09
合计 613.92 318.32 295.60
公司业务规模不断扩大，盈利能力逐渐增强，固定资产管理维护和运行状
况良好，相关的固定资产不存在减值的情形。
报告期内，公司的固定资产折旧政策与同行业可比公司的比较情况如下：
公司名称 资产类型 折旧年限（年） 残值率
房屋及建筑物 30-35 5%
士兰微
通用设备 5-10 5%
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公司名称 资产类型 折旧年限（年） 残值率
专用设备 5-10 5%
运输工具 5 5%
房屋及建筑物 35 3%
专用设备 10 3%
华微电子 通用设备 15 3%
运输工具 10 3%
办公及其他设备 10 3%
房屋及建筑物 20 3%
机器设备 10 3%
新洁能 工具 5 3%
电子及其他设备 3 3%
运输工具 4 3%
通用设备 3 3%
东微半导 专用设备 3-10 3%
运输工具 5 3%
机器设备 5-10 5%
臻镭科技 运输工具 5-8 5%
其他设备 3-5 5%
房屋及构筑物 40 5%
机器设备 5-12 5%
振华风光 运输设备 5-10 5%
电子设备 5 5%
办公设备 5 5%
房屋建筑物 30-40 5%
机器设备 5-10 5%
成都华微
运输设备 5 5%
办公设备 5 5%
房屋及建筑物 20 5%
房屋及建筑物-装修改造 5 0%
公司 机器设备 10 5%
运输工具 4 5%
电子设备 3-5 5%
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公司名称 资产类型 折旧年限（年） 残值率
办公家具及其他 3 5%
报告期内，公司的固定资产折旧政策与同行业可比公司同类资产的折旧政
策不存在显著差异，符合所属行业的情况。
报告期各期末，公司在建工程的具体情况如下：
单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
扩产合作项目 318.58 68.37% 5,486.81 99.26% - -
其他设备 147.37 31.63% 41.15 0.74% - -
ERP 系统 - - - - 26.55 100.00%
合计 465.95 100.00% 5,527.96 100.00% 26.55 100.00%
报告期各期末，公司在建工程分别为 26.55 万元、5,527.96 万元和 465.95 万
元，不存在减值迹象。2021 年，公司为了锁定并进一步扩大在西安微晶微的产
能供给，与西安微晶微签订了《扩产合作协议》，由公司购置生产设备及相关
附属设备投放于西安微晶微的生产线用于其扩产。截至 2022 年末，扩产合作项
目的设备基本已完成验收并转固。
报告期各期末，公司使用权资产账面价值分别为 0.00 万元、200.47 万元和
单位：万元
期间 项目 原值 累计折旧 账面价值
房屋 253.44 141.98 111.46
合计 253.44 141.98 111.46
房屋 323.84 123.37 200.47
合计 323.84 123.37 200.47
房屋 - - -
合计 - - -
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万元，占非流动资产的比例为 2.56%和 0.91%，主要系公司自 2021 年 1 月 1 日
起执行新租赁准则，根据相关规定，公司将租赁的房屋计入使用权资产。
报告期各期末，公司的无形资产分别为 0.00 万元、219.40 万元和 151.88 万
元，主要是购置的软件。2021 年末和 2022 年末，公司无形资产账面价值占非
流动资产的比例为 2.80%和 1.25%。
报告期各期末，公司长期待摊费用分别为 33.26 万元、136.33 万元和 78.01
万元。公司长期待摊费用主要系公司对租赁的房屋进行装修产生的费用及软件
授权费。
（1）未经抵销的递延所得税资产
单位：万元
项目 可抵扣暂 递延所得 可抵扣暂 递延所得 可抵扣暂 递延所得
时性差异 税资产 时性差异 税资产 时性差异 税资产
信用减值准备 400.68 40.07 212.35 21.23 265.98 33.25
资产减值准备 611.92 61.19 95.31 9.53 67.71 8.46
合计 1,012.60 101.26 307.65 30.77 333.69 41.71
报告期各期末，公司递延所得税资产分别为 41.71 万元、30.77 万元和
备。
（2）未经抵销的递延所得税负债
单位：万元
项目 应纳税暂 递延所得 应纳税暂 递延所得 应纳税暂 递延所得
时性差异 税负债 时性差异 税负债 时性差异 税负债
交易性金融资产 - - 5.00 0.50 - -
固定资产加计影响 148.46 14.85 - - - -
合计 148.46 14.85 5.00 0.50 - -
报告期各期末，公司递延所得税负债分别为 0.00 万元、0.50 万元和 14.85
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万元。公司递延所得税负债主要来自于交易性金融资产和固定资产加计影响形
成的应纳税暂时性差异。
报告期各期末，公司其他非流动资产分别为 1.40 万元、1,333.42 万元和
产用的设备款等。
（四）资产周转能力分析
报告期内，公司存货周转率、应收账款周转率如下：
指标 2022 年度 2021 年度 2020 年度
应收账款周转率（次） 7.32 8.17 4.52
存货周转率（次） 1.33 2.57 3.79
公司应收账款周转情况整体良好。2020 年度，公司应收账款周转率相对稳
定；2021 年度，公司应收账款周转率较 2020 年度提升较多，主要是 2020 年下
半年以来，公司下游市场需求旺盛及代工厂产能紧缺，公司对客户的应收账款
回款较快，从而应收账款周转率提升明显；2022 年，公司应收账款周转率较上
年度有所下降，主要原因系一方面公司高可靠领域收入明显增加，但相关客户
的回款周期相对较长；另一方面系受消费电子下游需求疲软的影响，部分客户
对公司回款有所延缓，客户经营情况正常，公司与客户针对款项回收保持着良
好的沟通。
报告期内，公司存货周转率有所下降，主要原因系公司封装成品推广力度
加大，封装成品市场需求增加，从而增加了对相应库存商品的储备，此外，由
于 2021 年公司与西安微晶微的采购模式变化，导致 2021 年末外延片等委托加
工物资增加，详见本节“十一、资产质量分析”之“（二）流动资产结构及其
变化分析”之“7、存货”的详细说明。2022 年，由于公司晶圆采购和常规备
货的策略调整较市场变化存在一定时滞，加之消费电子市场需求端的不利变化，
导致 2022 年末存货规模有所增加，周转率有所下降。
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报告期内，公司与同行业上市公司应收账款周转率比较情况如下：
单位：次
公司名称 2022 年度 2021 年度 2020 年度
士兰微 4.09 4.63 3.96
华微电子 4.70 5.39 3.95
新洁能 11.92 12.41 9.40
东微半导 7.96 8.35 5.78
臻镭科技 2.61 1.74 2.42
振华风光 未披露 1.89 1.81
成都华微 2.13 2.49 2.65
平均值 5.57 5.27 4.28
公司 7.32 8.17 4.52
注：数据来源于上述公司披露的定期报告或招股说明书；发行人与新洁能为 2022 年年
报数据，其他公司尚未披露 2022 年年报，上述为 2022 年 6 月 30 日数据，2022 年 1-6 月周
转率指标已年化
报告期内，公司应收账款周转率高于士兰微和华微电子，低于新洁能和东
微半导，上述差异主要由各个公司向客户提供的信用账期不同导致。2021 年，
公司应收账款周转率高于 2020 年，主要是下游市场需求旺盛及代工厂产能紧缺，
公司对客户的应收账款回款较快，从而应收账款周转率提升明显，2021 年公司
的应收账款周转率与同行业保持了一致的变化趋势。2022 年公司与士兰微、华
微电子、新洁能和东微半导等可比公司的应收账款周转率较上年度均有所下降，
变动趋势一致；共同原因为受消费电子下游需求疲软的影响，客户回款有所延
缓。报告期内，臻镭科技、振华风光和成都华微的应收账款周转率较低，原因
为其下游客户主要为高可靠领域相关企业及科研院所，一般情况下货款的结算
周期较长，因此，上述公司的应收账款周转率相对较低。
报告期内，公司与同行业上市公司存货周转率比较情况如下：
单位：次
公司名称 2022 年度 2021 年度 2020 年度
士兰微 2.53 2.76 2.23
华微电子 7.16 7.78 5.87
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公司名称 2022 年度 2021 年度 2020 年度
新洁能 3.30 5.15 5.68
东微半导 5.07 6.27 3.60
臻镭科技 0.39 1.03 2.03
振华风光 未披露 0.48 0.70
成都华微 0.82 0.44 0.55
平均值 3.21 3.42 2.95
公司 1.33 2.57 3.79
注：数据来源于上述公司披露的定期报告或招股说明书；发行人与新洁能为 2022 年年
报数据，其他公司尚未披露 2022 年年报，上述为 2022 年 6 月 30 日数据，2022 年 1-6 月周
转率指标已年化
于同行业公司，主要原因是：一方面，自 2021 年上半年开始，公司与西安微晶
微的晶圆采购模式由直接委外转变为带料委外，公司增加了对外延片等原材料
和委托加工物资的储备；另一方面，随着公司对封装成品业务推广力度的加大，
封装成品市场需求增加，公司增加了封装成品等库存商品的备货，从而导致存
货周转率低于同行业公司水平；2022 年，公司和士兰微、华微电子、新洁能和
东微半导等可比公司存货周转率总体呈下降趋势，主要原因系晶圆备货策略调
整较市场变化存在一定时滞，加之消费电子市场需求端的不利变化，导致存货
周 转 天 数 延 长 ； 此 外 ， 公 司 存 货 周 转 率 低 于 同 行 业 公 司 ， 还 与 公 司 SGT
MOSFET 等产品因市场行情变化销售未达预期相关。报告期内，臻镭科技、振
华风光和成都华微的存货周转率较低，主要原因为：其一，近年来上述公司收
入规模增长较快，承接的客户订单大量增加，且主要面向高可靠领域，该领域
客户具有小批量、多品类及多型号的采购需求，为保障向客户交付，上述公司
相应增加日常备货；其二，高可靠领域客户的验收程序严格且复杂，验收周期
较长，从而导致上述公司的发出商品金额较大；另外，振华风光还自行封测，
原材料及在产品较多。因此，上述公司的存货周转率相对较低具有合理性。
十二、偿债能力、流动性与持续经营能力分析
（一）负债构成及其变化分析
报告期内，公司流动负债和非流动负债构成如下：
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单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
流动负债 10,328.58 99.01% 10,839.17 91.74% 7,262.21 100.00%
非流动负债 102.76 0.99% 975.67 8.26% - 0.00%
负债总计 10,431.34 100.00% 11,814.83 100.00% 7,262.21 100.00%
报告期各期末，公司的负债总计分别为 7,262.21 万元、11,814.83 万元和
（二）流动负债结构及其变化分析
报告期各期末，公司流动负债构成情况如下：
单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
短期借款 2,561.93 24.80% 3,894.87 35.93% 1,599.92 22.03%
应付票据 3,208.60 31.07% 2,100.00 19.37% 1,175.00 16.18%
应付账款 1,815.92 17.58% 1,883.07 17.37% 1,359.16 18.72%
合同负债 1,338.73 12.96% 1,717.79 15.85% 391.98 5.40%
应付职工薪酬 510.08 4.94% 539.50 4.98% 459.67 6.33%
应交税费 22.93 0.22% 38.74 0.36% 23.21 0.32%
其他应付款 12.38 0.12% - 0.00% 0.22 0.00%
一年内到期的非
流动负债
其他流动负债 775.15 7.50% 475.43 4.39% 2,253.05 31.02%
合计 10,328.58 100.00% 10,839.17 100.00% 7,262.21 100.00%
报告期内，公司流动负债主要由短期借款、应付票据、应付账款、合同负
债 和 其 他 流 动 负 债 构 成 ， 其 占 流 动 负 债 的 比 例 分 别 为 93.35%、92.91%和
报告期各期末，公司短期借款的构成情况如下：
单位：万元
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
保证借款 - 1,440.38 1,358.00
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项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
信用借款 2,559.65 2,450.00 240.00
未到期应付利息 2.28 4.49 1.92
合计 2,561.93 3,894.87 1,599.92
报 告 期 内 ， 公 司 短 期 借 款 余 额 分 别 为 1,599.92 万 元 、3,894.87 万 元 和
农村商业银行、苏州银行和中国农业银行等进行借款融资以满足日常经营周转
需要。
报告期各期末，公司应付票据的构成情况如下：
单位：万元
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
银行承兑汇票 3,208.60 2,100.00 1,175.00
合计 3,208.60 2,100.00 1,175.00
公司与浦发银行和招商银行建立了长期合作，通过其开具银行承兑汇票作
为公司日常经营的付款手段。随着采购规模的扩大，应付票据余额增加。
报告期各期末，公司应付账款的构成情况如下：
单位：万元
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
应付经营性采购款项 1,070.58 1,854.47 1,357.79
应付工程及设备款项 745.34 28.60 1.38
合计 1,815.92 1,883.07 1,359.16
报 告 期 各 期 末 ， 公 司 应 付 账 款 分 别 为 1,359.16 万 元 、1,883.07 万 元 和
期内，公司应付账款主要为日常经营活动中应付供应商的货款、应付委外加工
厂的加工费和应付设备采购及装修尾款。
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技术服务费款项。相关合同约定，公司根据单个项目的节点开具发票和收取款
项，而公司的会计政策系根据合同约定的产品或项目开发完成并经客户验收后
确认收入，因此，公司提前收取的款项计入合同负债。
报告期各期末，公司应付职工薪酬的构成情况如下：
单位：万元
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
短期薪酬 510.08 539.50 459.67
离职后福利-设定提存计划 - - -
合计 510.08 539.50 459.67
报告期各期末，公司应付职工薪酬分别为 459.67 万元、539.50 万元和
应付职工薪酬主要系计提的当月工资及年终奖等。随着公司经营规模的扩大，
公司员工人数和平均工资的增长，应付职工薪酬余额整体呈增长趋势。
报告期各期末，公司应交税费的构成情况如下：
单位：万元
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
个人所得税 16.75 38.74 4.37
房产税 6.18 - -
增值税 - - 18.19
城市维护建设税 - - 0.32
教育费附加 - - 0.32
合计 22.93 38.74 23.21
报告期各期末，公司应交税费的余额分别为 23.21 万元、38.74 万元和
报告期各期末，公司一年内到期的非流动负债的构成情况如下：
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单位：万元
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
一年内到期的长期借款 - 101.13 -
一年内到期的租赁负债 82.87 88.64 -
合计 82.87 189.77 -
报告期各期末，公司一年内到期的非流动负债主要由一年内到期的长期借
款和一年内到期的租赁负债组成。
报告期各期末，公司其他流动负债的余额具体如下：
单位：万元
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
已背书未终止确认的银行承兑汇票 460.25 419.93 2,207.00
已背书未终止确认的商业承兑汇票 307.93 - 41.56
待转销项税 6.97 55.50 4.50
合计 775.15 475.43 2,253.05
报告期各期末，公司其他流动负债的余额分别为 2,253.05 万元、475.43 万
元和 775.15 万元。主要是已背书未终止确认的承兑汇票。由于不符合金融资产
的终止确认条件，公司对承兑人为非六大国有商业银行及非九大股份制商业银
行的已背书或贴现的尚未到期的银行承兑汇票、已背书或贴现的尚未到期的商
业承兑汇票未予以终止确认，仍列示应收票据科目，同时将背书的款项在其他
流动负债科目列示。
（三）非流动负债结构及其变化分析
报告期各期末，公司非流动负债构成情况如下：
单位：万元
项目
金额 比例 金额 比例 金额 比例
长期借款 - 0.00% 850.00 87.12% - -
租赁负债 25.91 25.22% 99.17 10.16% - -
长期应付款 62.00 60.33% 26.00 2.66%
递延所得税负债 14.85 14.45% 0.50 0.05% - -
合计 102.76 100.00% 975.67 100.00% - -
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公司的非流动负债由长期借款、租赁负债、长期应付款和递延所得税负债
构成。其中长期借款和租赁负债的具体情况如下：
报告期各期末，公司长期借款的构成情况如下：
单位：万元
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
信用借款 - 950.00 -
未到期应付利息 - 1.13 -
减：一年内到期的长期借款 - 101.13 -
合计 - 850.00 -
报告期各期末，公司长期借款余额分别为 0.00 万元、850.00 万元和 0.00 万
元。2021 年，公司与苏州银行签订了 1,000.00 万元的贷款合同，2021 年末公司
根据已偿还金额及还款计划确认长期借款 950.00 万元（其中 100.00 万元在一年
内到期的非流动负债列示）。
报告期各期末，公司租赁负债如下：
单位：万元
项目 2022.12.31 2021.12.31 2021.1.1
租赁付款额总额小计 111.80 196.08 199.48
减：未确认融资费用 3.02 8.27 9.02
租赁付款额现值小计 108.78 187.81 190.46
减：一年内到期的租赁负债 82.87 88.64 88.14
合计 25.91 99.17 102.32
公司自 2021 年 1 月 1 日起适用新租赁准则，对除短期租赁及低价值租赁以
外的经营租赁进行重新计量，将未支付的租赁付款额按照各租赁主体增量借款
利率的加权平均值折现确认使用权资产，同时增加租赁负债。
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公司将一年内到期的租赁负债重分类至一年内到期的非流动负债列示。
（四）偿债能力分析
报告期内，公司主要偿债能力指标如下：
项目 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
流动比率（倍） 3.12 2.94 2.69
速动比率（倍） 1.99 2.32 2.27
资产负债率 23.49% 29.78% 36.47%
报告期各期末，公司的流动比率分别为 2.69、2.94 和 3.12，速动比率分别
为 2.27、2.32 和 1.99，短期偿债能力较强。公司的资产负债率分别为 36.47%、
于 2020 年 10 月和 2021 年 9 月分别完成了 5,667.88 万元和 10,000.00 万元的股
权融资。
报告期各期末，公司偿债能力指标与同行业可比公司的对比情况如下：
华微 东微 臻镭 振华 成都
期间 指标 士兰微 新洁能 平均值 公司
电子 半导 科技 风光 华微
流动比率
（倍）
速动比率
（倍）
资产负债
率
流动比率
（倍）
速动比率
（倍）
资产负债
率
流动比率
（倍）
速动比率
（倍）
资产负债
率
注：数据来源于上述公司披露的定期报告或招股说明书，发行人与新洁能为 2022 年年
报数据，其他公司尚未披露 2022 年年报，上述为 2022 年 6 月 30 日数据
公司的流动比率和速动比率整体上高于士兰微、华微电子和振华风光，资
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产负债率低于上述公司，主要系相比士兰微和华微电子的 IDM 经营模式以及振
华风光的自主封测模式，公司为 Fabless 经营模式，轻资产运营，相应的经营性
负债规模较小。
公司、新洁能、东微半导和臻镭科技同为 Fabless 经营模式或以该模式为主，
但公司年末存在通过银行借款等有息负债融资的情形，而新洁能、东微半导和
臻镭科技较少通过银行借款进行融资。因此，公司的流动比率和速动比率低于
新洁能、东微半导和臻镭科技，资产负债率高于上述公司。
（五）报告期内股利分配的具体实施情况
年度利润分配的议案》，向全体股东合计派发税前现金股利人民币
（六）现金流量情况分析
报告期内，公司的现金流量情况如下：
单位：万元
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
经营活动现金流入小计 25,300.08 21,549.56 7,891.10
经营活动现金流出小计 26,415.86 16,484.37 8,886.41
经营活动产生的现金流量净额 -1,115.78 5,065.19 -995.31
投资活动现金流入小计 22,687.06 36,984.09 11,586.02
投资活动现金流出小计 26,514.22 45,401.89 11,674.15
投资活动产生的现金流量净额 -3,827.16 -8,417.80 -88.13
筹资活动现金流入小计 2,559.65 14,890.38 7,265.88
筹资活动现金流出小计 5,550.25 1,872.01 553.47
筹资活动产生的现金流量净额 -2,990.60 13,018.36 6,712.41
现金及现金等价物净增加额 -7,933.54 9,665.75 5,628.98
报告期内，公司经营活动现金流的具体情况如下：
单位：万元
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
销售商品、提供劳务收到的现金 21,325.25 20,226.19 6,751.88
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项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
收到的税费返还 1,677.65 106.14 157.76
收到其他与经营活动有关的现金 2,297.18 1,217.23 981.46
经营活动现金流入小计 25,300.08 21,549.56 7,891.10
购买商品、接受劳务支付的现金 20,510.89 11,191.81 5,794.86
支付给职工以及为职工支付的现金 2,933.67 2,174.28 1,377.79
支付的各项税费 1,001.66 928.29 251.35
支付其他与经营活动有关的现金 1,969.64 2,190.00 1,462.40
经营活动现金流出小计 26,415.86 16,484.37 8,886.41
经营活动产生的现金流量净额 -1,115.78 5,065.19 -995.31
报 告 期 内 ， 公 司 经 营 活 动 产 生 的 现 金 流 量 净 额 分 别 为-995.31 万 元 、
收到的现金，经营活动现金流出主要系购买商品、接受劳务支付的现金。
户一定的信用账期，而公司与西安微晶微的结算主要为预付方式，从而导致经
营活动产生的现金流量净额为负数。2021 年，公司下游市场需求旺盛及代工厂
产能紧缺，公司应收客户的货款回款较快，从而使得经营活动产生的现金流净
额较高。2022 年，经营活动产生的现金流量净额为负，主要因当期晶圆、外延
片等采购支出较高，而公司高可靠领域收入较高，相关客户回款期较长，从而
导致经营活动产生的现金流量净额为负。截至本招股说明书签署日，公司 2022
年末的应收账款期后回款正常。
报告期内，公司投资活动现金流的具体情况如下：
单位：万元
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
收回投资所收到的现金 22,589.65 36,710.35 11,550.00
取得投资收益收到的现金 97.42 273.73 36.02
处置固定资产、无形资产和其他长期资
- - -
产收回的现金净额
处置子公司及其他营业单位收到的现金
- - -
净额
收到其他与投资活动有关的现金 - - -
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项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
投资活动现金流入小计 22,687.06 36,984.09 11,586.02
购建固定资产、无形资产和其他长期资
产支付的现金
投资支付的现金 21,600.00 37,700.00 11,550.00
取得子公司及其他营业单位支付的现金
- - -
净额
支付其他与投资活动有关的现金 - - -
投资活动现金流出小计 26,514.22 45,401.89 11,674.15
投资活动产生的现金流量净额 -3,827.16 -8,417.80 -88.13
报告期内，公司投资活动现金流量净额分别为-88.13 万元、-8,417.80 万元
和-3,827.16 万元。2020 年公司的投资活动主要是购买理财产品。2021 年的投资
活动除投资理财产品外，主要是机器设备和软件的购置，公司为保障和扩大产
能，购买了部分机器设备投放于西安微晶微的生产线；2022 年的投资活动主要
为投资理财产品、购买办公场所及装修支出。
报告期内，公司筹资活动现金流的具体情况如下：
单位：万元
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
吸收投资收到的现金 - 10,000.00 5,667.88
取得借款收到的现金 2,559.65 4,890.38 1,598.00
收到其他与筹资活动有关的现金 - - -
筹资活动现金流入小计 2,559.65 14,890.38 7,265.88
偿还债务支付的现金 4,840.38 1,780.09 304.75
分配股利、利润或偿付利息支付的现金 134.07 91.92 248.72
支付其他与筹资活动有关的现金 575.80 - -
筹资活动现金流出小计 5,550.25 1,872.01 553.47
筹资活动产生的现金流量净额 -2,990.60 13,018.36 6,712.41
报告期内，公司筹资活动产生的现金流量净额为 6,712.41 万元、13,018.36
万元和-2,990.60 万元。主要是公司 2020 年至 2021 年分别完成了 5,667.88 万元
和 10,000.00 万元的股权融资。2022 年，筹资活动产生的现金流量为负数，主
要是公司当期融资较少，但存在较多偿还银行借款等现金流支出，并且支付了
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（七）流动性风险分析
资金方面，报告期内，公司经营活动产生的现金流量净额分别为-995.31 万
元、5,065.19 万元和-1,115.78 万元，随着业务规模的持续增长，盈利能力的不
断增强，公司经营活动现金流保持在合理水平，2022 年末货币资金余额为
收入及利润方面，报告期内，公司业务规模不断增长，报告期各期分别实
现营业收入 13,698.04 万元、20,972.89 万元和 23,538.19 万元，近三个完整年度
的复合增长率为 31.09%，营业收入快速增加；扣非后净利润分别为-179.75 万元、
融资方面，报告期内，公司于 2020 年至 2021 年分别完成了 5,667.88 万元
和 10,000.00 万元的股权融资。同时，公司信用状况较好，与银行保持着良好的
合作关系，银行授信额度充足，借款融资渠道畅通，为公司正常生产经营提供
了良好的外部资金保证。
整体来看，公司的流动比率和速动比率较为合理，资产负债率较低，整体
财务状况相对稳健，资产流动性较好。
综上，公司所面临的流动性风险较低。
（八）持续经营能力分析
公司未来持续经营能力主要体现在以下方面：
公司作为功率半导体设计公司，深耕下游市场并持续拓宽应用领域。公司
主营的功率半导体类产品已广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域。近
期消费电子领域下游需求存在一定波动，但工业控制及高可靠领域需求仍较为
强劲。长期来看，随着智能装备制造、消费物联网、新能源等新兴领域快速发
展，功率半导体下游需求将持续稳步增长。根据 Omdia 数据，2020 年全球功率
半导体市场规模为 452 亿美元（主要包括功率器件、功率 IC 和功率模组），预
计 2024 年将达到 522 亿美元。
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中国功率半导体市场快速发展，中国也是全球最大的功率半导体消费国。
随着“智能制造”和“新基建”等国家政策的深入推进，以及“碳达峰、碳中
和”双碳战略的落实，中国功率半导体市场空间持续扩大。根据 Omdia 数据，
元，中国市场发展前景十分广阔。
综上，公司下游市场需求旺盛，所处行业的景气度持续提升，公司积极抓
住市场机遇，持续增强自身的经营能力。
目前全球功率半导体市场仍主要被欧、美、日等国外品牌主导。随着工业
控制、人工智能、5G 技术、通信电源以及亟需国产化替代的高可靠领域的逐步
发展，国家发展战略层面要求相关技术及产品要实现自主可控，提升产业链的
国产化水平。因此，功率半导体的国产化是大势所趋，为国内的功率半导体公
司带来了良好的发展机遇。
公司深耕国内市场，为国内产业链的发展提供了优质的产品和服务，产品
及技术被各终端领域广泛应用，市场认可度不断提高。同时，在高可靠领域，
公司凭借自身技术实力与高性能的产品，把握国产化替代的机遇，在对现有客
户已批量化供货的基础上，继续深挖市场需求和扩大发展空间。
公司紧跟终端市场发展动态，洞察市场竞争格局，持续增加产品的研发设
计投入和提高开发效率，拥有 700 余款产品，其中，在主要的功率器件产品平
面 MOSFET 方面，公司拥有近 500 款产品型号，能够满足客户的多样性需求；
在功率 IC 方面，公司也开发了多款产品，主要满足工业控制、高可靠领域客户
的个性需求。同时，公司加强了与上游晶圆代工厂的合作，目前与西安微晶微、
汉磊科技等代工厂保持了良好的合作。2021 年，公司为了锁定并进一步扩大在
西安微晶微的产能供给，购置了生产设备并投放于西安微晶微的生产线，为收
入规模的扩大提供了产能供给保障。
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场
凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，公司迅速在细分领域打开市场，
产品广泛应用于以 LED 照明、适配器、智能家电为代表的消费电子领域，以及
以工业电源、安防设备、电机驱动为代表的工业控制领域，同时，公司开发的
多款产品已被多家高可靠领域客户采用，成功实现了该领域芯片的国产化替代。
公司客户包括以晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技为代表的芯片设计
公司，并且产品已被小米、美的、雷士照明、佛山照明等知名终端客户所采用。
公司凭借现有的近 700 余款产品及不断丰富的产品系列，在持续加大的市场推
广力度下，客户群和产品应用领域将不断扩展，销售规模亦会不断增长。
报告期内，公司持续加大研发投入，研发费用分别为 1,388.55 万元、
重视研发人员的引进和培养，报告期内，公司研发人员数量由 2020 年初的 25
人增加至 2022 年末的 40 人，人员持续增加。费用投入及人员增加助力公司研
发能力不断增强。
同时，公司积极布局 SiC 器件等第三代半导体的研发，亦掌握了相关技术
及取得了相关成果。凭借掌握的核心技术及对新产品、新工艺的不断探索，公
司创新开发的产品在业内权威评选中屡次获奖，参见本招股说明书“第五节 业
务和技术”之“七、发行人保持技术创新的机制、技术储备及技术创新的安排”
之“（一）公司技术储备”之“2、第三代半导体器件方面”。公司的技术实力
获得行业的认可，也将成为公司业绩持续成长的动力。
十三、报告期的重大资本性支出与资产业务重组
（一）重大资本性支出
报告期内，公司购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金分别
为 124.15 万元、7,701.89 万元和 4,914.22 万元，2020 年，公司资本性支出金额
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相对较小，主要系购置研发检测设备、办公设备等固定资产。2021 年，为了保
障产能及扩大经营规模，公司购置了 31 台套设备及相关附属设备投放于西安微
晶微的生产线。该事项已由第一届董事会第十次会议、2021 年第一次临时股东
大会审议通过。2022 年，公司资本性支出金额较大，主要是公司购置办公楼及
装修的支出。
上述资本性支出均是与公司主营业务相关的支出，是公司日常经营正常开
展、保障产品技术创新的必要投入。
未来可预见的重大资本性支出主要为建设本次募集资金拟投资项目的支出，
具体情况请参见本招股说明书“第十二节 附件”之“八、募集资金具体运用情
况”。除此之外，公司近期无其他可预见的重大资本性支出情况。
（二）资产业务重组
报告期内，发行人未发生重大资产业务重组事项。
十四、资产负债表日后事项、或有事项及其他重要事项
（一）期后事项
截至本招股说明书签署日，公司不存在其他应披露的期后事项。
（二）或有事项
截至本招股说明书签署日，公司不存在其他或有事项。
（三）担保、诉讼、其他或有事项
截至本招股说明书签署日，公司不存在对外担保、诉讼及其他或有事项。
十五、盈利预测报告
公司未编制盈利预测报告。
十六、财务报告审计截止日后主要财务信息及经营状况
（一）审计截止日后经营情况
审计截止日后，截至本招股说明书签署之日，公司经营状况良好。公司的
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经营模式，主要原材料的采购规模，主要产品的生产流程，主要客户及供应商
的构成，税收政策以及其他可能影响投资者判断的重大事项方面均未发生重大
变化。
大华会计师事务所（特殊普通合伙）对公司 2023 年 3 月 31 日的合并及母
公司资产负债表，2023 年 1 至 3 月的合并及母公司利润表、合并及母公司现金
流量表、合并及母公司股东权益变动表以及相关财务报表附注进行了审阅，并
出具了《审阅报告》（大华核字[2023]0012112 号）。大华会计师认为：“根据
我们的审阅，我们没有注意到任何事项使我们相信财务报表没有按照企业会计
准则的规定编制，未能在所有重大方面公允反映锴威特公司的财务状况、经营
成果和现金流量。”
（二）2023 年一季报主要财务信息及经营情况
单位：万元
项目 2023 年 3 月 31 日 2022 年 12 月 31 日 变动幅度
资产总计 45,002.83 44,403.93 1.35%
归属于母公司股东权益合计 35,206.82 33,972.59 3.63%
股东权益合计 35,206.82 33,972.59 3.63%
截至 2023 年 3 月 31 日，公司资产总额为 45,002.83 万元，较上年末增长
单位：万元
项目 2023 年 1-3 月 2022 年 1-3 月 变动幅度
营业收入 6,119.03 5,927.52 3.23%
营业利润 1,338.71 1,968.34 -31.99%
利润总额 1,338.71 1,968.22 -31.98%
净利润 1,234.41 1,792.74 -31.14%
归属于母公司所有者的净利润 1,234.41 1,792.74 -31.14%
扣除非经常性损益后归属于母
公司所有者的净利润
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扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润为 1,219.50 万元，较上年同期
下降 30.76%。
平较 2022 年同期有所下降。一方面是受消费电子需求疲软的影响，公司 2023
年一季度功率器件产品的销售单价及毛利率相比 2022 年同期有所下降，导致其
毛利额有所减少；另一方面是 2023 年一季度房产及扩产设备的折旧、工资薪酬
等费用相比 2022 年同期有所增加。
在公司构建的功率器件和功率 IC 双轮驱动的业务模式下，公司较早布局了
工业控制及高可靠应用领域，2023 年一季度，公司来自上述领域的收入及利润
相比 2022 年同期增长明显。
总体而言，2023 年一季度，公司经营状况良好，不存在重大异常变动情况。
单位：万元
项目 2023 年 1-3 月 2022 年 1-3 月 变动金额
经营活动产生的现金流量净额 -2,547.92 -3,041.64 493.72
投资活动产生的现金流量净额 -419.52 558.80 -978.32
筹资活动产生的现金流量净额 1,267.68 -562.51 1,830.19
现金及现金等价物净增加额 -1,699.76 -3,045.35 1,345.59
要因公司晶圆、外延片等采购支出较高，而公司高可靠领域的收入提升且该领
域客户的回款期一般较长，并且部分消费电子领域的客户回款也有所延长，从
而导致公司经营活动产生的现金流量净额为负。
备等相关支出；2022 年 1-3 月，公司投资活动现金流量净额为正，主要是公司
当期收回理财产品的金额大于购买理财产品的金额。
取得了银行借款，而未偿还银行借款；2022 年 1-3 月，公司筹资活动产生的现
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金流量为负，主要是公司当期偿还了银行借款，而未新增银行借款。
单位：万元
项目 2023 年 1-3 月 2022 年 1-3 月 变动金额
计入当期损益的政府补助（与企业业务
密切相关，按照国家统一标准定额或定 0.15 15.00 -14.85
量享受的政府补助除外）
除同公司正常经营业务相关的有效套期
保值业务外，持有交易性金融资产、交
易性金融负债产生的公允价值变动损
益，以及处置交易性金融资产、交易性
金融负债、债权投资和其他债权投资取
得的投资收益
除上述各项之外的其他营业外收入和支
- -0.12 0.12
出
个税手续费返还 4.67 2.51 2.16
其他符合非经常性损益定义的损益项目 - - -
小计 16.57 35.00 -18.43
减：所得税影响额 1.66 3.50 -1.84
归属于母公司普通股股东的非经常性损
益净额
减少。
（三）2023 年上半年业绩预计情况
公司结合目前的经营状况，预计 2023 年上半年的业绩及与 2022 年同期的
比较情况如下：
单位：万元
项目 2023 年 1-6 月 2022 年 1-6 月 变动幅度
营业收入 12,800~13,800 11,932.42 7.27%至 15.65%
净利润 2,500~3,100 3,205.01 -22.00%至-3.28%
扣除非经常性损益后归属
于母公司所有者的净利润
注：上述 2023 年上半年的数据未经审计或审阅
公司预计 2023 年上半年的营业收入为 12,800 万元至 13,800 万元，与上年
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同期相比变动幅度为 7.27%至 15.65%；预计 2023 年上半年净利润为 2,500 万元
至 3,100 万元，与上年同期相比变动幅度为-22.00%至-3.28%；预计 2023 年上半
年扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润为 2,100 万元至 2,700 万元，
与上年同期相比变动幅度为-32.15%至-12.76%。2023 年上半年公司的营业收入
与 2022 年同期相比有一定幅度上涨，但利润水平较 2022 年同期有所下降。一
方面是受消费电子需求疲软的影响，公司 2023 年上半年功率器件产品的销售单
价及毛利率相比 2022 年同期有所下降，导致其毛利额有所减少，而 2022 年上
半年消费电子需求疲软刚开始显现，功率器件的销售单价及毛利率尚未明显下
降；另一方面是 2023 年上半年房产及扩产设备的折旧、工资薪酬等费用相比
基于公司前期较早地布局了高可靠和工业控制应用领域，并且随着公司近
年在上述领域的不断开拓，2022 年以来，公司功率 IC 和功率器件产品来自高
可靠和工业控制（含汽车前装和后装、新能源）应用领域的销售起量明显，上
述领域的客户数量明显增多。在高可靠领域，公司客户群已覆盖国内高可靠领
域电源龙头企业及国家重点科研院所，并获得众多高可靠领域客户的高度认可；
在工业控制领域，公司持续深挖工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、
工 业 电 源 等 细 分 应 用 领 域 的 产 品 需 求 ， 超 高 压 平 面 MOSFET 、 高 压 超 结
MOSFET、SiC MOSFET 等细分产品的产品研发及市场开拓取得良好成效。因
此，公司预计 2023 年度高可靠和工业控制领域的销售收入将持续提升。截至
来自高可靠及工业控制应用领域的在手订单占比为 83.83%，明显高于消费电子
领域的占比 16.17%。高可靠及工业控制相关产品的销售价格及毛利率相对较高，
随着订单的相关产品实现收入以及新订单的持续增加，公司 2023 年的盈利水平
将得到提升。
半导体作为现代科技的支柱型产业，伴随着全球经济的波动呈现出兼具成
长性和周期性；近 20 年来，全球半导体行业每隔 4-5 年经历一轮小周期，从历
史数据来看，半导体市场存在周期性波动，但中长期而言，行业发展整体仍呈
现上升趋势。从 2019 年的低谷到 2022 年开始的消费电子需求疲软，已间隔 4
年。因此，公司消费电子领域的经营短期受到了行业周期的影响，但是预计未
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来该领域的经营情况将得到改善。
综上，公司预计 2023 年的营业收入和利润将保持增长态势，公司的盈利能
力将得到进一步提升。
上述 2023 年上半年业绩预计系公司初步测算的结果，未经申报会计师审计
或审阅，不构成公司的盈利预测或业绩承诺。
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第七节 募集资金运用与未来发展规划
一、募集资金运用基本情况
（一）募集资金运用概况
经公司 2022 年第一次临时股东大会审议通过，公司本次拟公开发行人民币
普通股不超过 1,842.1053 万股（不含采用超额配售选择权发行的股票数量），
实际募集资金扣除发行等费用后拟投入以下项目：
单位：万元
序号 项目名称 投资总额 拟使用募集资金 建设周期
合计 53,008.28 53,008.28
上述项目实施后，公司不会新增同业竞争，对公司的独立性不会产生不利
影响。
在募集资金到位前，公司可以根据各募投项目的实际进度以自筹资金先期
投入，募集资金到位后，将用于支付剩余款项及置换先期已经投入的自筹资金。
若实际募集资金金额小于上述募投项目所需金额，缺口部分由公司以自有资金、
银行贷款等方式解决。若实际募集资金金额超过上述募投项目所需金额，超出
部分将用于补充流动资金等其他用途。
（二）募集资金使用管理制度
为规范募集资金管理，提高募集资金使用效率，公司已根据《上海证券交
易所科创板股票上市规则》《上海证券交易所上市公司募集资金管理办法》等
法律法规文件及《公司章程》的规定制定了《募集资金管理制度》，对募集资
金专户存储、使用、投向变更、管理与监督进行了明确的规定。本次募集资金
将严格按照规定存储在董事会指定的专门账户集中管理，专款专用，规范使用
募集资金。
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（三）募集资金重点投向科技创新领域的具体安排，对发行人主营业务发
展的贡献、未来经营战略的影响
本次募集资金重点投向科技创新领域的具体安排，请参见本招股说明书
“第十二节 附件”之“八、募集资金具体运用情况”。
公司本次募集资金投资项目是在公司现有业务、设计及工艺技术积累的基
础上进行的新品研发、技术创新升级、完备和提升测试考核能力，本次投资项
目的实施有助于提升公司的技术创新水平，增强公司的技术研发能力，扩充公
司的产品品类，提升产品的质量及测试考核能力，进一步巩固及提升公司在功
率半导体的市场地位，扩大在工业控制和高可靠领域收入规模，增强公司的综
合竞争力，这将有利于支撑公司的主营业务发展，有利于实现公司的未来经营
战略。
（四）募集资金投资项目建设目的、内容和发行人技术储备情况
发行人本次募集资金投资项目的建设目的、研发内容、相关技术储备的概
览情况如下：
项目 项目建设目的 研发内容 公司相关技术储备 相关在研项目
主营产品功率器件（主
“平面 MOSFET
要 包 括 高 压 平 面
公 司 已 拥 有 平 面 管”“高压超结
MOSFET（ 含
MOSFET（ 包 括 MOSFET” “ 沟
FRMOS）、新一代超结
智能功 巩固及提升公 FRMOS） 成 熟 的 设 计 平 槽 型 MOSFET”
MOSFET（SJMOS-
率半导 司主营产品的 台 及 工 艺 平 台 、 超 结 “600V 高压半桥
FD） 、40V-200V 屏 蔽
体研发 竞争力，并拓 MOSFET 产 品 设 计 平 驱 动 芯 片 ”
栅 MOSFET） 、 功 率
升级项 展新品类的研 台、屏蔽栅 MOSFET 产 “120V 电流模式
IC、IPM、 光 继 电 器
目 究及量产 品设计平台、功率 IC 设 PWM 控制芯片”
（Photo MOS） 等 系 列
计平台、测试及验证平台 “600V 三相半桥
产品的技术升级、工艺
等技术基础 驱动芯片”等在
制程优化及部分新品类
研项目
的研发及规模化量产
主 要 涉 及 650V-1700V MOSFET、650V-1700V
SiC MOSFET、650V- SiC SBD 是基于公司 4 寸
SiC 功 巩固及提升公 1700V SiC SBD 工艺优 SiC 晶圆技术进行升级，
率器件 司 SiC 产品技 化 、650V-1200V SiC 650V-1200V SiC SKMOS “SiC 基 MOS
研发升 术实力，并实 SKMOS（ 集 成 SBD 的 （ 集 成 SBD 的 SiC 管”
级项目 现大规模量产 SiC MOSFET）产品研发 MOSFET）是在公司已有
及 SiC 功率模块的规模 的 SiC MOS 和 SiC SBD
化量产 工艺技术的基础上进行研
制
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项目 项目建设目的 研发内容 公司相关技术储备 相关在研项目
对功率器件（包括高压
平 面 MOSFET（ 含
FRMOS） 、 超 结
MOSFET） 沟 槽 型
MOSFET 等）和功率模
对功率半导体 块的封装可靠性、SiC 高
公司有相应的可靠性考核
研发工程中心 温封装进行研究，研发
功率半 设备和相应的可靠性研究
进行升级，增 650V、1200V、1700V
导体研 团 队 ， 拥 有 完 整 的 “SiC 基 MOS
强公司整体的 基于 SiC MOSFET 的光
发工程 MOSFET 的 技 术 平 台 ， 管 ” “ 高 速 光
研发实力，提 继电器产品；对于数字
中心升 可 为 光 继 电 器 匹 配 适 合 耦”等在研项目
升产品可靠性 电源，开发大功率数字
级项目 SiC MOSFET；同时拥有
考核、测试、 电 源 控 制 芯 片 ，LLC、
光电发生器的研究基础
应用能力 LLC 同步整流、移向全
桥。升级智能功率半导
体可靠性实验室，建设
测试应用中心，打造功
率半导体器件测试及可
靠性考核平台
公司本次的募集资金投资项目基于公司已有技术储备，可行性较高，具体
项目可行性分析请参见本招股说明书“第十二节 附件”之“八、募集资金具体
运用情况/（一）、（二）、（三）/“6、项目可行性及与发行人现有主要业务、
核心技术之间的关系”。
二、未来发展与规划
（一）公司战略规划
公司专注于功率器件与功率 IC 的设计、研发与销售，并提供相关技术服务。
公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，助力高性能功率器
件、功率 IC 的国产化替代以及自主可控。将公司打造成高品质功率器件及智能
功率 IC 的优秀供应商。针对未来发展，公司制定的战略规划如下：
公司将优化细分产品领域，扩大在高可靠领域和工业控制领域的销售规
模，并提升总体收入规模和市场占有率；在SiC产品方面，加大产品系列布局和
实现规模化销售。公司力争成为具有自主品牌影响力、规模稳定增长、技术专
精、产品结构合理的高品质功率器件半导体供应商。
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公司将拓展PWM控制IC和栅极驱动IC产品的客户范围和细分应用领域；深
挖高可靠领域和工业级客户的市场潜力，以实现更多功率IC产品的国产化替代
和自主可控，并不断扩大经营规模。实现作为专注于高可靠领域和工艺控制领
域的智能功率IC优秀供应商的发展战略。
公司将在为客户提供更多的技术服务的同时，持续增强公司定义自主产品
的能力。助力公司实现功率半导体产品和技术服务协同发展的战略，从而成为
更多客户的首选供应商。
公司将扩大IPM、光继电器（Photo MOS）等产品的收入规模，形成新的利
润来源。
（二）报告期内为实现战略目标已采取的措施及实施效果
公司始终围绕发展目标进行研发、运营和销售战略部署。报告期内，公司
获得了甘化科工和禾望电气等产业股东的投资，打下了高端市场的基础，同时
进一步增强了资金实力。
报告期内，研发费用分别为 1,388.55 万元、1,886.27 万元和 2,271.95 万元，
近三个完整年度的复合增长率为 27.91%。公司注重内部人才的培养与外部人才
的引进，与高校合作，建立在职读博的培养体系，通过业务培训、技术研讨等
方式不断完善人才培养体系，加强人才梯队建设。公司积极引进公司研发所需
的优秀人才；报告期内，公司研发人员数量由 2020 年初的 25 人增加至 2022 年
末的 40 人。上述举措使得公司能够不断保持人才活力，吸收前沿技术动态，保
障技术创新。
公司布局的平面 MOSFET（包含 FRMOS）等功率器件产品已实现了产业
化；同时，公司开发的多款功率 IC 产品已被多家高可靠领域客户采用，成功实
现了该领域芯片的国产化替代；此外，公司初步实现了 SiC 功率器件的市场布
局。
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在整合代工资源方面，公司在现有代工合作方的基础上，积极寻求新的代
工资源和探索新的合作模式，如自购设备投入生产线以锁定和扩大产能供给，
保证了晶圆的产能供给和新品开发的产业化落地。
报告期内，公司成立了深圳分公司，销售体系逐步完善，销售布局进一步
增强，建立了与经销商的互利共赢关系，自主品牌的成品销售规模稳步增长。
在消费电子、工业控制和高可靠领域等终端领域形成了一定的品牌影响力。
（三）未来规划采取的措施
（1）功率器件方面
公司将不断提升硅基 MOSFET 产品的技术和性能，开拓战略大客户；优化
平面 MOSFET、FRMOS 等 6 英寸生产线的产品结构和应用领域，加强在超高
压电压段的产品布局、技术积累和客户开发；进一步投入研发和完善沟槽型
MOSFET、超结 MOSFET 的产品系列，寻求对应的 8 英寸、12 英寸产线代工资
源和客户资源，同时针对新能源汽车用的高压大电流的超结 MOSFET 的芯片封
装技术展开布局研究，提高该类产品的成品率及可靠性；加大 SiC 产品的研发
投入并且积极进行客户开拓，针对新能源汽车电源使用的 1200V SiC MOSFET
进行系列化开发；对围绕工业控制、智能电网、储能等领域使用的 1700V-
（2）功率 IC 方面
公司将始终坚持技术创新，持续扩充功率IC的研发团队和加强人才培养；
实时关注国外先进厂商的技术发展动态，不断对照差距，进行前沿技术的研发
与探索；公司将结合积累的研发经验和技术优势，持续加大对PWM控制IC和栅
极驱动IC等进行设计和工艺技术的研发，进一步丰富IP积累，开发更多的系列
化产品；在高可靠领域和工业控制领域持续开拓更多的客户，满足客户对高端
功率IC的需求。
（3）技术服务方面
为了进一步提升技术服务能力及服务质量，持续增强公司定义自主产品的
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能力，公司拟采取以下措施：利用募投项目打造的功率半导体器件测试及可靠
性考核平台，进一步提升服务质量及服务时效性；进一步对研发领域分工，专
注细分领域的精细开发；建立市场调研队伍，深入市场了解客户未来需求，以
争取到更多的项目机会。
（4）其他产品方面
通过加强对人员和资金的投入，加大对IPM、光继电器（Photo MOS）等产
品进行研发投入和市场开拓，丰富公司的产品品类和技术积累，满足更多客户
的不同需求。
公司持续对战略性产品进行研发投入，加强对核心技术的积累；在注重基
础研究的同时，深度拓展前沿技术的应用，推动产品的技术高效升级与产业化
进程；通过与高校合作，打通在职读博人才培养的产学研渠道，打造良性循环
的高端人才梯队，并将通过持续优化激励制度，增强团队的凝聚力和创造力，
提升公司的自主创新能力。
公司将优化研发环境，拟通过本次募投项目在张家港升级功率半导体研发
工程中心，建立和完善张家港、无锡和西安一体两翼的研发协同机制。在对研
发工程中心进行升级的过程中，增加研发的软硬件投入，建立并完善器件试验
室、可靠性实验室和失效分析实验室等，增强对产品可靠性的检测能力，进一
步提升公司研发和成果转化的能力水平。
随着公司产品研发的不断深入、产品线不断丰富以及对新应用领域的逐步
涉足，公司市场开发能力、销售能力、服务客户能力亟待加强。未来，公司将
进一步强化市场部对产品的定位及推广职能，加强销售部的培训体系和研发部
的支持响应体系建设，拓宽服务客户的内容，提升客户的满意度和依赖度，从
而提升公司品牌的市场影响力和知名度，扩大公司产品的市场占有率。
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第八节 公司治理与独立性
一、报告期内发行人公司治理存在的缺陷及改进情况
报告期内，公司的治理结构不存在明显缺陷。董事会或高级管理人员不存
在违反《公司法》及其他规定行使职权的情形。
二、发行人内部控制情况
（一）报告期内公司存在的内部控制缺陷及整改情况
报告期内，发行人存在第三方回款、利用个人账户收付款项的财务内控不
规范的情形，具体如下：
报告期内，发行人存在第三方回款，关于第三方回款的具体情况请参见本
招股说明书之“第六节 财务会计信息与管理层分析”之“十一、资产质量分析”
之“（二）流动资产结构及其变化分析”之“4、应收账款”之“5）第三方回
款”。
报告期内，发行人存在利用个人账户收付款项的财务内控不规范的情形，
仅涉及 1 张个人账户，开户人为公司出纳，除涉及 5.30 万元第三方回款外，该
账户用途仅限于员工费用报销，主要系出于简化报销流程、缩短支付周期的考
虑。该账户涉及公司相关收支已纳入公司资金管理体系。
公司借用个人账户进行员工报销费用的支付流程系：先从公司银行账户支
取资金后以现金存款的方式进入个人账户作为报销专用备用金，通过个人账户
向员工支付报销款，同时财务人员将员工提交的票据整理后入账。报告期各期，
使用个人账户支付报销款金额分别为 64.76 万元、0 万元和 0 万元。
随着公司内控意识逐渐增强，财务核算专业能力和规范意识不断提升，为
加强资金收付安全和完善资金管理制度，自 2020 年 9 月起公司已停止该个人账
户的使用。2021 年 11 月，上述个人账户已注销。
综上所述，发行人针对个人账户收付款项事项已经主动整改，相关收支已
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全部入账，该个人账户已注销。截至报告期末，发行人未再发生使用个人账户
报销的行为，相关内部控制制度有效运行。
（二）公司管理层对内部控制完整性、合理性及有效性的自我评估意见
根据《上市公司内部控制工作指引》《企业内部控制基本规范》等控制标
准的要求，管理层对公司截至 2022 年 12 月 31 日与财务报表相关的内部控制制
度进行了自查和评估后认为：
根据公司财务报告内部控制重大缺陷的认定情况，于内部控制评价报告基
准日，不存在财务报告内部控制重大缺陷，董事会认为，公司已按照企业内部
控制规范体系和相关规定的要求在所有重大方面保持了有效的财务报告内部控
制。根据公司非财务报告内部控制重大缺陷认定情况，于内部控制评价报告基
准日，公司未发现非财务报告内部控制重大缺陷。自内部控制评价报告基准日
至内部控制评价报告发出日之间未发生影响内部控制有效性评价结论的因素。
随着公司业务职能的调整、外部环境的变化和管理要求的提高，内部控制制度
还将不断修订和完善，使之始终适应公司发展的需要。
（三）注册会计师对公司内部控制的意见
大华会计师对发行人内部控制的建立健全情况及其有效性出具了《内部控
制鉴证报告》（大华核字[2023]002301 号）。该鉴证报告认为：公司按照《企
业内部控制基本规范》和相关规定于 2022 年 12 月 31 日在所有重大方面保持了
与财务报表相关的有效的内部控制。
三、报告期内发行人违法违规情况
本公司已依法建立健全股东大会、董事会、监事会、独立董事、董事会秘
书制度。报告期内，本公司及董事、监事和高级管理人员严格按照公司章程及
相关法律法规的规定开展经营活动，报告期内，公司及子公司不存在重大违法
违规行为，亦不存在因违法违规行为受到国家行政或行业主管部门重大行政处
罚的情况。
四、发行人资金占用和对外担保情况
截至本招股说明书签署日，公司不存在资金被控股股东、实际控制人及其
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控制的其他企业以借款、代偿债务、代垫款项或者其他方式占用的情况，也不
存在为控股股东、实际控制人及其控制的其他企业担保的情况。
五、发行人直接面向市场独立持续经营的能力
截至本招股说明书签署日，发行人在资产、人员、财务、机构和业务方面
均具备独立性，具有完整的业务体系和直接面向市场独立持续经营的能力：
（一）资产完整
发行人具备与经营有关的主要业务系统和配套设施，合法拥有与研发经营
有关的主要机器设备以及注册商标、专利、集成电路布图的所有权或使用权，
具有独立的原料采购和产品销售系统。
（二）人员独立
发行人的总经理、副总经理、财务总监和董事会秘书等高级管理人员均未
在发行人的控股股东、实际控制人及其控制的其他企业中担任除董事、监事以
外的其他职务，且均未在发行人的控股股东、实际控制人及其控制的其他企业
领薪；发行人的财务人员也未在发行人的控股股东、实际控制人及其控制的其
他企业中兼职。
（三）财务独立
发行人已设立独立的财务部门，配备了专职的财务会计人员，并已建立了
独立的财务核算体系，能够独立作出财务决策，具有规范的财务会计制度和对
分公司、子公司的财务管理制度；发行人独立设立银行账户，不存在与控股股
东、实际控制人及其控制的其他企业共用银行账户的情况；发行人的财务独立
于控股股东、实际控制人及其控制的其他企业。
（四）机构独立
发行人建立健全了内部经营管理机构，独立行使经营管理职权，与控股股
东、实际控制人及其控制的其他企业间不存在机构混同的情形。
（五）业务独立
发行人具有独立的研发、供应、销售业务体系，独立签署各项与其经营有
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关的合同，独立开展各项经营活动，发行人的业务独立于控股股东、实际控制
人及其控制的其他企业，与控股股东、实际控制人及其控制的其他企业间不存
在同业竞争或者显失公平的关联交易。
（六）发行人主营业务、控制权、管理团队和核心技术人员稳定
最近两年内，发行人主营业务和董事、高级管理人员及核心技术人员均没
有发生重大不利变化；最近两年内，发行人实际控制人没有发生变更，实际控
制人所持发行人的股份权属清晰，不存在导致控制权可能变更的重大权属纠纷。
（七）对持续经营有重大影响的事项
发行人不存在主要资产、核心技术、商标的重大权属纠纷，重大偿债风险，
重大担保、诉讼、仲裁等或有事项，经营环境已经或将要发生的重大变化等对
持续经营有重大影响的事项。
六、同业竞争
（一）公司不存在与控股股东、实际控制人及其控制的其他企业从事相同、
相似业务的情况
截至本招股说明书签署日，除公司及子公司外，公司控股股东、实际控制
人丁国华控制的其他企业为港晨芯，系公司实施股权激励的员工持股平台，因
此，控股股东、实际控制人及其控制的其他企业不从事与公司相同或相似的业
务，不存在同业竞争。
（二）控股股东、实际控制人作出的规范关联交易及避免同业竞争的承诺
为避免同业竞争、维护公司及全体股东的利益，本公司控股股东、实际控
制人丁国华及其一致行动人罗寅、港鹰实业、港晨芯、陈锴和持股 5%以上股东
甘化科工及其一致行动人彭玫出具了《关于避免同业竞争的承诺函》，详见本
招股说明书“第十二节 附件”之“四、与投资者保护相关的承诺”之“（七）
关于避免同业竞争的承诺”。
七、关联方及关联交易
根据《公司法》《证券法》和《企业会计准则第 36 号——关联方披露》等
法律法规及中国证监会和上交所有关规定，结合公司的实际情况，报告期内，
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公司关联方情况如下：
（一）关联方及关联关系
根据《公司法》《企业会计准则》以及中国证监会和上交所的有关规定，
公司主要关联方包括：
本公司控股股东、实际控制人为丁国华，具体情况详见本招股说明书“第
四节 发行人基本情况”之“七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东
及实际控制人情况”之“（一）控股股东、实际控制人的基本情况”。
截至本招股说明书签署日，除发行人及其控股子公司外，发行人控股股东、
实际控制人控制的其他企业为港晨芯，具体情况详见本招股说明书“第四节 发
行人基本情况”之“七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际控
制人情况”之“（五）其他持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东的基本
情况”之“4、港晨芯”。
序号 关联方姓名 关联关系
直接持有发行人 0.95%股份，且为甘化科工的一致行动人，合并计
算其持有的发行人股份
除实际控制人丁国华外，直接或间接持有公司 5%以上股份的自然人为罗寅、
陈锴、胡成中、倪芬琴以及甘化科工一致行动人彭玫，其中罗寅、陈锴具体情
况详见本招股说明书“第四节 发行人基本情况”之“七、持有发行人 5%以上
股份或表决权的主要股东及实际控制人情况”之“（五）其他持有发行人 5%以
上股份或表决权的主要股东的基本情况”。
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所任董监高职务 姓名
董事长 丁国华
董事、总经理 罗寅
董事、副总经理 谭在超
董事 陈锴
董事 司景喆
董事 姬磊
独立董事 秦舒
独立董事 苏中一
独立董事 朱光忠
监事会主席、职工监事 黄怀宙
监事 孙新卫
监事 戴明亮
董事会秘书 严泓
财务总监 刘娟娟
公司将董事、监事、高级管理人员、公司直接或间接持股 5%以上的自然人
股东关系密切的家庭成员界定为公司的关联方。关系密切的家庭成员包括其配
偶、年满 18 周岁的子女及其配偶、父母及配偶的父母、兄弟姐妹及其配偶、配
偶的兄弟姐妹、子女配偶的父母。
序号 关联方名称 关联关系
苏州港晨芯企业管理合伙企业
（有限合伙）
直接持有上市公司 5%以上股份的法人或其他组织为甘化科工、港鹰实业、
港晨芯，具体情况详见本招股说明书“第四节 发行人基本情况”之“七、持有
发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况”之“（五）其他持
有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东的基本情况”。
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者由上述关联自然人（独立董事除外）担任董事、高级管理人员，除公司及公
司控股子公司外的法人或其他组织
截至 2023 年 3 月 24 日，公司上述关联法人或关联自然人直接或者间接控
制或者施加重大影响的，或者由上述关联自然人（独立董事除外）担任董事、
高级管理人员，除公司及公司控股子公司外的法人或其他组织具体如下：
序号 公司名称 关联关系
陈锴担任执行事务合伙人并持有
司景喆担任董事，且为甘化科工
持股 90%的子公司
姬磊持股 30%，姬磊母亲李艳侠
事
孙新卫担任执行事务合伙人并持
有 39.06%合伙份额
孙新卫担任执行董事、总经理并
持股 66%
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序号 公司名称 关联关系
甘化科工全资子公司，彭玫担任
副总经理
甘化科工持股 33.33%，福建将乐
倪芬琴持股 83.37%，曾任副董事
长
倪芬琴持股 49%并担任法定代表
人
陈锴担任执行董事、总经理兼法
定代表人
陈锴持股 100%，倪芬琴担任执行
董事、总经理兼法定代表人
张家港市锴碳新材料科技有限公
司担任执行事务合伙人
胡成中持股 56.00%，并担任执行
董事
胡成中持股 5.60%，并担任执行
董事
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序号 公司名称 关联关系
报告期内关联自然人及其关系密切的家庭成员直接或间接控制或者施加重
大影响的，或由其担任董事、高级管理人员的法人或其他组织，以及直接持有
发行人 5%以上股份的法人或其他组织间接控制或者施加重大影响的法人或其他
组织，亦构成发行人报告期内的关联方。
序号 关联方名称 关联关系
甘化科工的控股股东，间接持有发行人 5%以上
的股份
（1）曾经的关联自然人
序号 关联方姓名 关联关系
公司曾经的关联自然人关系密切的家庭成员亦为公司曾经的关联自然人。
关系密切的家庭成员包括其配偶、年满 18 周岁的子女及其配偶、父母及配偶的
父母、兄弟姐妹及其配偶、配偶的兄弟姐妹、子女配偶的父母。
（2）曾经的关联法人
截至 2023 年 3 月 24 日，公司曾经的关联法人具体如下：
序号 关联方名称 关联关系 备注
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
序号 关联方名称 关联关系 备注
的股东 发行人 5%以上股份的
股东
丁国华曾为该公司股东（截
无锡源生高 科技投资有 限 至 2015 年 8 月 末 持 股 已于 2018 年 10 月退出
责任公司 26.21%）并曾担任该公司董 并于 2019 年 5 月离职
事
丁国华曾为该公司股东（截
无锡硅动力 微电子股份 有 至 2015 年 8 月 末 持 股 已于 2019 年 1 月离职
限公司 1.0975% ） 并 曾 担 任 该 公 司 并于 2019 年 9 月退出
董事
曾为港鹰实业控股子公司，
张家港港成 机械制造有 限
公司
长
陈锴曾担任执行董事、总经
理，且曾持股 100%
无锡华东重 型机械股份 有
限公司
无锡睿思凯 科技股份有 限
公司
芯翼信息科 技（上海） 有
限公司
广东赛微微 电子股份有 限
公司
江门甘化投 资置业有限 公
司
江门市甘源 环保包装制 品 曾为甘化科工持股 90%的子
有限公司 公司
曾为甘化科工持股 92%的子
公司
上海国盛资 本管理有限 公
司
四川诚业科 技发展有限 公 彭玫曾持股 90.00%并担任执
司 行董事
上海南麟电 子股份有限 公 2021 年 9 月白祖文不
司 再担任发行人董事
北京麦肯桥 新材料生产 力 2020 年 10 月耿博不再
促进中心有限公司 担任发行人董事
成都升华同 享企业管理 合 彭玫担任执行事务合伙人并
伙企业（有限合伙） 持有 99.00%合伙份额
成都升华共 创企业管理 合 彭玫担任执行事务合伙人并
伙企业（有限合伙） 持有 0.33%合伙份额
报告期内曾经的关联自然人直接或间接控制或者施加重大影响或在报告期
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内担任董事、高级管理人员的法人或其他组织亦构成发行人报告期内曾经的关
联方；直接持有发行人 5%以上股份的法人或其他组织报告期内曾间接控制或者
施加重大影响的法人或其他组织，亦构成发行人报告期内曾经的关联方。
发行人曾经的董事朱训青持有南京大唐泰科投资管理有限公司 71.00%的股
权，南京大唐泰科投资管理有限公司作为张家港悦金产业投资基金合伙企业
（有限合伙）的执行事务合伙人间接持有苏州同冠微电子有限公司 57.49%的股
权，基于实质重于形式原则，苏州同冠亦为发行人报告期内曾经的关联方。
（二）关联交易
单位：万元
类别 交易类型
关联交易金额 关联交易金额 关联交易金额
经常性关联 销售商品、接受劳务 928.11 1.15 445.15
交易 采购商品、接受劳务 - 33.71 92.22
偶发性关联
展会费、会议注册费 - 0.38 -
交易
关键管理人 董事、监事及高级管理
员薪酬 人员薪酬
判断关联交易是否构成重大关联交易时，参考公司《关联交易管理制度》
规定的股东大会审议关联交易事项权限，将公司与关联人发生的交易金额(公司
获赠现金资产和接受担保等公司单方面获得利益的交易除外)占公司最近一期经
审计总资产 1%以上的交易，且超过 3,000 万元认定为重大关联交易，或金额虽
未达到上述标准但公司认为较为重要的相关事项，从而区分重大关联交易与一
般关联交易。此外，关键管理人员薪酬为公司正常经营活动的必要支出，均为
一般关联交易。
报告期内，发行人无重大关联交易。
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（1）经常性关联交易
单位：万元
交易内容 项目 2020 年 1-9 月
关联交易金额 445.15
销售晶圆
关联交易金额占年度营业收入的比例 3.25%
关联交易金额 40.14
采购晶圆
关联交易金额占年度采购总额的比例 0.33%
注 1：2019 年初，丁国华直接持有硅动力 1.0975%的股份，2019 年 1 月丁国华卸任硅
动力董事，并于 2019 年 9 月自硅动力退出且不再以任何方式持有硅动力股份。基于谨慎性
考虑，报告期初至丁国华自硅动力退出后 12 个月内，硅动力与公司发生的交易计入关联交
易，即上表中关联交易金额统计区间为 2020 年 1 月至 2020 年 9 月
注 2：2020 年度、2021 年度和 2022 年度，公司向硅动力销售的总额分别为 649.12 万
元、573.36 万元和 195.23 万元，向硅动力采购的总额分别为 41.25 万元、110.52 万元和
硅动力的业务以研发、生产、销售电源管理 IC 为主，其向发行人采购的产
品为平面 MOSFET 和高压超结 MOSFET，主要用于与其电源管理 IC 合封组成
多芯片封装的集成电路产品（以下简称“合封产品”）。发行人向硅动力采购
的产品为电源管理 IC，亦主要用于组装为合封产品。由于半导体产品类型以及
下游客户需求的多样性，部分客户主要采购现成的合封产品，当锴威特和硅动
力各自产品线无法覆盖不同客户的需求时，便出现互相采购的情形。双方之间
产品具备互补性，相互采购的均系各自产品线未覆盖的产品。
①硅动力与发行人关联交易的公允性
A、发行人向硅动力销售的交易价格具有公允性
发行人向硅动力销售的产品均系平面MOSFET和高压超结MOSFET，产品
形态均是中测后晶圆。发行人向硅动力销售产品的价格与向其他客户销售的同
类产品均价之间的对比分析具体如下：
产品 项目 2020 年 1-9 月
销售金额（万元） 433.62
平面
向硅动力销售均价（元/片）① 558.71
MOSFET
向其他客户销售均价（元/片）② 507.78
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产品 项目 2020 年 1-9 月
差异率③=（①-②）/① 9.12%
销售金额（万元） 11.53
高压超结 向硅动力销售均价（元/片）① 3,843.78
MOSFET 向其他客户销售均价（元/片）② 3,859.91
差异率③=（①-②）/① -0.42%
注：上表统计数据未考虑高可靠领域销售情况
销售的同类产品的均价基本一致。
售的同类产品的均价，差异率为9.12%，主要原因系产品收入结构差异，2020年
占 比 达99.79%， 而 向 其 他 客 户 销 售 的 产 品 电 压 段 在650V以 下 收 入 占 比 为
除上述情形外，发行人向硅动力销售产品的价格与向其他客户销售的同类
产品的均价基本一致，具有公允性。
同时，参考硅动力披露的招股说明书，2020年1-9月，硅动力向发行人采购
的MOSFET单价与向非关联供应商采购同类产品平均单价比较情况如下：
单位：元/颗
项目
对发行人采购 对非关联供应商采购
平均单价 0.24 0.23
价格差异 1.33%
注：价格差异=对锴威特采购平均单价/对非关联供应商采购平均单价-1
保持一致。
综上，发行人向硅动力销售产品的价格具有公允性。
B、发行人向硅动力采购的交易价格具有公允性
报告期内，发行人向硅动力采购的产品系电源管理IC。发行人向硅动力采
购的产品涉及四个型号，具体采购金额如下：
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单位：万元
型号
金额 占比
SP571X 38.81 96.69%
其他 1.33 3.31%
总计 40.14 100.00%
发行人向硅动力采购的四个型号产品均无其他可比采购产品，其中SP571X
采购金额及占比较大，其他产品的采购金额较小。
就SP571X产品，2020年1-9月发行人向硅动力采购SP571X的有效裸芯价格
为0.122元/颗（含税）。根据其他供应商同期出具的报价单，SP571X的有效裸
芯价格为0.125元/颗（含税），与发行人向硅动力采购的价格不存在显著差异。
综上，发行人向硅动力采购产品的价格与其他供应商相比不存在显著差
异，具有公允性。
综上所述，硅动力与锴威特之间采购和销售的产品价格系根据市场情况双
方协商确定，双方交易具备合理性和公允性。
②硅动力与发行人交易的最终实现销售情况
A、硅动力向发行人采购产品的最终实现销售情况
硅动力向发行人采购平面 MOSFET 和高压超结 MOSFET 中测后晶圆，将
晶圆进一步划片切割为裸芯后与其电源管理 IC 合封组成多芯片封装的集成电路
产品（以下简称“合封产品”）并向下游客户交付，硅动力系发行人直销客户。
报告期内，硅动力采购发行人 MOSFET 中测后晶圆裸芯库存及销售情况如
下：
单位：万颗
统计情况 2022 年度 2021 年度 2020 年度
锴威特产品期初库存数量① 1.63 153.89 202.84
锴威特产品期末结余库存数量② 2.54 1.63 153.89
合封后产品期初库存数量③ 178.62 439.47 225.22
合封后产品期末库存数量④ 85.96 178.62 439.47
合封后产品销售数量⑤ 483.84 1,897.00 2,263.82
采购锴威特产品数量⑥ 391.48 1,483.38 2,547.42
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统计情况 2022 年度 2021 年度 2020 年度
期末总库存数量⑦=②+④ 88.50 180.25 593.36
硅动力合封产品的实现销售的比例
⑧=⑤/（①+③+⑥）
注：硅动力相关数据系通过走访获取，上述测算未考虑硅动力采购锴威特产品的期末
在产品的数量
由上表可知，2020 年末硅动力向发行人采购产品的实现销售比例相对较低，
主要原因系 2020 年度半导体市场行情整体相对低迷，导致当期期末库存水平相
对较高。2021 年度和 2022 年度，硅动力向发行人采购产品的最终销售实现情
况良好，不存在大额囤积及滞销的情形。
B、硅动力向发行人销售产品的最终实现销售情况
硅动力向发行人销售产品主要为电源管理 IC 中测后晶圆，亦主要用于与发
行人 MOSFET 产品合封后向下游客户交付，发行人系硅动力直销客户。
报告期内，硅动力向发行人销售产品的库存及销售情况如下：
单位：万颗
统计情况 2022 年度 2021 年度 2020 年度
硅动力产品期初库存数量① 15.67 75.16 59.56
硅动力产品期末结余库存数量② - 15.67 75.16
合封后产品期初库存数量③ 14.69 6.86 5.81
合封后产品期末库存数量④ 11.65 14.69 6.86
合封后产品销售数量⑤ 591.60 972.19 408.01
采购硅动力产品数量⑥ 593.48 892.04 366.05
期末总库存数量⑦=②+④ 11.65 30.37 82.02
硅动力合封产品的实现销售的比例
⑧=⑤/（①+③+⑥）
注：委托加工物资数量包含在硅动力产品期初、期末库存数量中
由上表可知，报告期内，硅动力向发行人销售产品的最终销售实现情况良
好，不存在大额囤积及滞销的情形。
综上所述，发行人与硅动力关联交易的最终销售实现情况良好，截至报告
期末不存在大额囤积及滞销的情形。
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单位：万元
主体 项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
关联交易金额 179.32 1.15 -
升华电源 关联交易金额占当期销售
总额的比例
关联交易金额 42.79 - -
德芯源 关联交易金额占当期销售
总额的比例
报告期内，发行人存在向升华电源及其德芯源销售高可靠领域封装成品的
情形，主要用于其电源模块，采购数量较少，双方交易金额及占比较低，价格
系根据市场情况双方协商确定，双方交易具备合理性和公允性。
单位：万元
交易内容 项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
关联交易金额 706.00 - -
技术服务 关联交易金额占当期销售
总额的比例
截至 2023 年 3 月 24 日，甘华电源与发行人签署了 7 项《技术开发（委托）
合同》，委托发行人进行高可靠领域芯片的研发，合同金额共计 801.00 万元，
上述合同已全部完成验收。上述技术服务合同价格系根据市场情况双方协商确
定，双方交易具备合理性和公允性。
单位：万元
交易内容 项目 2022 年 1-9 月 2021 年度 2020 年度
关联交易金额 - 26.92 52.08
采购晶圆、
成品 关联交易金额占年度采购
- 0.16% 0.43%
总额的比例
注 1：白祖文于 2020 年 5 月至 2021 年 9 月任公司董事，白祖文自任公司董事前 12 个
月至自公司离职后 12 个月内，南麟电子与公司发生的交易计入关联交易，即上表中关联交
易金额统计区间为 2020 年 1 月至 2022 年 9 月
注 2：2022 年度，公司向南麟电子采购的总额为 0 万元
南麟电子专注于模拟与数模混合类集成电路的设计与研究，报告期内，公
司主要向南麟电子采购功率 IC，主要用于合封组成多芯片封装的集成电路，少
量用于研发，采购数量较少，双方交易金额及占比较低，价格系根据市场情况
双方协商确定，双方交易具备合理性和公允性。
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单位：万元
交易内容 项目 2021 年 1-5 月 2020 年度
关联交易金额 6.79 -
采购晶圆代工
服务 关联交易金额占年度采购总额
的比例
注 1：朱训青于报告期初至 2020 年 5 月任公司董事，因此 2019 年 1 月至朱训青自公司
离职后 12 个月内，苏州同冠与公司发生的交易计入关联交易，即上表中关联交易金额统计
区间为 2020 年 1 月至 2021 年 5 月
注 2：2021 年度和 2022 年度，公司向苏州同冠的采购总额为 31.77 万元和 123.70 万元
苏州同冠为晶圆代工厂，报告期内，公司主要向苏州同冠采购晶圆代工服
务，双方交易金额及占比较低，价格系根据市场情况双方协商确定，双方交易
具备合理性和公允性。
（2）偶发性关联交易
报告期内，公司存在向麦肯桥采购会务服务的情况，具体如下：
单位：万元
交易内容 2021 年 1-10 月 2020 年度
展会费、会议注册费 0.38 -
注 1：耿博于报告期初至 2020 年 10 月任公司董事，因此 2020 年 10 月至耿博自公司离
职后 12 个月内，麦肯桥与公司发生的交易计入关联交易，即上表中关联交易金额统计区间
为 2020 年 1 月至 2021 年 10 月
注 2：2021 年度和 2022 年，公司向麦肯桥采购会务服务的总额为 0.38 万元和 0 万元
京）功率与射频半导体技术市场应用峰会产生的会议注册费。报告期内，双方
交易金额及占比较低，交易价格系双方协商确定。
（3）关联担保
报告期内，公司发生的关联担保具体情形如下：
被担 是否履
序号 担保方 债权人 担保期间 担保范围及方式
保方 行完毕
为发行人与中国农业银行股
份有限公司张家港分行从
丁国华、 中国农业银行 债务履行期 2018 年 3 月 23 日至 2020 年
锴 张家港分行 起两年 定的各类业务形成的债权在
最高限额 1,350 万元范围内
承担连带责任保证
中国农业银行 债务履行期 为发行人与中国农业银行股
股份有限公司 限届满之日 份有限公司张家港分行从
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
被担 是否履
序号 担保方 债权人 担保期间 担保范围及方式
保方 行完毕
张家港分行 起两年 2018 年 3 月 28 日至 2020 年
定的各类业务形成的债权在
最高限额 1,350 万元范围内
承担连带责任保证
为发行人与江苏张家港农村
商业银行股份有限公司从
江苏张家港农 债务履行期
丁国华、 2019 年 7 月 5 日起至 2020
罗寅 年 3 月 10 日止的期间内 300
份有限公司 起两年
万元的债务，承担连带责任
保证
为发行人与上海浦东发展银
行股份有限公司张家港支行
上海浦东发展 从 2019 年 7 月 31 日起至
每笔债务履
丁国华、 银行股份有限 2020 年 7 月 31 日止的期间
罗寅 公司张家港支 内发行人办理各类融资业务
日起两年
行 所发生的债权在最高债权限
额 1,100 万元范围内承担连
带责任保证
为发行人与招商银行股份有
招商银行股份 月 26 日至 12 月 11 日至 2020 年 12 月
丁国华、
罗寅
分行 其他融资到 他授信本金余额之和在最高
期日后三年 限额 500 万元范围内，承担
连带责任保证
为发行人与苏州银行股份有
各单笔债务 限公司张家港支行从 2020 年
苏州银行股份
丁国华、 履行期限届 2 月 25 日至 2021 年 2 月 24
罗寅 满之日起两 日止的期间内的债务在最高
港支行
年 限额 1,000 万元范围内，承
担连带责任保证
为发行人与江苏张家港农村
商业银行股份有限公司从
债务人履行
江苏张家港农 2020 年 4 月 15 日至 2023 年
丁国华、 债务期限届
罗寅 满之日起三
份有限公司 生的各类融资业务在最高债
年
权限额 1,000 万元范围内承
担连带责任保证担保
为发行人与上海浦东发展银
行股份有限公司张家港支行
上海浦东发展 从 2020 年 8 月 18 日起至
每笔债务履
丁国华、 银行股份有限 2021 年 8 月 18 日止的期间
罗寅 公司张家港支 内发行人办理各类融资业务
日起两年
行 所发生的债权在最高债权限
额 2,200 万元范围内承担连
带责任保证
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
被担 是否履
序号 担保方 债权人 担保期间 担保范围及方式
保方 行完毕
罗寅 有限公司张家 同项下的债 限公司张家港支行从 2021 年
港支行 务履行期限 6 月 25 日至 2022 年 6 月 24
届满之日起 日止的期间内连续发生的各
三年 类融资业务，在 1,000 万元
的最高限额内承担连带责任
保证
为发行人与上海浦东发展银
行股份有限公司苏州分行从
上海浦东发展 每笔债务履
丁国华、 年 8 月 12 日止的期间内发行
罗寅 人办理各类融资业务所发生
公司苏州分行 日起两年
的债权在最高债权限额
任保证
为发行人与招商银行股份有
担保书生效 限公司苏州分行从 2021 年 4
招商银行股份 日至每笔贷 月 22 日至 2022 年 4 月 21 日
丁国华、
罗寅
分行 资到期日后 信本金余额之和在最高限额
三年 500 万元范围内，承担连带
责任保证
为发行人与招商银行股份有
担保书生效 限公司苏州分行从 2021 年 4
招商银行股份 日至每笔贷 月 22 日至 2022 年 4 月 21 日
丁国华、
罗寅
分行 资到期日后 信本金余额之和在最高限额
三年 1,000 万元范围内，承担连带
责任保证
为发行人与苏州银行股份有
各单笔主合
限公司张家港支行签订的
苏州银行股份 同项下的债
丁国华、 《固定资产贷款合同》（苏
罗寅 银 固 贷 字 [320582001-2021]
港支行 届满之日起
第[563010]号）项下的 1,000
三年
万元债权提供连带责任保证
（4）关联方应收应付款项余额
单位：万元
公司名称 科目 性质 2022.12.31 2021.12.31 2020.12.31
甘华电源 合同负债 销售款 76.00 441.30 -
注 1：除上表所示情况外，2020 年末公司与硅动力存在应付货款余额 1.26 万元，应收
销售款余额 136.05 万元，2021 年硅动力存在应收销售款余额 68.70 万元，2022 年末存在合
同负债余额 5.75 万元、其他流动负债余额 0.75 万元。由于硅动力 2020 年 9 月后不再作为
公司关联方，因此 2020 年 12 月 31 日、2021 年 12 月 31 日、2022 年 12 月 31 日公司与其往
来款项余额不再作为关联方往来款项余额披露
注 2：除上表所示情况外，2020 年末公司与苏州同冠应收应付款项余额为 0，2021 年
末公司与苏州同冠存在预付款项余额 43.95 万元，2022 年末存在预付款项余额 1.22 万元。
由于苏州同冠 2021 年 5 月后不再为公司关联方，因此 2021 年 12 月 31 日、2022 年 12 月
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（5）关键管理人员薪酬
报告期内，公司董事、监事、高级管理人员薪酬总额如下：
单位：万元
项目 2022 年度 2021 年度 2020 年度
薪酬总额 530.54 474.02 280.73
注 1：严泓、刘娟娟于 2021 年 10 月成为公司高级管理人员，因此仅将其 2021 年和
注 2：上述董事、监事及高级管理人员薪酬包括公司所承担的社保公积金部分
（三）发行人报告期关联交易履行程序的合法合规情况
报告期内，本公司发生的关联交易按《公司章程》等规定履行了必要的程
序，对于本公司发生的关联交易，本公司已采取必要措施对本公司及其股东的
利益进行保护。
发行人已召开第一届董事会第十六次会议和 2021 年年度股东大会对 2019
年、2020 年、2021 年内发生的关联交易进行了确认，对 2022 年度预计日常关
联交易额度进行了预计。公司独立董事对上述关联交易履行的审议程序的合法
性和交易价格的公允性发表了明确意见，一致认为：该等关联交易依据公平、
合理的定价政策，交易价格公允，符合公平、公开、公正的原则，不存在损害
公司及其股东利益的情形。公司生产经营不存在依赖关联方的情形，关联交易
对公司财务状况和经营成果没有重大影响，对公司正常生产经营和独立运作没
有造成实质性影响，不会对公司独立性产生影响。
（四）关联方变化情况
关于关联方变化情况，详见本招股说明书“第八节 公司治理与独立性”之
“七、关联方及关联交易”之“（一）关联方及关联关系”之“9、报告期内曾
存在的主要关联方”。
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
第九节 投资者保护
一、本次发行前后股利分配政策的差异情况
本次发行前，发行人的利润分配政策为：重视对投资者的合理投资回报，
利润分配政策应保持连续性和稳定性。公司可以采取现金、股票或现金与股票
相结合的方式分配股利，可以进行中期利润分配。公司存在股东违规占用公司
资金情况的，公司应当扣减该股东所分配的现金红利，以偿还其占用的资金。
与本次发行前的股利分配政策相比，本次发行后的股利分配政策增加了现
金分红优先的分配原则、差异化的现金分红政策，明确了现金分红条件及现金
分红比例、股利分配原则以及利润分配方案的决策程序和机制、利润分配的信
息披露机制等具体规定。
二、本次发行前滚存利润的分配安排
经公司 2022 年第一次临时股东大会审议通过，公司首次公开发行股票前的
滚存利润，由发行后的新、老股东按持股比例共享。
三、现金分红的股利分配政策、决策程序及监督机制
详见本招股说明书“第十二节 附件”之“三、落实投资者关系管理相关规定的
安排、股利分配决策程序、股东投票机制建立情况”之“（二）股利分配政策和
决策程序”。
四、摊薄即期回报分析
（一）募集资金到位当年每股收益变化情况
本次发行前公司总股本为 5,526.3158 万股，根据发行方案，本次 A 股拟发
行不超过 1,842.1053 万股，本次发行完成后公司总股本将增加至 7,368.4211 万
股。本次发行募集资金到位后，公司总股本和净资产将较发行前相应增加，但
公司本次募集资金从资金投入到产生效益需要一定的时间，募投项目回报的实
现需要一定周期，因此发行后公司当年的基本每股收益、稀释每股收益存在被
摊薄的风险。但从中长期看，此次募集资金带来的资本金规模增长将有效促进
公司业务规模的扩展，进一步提升公司的业务规模和盈利能力。公司将积极采
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
取各种措施提高资金的使用效率，以获得良好的收益。
（二）填补回报的具体措施
为保障公司规范、有效使用募集资金，公司已按相关法律法规的要求制定
了《募集资金管理制度》，本次发行募集资金到位后，公司董事会将与保荐机
构、募集资金专户开户行签署三方监管协议，充分听取独立董事的意见，持续
监督公司对募集资金进行专项存储、保障募集资金按计划使用。
本次募集资金到位前，为尽快实现募集资金投资项目效益，公司将积极调
配资源，力争提前完成募集资金投资项目的前期准备工作。本次发行募集资金
到位后，公司将积极稳妥的实施募集资金投资项目，争取募投项目早日达产并
实现预期效益。公司将结合本次发行的募集资金投资项目建设，升级和优化产
品，加强技术研发能力，进一步提高公司综合竞争力，提升公司市场地位，提
升公司中长期的盈利能力及对投资者的回报能力。
公司已根据法律法规和规范性文件的规定建立健全了股东大会、董事会及
各专门委员会、监事会、独立董事、董事会秘书和高级管理层的管理制度，夯
实了公司经营管理和内部控制的基础。未来公司将进一步提高经营管理水平，
提升公司的整体盈利能力。另外，公司将努力提高资金的使用效率，完善并强
化投资决策程序，设计更为合理的资金使用方案，合理运用各种融资工具和渠
道，控制公司资金成本，节省财务费用支出。同时，公司也将继续加强企业内
部控制，加强成本管理并强化预算执行监督，全面有效地控制公司经营和管理
风险。
根据《公司法》《上市公司证券发行注册管理办法》《上市公司监管指引
第 3 号——上市公司现金分红》《中国证券监督管理委员会关于进一步落实上
市公司现金分红有关事项的通知》等法律法规的规定，公司制订了上市后使用
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的《公司章程（草案）》，就利润分配政策事宜进行详细规定，明确公司上市
后未来三年分红回报规划的制定原则和具体规划内容，充分维护公司股东依法
享有的资产收益。公司将严格执行分红政策，在符合利润分配条件的情况下，
重视和积极推动对股东的利润分配，特别是现金分红，尊重并维护股东利益。
（三）董事、高级管理人员对公司填补回报措施能够得到切实履行作出的
承诺
董事、高级管理人员对公司填补回报措施能够得到切实履行作出的承诺参
见本招股说明书本招股说明书“第十二节 附件”之“四、与投资者保护相关的承
诺”之“（六）关于填补被摊薄即期回报的措施及承诺”。
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第十节 其他重要事项
一、重要合同
（一）销售合同
公司通常与客户通过签署年度框架协议的方式建立长期、稳定的合作关系。
报告期内，公司已履行完毕、正在履行和将要履行的重大销售合同（合同项下
在一个会计年度内连续发生相同内容或性质的销售金额在 1,000 万元以上）情
况如下：
序号 客户名称 合同标的 合同类型 合同期限 履行情况
晶圆 框架合同 2019.1.4-2021.1.3 履行完毕
晶圆 框架合同 2021.1.4-2024.1.3 正在履行
成品 框架合同 2019.1.4-2021.1.3 履行完毕
成品 框架合同 2021.1.4-2024.1.3 正在履行
深圳市必易微电子 晶圆 框架合同 2018.1.1-2020.12.31 履行完毕
股份有限公司 晶圆 框架合同 2021.1.1-2022.12.31 履行完毕
上海晶丰明源半导
体股份有限公司
无锡众享科技有限 晶圆 框架合同 2021.1.4-2024.1.3 正在履行
公司 成品 框架合同 2021.1.4-2024.1.3 正在履行
西安微晶微电子有
限公司
晶圆 框架合同 2020.1.4-无固定期限 正在履行
成品 框架合同 2020.1.4-无固定期限 正在履行
瑞森半导体科技 晶圆 框架合同 2021.1.4-2024.1.3 正在履行
（广东）有限公司 成品 框架合同 2021.1.4-2024.1.3 正在履行
晶圆 框架合同 2021.8.1-2024.7.31 正在履行
成品 框架合同 2021.8.1-2024.7.31 正在履行
晶圆 框架合同 2020.4.1-2023.3.31 正在履行
成品 框架合同 2020.4.1-2023.3.31 正在履行
注 1：发行人与必易微已新签署销售框架合同，由于 2022 年度连续销售金额未达到
注 2：2023 年 1 月 4 日，发行人与公司 A-1 分别签署了《关于无异议协议自动延期的
确认函》，确认双方于 2020 年 1 月 4 日签订的《晶圆合作协议》及《成品合作协议》3 年
协议有效期限届满对方均未提出书面更改或解除要求，相关协议持续有效。
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（二）采购合同
公司与主要供应商签署年度框架协议，在实际经营过程中，公司根据业务
需要和库存情况向供应商下发采购订单。报告期内，公司已履行完毕、正在履
行和将要履行的重大采购合同（合同项下在一个会计年度内连续发生相同内容
或性质的采购金额在 1,000 万元以上）情况如下：
序号 供应商名称 合同标的 合同类型 合同期限 履行情况
上海汉磊电子贸
易有限公司
西安微晶微电子 晶圆 框架合同 2018.10.20-2021.10.19 履行完毕
有限公司 晶圆 框架合同 2021.10.20-2024.10.19 正在履行
南京国盛电子有 框架合同 2021.7.1-2022.12.31 履行完毕
限公司 框架合同 2023.1.1-2026.12.31 正在履行
深圳市稳先微电
子有限公司
金瑞泓科技（衢 框架合同 2021.1.1-2022.6.30 履行完毕
州）有限公司 框架合同 2022.7.1-2025.6.30 正在履行
注：发行人与上海汉磊采购框架合同已自动延期
（三）银行授信/借款/承兑合同
截至 2023 年 3 月 24 日，发行人正在履行的银行授信/借款/承兑合同情况如
下：
单位：万元
借款人/授 贷款人/ 借款/授信 借款/授信
序号 合同名称 签署日期 编号
信申请人 授信人 额度 期限
《最高额流 江苏张家港农 农商行高流借字
合同》 份有限公司 号
《开立银行 上海浦东发展 2023.4.18
务协议书》 公司苏州分行 2022.11.25-
招商银行股份
《授信协 2022.8.4-
议》 2023.8.3
分行
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借款人/授 贷款人/ 借款/授信 借款/授信
序号 合同名称 签署日期 编号
信申请人 授信人 额度 期限
中国农业银行
《流动资金 2022.9.7-
借款合同》 2023.9.5
张家港分行
中国农业银行
《流动资金 2022.8.31-
借款合同》 2023.8.30
张家港分行
中国农业银行 2022.11.4-
《流动资金 2023.11.2
借款合同》 2022.11.18-
张家港分行 450.00
《人民币流 中国建设银行
合同》 张家港分行
苏银贷字
[320582001-2023]第
苏州银行股份 2024.1.13
《贷款合 [563106]号
发行人 有限公司张家
同》 苏银贷字
港支行 2023.2.24-
[563112]号
注：2022 年 8 月，发行人与招商银行股份有限公司苏州分行签署了上表第 9 项《授信
协议》，并在该授信额度项下签署了《银行承兑合作协议》《担保合作协议》《国内信用
证开证合作协议》及《付款代理合作协议》。其中：（1）《授信协议》项下授信额度为
议》项下，发行人可向招商银行股份有限公司苏州分行申请承兑其开出的商业汇票。《银
行承兑合作协议》自合同双方签字盖章之日起生效，有效期一年，到期前 30 日，双方均未
书面通知对方到期终止该协议，则该协议自动延期一年；（3）在《担保合作协议》项下，
发行人可向招商银行股份有限公司苏州分行申请开立保函。《担保合作协议》自合同双方
签字盖章之日起生效，自动适用于该协议签署后招商银行股份有限公司苏州分行为发行人
开立的所有保函，该协议于一方收到对方终止合作书面通知 30 日后自动终止；（4）在
《国内信用证开证合作协议》项下，发行人可向招商银行股份有限公司苏州分行申请开立
国内信用证。《国内信用证开证合作协议》自合同双方签字盖章之日起生效，自动适用于
该协议签署后招商银行股份有限公司苏州分行为发行人办理的所有国内信用证开证业务，
该协议于一方收到对方终止合作书面通知 30 日后自动终止；（5）在《付款代理合作协议》
项下，招商银行股份有限公司苏州分行同意接受发行人的申请，为发行人提供代理付款服
务。《付款代理合作协议》自合同各方签字盖章后生效且持续有效。
（四）保证/质押合同
截至 2023 年 3 月 24 日，发行人正在履行及与发行人相关的保证、质押合
同情况如下：
序 担保人/ 担保
债务人 合同编号 担保债权 担保期限
号 出质人 方式
为发行人与江苏张家港农村
债务人履行
商业银行股份有限公司从 丁国
农商行个高保字[2020] 债务期限届 保证
第（14103）号 满之日起三 担保
年
生的各类融资业务在最高债
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序 担保人/ 担保
债务人 合同编号 担保债权 担保期限
号 出质人 方式
权限额 1,000 万元范围内承担
连带责任保证担保。
（五）技术服务及其他合同
报告期内，公司签署的合同标的额在 1,000.00 万元以上或者其他具有重要
影响的合同具体情况如下：
合同金额 是否正
序号 合作方名称 合同名称 合同主要内容 合同期限
（万元） 在履行
锴威特一次性投入扩
产所需设备 31 台套
及相关附属设备，西
《扩产合作协
安微晶微根据锴威特 / 2021.6.28-2031.6.30 是
议》
西安微晶微 技术需求生产合格晶
司 1.8 万片晶圆
对《扩产合作协议》
《关于<扩产合
中约定的合作实施阶
作协议>的确认 / 2023.1.3-2031.6.30 是
段及设备使用费进行
函》
了进一步明确
《特种器件合
作开发协议》
《采购合同》 半导体设备采购 7,377.06 2021.7.20-2022.12.25 否
江苏晋誉达
有限公司 同>之补充协 定交付的一台光刻机 / 是
起 120 个工作日
议》 进行更换
（六）购房合同
让交易合同》，约定发行人以 3,093.26 万元购买杨舍镇华昌路 10 号沙洲湖科创
园 B2 幢 01 室办公楼，所取得的不动产参见本招股说明书“第五节 业务和技术”
之“五、对主要业务有重大影响的主要固定资产、无形资产”之“（一）固定
资产”之“2、房屋及建筑物”之“（1）不动产”。
施工合同》，约定江苏毓恒建设工程有限公司为发行人上述 B2 幢办公楼提供装
修施工服务，合同金额为 777.00 万元；2022 年 10 月 27 日，双方签署了《补充
协 议 》 ， 因 新 增 部 分 工 程 项 目 ， 需 增 加 费 用 529.20 万 元 ， 合 同 金 额 共 计
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元。截至本招股说明书签署日，前述《建筑工程施工合同》及其《补充协议》
约定的合同主要义务已履行完毕，尚处于质保期内。
二、对外担保情况
截至本招股说明书签署日，公司无对外提供担保的情况。
三、诉讼或仲裁事项
（一）发行人的诉讼或仲裁事项
截至本招股说明书签署日，发行人不存在尚未了结的或可预见的重大诉讼、
仲裁及行政处罚事项。
（二）实际控制人的重大诉讼或仲裁事项
截至本招股说明书签署日，公司实际控制人不存在作为一方当事人的重大
诉讼、仲裁事项。
（三）董事、监事、高级管理人员和核心技术人员涉及的刑事诉讼、重大
诉讼或仲裁事项
截至本招股说明书签署日，公司的董事、监事、高级管理人员和核心技术
人员均不存在尚未了结的或者可预见的作为一方当事人的刑事诉讼、重大诉讼
或仲裁事项。
（四）董事、监事、高级管理人员和核心技术人员近 3 年涉及行政处罚、
被司法机关立案侦查、被中国证监会立案调查情况
报告期内，公司的董事、监事、高级管理人员和核心技术人员均不存在行
政处罚、被司法机关立案侦查、被中国证监会立案调查的情况。
四、控股股东、实际控制人报告期内的重大违法行为
报告期内，公司的控股股东、实际控制人不存在重大违法行为。
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第十一节 声明
一、发行人全体董事、监事、高级管理人员声明
本公司及全体董事监事、高级管理人员承诺本招股说明书的内容真实、准
确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，按照诚信原则履行承诺，
并承担相应的法律责任。
董事：
丁国华 罗 寅 陈 锴
谭在超 司景喆 姬 磊
秦 舒 苏中一 朱光忠
监事：
黄怀宙 戴明亮 孙新卫
非董事高级管
理人员：
严 泓 刘娟娟
苏州锴威特半导体股份有限公司
年 月 日
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二、发行人控股股东、实际控制人声明
本人承诺本招股说明书的内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导
性陈述或重大遗漏，按照诚信原则履行承诺，并承担相应的法律责任。
控股股东、实际控制
人：
丁国华
苏州锴威特半导体股份有限公司
年 月 日
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三、保荐人（主承销商）声明
本公司已对招股说明书进行核查，确认招股说明书的内容真实、准确、完
整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
项目协办人：
梁 旭
保荐代表人：
薛 峰 牟 晶
法定代表人（或授权代表）：
江 禹
华泰联合证券有限责任公司
年 月 日
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四、保荐人（主承销商）董事长、总经理声明
本人已认真阅读苏州锴威特半导体股份有限公司招股说明书的全部内容，
确认招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对招股说明书
真实性、准确性、完整性、及时性承担相应法律责任。
保荐人总经理：
马 骁
保荐人董事长（或授权代表）：
江 禹
华泰联合证券有限责任公司
年 月 日
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五、发行人律师声明
本所及经办律师已阅读招股说明书，确认招股说明书与本所出具的法律意
见书无矛盾之处。本所及经办律师对发行人在招股说明书中引用的法律意见书
的内容无异议，确认招股说明书不致因上述内容而出现虚假记载、误导性陈述
或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
经办律师：
王月鹏 黄心蕊
单位负责人：
龙海涛
北京植德律师事务所
年 月 日
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六、会计师事务所声明
本机构及签字注册会计师已阅读《苏州锴威特半导体股份有限公司首次公
开发行股票并在科创板上市招股说明书》（以下简称招股说明书），确认招股
说明书与本机构出具的审计报告（大华审字[2023]001877 号）、内部控制鉴证
报告（大华核字[20 23]002301 号）及经本机构鉴证的非经常性损益明细表（大
华核字[2023]002299 号）、审阅报告（大华核字[2023]0012112 号）等无矛盾之
处。本机构及签字注册会计师对苏州锴威特半导体股份有限公司在招股说明书
中引用的上述审计报告、内部控制鉴证报告及经本机构鉴证的非经常性损益明
细表等的内容无异议，确认招股说明书不致因上述内容而出现虚假记载、误导
性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
签字注册会计师：
夏利忠 吉正山
会计师事务所负责人：
梁 春
大华会计师事务所（特殊普通合伙）
年 月 日
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
七、资产评估机构声明
本机构及签字资产评估师已阅读招股说明书，确认招股说明书与本机构出
具的资产评估报告无矛盾之处。本机构及签字资产评估师对发行人在招股说明
书中引用的资产评估报告的内容无异议，确认招股说明书不致因上述内容而出
现虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
签字资产评估师：
石 玉 蔡辰杰（已离职）
资产评估机构负责人：
谢肖琳
江苏中企华中天资产评估有限公司
年 月 日
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
承担评估业务的资产评估机构
关于经办资产评估事项的签字资产评估师离职的说明
江苏中企华中天资产评估有限公司（以下简称“本公司"）出具的《苏州锴
威特半导体有限公司拟整体改制设立股份有限公司涉及的其净资产价值资产评
估报告》（苏中资评报字（2019）第 2023 号）的签字资产评估师为石玉、蔡辰
杰。其中，签字资产评估师蔡辰杰已从本公司离职，因此无法在本公司出具的
资产评估机构声明页中签字，但签字资产评估师的离职不影响本公司已出具的
上述资产评估报告的法律效力。
特此说明。
资产评估机构负责人：
谢肖琳
江苏中企华中天资产评估有限公司
月 日
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
八、验资机构声明
本机构及签字注册会计师已阅读《苏州锴威特半导体股份有限公司首次公
开发行股票并在科创板上市招股说明书》（以下简称招股说明书），确认招股
说 明 书 与 本 机 构 出 具 的 验 资 报 告 （ 大 华 验 字 [2021]000147 号 、 大 华 验 字
[2021]000148 号、大华验字[2021] 000925 号）无矛盾之处。本机构及签字注册
会计师对苏州锴威特半导体股份有限公司在招股说明书中引用的上述报告的内
容无异议，确认招股说明书不致因上述内容而出现虚假记载、误导性陈述或重
大遗漏，并承担相应的法律责任。
签字注册会计师：
夏利忠 吉正山
会计师事务所负责人：
梁 春
大华会计师事务所（特殊普通合伙）
年 月 日
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九、验资复核机构声明
本机构及签字注册会计师已阅读《苏州锴威特半导体股份有限公司首次公
开发行股票并在科创板上市招股说明书》（以下简称招股说明书），确认招股
说明书与本机构出具的历次验资复核报告（大华核字[2022]008950 号）无矛盾
之处。本机构及签字注册会计师对发行人在招股说明书中引用的历次验资复核
报告（大华核字[2022] 008950 号）的内容无异议，确认招股说明书不致因上述
内容而出现虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
签字注册会计师：
夏利忠 吉正山
会计师事务所负责人：
梁 春
大华会计师事务所（特殊普通合伙）
年 月 日
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第十二节 附件
一、备查文件
（一）发行保荐书；
（二）上市保荐书；
（三）法律意见书；
（四）财务报告及审计报告；
（五）公司章程（草案）；
（六）落实投资者关系管理相关规定的安排、股利分配决策程序、股东投
票机制建立情况；
（七）与投资者保护相关的承诺；
（八）发行人及其他责任主体作出的与发行人本次发行上市相关的承诺事
项；
（九）发行人审计报告基准日至招股说明书签署日之间的相关财务报表及
审阅报告；
（十）盈利预测报告及审核报告（如有）；
（十一）内部控制鉴证报告；
（十二）经注册会计师鉴证的非经常性损益明细表；
（十三）中国证监会同意发行人本次公开发行注册的文件；
（十四）股东大会、董事会、监事会、独立董事、董事会秘书制度的建立
健全及运行情况说明；
（十五）审计委员会及其他专门委员会的设置情况说明；
（十六）募集资金具体运用情况；
（十七）其他与本次发行有关的重要文件。
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二、文件查阅地址和时间
（一）发行人：苏州锴威特半导体股份有限公司
办公地址：张家港市杨舍镇华昌路 10 号沙洲湖科创园 B2 幢三层
查阅时间：承销期内每个工作日上午 9：00－11：30，下午 2：00－5：00
联 系 人：严泓
电 话：0512-58979950
传真号码：0512-58979950
（二）保荐机构（主承销商）：华泰联合证券有限责任公司
办公地址：上海市浦东新区东方路 18 号保利广场 E 栋 20F
查阅时间：承销期内每个工作日上午 9：00－11：30，下午 2：00－5：00
联 系 人：薛峰、牟晶
电 话：021-38966911
传 真：021-38966500
三、落实投资者关系管理相关规定的安排、股利分配决策程序、
股东投票机制建立情况
（一）落实投资者关系管理相关规定的安排
（1）信息披露制度的主要内容
为了规范发行人及相关义务人的信息披露工作，保护投资者合法权益，公
司根据《公司法》《证券法》《上市公司信息披露管理办法》《上海证券交易
所科创板股票上市规则》等法律、法规和部门规章，结合公司实际情况，制定
了《信息披露管理制度》。《信息披露管理制度》对信息披露的内容、程序、
保密责任、信息沟通等事项进行了详细的规定，根据《信息披露管理制度》，
信息披露义务人应当真实、准确、完整、及时、公平地披露所有可能对公司股
票交易价格产生较大影响或者对投资决策有较大影响的事项，不得有虚假记载、
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误导性陈述或者重大遗漏。该制度有助于加强发行人与投资者之间的信息沟通，
加强信息披露事务管理，提升规范运作和公司治理水平，切实保护投资者的合
法权益。
（2）信息披露的主要流程
公开信息披露的信息文稿由证券部撰稿和初审后，交董事会秘书审核。公
司信息披露的义务人对于某事项是否涉及信息披露有疑问时，应及时向董事会
秘书咨询。董事会秘书应按有关法律、法规和上海证券交易所、公司章程的规
定，在形成股东大会决议、董事会决议和监事会决议后披露定期报告和股东大
会决议公告、董事会决议公告、监事会决议公告等临时报告。
为了加强公司与投资者之间的信息沟通，完善公司治理结构，切实保护投
资者特别是社会公众投资者的合法权益，建立公司与投资者的良好沟通平台，
形成公司与投资者之间长期、稳定、和谐的良性互动关系，公司制定了《投资
者关系管理工作细则》。公司董事会秘书严泓为投资者关系管理负责人，全面
负责公司投资者关系管理；证券部是公司投资者关系管理的专职部门，负责公
司投资者关系管理的相关事务。联系方式如下：
董事会秘书 严泓
联系地址 张家港市杨舍镇华昌路 10 号沙洲湖科创园 B2 幢三层
邮政编码 215600
咨询电话 0512-58979950
传真号码 0512-58979950
电子邮件地址 zhengq@convertsemi.com
互联网网址 www.convertsemi.com
本次发行上市后，公司将严格依照《上海证券交易所科创板股票上市规则》
《上市公司信息披露管理办法》等法律、法规、规范性文件以及《信息披露管
理制度》《投资者关系管理工作细则》等内部制度的要求，切实开展投资者关
系构建、管理和维护的相关工作，为投资者和公司搭建起畅通的沟通交流平台，
确保投资者公平、及时地获取公司公开信息。
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（二）股利分配政策和决策程序
根据公司 2022 年第一次临时股东大会审议通过的《公司章程（草案）》，
上市后公司的股利分配政策如下：
公司实施连续、稳定的利润分配政策，公司利润分配应重视对投资者的合
理投资回报，并兼顾公司的可持续发展。在满足公司正常生产经营的资金需求
情况下，如无重大投资计划或重大现金支出等事项发生，公司将积极采取现金
方式分配利润。
公司可以采用现金、股票、现金与股票相结合或者法律法规允许的其他方
式分配利润。其中，在利润分配方式的分配顺序上现金分红优先于股票分配。
具备现金分红条件的，公司应当优先采用现金分红进行利润分配，且每年
以现金方式分配的利润应不低于当年实现的可分配利润的 10%，最近三年以现
金方式累计分配的利润不少于该三年实现的年均可供股东分配利润的 30%。
其中，公司实施现金分红时须同时满足下列条件：
（1）公司该年度实现的可分配利润（即公司弥补亏损、提取公积金后所余
的税后利润）为正值、且现金流充裕，可以满足公司正常经营和持续发展且无
重大投资计划或重大现金支出等事项发生，实施现金分红不会影响公司后续持
续经营；
（2）审计机构对公司的该年度财务报告出具标准无保留意见的审计报告。
公司应保持利润分配政策的连续性与稳定性，并综合考虑所处行业特点、
发展阶段、自身经营模式、盈利水平以及是否有重大资金支出安排等因素，制
定以下差异化的现金分红政策：
（1）当公司发展阶段属成熟期且无重大资金支出安排的，进行利润分配时，
现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到 80%；
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（2）当公司发展阶段属成熟期且有重大资金支出安排的，进行利润分配时，
现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到 40%；
（3）当公司发展阶段属成长期且有重大资金支出安排的，进行利润分配时，
现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到 20%。
重大投资计划或重大现金支出是指：
房产等累计支出达到或超过公司最近一期经审计净资产的 30%；
房产等累计支出达到或超过公司最近一期经审计总资产的 20%；
房产等累计支出达到或超过公司当年实现的可供分配利润的 40%。
公司董事会未作出年度现金利润分配预案或年度现金利润分配比例少于当
年实现的可供分配利润的 30%的，应说明下列情况：
（1）结合所处行业特点、发展阶段和自身经营模式、盈利水平、资金需求
等因素，对于未进行现金分红或现金分红水平较低原因的说明；
（2）留存未分配利润的确切用途及其相关预计收益情况；
（3）独立董事对未进行现金分红或现金分红水平较低的合理性发表的独立
意见。
公司发展阶段不易区分但有重大资金支出安排的，可以按照前项规定处理。
公司每年利润分配预案由公司管理层、董事会结合公司章程的规定、盈利
情况、资金需求和股东回报规划提出、拟定，经董事会审议通过后提交股东大
会批准。董事会、独立董事和符合一定条件的股东可以向公司股东征集其在股
东大会上的投票权。独立董事应对利润分配预案独立发表意见并公开披露。
董事会审议现金分红具体方案时，应当认真研究和论证公司现金分红的时
机、条件和最低比例、调整的条件及其决策程序要求等事宜，独立董事应当发
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表明确意见。
股东大会对现金分红具体方案进行审议时，应当通过多种渠道主动与股东
特别是中小股东进行沟通和交流（包括但不限于提供网络投票表决、邀请中小
股东参会等），充分听取中小股东的意见和诉求，并及时答复中小股东关心的
问题。分红预案应由出席股东大会的股东或股东代理人以所持二分之一以上的
表决权通过。
公司年度盈利，管理层、董事会未提出、拟定现金分红预案的，管理层需
就此向董事会提交详细的情况说明，包括未分红的原因、未用于分红的资金留
存公司的用途和使用计划，并由独立董事对利润分配预案发表独立意见并公开
披露；董事会审议通过后提交股东大会通过现场或网络投票的方式审议批准，
并由董事会向股东大会做出情况说明。
监事会应对董事会和管理层执行公司利润分配政策和股东回报规划的情况
及决策程序进行监督，并应对年度内盈利但未提出利润分配的预案，就相关政
策、规划执行情况发表专项说明和意见。
（三）股东投票机制的建立情况
根据公司 2022 年第一次临时股东大会审议通过的《公司章程（草案）》，
公司建立了累积投票制、中小投资者单独计票机制、网络投票制等股东投票机
制，充分保障投资者尤其是中小投资者参与公司重大决策的权利。
股东大会就选举两名以上董事、监事进行表决时，可以实行累积投票制。
前述累积投票制是指股东大会选举董事或者监事时，每一股份拥有与应选董事
或者监事人数相同的表决权，股东拥有的表决权可以集中使用。获选董事、监
事分别按应选董事、监事人数依次以得票较高者确定。股东大会以累积投票方
式选举董事的，独立董事和非独立董事的表决应当分别进行。
股东大会审议影响中小投资者利益的重大事项时，对中小投资者表决应当
单独计票。单独计票结果应当及时公开披露。
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股东大会将设置会场，以现场会议形式召开。公司还将提供网络投票的方
式为股东参加股东大会提供便利。股东通过上述方式参加股东大会的，视为出
席。
董事会、独立董事、持有百分之一以上有表决权股份的股东或者依照法律、
行政法规或者中国证监会的规定设立的投资者保护机构可以公开征集股东投票
权。征集股东投票权应当向被征集人充分披露具体投票意向等信息。禁止以有
偿或者变相有偿的方式征集股东投票权。除法定条件外，公司不得对征集投票
权提出最低持股比例限制。
四、与投资者保护相关的承诺
（一）关于股份锁定期及锁定期届满后减持相关事宜的承诺
根据相关法律、法规的有关规定，公司所有股东已分别出具了关于股份锁
定期及锁定期届满后减持相关事宜的承诺函，具体如下：
本人直接及间接持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股
票在上海证券交易所上市之日起 36 个月内不转让或者委托他人管理，也不由发
行人回购该部分股份。对于本人基于发行人本次公开发行股票前所持有的股份
而享有的送红股、转增股本等股份，亦遵守上述锁定期的约定。
发行人股票上市后 6 个月内，如连续 20 个交易日的收盘价均低于发行价
（指发行人首次公开发行股票的发行价格，如果因公司上市后派发现金红利、
送股、转增股本、增发新股等原因进行除权、除息的，则按照上海证券交易所
的有关规定作除权除息处理，下同），或者上市后 6 个月期末（如该日不是交
易日，则为该日后第一个交易日）收盘价低于发行价，本人持有发行人股票的
锁定期限自动延长 6 个月。
在本人持股 5%及其以上期间及法律法规规定的期间，本人在锁定期满后将
根据资金需求、投资安排等各方面因素审慎确定是否减持所持发行人首次公开
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发行前股份，股份减持亦将严格遵守中国证监会、证券交易所关于上市公司股
东减持股份的其他限制性规定。减持方式应符合相关法律法规及监管政策规定，
包括但不限于通过证券交易所集中竞价交易系统、大宗交易系统进行，或通过
协议转让或其他证券交易所认可的合法方式进行。
若本人在锁定期届满后 24 个月内减持的，股份减持的价格不低于发行人首
次公开发行股票的发行价。若在本人减持股份前，发行人已发生派息、送股、
资本公积转增股本等除权除息事项，则本人的减持价格应不低于经相应调整后
的发行价。锁定期届满超过 24 个月后，本人拟减持发行人股份的，应按照相关
法律、法规、规章、规范性文件及证券交易所的相关规定进行减持，且不违背
本人已作出的承诺。
上述锁定期届满后，在本人任职期间内，每年转让的股份不超过本人所持
有发行人股份总数的 25%。如本人出于任何原因离职，则在离职后 6 个月内，
亦不转让本人所持有的发行人股份。
在本人作为核心技术人员期间，所持发行人首次公开发行前股份锁定期满
之日起 4 年内，每年转让的首次公开发行前股份不超过上市时本人所持有的发
行人首次公开发行前股份总数的 25%，减持比例可以累积使用。如本人出于任
何原因离职，则在离职后 6 个月内，亦不转让本人所持有的发行人股份。
若因发行人存在《上海证券交易所科创板股票上市规则》第十二章第二节
规定的重大违法情形，触及退市标准的，自相关行政处罚决定事先告知书或者
司法裁判作出之日起至发行人股票终止上市并摘牌，本人不减持发行人股份。
在本人持股 5%及其以上期间及法律法规规定的期间，本人减持所持有的发
行人股份时，将在减持前三个交易日予以公告，并按照证券监管机构、上海证
券交易所届时适用的规则及时、准确地履行信息披露义务；若本人通过证券交
易所集中竞价交易方式首次减持所持有的发行人股份，将在减持前的十五个交
易日予以公告。
本人在股份锁定期届满后减持本人在本次公开发行前持有的股份的，应当
明确并披露发行人的控制权安排，保证发行人持续稳定经营。
在担任发行人董事、核心技术人员期间，本人将严格遵守法律、法规、规
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范性文件关于董事、核心技术人员的持股及股份变动的有关规定，规范诚信履
行董事、核心技术人员的义务，如实并及时申报本人持有的发行人股份及其变
动情况。本人不会因职务变更、离职等原因而拒绝履行上述承诺。本人同意承
担并赔偿因违反上述承诺而给发行人造成的一切损失。
在本人持股期间，若相关法律、法规、规范性文件、政策及证券监管机构
的要求发生变化，则本人愿意自动适用变更后的法律、法规、规范性文件、政
策及证券监管机构的要求。
若本人未履行上述承诺，给发行人或者其他投资者造成损失的，将根据相
关法律法规及中国证监会、上海证券交易所的要求依法承担相应赔偿责任。
所作承诺
本人直接及间接持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股
票在上海证券交易所上市之日起 36 个月内不转让或者委托他人管理，也不由发
行人回购该部分股份。对于本人基于发行人本次公开发行股票前所持有的股份
而享有的送红股、转增股本等股份，亦遵守上述锁定期的约定。
发行人股票上市后 6 个月内，如连续 20 个交易日的收盘价均低于发行价
（指发行人首次公开发行股票的发行价格，如果因公司上市后派发现金红利、
送股、转增股本、增发新股等原因进行除权、除息的，则按照上海证券交易所
的有关规定作除权除息处理，下同），或者上市后 6 个月期末（如该日不是交
易日，则为该日后第一个交易日）收盘价低于发行价，本人持有发行人股票的
锁定期限自动延长 6 个月。
在本人持股 5%及其以上期间及法律法规规定的期间，本人在锁定期满后将
根据资金需求、投资安排等各方面因素审慎确定是否减持所持发行人首次公开
发行前股份，股份减持亦将严格遵守中国证监会、证券交易所关于上市公司股
东减持股份的其他限制性规定。减持方式应符合相关法律法规及监管政策规定，
包括但不限于通过证券交易所集中竞价交易系统、大宗交易系统进行，或通过
协议转让或其他证券交易所认可的合法方式进行。
若本人在锁定期届满后 24 个月内减持的，股份减持的价格不低于发行人首
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次公开发行股票的发行价。若在本人减持股份前，发行人已发生派息、送股、
资本公积转增股本等除权除息事项，则本人的减持价格应不低于经相应调整后
的发行价。锁定期届满超过 24 个月后，本人拟减持发行人股份的，应按照相关
法律、法规、规章、规范性文件及证券交易所的相关规定进行减持，且不违背
本人已作出的承诺。
上述锁定期届满后，在本人任职期间内，每年转让的股份不超过本人所持
有发行人股份总数的 25%。如本人出于任何原因离职，则在离职后 6 个月内，
亦不转让本人所持有的发行人股份。
在本人作为核心技术人员期间，所持发行人首次公开发行前股份锁定期满
之日起 4 年内，每年转让的首次公开发行前股份不超过上市时本人所持有的发
行人首次公开发行前股份总数的 25%，减持比例可以累积使用。如本人出于任
何原因离职，则在离职后 6 个月内，亦不转让本人所持有的发行人股份。
若因发行人存在《上海证券交易所科创板股票上市规则》第十二章第二节
规定的重大违法情形，触及退市标准的，自相关行政处罚决定事先告知书或者
司法裁判作出之日起至发行人股票终止上市并摘牌，本人不减持发行人股份。
在本人持股 5%及其以上期间及法律法规规定的期间，本人减持所持有的发
行人股份时，将在减持前三个交易日予以公告，并按照证券监管机构、上海证
券交易所届时适用的规则及时、准确地履行信息披露义务；若本人通过证券交
易所集中竞价交易方式首次减持所持有的发行人股份，将在减持前的十五个交
易日予以公告。
在担任发行人董事、高级管理人员、核心技术人员期间，本人将严格遵守
法律、法规、规范性文件关于董事、高级管理人员、核心技术人员的持股及股
份变动的有关规定，规范诚信履行董事、高级管理人员、核心技术人员的义务，
如实并及时申报本人持有的发行人股份及其变动情况。本人不会因职务变更、
离职等原因而拒绝履行上述承诺。本人同意承担并赔偿因违反上述承诺而给发
行人造成的一切损失。
在本人持股期间，若相关法律、法规、规范性文件、政策及证券监管机构
的要求发生变化，则本人愿意自动适用变更后的法律、法规、规范性文件、政
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策及证券监管机构的要求。
若本人未履行上述承诺，给发行人或者其他投资者造成损失的，将根据相
关法律法规及中国证监会、上海证券交易所的要求依法承担相应赔偿责任。
本人直接及间接持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股
票在上海证券交易所上市之日起 36 个月内不转让或者委托他人管理，也不由发
行人回购该部分股份。对于本人基于发行人本次公开发行股票前所持有的股份
而享有的送红股、转增股本等股份，亦遵守上述锁定期的约定。
发行人股票上市后 6 个月内，如连续 20 个交易日的收盘价均低于发行价
（指发行人首次公开发行股票的发行价格，如果因公司上市后派发现金红利、
送股、转增股本、增发新股等原因进行除权、除息的，则按照上海证券交易所
的有关规定作除权除息处理，下同），或者上市后 6 个月期末（如该日不是交
易日，则为该日后第一个交易日）收盘价低于发行价，本人持有发行人股票的
锁定期限自动延长 6 个月。
在本人持股 5%及其以上期间及法律法规规定的期间，本人在锁定期满后将
根据资金需求、投资安排等各方面因素审慎确定是否减持所持发行人首次公开
发行前股份，股份减持亦将严格遵守中国证监会、证券交易所关于上市公司股
东减持股份的其他限制性规定。减持方式应符合相关法律法规及监管政策规定，
包括但不限于通过证券交易所集中竞价交易系统、大宗交易系统进行，或通过
协议转让或其他证券交易所认可的合法方式进行。
若本人在锁定期届满后 24 个月内减持的，股份减持的价格不低于发行人首
次公开发行股票的发行价。若在本人减持股份前，发行人已发生派息、送股、
资本公积转增股本等除权除息事项，则本人的减持价格应不低于经相应调整后
的发行价。锁定期届满超过 24 个月后，本人拟减持发行人股份的，应按照相关
法律、法规、规章、规范性文件及上海证券交易所的相关规定进行减持，且不
违背本人已作出承诺。
上述锁定期届满后，在本人任职期间内，每年转让的股份不超过本人所持
有发行人股份总数的 25%。如本人出于任何原因离职，则在离职后 6 个月内，
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亦不转让本人所持有的发行人的股份。
若因发行人存在《上海证券交易所科创板股票上市规则》第十二章第二节
规定的重大违法情形，触及退市标准的，自相关行政处罚决定事先告知书或者
司法裁判作出之日起至发行人股票终止上市并摘牌，本人不减持发行人股份。
在本人持股 5%及其以上期间及法律法规规定的期间，本人减持所持有的发
行人股份时，将在减持前三个交易日予以公告，并按照证券监管机构、上海证
券交易所届时适用的规则及时、准确地履行信息披露义务；若本人通过证券交
易所集中竞价交易方式首次减持所持有的发行人股份，将在减持前的十五个交
易日予以公告。
在担任发行人董事期间，本人将严格遵守法律、法规、规范性文件关于董
事的持股及股份变动的有关规定，规范诚信履行董事的义务，如实并及时申报
本人持有的发行人股份及其变动情况。本人不会因职务变更、离职等原因而拒
绝履行上述承诺。本人同意承担并赔偿因违反上述承诺而给发行人造成的一切
损失。
在本人持股期间，若相关法律、法规、规范性文件、政策及证券监管机构
的要求发生变化，则本人愿意自动适用变更后的法律、法规、规范性文件、政
策及证券监管机构的要求。
若本人未履行上述承诺，给发行人或者其他投资者造成损失的，将根据相
关法律法规及中国证监会、上海证券交易所的要求依法承担相应赔偿责任。
人港鹰实业所作承诺
本企业持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股票在上海
证券交易所上市之日起 36 个月内不转让或者委托他人管理，也不由发行人回购
该部分股份。对于本企业基于发行人本次公开发行股票前所持有的股份而享有
的送红股、转增股本等股份，亦遵守上述锁定期的约定。
发行人股票上市后 6 个月内，如连续 20 个交易日的收盘价均低于发行价
（指发行人首次公开发行股票的发行价格，如果因公司上市后派发现金红利、
送股、转增股本、增发新股等原因进行除权、除息的，则按照上海证券交易所
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的有关规定作除权除息处理，下同），或者上市后 6 个月期末（如该日不是交
易日，则为该日后第一个交易日）收盘价低于发行价，本企业持有发行人股票
的锁定期限自动延长 6 个月。
在本企业持股 5%及其以上期间及法律法规规定的期间，本企业在锁定期满
后将根据资金需求、投资安排等各方面因素审慎确定是否减持所持发行人首次
公开发行前股份，股份减持亦将严格遵守中国证监会、证券交易所关于上市公
司股东减持股份的其他限制性规定。减持方式应符合相关法律法规及监管政策
规定，包括但不限于通过证券交易所集中竞价交易系统、大宗交易系统进行，
或通过协议转让或其他证券交易所认可的合法方式进行。
若本企业在锁定期届满后 24 个月内减持的，股份减持的价格不低于发行人
首次公开发行股票的发行价。若在本企业减持股份前，发行人已发生派息、送
股、资本公积转增股本等除权除息事项，则本企业的减持价格应不低于经相应
调整后的发行价。锁定期届满超过 24 个月后，本企业拟减持发行人股份的，应
按照相关法律、法规、规章、规范性文件及上海证券交易所的相关规定进行减
持，且不违背本企业已作出承诺。
若因发行人存在《上海证券交易所科创板股票上市规则》第十二章第二节
规定的重大违法情形，触及退市标准的，自相关行政处罚决定事先告知书或者
司法裁判作出之日起至发行人股票终止上市并摘牌，本企业不减持发行人股份。
在本企业持股 5%及其以上期间及法律法规规定的期间，本企业减持所持有
的发行人股份时，将在减持前三个交易日予以公告，并按照证券监管机构、上
海证券交易所届时适用的规则及时、准确地履行信息披露义务；若本企业通过
证券交易所集中竞价交易方式首次减持所持有的发行人股份，将在减持前的十
五个交易日予以公告。
本企业将严格遵守法律、法规、规范性文件关于持股及股份变动的有关规
定并同意承担并赔偿因违反上述承诺而给发行人造成的一切损失。
在本企业持股期间，若相关法律、法规、规范性文件、政策及证券监管机
构的要求发生变化，则本企业愿意自动适用变更后的法律、法规、规范性文件、
政策及证券监管机构的要求。
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
若本企业未履行上述承诺，给发行人或者其他投资者造成损失的，将根据
相关法律法规及中国证监会、上海证券交易所的要求依法承担相应赔偿责任。
本企业持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股票在上海
证券交易所上市之日起 12 个月内不转让或者委托他人管理，也不由发行人回购
该部分股份。对于本企业基于发行人本次公开发行股票前所持有的股份而享有
的送红股、转增股本等股份，亦遵守上述锁定期的约定。
在本企业持股 5%及其以上期间及法律法规规定的期间，本企业在锁定期满
后将根据资金需求、投资安排等各方面因素审慎确定是否减持所持发行人首次
公开发行前股份，股份减持亦将严格遵守中国证监会、证券交易所关于上市公
司股东减持股份的其他限制性规定。减持方式应符合相关法律法规及监管政策
规定，包括但不限于通过证券交易所集中竞价交易系统、大宗交易系统进行，
或通过协议转让或其他证券交易所认可的合法方式进行；本企业减持所持有的
发行人股份时，将在减持前三个交易日予以公告，并按照证券监管机构、上海
证券交易所届时适用的规则及时、准确地履行信息披露义务；若本企业通过证
券交易所集中竞价交易方式首次减持所持有的发行人股份，将在减持前的十五
个交易日予以公告。
在本企业持股期间，若相关法律、法规、规范性文件、政策及证券监管机
构的要求发生变化，则本企业愿意自动适用变更后的法律、法规、规范性文件、
政策及证券监管机构的要求。
若本企业未履行上述承诺，给发行人或者其他投资者造成损失的，将根据
相关法律法规及中国证监会、上海证券交易所的要求依法承担相应赔偿责任。
人彭玫所作承诺
本人持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股票在上海证
券交易所上市之日起 12 个月内且自本人取得发行人股份之日起 36 个月内，不
转让或者委托他人管理，也不由发行人回购该部分股份。对于本人持有的基于
发行人本次公开发行股票前所持有的股份而享有的送红股、转增股本等股份，
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亦遵守上述锁定期的约定。
在本人持股 5%及其以上期间及法律法规规定的期间，本人在锁定期满后将
根据资金需求、投资安排等各方面因素审慎确定是否减持所持发行人首次公开
发行前股份，股份减持亦将严格遵守中国证监会、证券交易所关于上市公司股
东减持股份的其他限制性规定。减持方式应符合相关法律法规及监管政策规定，
包括但不限于通过证券交易所集中竞价交易系统、大宗交易系统进行，或通过
协议转让或其他证券交易所认可的合法方式进行；本人减持所持有的发行人股
份时，将在减持前三个交易日予以公告，并按照证券监管机构、上海证券交易
所届时适用的规则及时、准确地履行信息披露义务；若本人通过证券交易所集
中竞价交易方式首次减持所持有的发行人股份，将在减持前的十五个交易日予
以公告。
在本人持股期间，若相关法律、法规、规范性文件、政策及证券监管机构
的要求发生变化，则本人愿意自动适用变更后的法律、法规、规范性文件、政
策及证券监管机构的要求。
若本人未履行上述承诺，给发行人或者其他投资者造成损失的，将根据相
关法律法规及中国证监会、上海证券交易所的要求依法承担相应赔偿责任。
新工邦盛、邦盛聚泓、禾望投资、悦丰金创所作承诺
本企业/本人持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股票在
上海证券交易所上市之日起 12 个月内且自本企业/本人取得发行人股份的工商
登记/取得发行人股份之日起 36 个月内，不转让或者委托他人管理，也不由发
行人回购该部分股份。对于本企业/本人持有的基于发行人本次公开发行股票前
所持有的股份而享有的送红股、转增股本等股份，亦遵守上述锁定期的约定。
本企业/本人在锁定期满后减持将严格遵守中国证监会、证券交易所关于上
市公司股东减持股份的其他限制性规定。减持方式应符合相关法律法规及监管
政策规定，包括但不限于通过证券交易所集中竞价交易系统、大宗交易系统进
行，或通过协议转让或其他证券交易所认可的合法方式进行。
在本企业/本人持股期间，若相关法律、法规、规范性文件、政策及证券监
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
管机构的要求发生变化，则本企业/本人愿意自动适用变更后的法律、法规、规
范性文件、政策及证券监管机构的要求。
若本企业/本人未履行上述承诺，给发行人或者其他投资者造成损失的，将
根据相关法律法规及中国证监会、上海证券交易所的要求依法承担相应赔偿责
任。
本人直接及间接持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股
票在上海证券交易所上市之日起 12 个月内不转让或者委托他人管理，也不由发
行人回购该部分股份。对于本人基于发行人本次公开发行股票前所持有的股份
而享有的送红股、转增股本等股份，亦遵守上述锁定期的约定。
发行人股票上市后 6 个月内，如连续 20 个交易日的收盘价均低于发行价
（指发行人首次公开发行股票的发行价格，如果因公司上市后派发现金红利、
送股、转增股本、增发新股等原因进行除权、除息的，则按照上海证券交易所
的有关规定作除权除息处理，下同），或者上市后 6 个月期末（如该日不是交
易日，则为该日后第一个交易日）收盘价低于发行价，则本人持有发行人股份
的锁定期限自动延长 6 个月。
本人在锁定期满后减持将严格遵守中国证监会、证券交易所关于上市公司
股东减持股份的其他限制性规定。减持方式应符合相关法律法规及监管政策规
定，包括但不限于通过证券交易所集中竞价交易系统、大宗交易系统进行，或
通过协议转让或其他证券交易所认可的合法方式进行。
若本人在锁定期届满后 24 个月内减持的，股份减持的价格不低于发行人首
次公开发行股票的发行价。若在本人减持股份前，发行人已发生派息、送股、
资本公积转增股本等除权除息事项，则本人的减持价格应不低于经相应调整后
的发行价。锁定期届满超过 24 个月后，本人拟减持发行人股份的，应按照相关
法律、法规、规章、规范性文件及证券交易所的相关规定进行减持，且不违背
本人已作出的承诺。
上述锁定期届满后，在本人任职期间内，每年转让的股份不超过本人所持
有发行人股份总数的 25%。如本人出于任何原因离职，则在离职后 6 个月内，
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
亦不转让本人所持有的发行人股份。
在本人作为核心技术人员期间，所持发行人首次公开发行前股份锁定期满
之日起 4 年内，每年转让的首次公开发行前股份不超过上市时本人所持有的发
行人首次公开发行前股份总数的 25%，减持比例可以累积使用。如本人出于任
何原因离职，则在离职后 6 个月内，亦不转让本人所持有的发行人股份。
若因发行人存在《上海证券交易所科创板股票上市规则》第十二章第二节
规定的重大违法情形，触及退市标准的，自相关行政处罚决定事先告知书或者
司法裁判作出之日起至发行人股票终止上市并摘牌，本人不减持发行人股份。
若本人通过集中竞价交易方式减持所持有的发行人股份，将在首次减持的
十五个交易日前向上海证券交易所报告并预先披露减持计划；通过其他方式减
持的，将提前三个交易日，并按照证券监管机构、上海证券交易所届时适用的
规则及时、准确地履行信息披露义务。
在担任发行人董事、高级管理人员、核心技术人员期间，本人将严格遵守
法律、法规、规范性文件关于董事、高级管理人员、核心技术人员的持股及股
份变动的有关规定，规范诚信履行董事、高级管理人员、核心技术人员的义务，
如实并及时申报本人持有的发行人股份及其变动情况。本人不会因职务变更、
离职等原因而拒绝履行上述承诺。本人同意承担并赔偿因违反上述承诺而给发
行人造成的一切损失。
在本人持股期间，若相关法律、法规、规范性文件、政策及证券监管机构
的要求发生变化，则本人愿意自动适用变更后的法律、法规、规范性文件、政
策及证券监管机构的要求。
若本人未履行上述承诺，给发行人或者其他投资者造成损失的，将根据相
关法律法规及中国证监会、上海证券交易所的要求依法承担相应赔偿责任。
本人间接持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股票在上
海证券交易所上市之日起 12 个月内不转让或者委托他人管理，也不由发行人回
购该部分股份。对于本人基于发行人本次公开发行股票前所持有的股份而享有
的送红股、转增股本等股份，亦遵守上述锁定期的约定。
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
发行人股票上市后 6 个月内，如连续 20 个交易日的收盘价均低于发行价
（指发行人首次公开发行股票的发行价格，如果因公司上市后派发现金红利、
送股、转增股本、增发新股等原因进行除权、除息的，则按照上海证券交易所
的有关规定作除权除息处理，下同），或者上市后 6 个月期末（如该日不是交
易日，则为该日后第一个交易日）收盘价低于发行价，则本人持有发行人股份
的锁定期限自动延长 6 个月。
本人在锁定期满后减持将严格遵守中国证监会、证券交易所关于上市公司
股东减持股份的其他限制性规定。减持方式应符合相关法律法规及监管政策规
定，包括但不限于通过证券交易所集中竞价交易系统、大宗交易系统进行，或
通过协议转让或其他证券交易所认可的合法方式进行。
若本人在锁定期届满后 24 个月内减持的，股份减持的价格不低于发行人首
次公开发行股票的发行价。若在本人减持股份前，发行人已发生派息、送股、
资本公积转增股本等除权除息事项，则本人的减持价格应不低于经相应调整后
的发行价。锁定期届满超过 24 个月后，本人拟减持发行人股份的，应按照相关
法律、法规、规章、规范性文件及证券交易所的相关规定进行减持，且不违背
本人已作出的承诺。
上述锁定期届满后，在本人任职期间内，每年转让的股份不超过本人所持
有发行人股份总数的 25%。如本人出于任何原因离职，则在离职后 6 个月内，
亦不转让本人所持有的发行人的股份。
若因发行人存在《上海证券交易所科创板股票上市规则》第十二章第二节
规定的重大违法情形，触及退市标准的，自相关行政处罚决定事先告知书或者
司法裁判作出之日起至发行人股票终止上市并摘牌，本人不减持发行人股份。
若本人通过集中竞价交易方式减持所持有的发行人股份，将在首次减持的
十五个交易日前向上海证券交易所报告并预先披露减持计划；通过其他方式减
持的，将提前三个交易日，并按照证券监管机构、上海证券交易所届时适用的
规则及时、准确地履行信息披露义务。
在担任发行人董事期间内，本人将严格遵守法律、法规、规范性文件关于
发行人董事的持股及股份变动的有关规定，规范诚信履行董事的义务，如实并
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及时申报本人持有的发行人股份及其变动情况。本人不会因职务变更、离职等
原因而拒绝履行上述承诺。本人同意承担并赔偿因违反上述承诺而给发行人造
成的一切损失。
在本人持股期间，若相关法律、法规、规范性文件、政策及证券监管机构
的要求发生变化，则本人愿意自动适用变更后的法律、法规、规范性文件、政
策及证券监管机构的要求。
若本人未履行上述承诺，给发行人或者其他投资者造成损失的，将根据相
关法律法规及中国证监会、上海证券交易所的要求依法承担相应赔偿责任。
本人直接及间接持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股
票在上海证券交易所上市之日起 12 个月内不转让或者委托他人管理，也不由发
行人回购该部分股份。对于本人基于发行人本次公开发行股票前所持有的股份
而享有的送红股、转增股本等股份，亦遵守上述锁定期的约定。
本人在锁定期满后减持将严格遵守中国证监会、证券交易所关于上市公司
股东减持股份的其他限制性规定。减持方式应符合相关法律法规及监管政策规
定，包括但不限于通过证券交易所集中竞价交易系统、大宗交易系统进行，或
通过协议转让或其他证券交易所认可的合法方式进行。
上述锁定期届满后，在本人任职期间内，每年转让的股份不超过本人所持
有发行人股份总数的 25%。如本人出于任何原因离职，则在离职后 6 个月内，
亦不转让本人所持有的发行人的股份。
若发行人因存在《上海证券交易所科创板股票上市规则》第十二章第二节
规定的重大违法情形，触及退市标准的，自相关行政处罚决定事先告知书或者
司法裁判作出之日起至发行人股票终止上市并摘牌，本人不减持发行人股份。
若本人通过集中竞价交易方式减持所持有的发行人股份，将在首次减持的
十五个交易日前向上海证券交易所报告并预先披露减持计划；通过其他方式减
持的，将提前三个交易日，并按照证券监管机构、上海证券交易所届时适用的
规则及时、准确地履行信息披露义务。
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在担任发行人监事期间内，本人将严格遵守法律、法规、规范性文件关于
发行人监事的持股及股份变动的有关规定，规范诚信履行监事的义务，如实并
及时申报本人持有的发行人股份及其变动情况。本人不会因职务变更、离职等
原因而拒绝履行上述承诺。本人同意承担并赔偿因违反上述承诺而给发行人造
成的一切损失。
在本人持股期间，若相关法律、法规、规范性文件、政策及证券监管机构
的要求发生变化，则本人愿意自动适用变更后的法律、法规、规范性文件、政
策及证券监管机构的要求。
若本人未履行上述承诺，给发行人或者其他投资者造成损失的，将根据相
关法律法规及中国证监会、上海证券交易所的要求依法承担相应赔偿责任。
本人间接持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股票在上
海证券交易所上市之日起 12 个月内不转让或者委托他人管理，也不由发行人回
购该部分股份。对于本人基于发行人本次公开发行股票前所持有的股份而享有
的送红股、转增股本等股份，亦遵守上述锁定期的约定。
发行人股票上市后 6 个月内，如连续 20 个交易日的收盘价均低于发行价
（指发行人首次公开发行股票的发行价格，如果因公司上市后派发现金红利、
送股、转增股本、增发新股等原因进行除权、除息的，则按照上海证券交易所
的有关规定作除权除息处理，下同），或者上市后 6 个月期末（如该日不是交
易日，则为该日后第一个交易日）收盘价低于发行价，则本人持有发行人股份
的锁定期限自动延长 6 个月。
本人在锁定期满后减持将严格遵守中国证监会、证券交易所关于上市公司
股东减持股份的其他限制性规定。减持方式应符合相关法律法规及监管政策规
定，包括但不限于通过证券交易所集中竞价交易系统、大宗交易系统进行，或
通过协议转让或其他证券交易所认可的合法方式进行。
若本人在锁定期届满后 24 个月内减持的，股份减持的价格不低于发行人首
次公开发行股票的发行价。若在本人减持股份前，发行人已发生派息、送股、
资本公积转增股本等除权除息事项，则本人的减持价格应不低于经相应调整后
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的发行价。锁定期届满超过 24 个月后，本人拟减持发行人股份的，应按照相关
法律、法规、规章、规范性文件及证券交易所的相关规定进行减持，且不违背
本人已作出的承诺。
上述锁定期届满后，在本人任职期间内，每年转让的股份不超过本人所持
有发行人股份总数的 25%。如本人出于任何原因离职，则在离职后 6 个月内，
亦不转让本人所持有的发行人的股份。
若因发行人存在《上海证券交易所科创板股票上市规则》第十二章第二节
规定的重大违法情形，触及退市标准的，自相关行政处罚决定事先告知书或者
司法裁判作出之日起至发行人股票终止上市并摘牌，本人不减持发行人股份。
若本人通过集中竞价交易方式减持所持有的发行人股份，将在首次减持的
十五个交易日前向上海证券交易所报告并预先披露减持计划；通过其他方式减
持的，将提前三个交易日，并按照证券监管机构、上海证券交易所届时适用的
规则及时、准确地履行信息披露义务。
在担任发行人监事期间内，本人将严格遵守法律、法规、规范性文件关于
发行人监事的持股及股份变动的有关规定，规范诚信履行监事的义务，如实并
及时申报本人持有的发行人股份及其变动情况。本人不会因职务变更、离职等
原因而拒绝履行上述承诺。本人同意承担并赔偿因违反上述承诺而给发行人造
成的一切损失。
在本人持股期间，若相关法律、法规、规范性文件、政策及证券监管机构
的要求发生变化，则本人愿意自动适用变更后的法律、法规、规范性文件、政
策及证券监管机构的要求。
若本人未履行上述承诺，给发行人或者其他投资者造成损失的，将根据相
关法律法规及中国证监会、上海证券交易所的要求依法承担相应赔偿责任。
本人直接及间接持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股
票在上海证券交易所上市之日起 12 个月内不转让或者委托他人管理，也不由发
行人回购该部分股份。对于本人基于发行人本次公开发行股票前所持有的股份
而享有的送红股、转增股本等股份，亦遵守上述锁定期的约定。
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发行人股票上市后 6 个月内，如连续 20 个交易日的收盘价均低于发行价
（指发行人首次公开发行股票的发行价格，如果因公司上市后派发现金红利、
送股、转增股本、增发新股等原因进行除权、除息的，则按照上海证券交易所
的有关规定作除权除息处理，下同），或者上市后 6 个月期末（如该日不是交
易日，则为该日后第一个交易日）收盘价低于发行价，则本人持有发行人股份
的锁定期限自动延长 6 个月。
本人在锁定期满后减持将严格遵守中国证监会、证券交易所关于上市公司
股东减持股份的其他限制性规定。减持方式应符合相关法律法规及监管政策规
定，包括但不限于通过证券交易所集中竞价交易系统、大宗交易系统进行，或
通过协议转让或其他证券交易所认可的合法方式进行。
若本人在锁定期届满后 24 个月内减持的，股份减持的价格不低于发行人首
次公开发行股票的发行价。若在本人减持股份前，发行人已发生派息、送股、
资本公积转增股本等除权除息事项，则本人的减持价格应不低于经相应调整后
的发行价。锁定期届满超过 24 个月后，本人拟减持发行人股份的，应按照相关
法律、法规、规章、规范性文件及证券交易所的相关规定进行减持，且不违背
本人已作出的承诺。
上述锁定期届满后，在本人任职期间内，每年转让的股份不超过本人所持
有发行人股份总数的 25%。如本人出于任何原因离职，则在离职后 6 个月内，
亦不转让本人所持有的发行人的股份。
若因发行人存在《上海证券交易所科创板股票上市规则》第十二章第二节
规定的重大违法情形，触及退市标准的，自相关行政处罚决定事先告知书或者
司法裁判作出之日起至发行人股票终止上市并摘牌，本人不减持发行人股份。
若本人通过集中竞价交易方式减持所持有的发行人股份，将在首次减持的
十五个交易日前向上海证券交易所报告并预先披露减持计划；通过其他方式减
持的，将提前三个交易日，并按照证券监管机构、上海证券交易所届时适用的
规则及时、准确地履行信息披露义务。
在担任发行人高级管理人员期间内，本人将严格遵守法律、法规、规范性
文件关于发行人高级管理人员的持股及股份变动的有关规定，规范诚信履行高
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级管理人员的义务，如实并及时申报本人持有的发行人股份及其变动情况。本
人不会因职务变更、离职等原因而拒绝履行上述承诺。本人同意承担并赔偿因
违反上述承诺而给发行人造成的一切损失。
在本人持股期间，若相关法律、法规、规范性文件、政策及证券监管机构
的要求发生变化，则本人愿意自动适用变更后的法律、法规、规范性文件、政
策及证券监管机构的要求。
若本人未履行上述承诺，给发行人或者其他投资者造成损失的，将根据相
关法律法规及中国证监会、上海证券交易所的要求依法承担相应赔偿责任。
本人直接及间接持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股
票在上海证券交易所上市之日起 12 个月内不转让或者委托他人管理，也不由发
行人回购该部分股份。对于本人基于发行人本次公开发行股票前所持有的股份
而享有的送红股、转增股本等股份，亦遵守上述锁定期的约定。
本人在锁定期满后减持将严格遵守中国证监会、证券交易所关于上市公司
股东减持股份的其他限制性规定。减持方式应符合相关法律法规及监管政策规
定，包括但不限于通过证券交易所集中竞价交易系统、大宗交易系统进行，或
通过协议转让或其他证券交易所认可的合法方式进行。
在本人作为核心技术人员期间，所持发行人首次公开发行前股份锁定期满
之日起 4 年内，每年转让的首次公开发行前股份不超过上市时本人所持有的发
行人首次公开发行前股份总数的 25%，减持比例可以累积使用。如本人出于任
何原因离职，则在离职后 6 个月内，亦不转让本人所持有的发行人的股份。
在本人作为核心技术人员期间，本人将严格遵守法律、法规、规范性文件
关于发行人核心技术人员的持股及股份变动的有关规定，规范诚信履行核心技
术人员的义务，如实并及时申报本人持有的发行人股份及其变动情况。本人不
会因职务变更、离职等原因而拒绝履行上述承诺。本人同意承担并赔偿因违反
上述承诺而给发行人造成的一切损失。
在本人持股期间，若相关法律、法规、规范性文件、政策及证券监管机构
的要求发生变化，则本人愿意自动适用变更后的法律、法规、规范性文件、政
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策及证券监管机构的要求。
若本人未履行上述承诺，给发行人或者其他投资者造成损失的，将根据相
关法律法规及中国证监会、上海证券交易所的要求依法承担相应赔偿责任。
本企业持有的发行人首次公开发行前已发行的股份，自发行人股票在上海
证券交易所上市之日起 12 个月内不转让或者委托他人管理，也不由发行人回购
该部分股份。对于本企业基于发行人本次公开发行股票前所持有的股份而享有
的送红股、转增股本等股份，亦遵守上述锁定期的约定。
本企业在锁定期满后减持将严格遵守中国证监会、证券交易所关于上市公
司股东减持股份的其他限制性规定。减持方式应符合相关法律法规及监管政策
规定，包括但不限于通过证券交易所集中竞价交易系统、大宗交易系统进行，
或通过协议转让或其他证券交易所认可的合法方式进行。
在本企业持股期间，若相关法律、法规、规范性文件、政策及证券监管机
构的要求发生变化，则本企业愿意自动适用变更后的法律、法规、规范性文件、
政策及证券监管机构的要求。
若本企业未履行上述承诺，给发行人或者其他投资者造成损失的，将根据
相关法律法规及中国证监会、上海证券交易所的要求依法承担相应赔偿责任。
（二）关于稳定股价的措施和承诺
根据《公司法》《证券法》、中国证监会《关于进一步推进新股发行体制
改革的意见》等相关法律规范及规范性文件的要求，为加强对本公司、本公司
控股股东和实际控制人、董事、高级管理人员等相关责任主体的市场约束，保
护中小股东权益，公司特制定了《苏州锴威特半导体股份有限公司上市后三年
内稳定股价的预案》（以下简称“《稳定股价预案》”或“本预案”），并经
公司第一届董事会第十五次会议、2022 年第一次临时股东大会审议通过。具体
内容如下：
自发行人首次公开发行股票并上市之日起三年内，如发行人股票非因不可
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抗力因素所致连续 20 个交易日收盘价均低于其最近一期经审计的每股净资产
（每股净资产=合并财务报表中归属于母公司普通股股东权益合计数/期末公司
股份总数；如最近一期审计基准日后，因利润分配、资本公积金转增股本、增
发、配股等情况导致公司每股净资产出现变化的，则每股净资产相应进行调
整），且发行人情况同时满足监管机构对于回购、增持等股本变动行为的规定，
发行人、控股股东、实际控制人、董事（独立董事除外，以下同）和高级管理
人员将根据董事会和股东大会审议通过的股价稳定预案稳定公司股价：
（1）发行人回购发行人股票；
（2）发行人控股股东增持发行人股票；
（3）发行人董事和高级管理人员增持发行人股票；
（4）其他证券监管部门认可的且经发行人董事会、股东大会审议通过的方
式。
在稳定股价具体方案的实施期间内，如公司股票连续 20 个交易日收盘价均
高于每股净资产，或者继续增持或者回购公司股份将导致公司的股权分布不满
足法定上市条件，将停止实施股价稳定措施。
发行人、控股股东、实际控制人、董事和高级管理人员为承担稳定公司股
价的义务的主体。在不影响公司上市条件的前提下，可采取如下具体措施及方
案：
（1）公司稳定股价的具体措施
性文件、公司章程及公司内部治理制度的规定，制定股份回购方案，向社会公
众股东回购公司部分股票，并保证股价稳定措施实施后，公司的股权分布仍符
合上市条件。
购股份的议案，并在董事会做出决议后的 2 个交易日内公告董事会决议、有关
议案及召开股东大会的通知。回购股份的议案应包括回购股份的价格或价格区
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间、定价原则，拟回购股份的种类、数量及占总股本的比例，回购股份的期限
以及届时有效的法律、法规、规范性文件规定应包含的其他信息。公司将在董
事会作出实施回购股份决议之日起 30 个交易日内召开股东大会，审议回购股份
的议案，公司股东大会对回购股份的议案做出决议，须经出席股东大会的股东
所持表决权三分之二以上通过。用于回购的资金总额将根据公司当时股价情况
及公司资金状况等情况，由股东大会最终审议确定。
券监督管理部门、证券交易所等主管部门报送相关材料，办理审批或备案等手
续。
度末经审计的每股净资产值，回购股份的方式为集中竞价交易方式、要约方式
或证券监督管理部门认可的其他方式。但如果股份回购方案实施前公司股价已
经不满足启动稳定公司股价措施条件的，可不再继续实施该方案。
（不包括公司实施稳定股价措施期间及实施完毕当次稳定股价措施并公告日后
开始计算的连续 20 个交易日股票收盘价仍低于上一个会计年度末经审计的每股
净资产的情形），公司将继续按照上述稳定股价预案执行，但应遵循以下原则：
（A）单次用于回购股份的资金金额不高于上一个会计年度经审计的归属
于母公司股东净利润的 20%；
（B）单一会计年度用以稳定股价的回购资金合计不超过上一会计年度经
审计的归属于母公司股东净利润的 40%；
（C）若超过上述（1）、（2）项标准的，有关稳定股价措施在当年度不
再继续实施。但如下一年度继续出现需启动稳定股价措施的情形时，公司将继
续按照上述原则执行稳定股价预案。
终止之日起 10 个交易日内注销，并及时办理公司减资程序。
持公司股票的方式稳定公司股价，并明确增持的金额和期间；若公司新聘任董
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事、高级管理人员的，公司将要求该等新聘任的董事、高级管理人员履行公司
上市时董事、高级管理人员已作出的相应承诺。
（2）控股股东、实际控制人稳定股价的具体措施
的条件和要求且不应导致发行人股权分布不符合上市条件的前提下，通过交易
所集中竞价交易方式或者中国证监会、证券交易所认可的其他方式增持发行人
股票或其他方式稳定发行人股价。
计划的增持价格上限、完成时效等）以书面方式通知发行人并由发行人进行公
告，并承诺就发行人稳定股价方案及其所拥有的全部表决票数在股东大会上投
赞成票。增持发行人股票后，自增持股票行为完成之日起六个月内不转让所持
有的发行人股票，包括增持前持有的发行人股票。
每股净资产，或继续增持发行人的股份将导致公司股权分布不符合上市条件时，
控股股东、实际控制人可以终止实施股票增持事宜。
（3）公司董事、高级管理人员稳定股价的具体措施
行政法规和规范性文件的条件和要求且不应导致发行人股权分布不符合上市条
件的前提下，通过交易所集中竞价交易方式或者中国证监会、证券交易所认可
的其他方式增持公司股票。
将其拟增持股票的具体计划（内容包括但不限于增持股数区间、计划的增持价
格上限、完成时效等）以书面方式通知公司并由公司进行公告，公司董事并承
诺就发行人稳定股价方案在董事会上投赞成票。公司董事、高级管理人员增持
公司股票后，自增持股票行为完成之日起六个月内不转让所持有的公司股票，
包括增持前持有的公司股票（如有）。
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净资产，或继续增持发行人的股份将导致公司股权分布不符合上市条件时，公
司董事、高级管理人员可以终止实施股票增持事宜。
高级管理人员的，将在聘任前要求其签署承诺书，保证其履行公司本次发行上
市时董事、高级管理人员已做出的相应承诺。
任何对本预案的修订均应经公司股东大会审议通过。
（1）发行人、控股股东、实际控制人、董事及高级管理人员在履行上述回
购或增持义务时，应按照公司章程、上市公司回购股份、上市公司控股股东及
实际控制人增持股份、上市公司董事及高级管理人员增持股份等相关监管规则
履行相应的信息披露义务。
（2）本预案适用于公司未来选举或聘任的董事、高级管理人员。公司选举
或聘任董事、高级管理人员时，应要求其就此做出书面承诺，并要求其按照公
司首次公开发行上市时董事、高级管理人员的承诺提出未履行承诺的约束措施。
发行人、控股股东、实际控制人、董事、高级管理人员承诺就上述稳定股
价措施接受以下约束：
（1）公司将在发行人股东大会及监管机构指定报刊上公开说明未采取上述
稳定股价措施的具体原因并向发行人股东和社会公众投资者道歉。因未采取稳
定股价的具体措施给投资者造成损失的，将依法对投资者进行赔偿。
（2）控股股东、实际控制人将在发行人股东大会及监管机构指定报刊上公
开说明未采取上述稳定股价措施的具体原因并向发行人股东和社会公众投资者
道歉。同时，控股股东、实际控制人将暂停在发行人处获得股份分红，直至控
股股东采取相应的股价稳定措施并实施完毕为止。如果因控股股东、实际控制
人未采取稳定股价的具体措施给发行人和/或投资者造成损失的，控股股东、实
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际控制人将依法向发行人和/或投资者进行赔偿。
（3）董事、高级管理人员将在发行人股东大会及监管机构指定报刊上公开
说明未采取上述稳定股价措施的具体原因并向发行人股东和社会公众投资者道
歉。同时，董事、高级管理人员将暂停在发行人处获得当年应得薪酬，直至该
等人员采取相应的股价稳定措施并实施完毕为止。如果因董事、高级管理人员
未采取稳定股价的具体措施给发行人和/或投资者造成损失的，该等人员将依法
对发行人和/或投资者进行赔偿。
（三）关于依法承担赔偿或赔偿责任的承诺
本公司向中国证监会、上海证券交易所提交的首次公开发行股票招股说明
书及其他信息披露资料不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，本公司对
其真实性、准确性、完整性、及时性承担个别和连带的法律责任。
若证券监督管理部门或其他有权部门认定本公司首次公开发行股票招股说
明书及其他信息披露资料所载之内容存在对判断本公司是否符合法律规定的发
行条件构成重大、实质影响的虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使投资
者在证券交易中遭受损失的，本公司将依法赔偿投资者损失，方式如下：
（1）在证券监督管理部门或其他有权部门认定本公司招股说明书及其他信
息披露资料存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，本公司将在收到该等书
面文书后 10 个交易日内或在该等文书规定的期限内，启动赔偿投资者损失的相
关工作。投资者损失根据与投资者协商确定的金额，或者依据证券监督管理部
门、司法机关认定的方式或金额确定。
（2）在证券监督管理部门或其他有权部门认定本公司招股说明书及其他信
息披露资料存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏且需要回购股份的，本公
司将在责令回购决定书要求的期限内制定股票回购方案，在制定股票回购方案
后二个交易日内公告，向中国证监会和证券交易所报送股票回购方案，并向遭
受损失的投资者发出要约。回购价格为参照《最高人民法院关于审理证券市场
虚假陈述侵权民事赔偿案件的若干规定》确定的基准价格。投资者买入股票价
格高于基准价格的，以买入股票价格作为回购价格。
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本公司保证将严格履行招股说明书披露的承诺事项，同时提出未能履行承
诺时的约束措施如下：
（1）如果本公司未履行招股说明书及其他信息披露资料披露的承诺事项，
本公司将在股东大会及中国证监会指定报刊上公开说明未履行承诺的具体原因
并向股东和社会公众投资者道歉。
（2）本公司若未能履行上述承诺，则将按有关法律、法规的规定及监管部
门的要求承担相应的责任。
（3）如果因本公司未履行相关承诺事项，致使投资者在证券交易中遭受损
失的，本公司将依法向投资者赔偿相关损失。
发行人向中国证监会、上海证券交易所提交的首次公开发行招股说明书及
其他信息披露资料不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，本人对其真实
性、准确性、完整性、及时性承担个别和连带的法律责任。
若证券监督管理部门或其他有权部门认定发行人首次公开发行股票招股说
明书及其他信息披露资料所载之内容存在对判断发行人是否符合法律规定的发
行条件构成重大、实质影响的虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使投资
者在证券交易中遭受损失的，本人或本人将督促发行人依法赔偿投资者损失，
方式如下：
（1）在证券监督管理部门或其他有权部门认定发行人招股说明书及其他信
息披露资料存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，本人或本人将督促发行
人在收到该等书面文书后 10 个交易日内或在该等文书规定的期限内，启动赔偿
投资者损失的相关工作。投资者损失根据与投资者协商确定的金额，或者依据
证券监督管理部门、司法机关认定的方式或金额确定。
（2）在证券监督管理部门或其他有权部门认定发行人招股说明书及其他信
息披露资料存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏且需要回购股份的，本人
或本人将督促发行人在责令回购决定书要求的期限内制定股票回购方案，在制
定股票回购方案后二个交易日内公告，向中国证监会和证券交易所报送股票回
购方案，并向遭受损失的投资者发出要约。回购价格为参照《最高人民法院关
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于审理证券市场虚假陈述侵权民事赔偿案件的若干规定》确定的基准价格。投
资者买入股票价格高于基准价格的，以买入股票价格作为回购价格。
本人保证将严格履行招股说明书及其他信息披露资料披露的本人承诺事项，
同时提出未能履行承诺时的约束措施如下：
（1）如果本人未履行招股说明书及其他信息披露资料披露的本人承诺事项，
本人将在发行人股东大会及中国证券监督管理委员会指定报刊上公开说明未履
行承诺的具体原因并向发行人的股东和社会公众投资者道歉。
（2）如果本人未履行招股说明书及其他信息披露资料披露的本人承诺事项
给发行人或者其他投资者造成损失的，本人将向发行人或者其他投资者依法承
担赔偿责任。
（3）如果本人未承担赔偿责任，则本人持有的发行人首次公开发行股票前
的股份在本人履行完毕前述赔偿责任之前不得转让，同时发行人有权扣减本人
所获分配的现金红利用于承担前述赔偿责任。
发行人向中国证监会、上海证券交易所提交的首次公开发行招股说明书及
其他信息披露资料不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，本人对其真实
性、准确性、完整性、及时性承担个别和连带的法律责任。
若证券监督管理部门或其他有权部门认定发行人首次公开发行股票招股说
明书及其他信息披露资料所载之内容存在对判断发行人是否符合法律规定的发
行条件构成重大、实质影响的虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使投资
者在证券交易中遭受损失的，本人或本人将督促发行人依法赔偿投资者损失，
方式如下：
（1）在证券监督管理部门或其他有权部门认定发行人招股说明书及其他信
息披露资料存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，本人或本人将督促发行
人在收到该等书面文书后 10 个交易日内或在该等文书规定的期限内，启动赔偿
投资者损失的相关工作。投资者损失根据与投资者协商确定的金额，或者依据
证券监督管理部门、司法机关认定的方式或金额确定。
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（2）在证券监督管理部门或其他有权部门认定发行人招股说明书及其他信
息披露资料存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏且需要回购股份的，本人
将督促发行人在责令回购决定书要求的期限内制定股票回购方案，在制定股票
回购方案后二个交易日内公告，向中国证监会和证券交易所报送股票回购方案，
并向遭受损失的投资者发出要约。回购价格为参照《最高人民法院关于审理证
券市场虚假陈述侵权民事赔偿案件的若干规定》确定的基准价格。投资者买入
股票价格高于基准价格的，以买入股票价格作为回购价格。
本人保证将严格履行招股说明书及其他信息披露资料披露的承诺事项，同
时提出未能履行承诺时的约束措施如下：
（1）如果本人未履行招股说明书及其他信息披露资料披露的本人承诺事项，
本人将在发行人股东大会及中国证券监督管理委员会指定报刊上公开说明未履
行承诺的具体原因并向发行人的股东和社会公众投资者道歉。
（2）如果本人未履行招股说明书及其他信息披露资料披露的本人承诺事项
给发行人或者其他投资者造成损失的，本人将向发行人或者其他投资者依法承
担赔偿责任。
（3）如果本人未承担赔偿责任，本人将在前述事项发生之日起 10 个交易
日内，停止领取薪酬，同时本人持有的公司股份（若有）不得转让，直至本人
履行完成相关承诺事项。
发行人向中国证监会、上海证券交易所提交的首次公开发行招股说明书及
其他信息披露资料不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，本企业/本人对
其真实性、准确性、完整性、及时性承担个别和连带的法律责任。
若证券监督管理部门或其他有权部门认定发行人首次公开发行股票招股说
明书及其他信息披露资料所载之内容存在对判断发行人是否符合法律规定的发
行条件构成重大、实质影响的虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使投资
者在证券交易中遭受损失的，本企业/本人或本企业/本人将督促发行人依法赔偿
投资者损失，方式如下：
（1）在证券监督管理部门或其他有权部门认定发行人招股说明书及其他信
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息披露资料存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，本企业/本人或本企业/本
人将督促发行人在收到该等书面文书后 10 个交易日内或在该等文书规定的期限
内，启动赔偿投资者损失的相关工作。投资者损失根据与投资者协商确定的金
额，或者依据证券监督管理部门、司法机关认定的方式或金额确定。
（2）在证券监督管理部门或其他有权部门认定发行人招股说明书及其他信
息披露资料存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏且需要回购股份的，本企
业/本人或本企业/本人将督促发行人在责令回购决定书要求的期限内制定股票回
购方案，在制定股票回购方案后二个交易日内公告，向中国证监会和证券交易
所报送股票回购方案，并向遭受损失的投资者发出要约。回购价格为参照《最
高人民法院关于审理证券市场虚假陈述侵权民事赔偿案件的若干规定》确定的
基准价格。投资者买入股票价格高于基准价格的，以买入股票价格作为回购价
格。
本企业/本人保证将严格履行招股说明书及其他信息披露资料披露的本企业/
本人承诺事项，同时提出未能履行承诺时的约束措施如下：
（1）如果本企业/本人未履行招股说明书及其他信息披露资料披露的本企
业/本人承诺事项，本企业/本人将在发行人股东大会及中国证券监督管理委员会
指定报刊上公开说明未履行承诺的具体原因并向发行人的股东和社会公众投资
者道歉。
（2）如果本企业/本人未履行招股说明书及其他信息披露资料披露的本企
业/本人承诺事项给发行人或者其他投资者造成损失的，本企业/本人将向发行人
或者其他投资者依法承担赔偿责任。
（3）如果本企业/本人未承担赔偿责任，则本企业/本人持有的发行人首次
公开发行股票前的股份在本企业/本人履行完毕前述赔偿责任之前不得转让，同
时发行人有权扣减本企业/本人所获分配的现金红利用于承担前述赔偿责任。
若华泰联合证券为发行人本次公开发行制作、出具的文件有虚假记载、误
导性陈述或者重大遗漏，给投资者造成损失的，将依法赔偿投资者损失。
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因本所为发行人首次公开发行股票并在科创板上市制作、出具的文件有虚
假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给投资者造成损失的，将依法赔偿投资者
损失。
因本所为苏州锴威特半导体股份有限公司首次公开发行制作、出具的文件
有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给投资者造成损失的，将依法赔偿投
资者损失。
因中企华为发行人首次公开发行制作、出具的文件有虚假记载、误导性陈
述或者重大遗漏，给投资者造成损失的，将依法赔偿投资者损失。
（四）关于欺诈发行上市的股份购回承诺
本公司承诺在本次公开发行股票并上市中不存在任何欺诈发行的情形。
若本公司被中国证监会认定构成欺诈发行并被作出责令回购决定的，本公
司将在收到责令回购决定书后二个交易日内披露有关信息。
本公司将在责令回购决定书要求的期限内，根据相关规定及责令回购决定
书的要求制定股票回购方案，并在制定股票回购方案后二个交易日内公告及向
中国证监会和证券交易所报送。
本公司将按照方案向自本次发行至欺诈发行揭露日或者更正日期间买入欺
诈发行的股票，且在回购时仍然持有股票的投资者发出回购要约，回购价格为
参照《最高人民法院关于审理证券市场虚假陈述侵权民事赔偿案件的若干规定》
确定的基准价格。投资者买入股票价格高于基准价格的，以买入股票价格作为
回购价格。
本人承诺发行人在本次公开发行股票并上市中不存在任何欺诈发行的情形。
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若发行人被中国证监会认定构成欺诈发行，且发行人和/或本人被作出责令
回购决定的，本人或本人将督促发行人在收到责令回购决定书后二个交易日内
披露有关信息。
本人或本人将督促发行人在责令回购决定书要求的期限内，根据相关规定
及责令回购决定书的要求制定股票回购方案，并在制定股票回购方案后二个交
易日内通过发行人进行公告及向中国证监会和证券交易所报送。
本人或本人将督促发行人按照方案向自本次发行至欺诈发行揭露日或者更
正日期间买入欺诈发行的股票，且在回购时仍然持有股票的投资者发出回购要
约，回购价格为参照《最高人民法院关于审理证券市场虚假陈述侵权民事赔偿
案件的若干规定》确定的基准价格。投资者买入股票价格高于基准价格的，以
买入股票价格作为回购价格。
（五）关于利润分配政策的承诺
（1）利润分配的原则：公司实施连续、稳定的利润分配政策，公司利润分
配应重视对投资者的合理投资回报，并兼顾公司的可持续发展。在满足公司正
常生产经营的资金需求情况下，如无重大投资计划或重大现金支出等事项发生，
公司将积极采取现金方式分配利润。
（2）利润分配的方式：公司可以采用现金、股票、现金与股票相结合或者
法律法规允许的其他方式分配利润。其中，在利润分配方式的分配顺序上现金
分红优先于股票分配。具备现金分红条件的，公司应当优先采用现金分红进行
利润分配，且每年以现金方式分配的利润应不低于当年实现的可分配利润的
分配利润的 30%。
其中，公司实施现金分红时须同时满足下列条件：
税后利润）为正值、且现金流充裕，可以满足公司正常经营和持续发展且无重
大投资计划或重大现金支出等事项发生，实施现金分红不会影响公司后续持续
经营；
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（3）公司应保持利润分配政策的连续性与稳定性，并综合考虑所处行业特
点、发展阶段、自身经营模式、盈利水平以及是否有重大资金支出安排等因素，
制定以下差异化的现金分红政策：
现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到 80%；
现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到 40%；
现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到 20%。
重大投资计划或重大现金支出是指：
①公司未来十二个月内拟对外投资、收购资产、股权或购买设备、土地房
产等累计支出达到或超过公司最近一期经审计净资产的 30%；
②公司未来十二个月内拟对外投资、收购资产、股权或者购买设备、土地
房产等累计支出达到或超过公司最近一期经审计总资产的 20%；
③公司未来十二个月内拟对外投资、收购资产、股权或者购买设备、土地
房产等累计支出达到或超过公司当年实现的可供分配利润的 40%。
公司董事会未作出年度现金利润分配预案或年度现金利润分配比例少于当
年实现的可供分配利润的 30%的，应说明下列情况：
①结合所处行业特点、发展阶段和自身经营模式、盈利水平、资金需求等
因素，对于未进行现金分红或现金分红水平较低原因的说明；
②留存未分配利润的确切用途及其相关预计收益情况；
③独立董事对未进行现金分红或现金分红水平较低的合理性发表的独立意
见。
公司发展阶段不易区分但有重大资金支出安排的，可以按照前项规定处理。
（4）在符合现金分红条件情况下，公司原则上每年进行一次现金分红，公
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司董事会可以根据公司的盈利状况及资金需求状况提议公司进行中期现金分红。
（5）公司可以根据年度的盈利情况及现金流状况，在保证最低现金分红比
例和公司股本规模及股权结构合理的前提下，注重股本扩张与业绩增长保持同
步，在确保足额现金股利分配的前提下，公司可以另行采取股票股利分配的方
式进行利润分配。
（6）公司利润分配不得超过累计可分配利润的范围，不得损害公司持续经
营能力。
（7）公司每年利润分配预案由公司管理层、董事会结合公司章程的规定、
盈利情况、资金需求和股东回报规划提出、拟定，经董事会审议通过后提交股
东大会批准。董事会、独立董事和符合一定条件的股东可以向公司股东征集其
在股东大会上的投票权。独立董事应对利润分配预案独立发表意见并公开披露。
（8）董事会审议现金分红具体方案时，应当认真研究和论证公司现金分红
的时机、条件和最低比例、调整的条件及其决策程序要求等事宜，独立董事应
当发表明确意见。
（9）股东大会对现金分红具体方案进行审议时，应当通过多种渠道主动与
股东特别是中小股东进行沟通和交流（包括但不限于提供网络投票表决、邀请
中小股东参会等），充分听取中小股东的意见和诉求，并及时答复中小股东关
心的问题。分红预案应由出席股东大会的股东或股东代理人以所持二分之一以
上的表决权通过。
（10）公司年度盈利，管理层、董事会未提出、拟定现金分红预案的，管
理层需就此向董事会提交详细的情况说明，包括未分红的原因、未用于分红的
资金留存公司的用途和使用计划，并由独立董事对利润分配预案发表独立意见
并公开披露；董事会审议通过后提交股东大会通过现场或网络投票的方式审议
批准，并由董事会向股东大会做出情况说明。
（11）监事会应对董事会和管理层执行公司利润分配政策和股东回报规划
的情况及决策程序进行监督，并应对年度内盈利但未提出利润分配的预案，就
相关政策、规划执行情况发表专项说明和意见。
（12）公司应严格按照有关规定在定期报告中披露利润分配预案和现金分
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红政策执行情况，说明是否符合公司章程的规定或者股东大会决议的要求，分
红标准和比例是否明确和清晰，相关的决策程序和机制是否完备，独立董事是
否尽职履责并发挥了应有的作用，中小股东是否有充分表达意见和诉求的机会，
中小股东的合法权益是否得到充分维护等。对现金分红政策进行调整或变更的，
还要详细说明调整或变更的条件和程序是否合规和透明等。若公司年度盈利但
未提出现金分红预案，应在年报中详细说明未分红的原因、未用于分红的资金
留存公司的用途和使用计划。
（13）公司应当严格执行公司章程确定的现金分红政策以及股东大会审议
批准的现金分红具体方案。公司根据生产经营情况、投资规划和长期发展的需
要或因外部经营环境发生重大变化，确需调整利润分配政策和股东回报规划的，
调整后的利润分配政策不得违反相关法律法规、规范性文件、公司章程的有关
规定；有关调整利润分配政策的议案，由独立董事、监事会发表意见，经公司
董事会审议后提交公司股东大会批准，并经出席股东大会的股东所持表决权的
决。董事会、独立董事和符合一定条件的股东可以向公司股东征集其在股东大
会上的投票权。
公司外部经营环境或者自身经营状况发生较大变化是指以下情形之一：
不利影响而导致公司经营亏损；
影响而导致公司经营亏损；
度经营活动产生的现金流量净额与净利润之比均低于 30%；
（14）存在股东违规占用公司资金情况的，公司应当扣减该股东所分配的
现金红利，以偿还其占用的资金。
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本人将采取一切必要的合理措施，促使发行人按照股东大会审议通过的股
东分红回报规划及发行人上市后生效的《公司章程（草案）》的相关规定，严
格执行相应的利润分配政策和分红回报规划。
本人将采取的措施包括但不限于：
（1）根据《公司章程（草案）》中规定的利润分配政策及分红回报规划，
督促相关方提出利润分配预案；
（2）在审议发行人利润分配预案的股东大会上，本人将对符合利润分配政
策和股东分红回报规划要求的利润分配预案投赞成票；
（3）督促发行人根据相关决议实施利润分配。
本人将采取一切必要的合理措施，促使发行人按照股东大会审议通过的股
东分红回报规划及发行人上市后生效的《公司章程（草案）》的相关规定，严
格执行相应的利润分配政策和分红回报规划。
本人将采取的措施包括但不限于：
（1）根据《公司章程（草案）》中规定的利润分配政策及股东分红回报规
划，提出利润分配预案；
（2）在审议发行人利润分配预案的董事会上，对符合利润分配政策和股东
分红回报规划要求的利润分配预案投赞成票；
（3）督促发行人根据相关决议实施利润分配。
本企业/本人将采取一切必要的合理措施，促使发行人按照股东大会审议通
过的股东分红回报规划及发行人上市后生效的《公司章程（草案）》的相关规
定，严格执行相应的利润分配政策和分红回报规划。
本企业/本人将采取的措施包括但不限于：
（1）根据《公司章程（草案）》中规定的利润分配政策及分红回报规划，
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督促相关方提出利润分配预案；
（2）在审议发行人利润分配预案的股东大会上，本企业/本人将对符合利
润分配政策和股东分红回报规划要求的利润分配预案投赞成票；
（3）督促发行人根据相关决议实施利润分配。
（六）关于填补被摊薄即期回报的措施及承诺
公司将通过严格执行募集资金管理制度，提高募集资金使用效率，加快募
集资金投资项目的建设速度，提高公司综合竞争力，努力扩大业务规模，完善
公司治理，加大人才引进等措施，提升资产质量、提高盈利水平，实现可持续
发展，以填补可能被摊薄的即期收益回报。具体措施如下：
（1）加强募集资金管理，保证募集资金合理规范使用
为保障公司规范、有效使用募集资金，公司已按相关法律法规的要求制定
了《募集资金管理制度》，本次发行募集资金到位后，公司董事会将与保荐机
构、募集资金专户开户行签署三方监管协议，充分听取独立董事的意见，持续
监督公司对募集资金进行专项存储、保障募集资金按计划使用。
（2）积极稳妥的实施募集资金投资项目
本次募集资金到位前，为尽快实现募集资金投资项目效益，公司将积极调
配资源，力争提前完成募集资金投资项目的前期准备工作。本次发行募集资金
到位后，公司将积极稳妥的实施募集资金投资项目，争取募投项目早日达产并
实现预期效益。公司将结合本次发行的募集资金投资项目建设，升级和优化产
品，加强技术研发能力，进一步提高公司综合竞争力，提升公司市场地位，提
升公司中长期的盈利能力及对投资者的回报能力。
（3）进一步提升公司经营管理水平和内部控制
公司已根据法律法规和规范性文件的规定建立健全了股东大会、董事会及
各专门委员会、监事会、独立董事、董事会秘书和高级管理层的管理制度，夯
实了公司经营管理和内部控制的基础。未来公司将进一步提高经营管理水平，
提升公司的整体盈利能力。另外，公司将努力提高资金的使用效率，完善并强
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化投资决策程序，设计更为合理的资金使用方案，合理运用各种融资工具和渠
道，控制公司资金成本，节省财务费用支出。同时，公司也将继续加强企业内
部控制，加强成本管理并强化预算执行监督，全面有效地控制公司经营和管理
风险。
（4）优化投资者回报机制，实施积极的利润分配政策
根据《公司法》《上市公司证券发行注册管理办法》《上市公司监管指引
第 3 号——上市公司现金分红》《中国证券监督管理委员会关于进一步落实上
市公司现金分红有关事项的通知》等法律法规的规定，公司制订了上市后使用
的《公司章程（草案）》，就利润分配政策事宜进行详细规定，明确了公司上
市后未来三年分红回报规划的制定原则和具体规划内容，充分维护公司股东依
法享有的资产收益。公司将严格执行分红政策，在符合利润分配条件的情况下，
重视和积极推动对股东的利润分配，特别是现金分红，尊重并维护股东利益。
不越权干预公司经营管理活动，不侵占公司利益。
不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用其他方式
损害公司利益，不动用公司资产从事与其履行职责无关的投资、消费活动。
切实履行公司制定的有关填补被摊薄即期回报的相关措施以及对此作出的
任何有关填补回报措施的承诺，若违反该等承诺并给公司或者投资者造成损失
的，愿意依法承担对公司或者投资者的补偿责任。
自本承诺出具日至公司本次发行实施完毕前，若监管机构作出关于填补回
报措施及其承诺的相关规定有其他要求的，且上述承诺不能满足监管机构该等
规定时，届时将按照监管机构的最新规定出具补充承诺。
作为填补回报措施相关责任主体之一，本人若违反上述承诺或拒不履行上
述承诺，则将在公司股东大会及中国证监会指定报刊上公开就未履行上述承诺
向公司股东和社会公众投资者道歉，并在违反上述承诺发生之日起 5 个工作日
内，停止在公司处领取薪酬（或津贴）及股东分红（如有），同时本人持有的
公司股份（如有）将不得转让，直至本人履行上述承诺时为止。
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不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用其他方式
损害公司利益。
对职务消费行为进行约束。
不动用公司资产从事与其履行职责无关的投资、消费活动。
由董事会或薪酬考核委员会制订的薪酬制度与公司填补回报措施的执行情
况相挂钩。
若公司后续推出股权激励计划，承诺拟公布的股权激励计划的行权条件将
与公司填补回报措施的执行情况相挂钩。
切实履行公司制定的有关填补被摊薄即期回报的相关措施以及对此作出的
任何有关填补回报措施的承诺，若违反该等承诺并给公司或者投资者造成损失
的，愿意依法承担对公司或者投资者的补偿责任。
自本承诺出具日至公司本次发行实施完毕前，若监管机构作出关于填补回
报措施及其承诺的相关规定有其他要求的，且上述承诺不能满足监管机构该等
规定时，届时将按照监管机构的最新规定出具补充承诺。
作为填补回报措施相关责任主体之一，本人若违反上述承诺或拒不履行上
述承诺，则将在公司股东大会及中国证监会指定报刊上公开就未履行上述承诺
向公司股东和社会公众投资者道歉，并在违反上述承诺发生之日起 5 个工作日
内，停止在公司处领取薪酬（或津贴）及股东分红（如有），同时本人持有的
公司股份（如有）将不得转让，直至本人履行上述承诺时为止。
不越权干预公司经营管理活动，不侵占公司利益。
不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用其他方式
损害公司利益，不动用公司资产从事与其履行职责无关的投资、消费活动。
切实履行公司制定的有关填补被摊薄即期回报的相关措施以及对此作出的
任何有关填补回报措施的承诺，若违反该等承诺并给公司或者投资者造成损失
的，愿意依法承担对公司或者投资者的补偿责任。
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自本承诺出具日至公司本次发行实施完毕前，若监管机构作出关于填补回
报措施及其承诺的相关规定有其他要求的，且上述承诺不能满足监管机构该等
规定时，届时将按照监管机构的最新规定出具补充承诺。
作为填补回报措施相关责任主体之一，本企业/本人若违反上述承诺或拒不
履行上述承诺，则将在公司股东大会及中国证监会指定报刊上公开就未履行上
述承诺向公司股东和社会公众投资者道歉，并在违反上述承诺发生之日起 5 个
工作日内，停止在公司处领取股东分红（如有），同时本企业/本人持有的公司
股份（如有）将不得转让，直至本企业/本人履行上述承诺时为止。
（七）关于避免同业竞争的承诺
截至本承诺函签署日，本人及本人控制的公司均未开发、生产、销售任何
与发行人生产的产品构成竞争或可能竞争的产品，未直接或间接经营任何与发
行人经营的业务构成竞争或可能构成竞争的业务。
自本承诺函签署日起，本人及本人控制的公司将不开发、生产、销售任何
与发行人生产的产品构成竞争或可能构成竞争的产品，不直接或间接经营任何
与发行人经营的业务构成竞争或可能构成竞争的业务。
自本承诺函签署日起，如发行人进一步拓展产品和业务范围，本人及本人
控制的公司将不与发行人拓展后的产品或业务相竞争；若与发行人拓展后的产
品或业务产生竞争，则本人及本人控制的公司将以停止生产或经营相竞争的业
务或产品的方式，或者将相竞争的业务纳入到发行人经营的方式，或者将相竞
争的业务转让给无关联关系的第三方的方式避免同业竞争。
本人将保证合法、合理地运用股东权利及控制关系，不采取任何限制或影
响发行人正常经营或损害发行人其他股东利益的行为。
本人愿意承担由于违反上述承诺给发行人造成的直接、间接的经济损失、
索赔责任及额外的费用支出。
在本人及本人控制的公司与发行人存在关联关系期间，本承诺函为有效之
承诺。
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罗寅、陈锴、彭玫所作承诺
截至本承诺函签署日，本企业/本人及本企业/本人控制的公司均未开发、生
产、销售任何与发行人生产的产品构成竞争或可能竞争的产品，未直接或间接
经营任何与发行人经营的业务构成竞争或可能构成竞争的业务。
自本承诺函签署日起，本企业/本人及本企业/本人控制的公司将不开发、生
产、销售任何与发行人生产的产品构成竞争或可能构成竞争的产品，不直接或
间接经营任何与发行人经营的业务构成竞争或可能构成竞争的业务。
自本承诺函签署日起，如发行人进一步拓展产品和业务范围，本企业/本人
及本企业/本人控制的公司将不与发行人拓展后的产品或业务相竞争；若与发行
人拓展后的产品或业务产生竞争，则本企业/本人及本企业/本人控制的公司将以
停止生产或经营相竞争的业务或产品的方式，或者将相竞争的业务纳入到发行
人经营的方式，或者将相竞争的业务转让给无关联关系的第三方的方式避免同
业竞争。
本企业/本人将保证合法、合理地运用股东权利及控制关系，不采取任何限
制或影响发行人正常经营或损害发行人其他股东利益的行为。
本企业/本人愿意承担由于违反上述承诺给发行人造成的直接、间接的经济
损失、索赔责任及额外的费用支出。
在本企业/本人及本企业/本人控制的公司与发行人存在关联关系期间，本承
诺函为有效之承诺。
（八）关于相关责任主体关于未履行承诺时的约束措施的承诺
本公司将严格履行在首次公开发行股票并在科创板上市过程中所作出的公
开承诺事项中的各项义务和责任。
如果本公司未履行招股说明书及其他信息披露资料披露的承诺事项（相关
法律法规、政策变化、自然灾害及其他不可抗力等本公司无法控制的客观原因
导致的除外），本公司将在股东大会及中国证监会指定报刊上公开说明未履行
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承诺的具体原因并向股东和社会公众投资者道歉。
若因本公司自身原因导致未能履行已作出承诺，则本公司将按有关法律、
法规的规定及监管部门的要求承担相应的责任，且本公司将立即停止制定或实
施重大资产购买、出售等行为，以及增发股份、发行公司债券以及重大资产重
组等资本运作行为，直至本公司履行相关承诺或提出替代性措施；若因本公司
未履行相关承诺事项，致使投资者在证券交易中遭受损失的，本公司将依法向
投资者承担赔偿责任。本公司因违反承诺有违法所得的，按相关法律法规处理。
对未履行其已作出承诺、或因该等人士的自身原因导致本公司未履行已做
出承诺的本公司股东、董事、监事、高级管理人员、核心技术人员，本公司将
立即停止对其进行现金分红，并停发其应在本公司领取的薪酬、津贴，直至该
人士履行相关承诺。
如因不可抗力原因导致本公司未能履行公开承诺事项的，本公司将提出新
的承诺并接受如下约束措施，直至新的承诺履行完毕或相应补救措施实施完毕：
（1）在股东大会及中国证监会指定的披露媒体上公开说明未履行的具体原
因并向公司股东和社会公众投资者道歉；
（2）尽快研究将投资者利益损失降低到最小的处理方案，并提交股东大会
审议，尽可能地保护本公司投资者利益。
本人将严格履行在首次公开发行股票并在科创板上市过程中所作出的公开
承诺事项中的各项义务和责任。
如果本人未履行招股说明书及其他信息披露资料披露的承诺事项（相关法
律法规、政策变化、自然灾害及其他不可抗力等本人无法控制的客观原因导致
的除外），本人将在股东大会及中国证监会指定报刊上公开说明未履行承诺的
具体原因并向股东和社会公众投资者道歉。
如果本人未能履行上述承诺，则本人将按有关法律、法规的规定及监管部
门的要求承担相应的责任；因未履行相关承诺事项而获得收益的，所或收益全
部归公司所有；如果因本人未履行相关承诺事项，致使投资者在证券交易中遭
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受损失的，本人将依法向投资者赔偿相关损失。
如果本人未承担前述赔偿责任，公司有权立即停发本人应在公司领取的薪
酬、津贴（如有），直至本人履行相关承诺，并有权扣减本人从公司所获分配
的现金分红（如有）用于承担前述赔偿责任，如当年度现金利润分配已经完成，
则从下一年度应向本人分配现金分红中扣减。
如因不可抗力原因导致本人未能履行公开承诺事项的，本人将提出新的承
诺并接受如下约束措施，直至新的承诺履行完毕或相应补救措施实施完毕：
（1）在股东大会及中国证监会指定的披露媒体上公开说明未履行的具体原
因并向公司股东和社会公众投资者道歉；
（2）尽快研究将投资者利益损失降低到最小的处理方案，并提交股东大会
审议，尽可能地保护公司投资者利益。
本人将严格履行在首次公开发行股票并在科创板上市过程中所作出的公开
承诺事项中的各项义务和责任。
如果本人未履行招股说明书及其他信息披露资料披露的承诺事项（相关法
律法规、政策变化、自然灾害及其他不可抗力等本人无法控制的客观原因导致
的除外），本人将在股东大会及中国证监会指定报刊上公开说明未履行承诺的
具体原因并向股东和社会公众投资者道歉。
如果本人未能履行上述承诺，则本人将按有关法律、法规的规定及监管部
门的要求承担相应的责任；因未履行相关承诺事项而获得收益的，所或收益全
部归公司所有；如果因本人未履行相关承诺事项，致使投资者在证券交易中遭
受损失的，本人将依法向投资者赔偿相关损失。
如果本人未承担前述赔偿责任，公司有权立即停发本人应在公司领取的薪
酬、津贴（如有），直至本人履行相关承诺，并有权扣减本人从公司所获分配
的现金分红（如有）用于承担前述赔偿责任，如当年度现金利润分配已经完成，
则从下一年度应向本人分配现金分红中扣减。
如因不可抗力原因导致本人未能履行公开承诺事项的，本人将提出新的承
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诺并接受如下约束措施，直至新的承诺履行完毕或相应补救措施实施完毕：
（1）在股东大会及中国证监会指定的披露媒体上公开说明未履行的具体原
因并向公司股东和社会公众投资者道歉；
（2）尽快研究将投资者利益损失降低到最小的处理方案，并提交股东大会
审议，尽可能地保护公司投资者利益。
彭玫所作承诺
本企业/本人将严格履行在首次公开发行股票并在科创板上市过程中所作出
的公开承诺事项中的各项义务和责任。
如果本企业/本人未履行招股说明书及其他信息披露资料披露的承诺事项
（相关法律法规、政策变化、自然灾害及其他不可抗力等本企业/本人无法控制
的客观原因导致的除外），本企业/本人将在股东大会及中国证监会指定报刊上
公开说明未履行承诺的具体原因并向股东和社会公众投资者道歉。
如果本企业/本人未能履行上述承诺，则本企业/本人将按有关法律、法规的
规定及监管部门的要求承担相应的责任；因未履行相关承诺事项而获得收益的，
所或收益全部归公司所有；如果因本企业/本人未履行相关承诺事项，致使投资
者在证券交易中遭受损失的，本企业/本人将依法向投资者赔偿相关损失。
如果本企业/本人未承担前述赔偿责任，公司有权扣减本企业/本人从公司
所获分配的现金分红（如有）用于承担前述赔偿责任，如当年度现金利润分配
已经完成，则从下一年度应向本企业/本人分配现金分红中扣减。
如因不可抗力原因导致本企业/本人未能履行公开承诺事项的，本企业/本人
将提出新的承诺并接受如下约束措施，直至新的承诺履行完毕或相应补救措施
实施完毕：
（1）在股东大会及中国证监会指定的披露媒体上公开说明未履行的具体原
因并向公司股东和社会公众投资者道歉；
（2）尽快研究将投资者利益损失降低到最小的处理方案，并提交股东大会
审议，尽可能地保护公司投资者利益。
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五、发行人及其他责任主体作出的与发行人本次发行上市相关
的其他承诺事项
（一）关于股东信息披露专项承诺
公司就股东信息披露情况承诺如下：
完整的资料，积极和全面配合了本次发行的中介机构开展尽职调查，依法在本
次发行的申报文件中真实、准确、完整地披露了股东信息，履行了信息披露义
务；
纠纷或潜在争议、纠纷等情形；
的情形；
或间接持有发行人股份情形；
间接入股公司的情形；
（二）关于规范及减少关联交易的承诺
本人以及因与本人存在特定关系而成为发行人关联方的公司、企业、其他
经济组织或个人（以下简称“关联方”）与发行人之间现时不存在任何依照法
律、法规和规范性文件的规定应披露而未披露的关联交易。
本人将严格按照《中华人民共和国公司法》等法律法规以及公司章程的有
关规定，依法行使股东权利或者督促董事依法行使董事权利，同时承担相应的
股东义务，在董事会、股东大会对涉及本人及本人所控制的其他企业（包括但
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不限于独资经营、合资经营、合作经营以及直接或间接拥有权益的其他公司或
企业，下同）的关联交易进行表决时，履行回避表决的义务。
在本人为发行人的关联方期间，本人及本人所控制的其他企业将尽最大的
努力减少或避免与发行人的关联交易，对于确属必要的关联交易，应按照公平、
公允和等价有偿的原则进行，遵循市场化的定价原则，履行国家有关法律法规、
公司章程要求的程序，并按照规定履行信息披露义务。
本人及与本人控制的其他企业不得要求或接受发行人给予比在任何一项市
场公平交易中第三方更为优惠的条件。本人及与本人控制的其他企业将严格及
善意地履行与发行人之间的关联交易协议，不向发行人谋求任何超出正常商业
交易价格以外的利益或收益，不损害发行人及其股东的合法权益。
若本人未履行上述承诺，将赔偿发行人因此而遭受或产生的任何损失或开
支。
上述承诺自本承诺函签署日起生效，对本人具有法律约束力；至本人不再
为发行人的关联方当日失效。
本人以及因与本人存在特定关系而成为发行人关联方的公司、企业、其他
经济组织或个人（以下简称“关联方”）与发行人之间现时不存在任何依照法
律、法规和规范性文件的规定应披露而未披露的关联交易。
本人将严格按照《中华人民共和国公司法》等法律法规以及公司章程的有
关规定，依法行使或者督促相关方依法行使权利，同时承担相应的义务，在董
事会、股东大会对涉及本人及本人所控制的其他企业（包括但不限于独资经营、
合资经营、合作经营以及直接或间接拥有权益的其他公司或企业，下同）的关
联交易进行表决时，履行回避表决的义务。
在本人为发行人的关联方期间，本人及本人所控制的其他企业将尽最大的
努力减少或避免与发行人的关联交易，对于确属必要的关联交易，应按照公平、
公允和等价有偿的原则进行，遵循市场化的定价原则，履行国家有关法律法规、
公司章程要求的程序，并按照规定履行信息披露义务。
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本人及与本人控制的其他企业不得要求或接受发行人给予比在任何一项市
场公平交易中第三方更为优惠的条件。本人及与本人控制的其他企业将严格及
善意地履行与发行人之间的关联交易协议，不向发行人谋求任何超出正常商业
交易价格以外的利益或收益，不损害发行人及其股东的合法权益。
若本人未履行上述承诺，将赔偿发行人因此而遭受或产生的任何损失或开
支。
上述承诺自本承诺函签署日起生效，对本人具有法律约束力；至本人不再
为发行人的关联方当日失效。
彭玫所作承诺
本企业/本人以及因与本企业/本人存在特定关系而成为发行人关联方的公司、
企业、其他经济组织或个人（以下简称“关联方”）与发行人之间现时不存在
任何依照法律、法规和规范性文件的规定应披露而未披露的关联交易。
本企业/本人将严格按照《中华人民共和国公司法》等法律法规以及公司章
程的有关规定，依法行使股东权利或者督促董事依法行使董事权利，同时承担
相应的股东义务，在董事会、股东大会对涉及本企业/本人及本企业/本人所控制
的其他企业（包括但不限于独资经营、合资经营、合作经营以及直接或间接拥
有权益的其他公司或企业，下同）的关联交易进行表决时，履行回避表决的义
务。
在本企业/本人为发行人的关联方期间，本企业/本人及本企业/本人所控制
的其他企业将尽最大的努力减少或避免与发行人的关联交易，对于确属必要的
关联交易，应按照公平、公允和等价有偿的原则进行，遵循市场化的定价原则，
履行国家有关法律法规、公司章程要求的程序，并按照规定履行信息披露义务。
本企业/本人及与本企业/本人控制的其他企业不得要求或接受发行人给予比
在任何一项市场公平交易中第三方更为优惠的条件。本企业/本人及与本企业/本
人控制的其他企业将严格及善意地履行与发行人之间的关联交易协议，不向发
行人谋求任何超出正常商业交易价格以外的利益或收益，不损害发行人及其股
东的合法权益。
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若本企业/本人未履行上述承诺，将赔偿发行人因此而遭受或产生的任何损
失或开支。
上述承诺自本承诺函签署日起生效，对本企业/本人具有法律约束力；至本
企业/本人不再为发行人的关联方当日失效。
六、股东大会、董事会、监事会、独立董事、董事会秘书制度
的建立健全及运行情况说明
设立以来，公司股东大会、董事会、监事会等依法规范运作，公司法人治
理结构不断完善。股东大会、董事会、监事会的召开及决议内容合法有效，不
存在董事会或高级管理人员违反《公司法》及其他规定行使职权的情形。
（一）股东大会运行情况
股东大会是公司最高权力机构，由全体股东组成。公司按照《公司法》
《证券法》等相关法律、法规和规范性文件及《公司章程》的要求制定了《股
东大会议事规则》，对股东大会的召集、提案、出席、议事、表决、决议及会
议记录等进行了规范。
自股份公司设立起至本招股说明书签署日，发行人召开了 16 次股东大会，
对董事会、监事会成员的选聘、制定及修改内部控制制度、聘请会计师事务所、
报告期关联交易情况、重大投资行为、公司预算决算、利润分配方案以及与本
次发行上市相关的事项和上市后股东分红回报规划等事项进行了审议并作出决
议。股东大会运行情况良好，各次股东大会的会议通知方式、召开方式、表决
方式、决议内容及签署均符合《公司法》等法律法规、规范性文件及《公司章
程》《股东大会议事规则》等相关规定，履行了相关的法律程序，合法、合规、
真实、有效，符合相关要求。
（二）董事会运行情况
公司董事会由 9 名董事组成，其中独立董事 3 名。董事由股东大会选举或
更换，任期 3 年，任期届满可连选连任。根据《独立董事工作制度》，独立董
事每届任期与公司其他董事任期相同，任期届满，可以连选连任，但连任时间
不得超过六年。
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自股份公司设立起至本招股说明书签署日，发行人召开了 23 次董事会，对
选举董事长、聘任总经理、副总经理、董事会秘书和财务总监等高级管理人员、
选举董事会各专门委员会委员、报告期关联交易情况、重大投资行为、公司预
算决算、利润分配方案、与本次发行上市相关的事项以及上市后股东分红回报
规划等事项进行了审议并作出决议。公司董事亲自出席董事会会议，审议相关
议案。公司董事会严格按照《公司法》《公司章程》和《董事会议事规则》等
规定行使自身的职权，公司董事会规范运行，董事会的召开和决议内容合法、
有效，不存在董事会违反《公司法》及其他规定行使职权的情形。
（三）监事会运行情况
公司监事会由 3 名监事组成，其中职工代表监事 1 名。公司依据《公司法》
《上市公司治理准则》等法律、法规、规范性文件及《公司章程》的有关规定，
制定并由股东大会审议通过《监事会议事规则》，在《公司章程》的基础上对
监事会的职权、议事规则等进行了细化。公司《监事会议事规则》符合《公司
法》《证券法》《上市公司治理准则》等关于上市公司治理的法律、法规及规
范性文件要求。
自股份公司设立起至本招股说明书签署日，发行人召开了 13 次监事会，对
选举监事会主席、年度监事会工作报告、财务决算报告、关联交易以及与本次
发行上市相关的事项等进行了审议并作出决议。公司监事亲自出席监事会会议，
审议相关议案。监事会严格依照《公司法》《公司章程》和《监事会议事规则》
等规定行使自身的权利，规范运行，监事会的召开和决议内容合法、有效，不
存在监事会违反《公司法》及其他规定行使职权的情形。
（四）独立董事履职情况
自设立以来，公司为独立董事发挥作用提供了良好的机制环境和工作条件。
公司独立董事依照国家法律、法规和《公司章程》有关规定，勤勉尽职地履行
职权，自履职以来，出席了历次董事会会议，积极参与公司决策，发挥在财务、
法律及战略决策等方面的专业特长，为公司提出了许多意见与建议，并对需要
独立董事发表意见的事项进行了认真的审议并发表了公允的独立意见，对完善
公司法人治理结构和规范运作发挥了积极作用。
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公司现任独立董事为秦舒、苏中一、朱光忠，其中苏中一为会计专业人士。
公司独立董事严格按照《公司章程》《独立董事工作制度》等相关制度的规定
行使自己的权利，履行自己的义务，根据有关规定对公司的相关议案事项发表
了独立意见，对完善公司治理结构和规范公司运作发挥了积极的作用。
（五）董事会秘书制度建立与运行情况
公司设董事会秘书 1 名，负责公司股东大会和董事会会议的筹备、文件保
管以及公司股东资料管理，办理信息披露事务等事宜。董事会秘书为公司的高
级管理人员，对董事会负责。公司依据《公司法》和《公司章程》的规定，制
定了《董事会秘书工作细则》，对董事会秘书的任职条件、任免程序和职责等
予以规定。
公司董事会秘书自任职以来，严格按照《公司章程》和《董事会秘书工作
细则》的有关规定履行职责：认真筹备股东大会和董事会会议，出席公司董事
会会议并制作记录，确保记录准确并在会议记录上签字，负责保管会议文件及
记录，组织和协调办理信息披露事宜，确保信息披露真实、准确、完整、及时
及公平，与股东建立了良好关系，在公司的运作和协调中起到了积极的推动作
用。
七、审计委员会及其他专门委员会的设置情况说明
经第一届董事会第十三次会议审议通过《关于设立公司董事会专门委员会
的议案》，公司董事会下设战略委员会、提名委员会、薪酬与考核委员会、审
计委员会四个专门委员会，并且会议审议通过《董事会审计委员会工作细则》
《董事会提名委员会工作细则》《董事会薪酬与考核委员会工作细则》和《董
事会战略委员会工作细则》。
专门委员会名称 成员姓名
战略委员会 丁国华（召集人）、罗寅、秦舒
提名委员会 朱光忠（召集人）、苏中一、丁国华
薪酬与考核委员会 秦舒（召集人）、苏中一、丁国华
审计委员会 苏中一（召集人）、朱光忠、罗寅
各专门委员会自设立以来，严格按照法律法规和公司制度的要求履行职责，
规范运行，对完善公司的治理结构起到了良好的促进作用。
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八、募集资金具体运用情况
（一）智能功率半导体研发升级项目
智能功率半导体研发升级项目主要涉及公司的主营产品功率器件、功率 IC、
IPM、光继电器（Photo MOS）等系列产品的技术升级、工艺制程优化及部分新
品类的研发及规模化量产。其中，功率器件主要包括高可靠性高压平面
MOSFET（包括 FRMOS）、新一代超结 MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V
屏蔽栅 MOSFET 产品；功率 IC 包括高压高速栅极驱动 IC 等产品。
该项目实施旨在继续加强公司在功率半导体产品的技术积淀，保持在功率
器件、功率 IC、IPM、光继电器（Photo MOS）产品的领先优势，挖掘高性能
智能功率半导体的发展潜力，打造全系列产品的技术创新平台，致力于成为市
场一流的高性能、智能化功率半导体供应商。
项目总投资 14,473.27 万元，其中，装修工程费用 320.27 万元，占比 2.21%；
软硬件购置费用 2,479.88 万元，占比 17.13%；预备费 140.01 万元，占比 0.97%；
办公场地租赁费用 76.46 万元，占比 0.53%；研发人员薪酬及福利费用 6,306.80
万元，占比 43.58%；试产、试制费用 1,966.85 万元，占比 13.59%；掩膜版费用
占比 1.73%。具体如下：
单位：万元
序号 投资资金 第一年 第二年 第三年 总投资金额 占比
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序号 投资资金 第一年 第二年 第三年 总投资金额 占比
资质、认证及其他知识产
权事务费用
合计 5,289.21 4,294.12 4,889.94 14,473.27 100.00%
本项目建设时间为 36 个月。本项目实施主要分为方案设计，可行性研究，
办公场地租赁及装修，设备采购、安装及调试，人员招聘、培训和产品研发、
升级及产业化等阶段。本项目具体实施进度计划如下表所示：
T1 T2 T3
序号 项目
Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4
办公场地租赁
及装修
设备采购、安
装及调试
人员招聘、培
训
产品研发、升
级及产业化
本项目建设内容已于 2022 年 1 月取得张家港市行政审批局出具的《江苏省
投资项目备案证》（项目代码：2201-320582-89-01-687241）。
本项目在公司已有的办公场地进行项目的建设、实施，不涉及土建工程。
本项目产品生产环节委托晶圆代工厂和封测厂进行加工，项目运营过程主要是
对产品进行设计、开发和测试，因此项目运营过程中公司不产生废气、废水、
废渣等工业污染物，不会对环境产生污染。
在智能功率半导体研发升级项目拟推出的新产品中，功率器件主要包括高
可靠性高压平面 MOSFET（包括 FRMOS）、新一代超结 MOSFET（SJMOS-
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FD）、40V-200V 屏蔽栅 MOSFET 产品；功率 IC 主要包括高压高速栅极驱动
IC 等产品；其他产品主要包括 IPM、光继电器（Photo MOS）。
高 可 靠 性 高 压 平 面 MOSFET（ 包 括 FRMOS） 是 在 公 司 已 有 的 平 面
MOSFET（包括 FRMOS）成熟的设计平台及工艺平台的基础上进行的研制；新
一代超结 MOSFET（SJMOS-FD）是在公司已有的超结 MOSFET 产品设计平台
的 基 础 上 进 行 的 研 制 ；40V-200V 屏 蔽 栅 MOSFET 是 在 公 司 已 有 屏 蔽 栅
MOSFET 产品设计平台上研制；高压高速栅极驱动 IC 是在公司已有的功率 IC
设计平台、测试及验证平台、可靠性考核平台、积累的 IP、成熟的工艺加工平
台等基础之上研制；IPM 是在公司已有的栅极驱动 IC 及 FRMOS 基础上进行的
研制；光继电器（Photo MOS）是公司在 MOSFET 工艺平台上结合公司拥有的
光电转换芯片技术的基础上研制。
该项目实施旨在继续加强技术积淀、进一步完善和丰富产品系列、扩大产
品销售规模，保持高性能、智能化功率半导体产品的优势。项目实施不改变公
司主营业务，是公司原有业务的延展和深化，项目实施具有可行性。
上述研发项目是在公司已掌握的核心技术及积累的功率 IC 的 IP 基础上进
行进一步的拓展开发。
（二）SiC 功率器件研发升级项目
SiC 功率器件研发升级项目主要涉及 650V-1700V SiC MOSFET、650V-
在 SiC 功率器件方面，一是将 SiC MOSFET、SiC SBD 产品由 4 英寸工艺
平台升级 6 英寸工艺平台；二是在 SiC MOSFET 基础上开发集成 SBD 器件，开
发出 650V 和 1200V 的 SiC SKMOS。
在 SiC 功率模块方面，包括 SiC SKMOS 功率模块和集成功率驱动的 SiC
SKMOS IPM 智能功率模块的研发。
SiC 功率器件及 SiC 功率模块的研发、规模化量产及销售，可以有效丰富
公司产品品类，扩大产品的应用范围，提高公司 SiC 产品的供货能力，从而提
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高公司盈利水平。
项目总投资 8,727.85 万元，其中，装修工程费用 64.86 万元，占比 0.74%；
软硬件购置费用 1,497.00 万元，占比 17.15%；预备费 78.09 万元，占比 0.89%；
办公场地租赁费用 19.24 万元，占比 0.22%；研发人员薪酬及福利费用 2,169.55
万元，占比 24.86%；试产试制费用 4,193.10 万元，占比 48.04%；掩膜版费用
占比 2.86%。具体如下：
单位：万元
序号 投资资金 第一年 第二年 第三年 总投资金额 占比
资质、认证及其他知识产
权事务费用
合计 2,974.40 2,580.97 3,172.48 8,727.85 100.00%
本项目建设时间为 36 个月。本项目实施主要分为方案设计，可行性研究，
办公场地租赁及装修，设备采购、安装及调试，人员招聘、培训和产品研发、
升级及产业化等阶段。本项目具体实施进度计划如下表所示：
T1 T2 T3
序号 项目
Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4
办公场地租赁及
装修
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T1 T2 T3
序号 项目
Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4
设备采购、安装
及调试
产品研发、升级
及产业化
本项目建设已于 2022 年 1 月取得张家港市行政审批局出具的《江苏省投资
项目备案证》（项目代码：2201-320582-89-01-601805）。
本项目在公司已有的办公场地进行项目的建设、实施，不涉及土建工程。
本项目产品生产环节委托晶圆代工厂和封测厂进行加工，项目运营过程主要是
对产品进行设计、开发和测试，因此项目运营过程中公司不产生废气、废水、
废渣等工业污染物，不会对环境产生污染。
公司在深耕功率器件、功率 IC 产品的基础上，积极布局第三代半导体研发，
公司已完成了 SiC 功率器件设计平台、测试验证平台建设，在 SiC 功率器件的
关键器件工艺、SiC MOSFET 低缺陷密度栅氧工艺、SiC 功率器件结构设计和高
压终端技术等方面积累了较多的经验。
在 SiC 功率器件研发升级项目拟推出的新产品中，SiC 功率器件具体包括
基于 SiC SKMOS 的功率模块和基于 SiC SKMOS 的 IPM 智能功率模块。
技术而升级至 6 寸 SiC 晶圆技术，采用先进的制程技术及设备，结合芯片设计
的优化实现芯片的功率密度进一步提升；650V-1200V SiC SKMOS（集成 SBD
的 SiC MOSFET）是在公司已有的 SiC MOS 和 SiC SBD 工艺技术的基础上进行
研制；SiC SKMOS 的功率模块是在公司已有的 SKMOS 工艺和设计基础上结合
积累的功率模块设计经验进行研制；SiC SKMOS 的 IPM 智能功率模块是利用公
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司已有的栅极驱动 IC，结合开发的 SKMOS 进行研制。
公司将把握国产化替代机遇，通过该项目的成果转化，推进新研发的高性
能 SiC 功率器件的量产进程。报告期内，公司已掌握了 SiC 功率器件核心技术，
完成了代表产品的研制，并已初步实现了市场布局，产品已得到高可靠领域客
户的认证和采购。项目实施不改变公司主营业务，是公司原有业务的延展和深
化，项目实施具有可行性。
上述研发项目是在公司已掌握的核心技术及积累的设计及工艺开发经验基
础上进行的进一步开发。
（三）功率半导体研发工程中心升级项目
项目将依托公司在功率器件、功率 IC、IPM 及光继电器（Photo MOS）产
品研发方面的经验积累，对功率半导体研发工程中心进行升级，具体包括如下
方面：对功率半导体器件和模块封装可靠性、SiC 高温封装应用、基于 SiC
MOSFET 制作光继电器（Photo MOS）以及数字电源进行持续深入研究；升级
建设可靠性实验室和测试应用中心，其具体内容如下：
项目 项目内容
（1）考核前后静态参数测试
（2）高温栅极偏置考核(HTGB)
（3）高温反偏考核(HTRB）
（4）温度循环或者温度冲击考核(TC/TS)
（5）无反偏高加速寿命试验(UHAST)
可靠性实验室
（6）反偏高加速寿命试验(HAST)
（7）高温高湿老化试验(Dual 85%)
（8）功率循环(PC/IOL)
（9）静电测试 ESD(HBM/CDM)
（10）其他细分可靠性/寿命/老化测试
（1）SiC 器件动静态测试系统
（2）热阻测试系统
（3）IPM 动静态参数测试系统
测试应用中心
（4）电机测试系统
（5）模拟芯片高低温测试系统
（6）大功率电源测试系统
通过实施该项目，公司将打造功率半导体器件测试及可靠性考核平台，通
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过增加相关的检测分析设备投入，持续优化实验环境，提升测试与可靠性分析
的能力和效率，进一步保障产品质量、吸引高端人才，实现技术的升级和专业
人才的培养，从而促进公司主营业务高质量发展。
项目总投资 16,807.16 万元，其中，办公场地购置费用（含装修费用）
备安装调试费 148.22 万元，占比 0.88%；研发人员薪酬及福利费用 2,937.85 万
元，占比 17.48%；专利维护、检索费用 30.00 万元，占比 0.18%；数据库维护
费用 150.00 万元，占比 0.89%；研发系统及维护费用 60.00 万元，占比 0.36%。
具体如下：
单位：万元
序号 投资资金 第一年 第二年 第三年 总投资金额 占比
办公场地购置费用（含装
修）
合计 6,081.93 4,933.69 5,791.54 16,807.16 100.00%
本项目建设时间为 36 个月。本项目实施主要分为方案设计，可行性研究，
办公场地购置及装修，设备采购、安装及调试，人员招聘、培训和项目研发、
可靠性及测试应用分析等阶段。本项目具体实施进度计划如下表所示：
T1 T2 T3
序号 项目
Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4
办公场地购置、装
修
设备采购、安装及
调试
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T1 T2 T3
序号 项目
Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4
项目研发、可靠性
及测试应用分析
本项目建设已于 2022 年 1 月取得张家港市行政审批局出具的《江苏省投资
项目备案证》（项目代码：2201-320582-89-01-927792）。
本项目拟在公司现有办公场地附近购置房产进行项目的建设、实施，不涉
及土建工程。截至本招股说明书签署日，公司已通过购买方式取得了位于张家
港杨舍镇华昌路 10 号沙洲湖科创园 B2 幢 01 室的房产，证书编号为苏（2022）
张家港市不动产权第 8224823 号。
本项目产品生产环节委托晶圆代工厂和封测厂进行加工，项目运营过程主
要是对产品进行设计、开发和测试，因此项目运营过程中公司不产生废气、废
水、废渣等工业污染物，不会对环境产生污染。
功率半导体研发工程中心升级项目将对功率器件和模块封装可靠性、SiC
高温封装、应用、基于 SiC MOSFET 制作光继电器（Photo MOS）以及数字电
源进行持续深入研究。公司拥有相应的可靠性考核设备和可靠性研究团队，拥
有完整的 MOSFET 的技术平台，可为光继电器匹配适合 SiC MOS，拥有光电发
生器的研究基础。该项目基于公司现有技术进行了前瞻性布局，有利于提升公
司的技术创新能力，进一步丰富技术储备。项目的实施一方面可以推动公司现
有产品的优化升级，提升公司产品附加值；另一方面可以推动研发成果的成功
转化，有助于丰富公司的产品种类，开拓新的产品应用领域，增强公司的盈利
能力。此外，在器件可靠性考核与测试应用能力方面，随着可靠性实验室及测
试应用中心的建设，公司通过购置先进的测试设备，有利于完备公司可靠性考
核能力，有助于提高产品良率，提升出厂产品的质量，更好的满足和服务于工
业级及高可靠领域客户对产品品质的需求，同时，也使得公司具备完善的测试
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评价平台，并能够有效制作产品应用方案，指导客户更好的使用公司产品，从
而有利于产品的市场推广。
（四）补充营运资金
公司综合考虑了行业发展趋势、自身经营特点、财务状况以及业务发展规
划等，拟使用本次公开发行募集资金 13,000.00 万元用于补充营运资金。
公司所属的芯片设计行业具有人才密集、资金密集等特点，除本次募投项
目外，公司需要不断进行新技术的探索、原有技术的升级和产品持续优化来提
升市场竞争力。同时，公司在第三代半导体技术研发的布局也需要大量的资金
及人力的支持，因此，在研发方面投入较大。
随着公司经营规模的持续扩大和对新市场、新领域的不断开拓，公司营运
资金需求将不断增加。本次募投项目使用募集资金补充营运资金将对公司的持
续发展提供资金支持，也可用于归还银行借款等有息负债，优化资本结构，增
强公司抗风险能力。
此外，公司是典型的知识密集型企业，优秀人才是公司发展的坚实基础，
是公司赖以生存的核心竞争力。充足的营运资金将有助于公司保留和吸引优秀
人才，实现持续发展和保持竞争力。
九、无形资产相关证书
（一）商标
截至本招股说明书签署日，公司目前共拥有 5 项境内注册商标，权利人均
为发行人，且均已取得相应的《商标注册证》；公司无境外注册商标。公司拥
有的境内注册商标如下：
国际 取得 他项
序号 商标 权利人 注册号 有效期限
分类号 方式 权利
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
国际 取得 他项
序号 商标 权利人 注册号 有效期限
分类号 方式 权利
（二）专利
截至 2023 年 7 月 13 日，公司及其子公司已取得相应证书的专利权共 71 项，
具体情况如下：
（1）发明专利
截至 2023 年 7 月 13 日，公司拥有发明专利 28 项，另有 2 项发明专利已获
授予专利通知书，待取得专利证书，具体情况如下：
专利 专利 取得 权利 他项
序号 专利名称 专利号
权人 申请日 方式 期限 权利
一种用于半桥驱动中的电
平位移电路
一种全电压范围多基准电
压同步调整电路
一种集成耗尽型启动器件
的功率 MOS 场效应管
一种利用 PowerMOS 管
DC 开关电源用供电电路
一种集成肖特基二极管的
器件及其制造方法
一种相对电源的高压稳压
电路
一种峰值电流测试与修正
方法及控制电路
一种电压差值实时检测和
动态调节电路
一种极简高可靠性基准产
生和内部电源产生电路
一种降压与推挽级联式
芯片
一种低成本 LDO 限流电
路
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专利 专利 取得 权利 他项
序号 专利名称 专利号
权人 申请日 方式 期限 权利
一种低温漂偏置的带隙基
准电路
用于电源管理芯片的电流
补偿电路
电平检测电路和电平转换
电路
碳化硅肖特基二极管的衬
底减薄方法和制作方法
一种碳化硅结势垒肖特基
二极管及其制作方法
无锡众
行人
一种正激输出可调的谐振
电路
用 于 隔 离 变 换 器 的
电路及控制方法
一种用于桥式驱动电路的
过流检测电路
环形栅 SiC MOSFET 功
率器件及制作方法
一种相对电源的电压产生
电路
开关管电流检测电路和桥
式驱动电路
公司于 2023 年 6 月 28 日取得了“一种恒跨导全摆幅运算放大器”（专利号
为 201710699203.8）《授予发明专利权通知书》。截至 2023 年 7 月 13 日，公
司尚未取得专利证书。
公司于 2023 年 6 月 21 日取得了“一种功率管过流检测电路”（专利号为
未取得专利证书。
（2）实用新型专利
截至 2023 年 7 月 13 日，公司及其子公司共拥有实用新型专利权 43 项，具
体情况如下：
专利 专利 取得 权利 他项
序号 专利名称 专利号
权人 申请日 方式 期限 权利
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
专利 专利 取得 权利 他项
序号 专利名称 专利号
权人 申请日 方式 期限 权利
封装架构
一种用于半桥驱动中的电
平位移电路
一种集成耗尽型启动器件
的功率 MOS 场效应管
一种利用 PowerMOS 管
DC 开关电源用供电电路
一种降低太阳能旁路开关
电路功耗的装置
一种恒跨导全摆幅运算放
大器
一种维持固定脉冲的时钟
同步电路
一种用于控制 LED 延时
开启及快速关断的电路
一种 PD 设备的防浪涌电
路
发行人、
一种多节锂电池电压检测
及保护电路
科技大学
发行人、
一种新型宽禁带功率半导
体器件
科技大学
一种抵抗地和电源反弹噪
声的数字信号处理电路
一种带温度补偿的电流偏
置电路
发行人、
用于保护 IGBT 的内置于
驱动 IC 的主动钳位电路
科技大学
发行人、
一种高低压转换的电源电
路
科技大学
一种适用于开关功率转换
器的电感电流检测电路
一种控制 LLC 谐振的抗
干扰半桥驱动电路
一种通过 LLC 谐振控制 发行人、
的 LED 恒流驱动电路 瑞森半导
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专利 专利 取得 权利 他项
序号 专利名称 专利号
权人 申请日 方式 期限 权利
体科技
（广东）
有限公司
一种带有温度补偿的欠压
保护电路
一种正激有源钳位驱动电
路
发行人、
青岛航天
一种基于片上变压器的隔
离传输电路
究所有限
公司
一种电流模式控制的
BOOST 转换器
一种多节锂电池电压检测
电路
一种输入失调电压自动修
正电路
一种低温漂电源电压检测
电路
一种含有控制芯片的电流
模式交错控制变换器
碳化硅 MOSFET 驱动电
路
一种分立的功率 MOS 场
效应管
（三）集成电路布图设计专有权
截至本招股说明书签署日，公司及其子公司共有 53 项集成电路布图设计专
有权，其具体情况如下：
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取得 他项
序号 权利人 布图设计名称 登记号 证书号码 申请 有效期至
方式 权利
半桥驱动电路 原始
CS5101 取得
非隔离 LED 驱动 原始
电路 CSI6103 取得
降 压 型 DC-DC
原始
取得
CSV3403E
升压型 LED 驱动 原始
电路 CSV2602S 取得
半桥驱动芯片 原始
CSV5060N 取得
片 CSV5121S 取得
有源箝位专用的
原始
取得
片 ZHM5025
集 成 105V 高 压
半桥和同步输出 原始
驱动的 PWM 控 取得
制器 ZHM5035
集成电压调节器 原始
CV1878A 取得
集成电压调节器 原始
MK763 取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
CPT1883 过 零 双 原始
向可控硅光耦 取得
CPT1885 随 机 双 原始
向可控硅光耦 取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
ZHM4981 功率因 原始
素矫正控制芯片 取得
原始
取得
原始
取得
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
取得 他项
序号 权利人 布图设计名称 登记号 证书号码 申请 有效期至
方式 权利
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
苏州锴威特半导体股份有限公司 招股说明书
取得 他项
序号 权利人 布图设计名称 登记号 证书号码 申请 有效期至
方式 权利
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
原始
取得
西安 原始
锴威 取得
西安 原始
锴威 取得
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